CN207743204U - 一种芯片电性恢复装置 - Google Patents

Abstract

本实用新型提出一种芯片电性恢复装置，包括加热台、UV灯、研磨机以及电浆蚀刻机；芯片放置于所述加热台上，所述加热台对所述芯片进行加热，所述UV灯对所述芯片进行照射，所述芯片经所述加热台与所述UV灯处理后，移送至所述研磨机，所述研磨机对所述芯片表面进行研磨以去除所述芯片表面的氧化层，研磨后的芯片送至所述电浆蚀刻机，所述电浆蚀刻机对所述芯片表面的电触点进行蚀刻以去除电触点表面的钝化层。本实用新型提供的芯片电性恢复装置可以将进行失效分析后芯片表面与内部沉积的电子移除，从而恢复芯片的初始电性状态，该芯片电性恢复装置的设置合理，操作简单，且有效地提高了芯片测试分析的精确度。

Description

一种芯片电性恢复装置

技术领域

本实用新型涉及芯片测试技术领域，尤其是芯片电性恢复装置。

背景技术

在对芯片进行失效分析时，当对芯片进行逐步去层分析却无法找到异常原因时，常采用扫描电子显微镜对芯片进行观察，通过机台提供电压的高与低进行亮暗度的比对。由于芯片在使用扫描电子显微镜观察影像的过程中，该芯片被机台所提供的高电压扫过，此时电子已击穿电触点导通了芯片的聚合物层和导线，由于芯片表面已覆盖了电子导致无其他方式可以确认电触点与聚合物层或电触点与导线的连接位置是否有异常，从而无法实际观察到芯片的微缺陷，导致测试分析结果不精确。

实用新型内容

为了解决上述问题，本实用新型提出一种芯片电性恢复装置，可以将进行失效分析后芯片表面与内部沉积的电子移除，从而恢复芯片的初始状态使得芯片的测试分析结果更加精确。

本实用新型通过以下技术方案实现的：一种芯片电性恢复装置，包括加热台、UV灯、研磨机以及电浆蚀刻机；芯片放置于所述加热台上，所述加热台对所述芯片进行加热，所述UV灯对所述芯片进行照射，所述芯片经所述加热台与所述UV灯处理后移送至所述研磨机，所述研磨机对所述芯片表面进行研磨以去除所述芯片表面的氧化层，所述芯片经研磨后送至所述电浆蚀刻机，所述电浆蚀刻机对所述芯片表面的电触点进行蚀刻以去除电触点表面的钝化层。

进一步的，所述研磨机包括转台和研磨片，所述研磨片固定在所述转台上且能随着转台的转动而转动，所述芯片固定在研磨片的上方，所述芯片待研磨的一面与所述研磨片接触，所述研磨片通过转动研磨所述芯片。

进一步的，所述研磨机还包括研磨液，所述研磨片对所述芯片进行研磨时，所述研磨液添加至所述芯片与所述研磨片之间。

进一步的，所述加热台对所述芯片进行加热，所述加热台的加热温度为200～300℃，所述加热台对所述芯片加热5～30min。

进一步的，所述UV灯与所述加热台同时对所述芯片进行处理，所述UV灯对芯片的照射时间为5～30min。

进一步的，所述研磨机对所述芯片的表面进行研磨，研磨时间为5～20s。

进一步的，所述电浆蚀刻机蚀刻所述芯片表面的电触点，蚀刻时间为10～60s。

本实用新型的有益效果：本实用新型提供了一种芯片电性恢复装置，通过采用加热台对芯片进行加热，采用UV灯照射芯片，使得芯片内部沉积的电子迁移至芯片表面，在芯片表面形成氧化层，再使用研磨机将芯片表面的氧化层去除，最后使用电浆蚀刻机将电触点的表面的钝化部分蚀刻掉，从而完整的恢复芯片原始的电性功能，以便能进行下一步的分析实验。本实用新型提供的芯片电性恢复装置在芯片沉积电子的整个移除过程中避免了接触化学试剂，可以有效地防止MEMS元件结构的功能损伤，该芯片电性恢复装置的设置合理，操作简单，且有效地提高了芯片测试分析的精确度。

附图说明

图1为本实用新型的芯片电性恢复装置的加热台与UV灯的示意图；

图2为本实用新型的芯片电性恢复装置的研磨机的示意图；

图3为图2中A部分的放大示意图；

图4为本实用新型的芯片电性恢复装置的电浆蚀刻机的示意图。

具体实施方式

为了更加清楚、完整的说明本实用新型的技术方案，下面结合附图对本实用新型作进一步说明。

请参考图1～图4，本实用新型提出一种芯片50电性恢复装置，包括加热台10、UV灯20、研磨机30以及电浆蚀刻机40；芯片50放置于所述加热台10上，所述加热台10对所述芯片50进行加热，所述UV灯20对所述芯片50进行照射，所述芯片50经所述加热台10与所述UV灯20处理后移送至所述研磨机30，所述研磨机30对所述芯片50表面进行研磨以去除所述芯片50表面的氧化层，所述芯片50经研磨后送至所述电浆蚀刻机40，所述电浆蚀刻机40对所述芯片50表面的电触点进行蚀刻以去除电触点表面的钝化层。本实用新型的芯片50电性恢复装置在芯片50沉积电子的整个移除过程中避免了使用化学试剂，可以有效地保护芯片50的元件结构，且其操作简单，芯片50电性恢复完整，有效地保证了芯片50测试分析的准确性。

优选的，所述研磨机30包括研磨片31、转台33和研磨液32，所述研磨片31固定在所述转台33上且能随着转台33的转动而转动，所述芯片50固定在研磨片31的上方，所述芯片50待研磨的一面与所述研磨片31接触，所述研磨片31通过转动研磨所述芯片50，所述研磨片31对所述芯片50进行研磨时，所述研磨液32添加至所述芯片50与所述研磨片31之间。采用研磨片31研磨芯片50表面以除去芯片50表面的氧化层，在研磨片研磨时，加入适量得研磨液，研磨液32不仅可以提高研磨机30的磨削速率，又可以将磨削过程中产生的大量热量迅速排走，从而避免芯片50表面被烧伤；研磨液32的加入还可以将切削的碎屑沉降，减少研磨过程中产生的扬尘，有利于减少环境污染。

具体的，本实用新型提供的芯片50电性恢复装置主要用作恢复失效分析后内部沉积了电子的芯片50的电性功能，在该芯片50电性恢复装置使用时，先是加热台10与UV灯20同时对芯片50进行处理，加热台10加热芯片50，UV灯20照射芯片50表面，两者同时作用，将沉积在芯片50内部的电子导出至芯片50的表面，由于电子的迁移，会在芯片50表面产生一层氧化层，芯片50经加热台10与UV灯20处理后，移送至该装置的研磨机30进行表面处理，芯片50与研磨片31之间添加研磨液32，然后对芯片50表面进行研磨处理，经过研磨除去芯片50表面产生的氧化层，研磨后的芯片50经过清洗后送至电浆蚀刻机40，电浆蚀刻机40利用等离子体蚀刻芯片50表面的电触点，除去电触点表面的钝化层，经过上述这一系列的处理后，芯片50的电性功能完整的恢复到原始状态，此时，可对芯片50进行下一步的测试分析。

优选的，所述加热台10对所述芯片50进行加热，所述加热台10的加热温度为200～300℃，所述加热台10对所述芯片50加热5～30min。加热台10对芯片50进行加热处理，其使用温度范围优选为200～300℃，时间为5～30min，加热温度不宜过高，时间不宜过长，反之则会导致芯片50的聚合物层发生老化降解，影响芯片50的性能，温度过低或时间过短也会导致芯片50内部电子无法全部导出，影响后续分析测试结果，实际操作中，温度越高，则加热时间越短。

优选的，所述UV灯20与所述加热台10同时对所述芯片50进行处理，所述UV灯20对芯片50的照射时间为5～30min。UV灯20与加热台10同时对芯片50进行处理，加速电子的导出，本实用新型的芯片50电性恢复装置的UV灯20在对芯片50的处理时优选照射时间为5～30min，此时间范围内，芯片50的电子导出较为完整，且芯片50无损伤，时间过长或过短均不利于芯片50电性恢复的完整性。

优选的，所述研磨机30对所述芯片50的表面进行研磨，研磨时间为5～20s。研磨机30对芯片50表面进行研磨，从而除去芯片50表面因电子迁移产生的氧化层，本实用新型的芯片50电性恢复装置在对芯片50进行研磨处理时，优选研磨时间为5～20s，时间过短，则不能完全去除氧化层，影响芯片50的电性恢复，而过度研磨会破坏芯片50的表面结构，造成芯片50的损坏，因此，选择适当的研磨时间对芯片50的电性恢复很重要。

优选的，所述电浆蚀刻机40蚀刻所述芯片50表面的电触点，蚀刻时间为10～60s。电浆蚀刻机40使用时释放出等离子体，以蚀刻电触点表面的钝化层，从而显露出钝化层下的电触点，恢复电触点的电性，电浆蚀刻机40的蚀刻时间优选10～60s，既能保证充分蚀刻以显露出电触点，也避免过度蚀刻造成电触点损坏，使得芯片50的电触点的电性恢复更加完整。

当然，本实用新型还可有其它多种实施方式，基于本实施方式，本领域的普通技术人员在没有做出任何创造性劳动的前提下所获得其他实施方式，都属于本实用新型所保护的范围。

Claims (7)

1.一种芯片电性恢复装置，其特征在于，所述芯片电性恢复装置包括加热台、UV灯、研磨机以及电浆蚀刻机；芯片放置于所述加热台上，所述加热台对所述芯片进行加热，所述UV灯对所述芯片进行照射，所述芯片经所述加热台与所述UV灯处理后移送至所述研磨机，所述研磨机对所述芯片表面进行研磨以去除所述芯片表面的氧化层，所述芯片经研磨后送至所述电浆蚀刻机，所述电浆蚀刻机对所述芯片表面的电触点进行蚀刻以去除电触点表面的钝化层。

2.根据权利要求1所述的芯片电性恢复装置，其特征在于，所述研磨机包括研磨片和转台，所述研磨片固定在所述转台上且能随着转台的转动而转动，所述芯片固定在研磨片的上方，所述芯片待研磨的一面与所述研磨片接触，所述研磨片通过转动研磨所述芯片。

3.根据权利要求2所述的芯片电性恢复装置，其特征在于，所述研磨机还包括研磨液，所述研磨片对所述芯片进行研磨时，所述研磨液添加至所述芯片与所述研磨片之间。

4.根据权利要求1所述的芯片电性恢复装置，其特征在于，所述加热台对所述芯片进行加热，所述加热台的加热温度为200～300℃，所述加热台对所述芯片加热5～30min。

5.根据权利要求1所述的芯片电性恢复装置，其特征在于，所述UV灯与所述加热台同时对所述芯片进行处理，所述UV灯对芯片的照射时间为5～30min。

6.根据权利要求1所述的芯片电性恢复装置，其特征在于，所述研磨机对所述芯片的表面进行研磨，研磨时间为5～20s。

7.根据权利要求1所述的芯片电性恢复装置，其特征在于，所述电浆蚀刻机蚀刻所述芯片表面的电触点，蚀刻时间为10～60s。