CN210348408U - 双通道电源供给电路 - Google Patents

Abstract

本实用新型公开了一种双通道电源供给电路，包括第一N沟道MOS管、第二N沟道MOS管、第一P沟道MOS管以及第二P沟道MOS管，所述第一N沟道MOS管栅极电连接于第一电源，漏极接地，源极并联有第二电源、所述第二N沟道MOS管的栅极以及第一P沟道MOS管的栅极，所述第二N沟道MOS管漏极接地，源极并联有第二电源以及第二P沟道MOS管，所述第一P沟道MOS管漏极并联有第三电源以及第二P沟道MOS管的源极，所述第二P沟道MOS管漏极电连接于所述第二电源。在硬件上做设计处理，其中某一通道电源损坏的情况下，让另一路自动替补供给电源，从而提高整个系统的稳定性和可靠性。

Description

双通道电源供给电路

技术领域

本实用新型涉及电路领域，具体而言，涉及一种双通道电源供给电路，尤其涉及一种用于对可靠性要求较高的板卡的双通道电源供给电路。

背景技术

随着科学进步和技术发展，计算机在各个领域扮演着重要的角色。电源作为计算机关键模块，负责将普通市电转换为计算机可以使用的电压，一般安装在计算机内部。计算机的核心部件工作电压非常低，并且由于计算机工作频率非常高，因此对电源的要求比较高。目前计算机的电源为开关电路，将普通交流电转为直流电，再通过斩波控制电压，将不同的电压分别输出给主板、硬盘、光驱等计算机部件。电源发展种类之多，主板的电源设计不能单一满足一种需求。

目前在一些对板卡可靠性要求极高的场景，仍然在使用单通道电源供给，一旦电源出现故障无法供电，板卡失效无法工作，便会导致整个系统崩盘，将会带来极大的经济损害。

此次研究发明技术方案是解决单通道电源供给的可靠性不够，电源一旦损坏，带来整个系统的崩盘。由此，电源的后备冗余也显得尤为重要，单通道电源已经不能满足可靠需求。此时双通道电源冗余设计就非常有必要。

实用新型内容

本实用新型的目的在于克服现有技术存在的以上问题，提供一种双通道电源供给电路，采用双通道电源供给冗余设计，应用于对可靠性要求较高的板卡。在硬件上做设计处理，其中某一通道电源损坏的情况下，让另一路自动替补供给电源，从而提高整个系统的稳定性和可靠性。

为实现上述技术目的，达到上述技术效果，本实用新型通过以下技术方案实现：

一种双通道电源供给电路，包括第一N沟道MOS管、第二N沟道MOS管、第一P沟道MOS管以及第二P沟道MOS管，所述第一N沟道MOS管栅极电连接于第一电源，漏极接地，源极并联有第二电源、所述第二N沟道MOS管的栅极以及第一P沟道MOS管的栅极，所述第二N沟道MOS管漏极接地，源极并联有第二电源以及第二P沟道MOS管，所述第一P沟道MOS管漏极并联有第三电源以及第二P沟道MOS管的源极，所述第二P沟道MOS管漏极电连接于所述第二电源。

本实用新型进一步设置为，所述第一N沟道MOS管栅极并联有第一电容，源极并联有第二电容所述第一电容、第二电容接地，第一N沟道MOS管源极通过第一电阻并联于所述第二电源。

本实用新型进一步设置为，所述第二N沟道MOS管源极通过第二电阻并联于所述第二电源。

本实用新型进一步设置为，所述第一P沟道MOS管源极并联有第三电容，漏极并联有第四电容，所述第三电容、第四电容接地。

本实用新型进一步设置为，所述第二P沟道MOS管漏极并联有第五电容，所述第五电容接地。

本实用新型的有益效果是：

1、双通道电源冗余硬件电路设计，在硬件上做设计处理，其中某一通道电源损坏的情况下，让另一路自动替补供给电源，极大的提高了整个系统的稳定性、安全性、可靠性。避免由于电源损坏带来的不可预估的危害性。

2、当整个系统上电工作后，第一电源和第二电源都正常上电待机工作。此时开机工作，第一电源和第二电源都为高电平。于是第一电源打开第一N沟道MOS管，第一N沟道MOS管导通漏极为低电平，便会关闭第二N沟道MOS管，第二N沟道MOS管的漏极被第二电源拉高，从而第二P沟道MOS管不会导通，第二电源此时不供电备用状态。与此同时第一N沟道MOS管导通漏极为低电平，第一P沟道MOS管会被打开，第一电源输出电至第三电源,整个系统即由第一电源供电。

3、假设第一电源损坏无法供电，第一电源为低电平。第一N沟道MOS管被关闭，漏极为高电平，第一P沟道MOS管被关闭，第一电源停止供电。此同时第一N沟道MOS管导通漏极为高电平，第二N沟道MOS管被打开，第二N沟道MOS管的漏极为低电平，第二P沟道MOS管便会导通，第二电源输出电至第三电源，整个系统此时即由第二电源供电。

上述说明仅是本实用新型技术方案的概述，为了能够更清楚了解本实用新型的技术手段，并可依照说明书的内容予以实施，以下以本实用新型的较佳实施例并配合附图详细说明如后。本实用新型的具体实施方式由以下实施例及其附图详细给出。

附图说明

此处所说明的附图用来提供对本实用新型的进一步理解，构成本申请的一部分，本实用新型的示意性实施例及其说明用于解释本实用新型，并不构成对本实用新型的不当限定。在附图中：

图1为双通道电源供给电路示意图。

具体实施方式

为了完全理解本实用新型，将参考附图描述本实用新型的优选实施例。可以以各种形式修改本实用新型的实施例，并且本实用新型的范围不应被解释为限于下面详细描述的实施例。提供本实用新型的实施例是为了使本领域技术人员能够更全面地理解本实用新型。因此，可以夸大附图中的元件的形状等，以便强调更清楚的解释。应注意，在附图中，相同的构件由相同的附图标记表示。此外，省略了可能由本实用新型的主旨不必要地模糊的已知功能和配置的详细描述。

下面将参考附图并结合实施例，来详细说明本实用新型。

参照图1所示，一种双通道电源供给电路，包括第一N沟道MOS管Q1、第二N沟道MOS管Q2、第一P沟道MOS管Q3以及第二P沟道MOS管Q4。

其中，所述第一N沟道MOS管Q1栅极电连接于第一电源VCC1，漏极接地，源极并联有第二电源VCC2、所述第二N沟道MOS管Q2的栅极以及第一P沟道MOS管Q3的栅极，所述第一N沟道MOS管Q1栅极并联有第一电容C1，源极并联有第二电容C2，所述第一电容C1、第二电容C2接地，第一N沟道MOS管Q1源极通过第一电阻R1并联于所述第二电源VCC2。

进一步来看本实施例，所述第二N沟道MOS管Q2漏极接地，源极并联有第二电源VCC2以及第二P沟道MOS管Q4，所述第二N沟道MOS管Q2源极通过第二电阻R2并联于所述第二电源VCC2。

进一步来看本实施例，所述第一P沟道MOS管Q3漏极并联有第三电源VCC3以及第二P沟道MOS管Q4的源极，所述第一P沟道MOS管Q3源极并联有第三电容C3，漏极并联有第四电容C4，所述第三电容C3、第四电容C4接地。

本实施例进一步设置为，所述第二P沟道MOS管Q4漏极电连接于所述第二电源VCC2。所述第二P沟道MOS管Q4漏极并联有第五电容C5，所述第五电容C5接地。

当整个系统上电工作后，第一电源VCC1和第二电源VCC2都正常上电待机工作。此时开机工作，第一电源VCC1和第二电源VCC2都为高电平。于是第一电源VCC1打开第一N沟道MOS管Q1，第一N沟道MOS管Q1导通漏极为低电平，便会关闭第二N沟道MOS管Q2，第二N沟道MOS管Q2的漏极被第二电源VCC2拉高，从而第二P沟道MOS管Q4不会导通，第二电源VCC2此时不供电备用状态。与此同时第一N沟道MOS管Q1导通漏极为低电平，第一P沟道MOS管Q3会被打开，第一电源VCC1输出电至第三电源VCC3,整个系统即由第一电源VCC1供电。

假设此时第一电源VCC1损坏，无法供电，第一电源VCC1为低电平。第一N沟道MOS管Q1被关闭，漏极为高电平，第一P沟道MOS管Q3被关闭，第一电源VCC1停止供电。此同时第一N沟道MOS管Q1导通漏极为高电平，第二N沟道MOS管Q2被打开，第二N沟道MOS管Q2的漏极为低电平，第二P沟道MOS管Q4便会导通，第二电源VCC2输出电至第三电源VCC3，整个系统此时即由第二电源VCC2供电。

以上所述仅为本实用新型的优选实施例而已，并不用于限制本实用新型，对于本领域的技术人员来说，本实用新型可以有各种更改和变化。凡在本实用新型的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本实用新型的保护范围之内。

Claims (5)

1.一种双通道电源供给电路，其特征在于：包括第一N沟道MOS管(Q1)、第二N沟道MOS管(Q2)、第一P沟道MOS管(Q3)以及第二P沟道MOS管(Q4)，所述第一N沟道MOS管(Q1)栅极电连接于第一电源(VCC1)，漏极接地，源极并联有第二电源(VCC2)、所述第二N沟道MOS管(Q2)的栅极以及第一P沟道MOS管(Q3)的栅极，所述第二N沟道MOS管(Q2)漏极接地，源极并联有第二电源(VCC2)以及第二P沟道MOS管(Q4)，所述第一P沟道MOS管(Q3)漏极并联有第三电源(VCC3)以及第二P沟道MOS管(Q4)的源极，所述第二P沟道MOS管(Q4)漏极电连接于所述第二电源(VCC2)。

2.根据权利要求1所述的双通道电源供给电路，其特征在于：所述第一N沟道MOS管(Q1)栅极并联有第一电容(C1)，源极并联有第二电容(C2)，所述第一电容(C1)、第二电容(C2)接地，第一N沟道MOS管(Q1)源极通过第一电阻(R1)并联于所述第二电源(VCC2)。

3.根据权利要求1所述的双通道电源供给电路，其特征在于：所述第二N沟道MOS管(Q2)源极通过第二电阻(R2)并联于所述第二电源(VCC2)。

4.根据权利要求1所述的双通道电源供给电路，其特征在于：所述第一P沟道MOS管(Q3)源极并联有第三电容(C3)，漏极并联有第四电容(C4)，所述第三电容(C3)、第四电容(C4)接地。

5.根据权利要求1所述的双通道电源供给电路，其特征在于：所述第二P沟道MOS管(Q4)漏极并联有第五电容(C5)，所述第五电容(C5)接地。

Images