CN209584361U - 应用于烧结窑内的ito靶材架设装置 - Google Patents

应用于烧结窑内的ito靶材架设装置 Download PDF

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王雪涛
李玉新
宋蕊立
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Abstract

本实用新型公开了一种应用于烧结窑内的ITO靶材架设装置,包括水平设置在烧结窑内支架上的支撑座,所述支撑座的上端面倾斜设置,倾斜设置的支撑座上端面上放置有用于承载ITO靶材坯体的承烧板,承烧板的上端面上匀布有若干条贯穿承烧板前后、用于流过氧气气流的沟槽;位于较低端的支撑座倾斜上端面端部设置有承托承烧板和ITO靶材坯体的挡块。本实用新型可使氧气通过水平设置的沟槽与靶材坯体接触,提高了透氧率;同时倾斜设置承烧板可将靶材坯体的重力在水平方向上实现分解,降低了坯体与承烧板之间的摩擦力,有利于靶材坯体的收缩,减少了烧结时间,提高了靶材坯体的烧结成品率以及烧结密度。

Description

应用于烧结窑内的ITO靶材架设装置
技术领域
本实用新型涉及ITO靶材生产技术领域,特别一种烧结窑上的辅助装置。
背景技术
随着科技的迅速发展,电子行业在市场中占据巨大的份额,电子行业市场中很多电子产品都用到了平面显示器,例如平面显示器、液晶电脑、液晶电视等等。ITO靶材是三氧化二铟和二氧化锡的混合物,是ITO薄膜制备的重要原料,ITO靶材因其具有较高的耐热冲击性能、导热率和机械强度,并且电阻率较低,还能够提高电子产品的使用寿命,因此作为主要材料应用于平面液晶显示器的制造,在电子工业、信息产业方面有着广阔而重要的应用。ITO靶材坯体制备成型后需要经过烧结才能作为基础材料生产电子产品。
烧结窑是ITO靶材坯体制备过程中要与烧结坯体的主要设备,采用传统的工艺在烧结窑内进行ITO靶材烧结时,通常将靶坯直接放置在炉膛内支架上水平放置的承烧板上,然后一起放进烧结窑中进行烧结,由于靶坯与承烧板相接触的部位几乎不透氧,会导致靶坯烧结不充分,靶材成型效果差,该方法已逐渐被淘汰。为提高烧结时的透氧率,通常在ITO靶材坯体底部和承烧板之间垫一层氧化铝、刚玉或刚玉莫来石垫片,再将靶材放到垫片上进行烧结,该方法可以在一定程度上提高靶材烧结时的透氧率,但靶材在高温下和垫片接触的地方会产生共融体,对靶材的底部会形成污染,且留有印记,后续磨削量大,增加了工艺成本;另外,垫片上也会沾染ITO粉末,凹凸不平,后续使用会增大摩擦力,导致ITO坯体收缩时阻力增大而断裂,降低ITO靶材的烧结成品率。
实用新型内容
本实用新型需要解决的技术问题是提供一种应用于烧结窑内的ITO靶材架设装置,在提高烧结过程中透氧率的基础上,进一步提高ITO靶材的成品率。
为解决上述技术问题,本实用新型所采取的技术方案如下。
应用于烧结窑内的ITO靶材架设装置,包括水平设置在烧结窑内支架上的支撑座,所述支撑座的上端面倾斜设置,倾斜设置的支撑座上端面上放置有用于承载ITO靶材坯体的承烧板,承烧板的上端面上匀布有若干条贯穿承烧板前后、用于流过氧气气流的沟槽;位于较低端的支撑座倾斜上端面端部设置有承托承烧板和ITO靶材坯体的挡块。
上述应用于烧结窑内的ITO靶材架设装置,多条沟槽间平行且呈水平状设置。
上述应用于烧结窑内的ITO靶材架设装置,所述沟槽的纵截面为长方形状,沟槽顶部的宽度小于相邻沟槽间承烧板顶端面的宽度。
上述应用于烧结窑内的ITO靶材架设装置,所述支撑座倾斜设置的上端面的倾斜度为30~60°。
由于采用了以上技术方案,本实用新型所取得技术进步如下。
本实用新型通过设置倾斜、并带有沟槽的承烧板来承载ITO靶材坯体,可使氧气通过水平设置的沟槽与靶材坯体接触,提高了透氧率;另外,由于承烧板倾斜设置,靶材坯体放置在承烧板上也倾斜设置,并配合挡块支撑,此时靶材坯体的重力得到了水平方向上的分解,因此大大降低了坯体与承烧板之间的摩擦力,有利于靶材坯体的收缩,进一步减少了烧结时间,提高了靶材坯体的烧结成品率以及烧结密度。
附图说明
图1为本实用新型的结构示意图。
其中:1.炉膛,2.支撑座,3.承烧板,31.沟槽,4.ITO靶材坯体,5.挡块,6.支架。
具体实施方式
下面将结合附图和具体实施例对本实用新型进行进一步详细说明。
用于烧结ITO靶材坯体的烧结窑,烧结窑的炉膛1内设置有多层支架6,用于放置待烧结的ITO靶材坯体。
一种应用于烧结窑内的ITO靶材架设装置,其结构如图1所示,包括支撑座2和承烧板3。支撑座水平设置在烧结窑内的支架6上,支撑座的上端面倾斜设置,倾斜度为30~60°,承烧板3放置在倾斜设置的支撑座上端面上,用于承载ITO靶材坯体4;位于较低端的支撑座倾斜上端面端部设置有挡块5,用于承托承烧板和ITO靶材坯体4,放置承烧板和ITO靶材坯体与支撑座上端面之间发生相对滑动。
承烧板的上端面上匀布有若干条沟槽31,沟槽31贯穿承烧板前后,用于流过氧气气流的;为提高氧气流通的顺畅性,本实用新型中的多条沟槽间平行且呈水平状设置,并且沟槽31的纵截面为长方形状,沟槽顶部的宽度小于相邻沟槽间承烧板顶端面的宽度。当然,为提高透氧率,沟槽顶部的宽度也可以大于相邻沟槽间承烧板顶端面的宽度。
本实用新型使用时,首先将支撑座固定在支架上,然后将承烧板带沟槽的端面朝上放置在支撑座上,再将待烧结的ITO靶材坯体放置在承烧板上进行烧结即可。烧结过程中,ITO靶材坯体与承烧板间的接触压力较小,利于ITO靶材坯体的收缩,而氧气气流从沟槽穿过,提高了透氧率,进一步地减少了烧结的时间,提高了烧结的成品率。

Claims (4)

1.应用于烧结窑内的ITO靶材架设装置,其特征在于:包括水平设置在烧结窑内支架(6)上的支撑座(2),所述支撑座的上端面倾斜设置,倾斜设置的支撑座上端面上放置有用于承载ITO靶材坯体的承烧板(3),承烧板的上端面上匀布有若干条贯穿承烧板前后、用于流过氧气气流的沟槽(31);位于较低端的支撑座倾斜上端面端部设置有承托承烧板和ITO靶材坯体(4)的挡块(5)。
2.根据权利要求1所述的应用于烧结窑内的ITO靶材架设装置,其特征在于:多条沟槽间平行且呈水平状设置。
3.根据权利要求2所述的应用于烧结窑内的ITO靶材架设装置,其特征在于:所述沟槽(31)的纵截面为长方形状,沟槽顶部的宽度小于相邻沟槽间承烧板顶端面的宽度。
4.根据权利要求1所述的应用于烧结窑内的ITO靶材架设装置,其特征在于:所述支撑座倾斜设置的上端面的倾斜度为30~60°。
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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN111006514A (zh) * 2019-12-20 2020-04-14 广州市尤特新材料有限公司 一种承烧板及平面陶瓷靶材的烧结方法
CN111023838A (zh) * 2019-12-30 2020-04-17 广州市尤特新材料有限公司 一种管状旋转陶瓷靶材的烧结方法
CN111072379A (zh) * 2019-12-30 2020-04-28 广州市尤特新材料有限公司 一种适用于管状旋转陶瓷靶材的承烧板及烧结方法
CN112898014A (zh) * 2021-03-05 2021-06-04 株洲火炬安泰新材料有限公司 一种ito颗粒的气氛烧结方法

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