CN207602581U - 一种异质结太阳能电池 - Google Patents
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Abstract
本实用新型公开了一种异质结太阳能电池，包括n型单晶硅片，设在n型单晶硅片正面的第一本征非晶硅薄膜层，设在第一本征非晶硅薄膜层上的第一掺杂非晶硅薄膜层，设在第一掺杂非晶硅薄膜层上的第一透明导电薄膜层，设在第一透明导电薄膜层上的银浆栅线前电极，设在n型单晶硅片背面的第二本征非晶硅薄膜层，设在第二本征非晶硅薄膜层上的第二掺杂非晶硅薄膜层，设在第二掺杂非晶硅薄膜层上的第二导电薄膜层，设在第二导电薄膜层上的金属焊接盘，设在金属焊盘上的金属箔膜。本实用背面电极通过设置金属焊盘及金属箔膜，大幅降低了电池电极生产成本，减小了电池串联电阻，提升了电池转换效率。
Description
技术领域
本实用新型涉及太阳能电池技术领域，尤其涉及一种异质结太阳能电池。
背景技术
太阳能电池是一种能将太阳能转换成电能的半导体器件，在光照条件下太阳能电池内部会产生光生电流，通过电极将电能输出。近年来，太阳能电池生产技术不断进步，生产成本不断降低，转换效率不断提高，太阳能电池发电的应用日益广泛并成为电力供应的重要能源。
异质结太阳能电池是其中一种新型的电池技术，其综合了单晶硅太阳能电池和非晶硅太阳能电池的优势，有制备工艺温度低、转换效率更高、高温特性好等特点，因此具有很大的市场潜力。
现有的异质结太阳能电池基本结构如下：在n型单晶硅片正、背面沉积一层本征非晶硅层；在正背面的本征非晶硅层表面分别沉积p型非晶硅层和n型非晶硅层；在电池的正背面沉积透明导电膜；在电池正背两面制作银栅电极，整个制备过程都是在低于220℃下进行的。
从现有的异质结太阳能电池基本结构可以看出，异质结太阳能电池制备过程都在220度下进行，目前市场上一般采用低温银浆作为栅线电极，低温银浆与目前晶硅电池使用的高温银浆对比，印刷宽度更宽，耗用量更大，市场价格非常昂贵，另外电池背面采用的银浆用量通常是正面的2～3倍，因此背面银浆栅线大幅增加了电池的生产成本。
实用新型内容
本实用新型的目的在于克服现有技术中的缺陷，提供一种异质结太阳能电池，使其具有成本低、转换效率高的特点。
为解决上述技术问题，本实用新型所采用的技术方案是：一种异质结太阳能电池，包括n型单晶硅片，设在n型单晶硅片正面的第一本征非晶硅薄膜层，设在第一本征非晶硅薄膜层上的第一掺杂非晶硅薄膜层，设在第一掺杂非晶硅薄膜层上的第一透明导电薄膜层，设在第一透明导电薄膜层上的银浆栅线前电极，设在n型单晶硅片背面的第二本征非晶硅薄膜层，设在第二本征非晶硅薄膜层上的第二掺杂非晶硅薄膜层，设在第二掺杂非晶硅薄膜层上的第二导电薄膜层，设在第二导电薄膜层上的金属焊接盘，设在金属焊盘上的金属箔膜。
优选的，所述第一掺杂非晶硅薄膜层为n型非晶硅薄膜层时，所述第二掺杂非晶硅薄膜层则为p型非晶硅薄膜层；所述第一掺杂非晶硅薄膜层为p型非晶硅薄膜层时，所述第二掺杂非晶硅薄膜层则为n型非晶硅薄膜层。
优选的，所述第一透明导电薄膜层的厚度为10～150nm、第二导电薄膜层的厚度为10～150nm，所述第一本征非晶硅薄膜层厚度为4～10nm，第一掺杂非晶硅薄膜层厚度为4～10nm、第二本征非晶硅薄膜层厚度为4～10nm，第二掺杂非晶硅薄膜层厚度为5～15nm。
优选的，所诉第一透明导电薄膜层及第二透明导电薄膜层为氧化铟锡薄膜、掺铝氧化锌薄膜、掺钨氧化铟中的至少一种。
优选的，所述金属焊盘中的金属为银浆、银铜浆、锡膏中的至少一种，厚度为1～30um。
优选的，所述金属箔膜为铜箔、镀锡铜箔中的一种，厚度为10～500um，方阻小于0.05Ω/□。
由上述对本实用新型结构的描述可知，和现有技术相比，本实用新型具有如下优点：
本实用新型采用以上设计方案，背面电极通过印刷金属焊盘，然后将高电导的金属箔膜压焊在金属焊盘上，大幅降低了电池电极生产成本，减小了电池串联电阻，提升了电池转换效率，同时本实用新型生产工艺流程简单，操作便捷，非常适合大批量自动化生产。
附图说明
构成本申请的一部分的附图用来提供对本实用新型的进一步理解，本实用新型的示意性实施例及其说明用于解释本实用新型，并不构成对本实用新型的不当限定。在附图中：
图1为本实用新型一种异质结太阳能电池的结构示意图；
图2为本实用新型金属焊盘点状图案示意图；
图3为本实用新型金属焊线条状图案示意图；
图4为本实用新型金属箔膜整块图案示意图；
图5为本实用新型金属箔膜异性图案示意图；
图6为本实用新型多主栅图案金属栅线前电极示意图。
具体实施方式
为了使本实用新型的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本实用新型进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本实用新型，并不用于限定本实用新型。
实施例
如图1所示，本实用新型提供了一种异质结太阳能电池，其包括n型单晶硅片1，设在n型单晶硅片1正面的第一本征非晶硅薄膜层2，设在第一本征非晶硅薄膜层2上的第一掺杂非晶硅薄膜层4，设在第一掺杂非晶硅薄膜层4上的第一透明导电薄膜层6，设在第一透明导电薄膜层6上的银浆栅线前电极8。设在n型单晶硅片1背面的第二本征非晶硅薄膜层3，设在第二本征非晶硅薄膜,3上的第二掺杂非晶硅薄膜层5，设在第二掺杂非晶硅薄膜5上的第二导电薄膜层7，设在第二导电薄膜7上的金属焊接盘9，设在金属焊9上的金属箔膜10。
其中，所述第一掺杂非晶硅薄膜层4为n型非晶硅薄膜层时，所述第二掺杂非晶硅薄膜层5则为p型非晶硅薄膜层；所述第一掺杂非晶硅薄膜层4为p型非晶硅薄膜层时，所述第二掺杂非晶硅薄膜层5则为n型非晶硅薄膜层。所述第一透明导电薄膜层6的厚度为10～150nm，第二导电薄膜层7的厚度为10～150nm，所述第一本征非晶硅薄膜2厚度为4～10nm，第一掺杂非晶硅薄膜层厚度为4～10nm、第二本征非晶硅薄膜层3厚度为4～10nm，第二掺杂非晶硅薄膜层厚度为5～15nm。所诉第一透明导电薄膜层6及第二透明导电薄膜层7为氧化铟锡薄膜、掺铝氧化锌薄膜、掺钨氧化铟中的至少一种。
所述金属焊盘9中的金属为银浆、银铜浆、锡膏中的至少一种，厚度为1～30um。如图2、图3所示，所述金属焊盘9图案可以为点状图案或线条状图案。所述金属箔膜10为铜箔、镀锡铜箔中的一种。所述金属箔膜10的厚度为10～500um，所述金属箔膜10的方阻小于0.05Ω/□。如图4、图5所示，所述金属箔膜10图案为整块图案或异性图案。如图6所示，所述金属栅线前电极8的图案为多主栅图案栅线电极。
在本实用新型中，电池背面采用印刷金属焊盘，然后将高电导的金属箔膜压焊在金属焊盘上，大幅降低了电池电极生产成本，减小了电池串联电阻，提升了电池转换效率。同时本实用新型生产工艺流程简单，操作便捷，非常适合大批量自动化生产。
以上所述仅为本实用新型的较佳实施例而已，并不用以限制本实用新型，凡在本实用新型的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等，均应包含在本实用新型的保护范围之内。
Claims (6)
1.一种异质结太阳能电池，其特征在于：包括n型单晶硅片，设在n型单晶硅片正面的第一本征非晶硅薄膜层，设在第一本征非晶硅薄膜层上的第一掺杂非晶硅薄膜层，设在第一掺杂非晶硅薄膜层上的第一透明导电薄膜层，设在第一透明导电薄膜层上的银浆栅线前电极，设在n型单晶硅片背面的第二本征非晶硅薄膜层，设在第二本征非晶硅薄膜层上的第二掺杂非晶硅薄膜层，设在第二掺杂非晶硅薄膜层上的第二导电薄膜层，设在第二导电薄膜层上的金属焊接盘，设在金属焊盘上的金属箔膜。
2.根据权利要求1所述一种异质结太阳能电池，其特征在于：所述第一掺杂非晶硅薄膜层为n型非晶硅薄膜层时，所述第二掺杂非晶硅薄膜层则为p型非晶硅薄膜层；所述第一掺杂非晶硅薄膜层为p型非晶硅薄膜层时，所述第二掺杂非晶硅薄膜层则为n型非晶硅薄膜层。
3.根据权利要求1所述一种异质结太阳能电池，其特征在于：所述第一透明导电薄膜层的厚度为10～150nm、第二导电薄膜层的厚度为10～150nm，所述第一本征非晶硅薄膜层厚度为4～10nm，第一掺杂非晶硅薄膜层厚度为4～10nm、第二本征非晶硅薄膜层厚度为4～10nm，第二掺杂非晶硅薄膜层厚度为5～15nm。
4.根据权利要求1所述一种异质结太阳能电池，其特征在于：所诉第一透明导电薄膜层及第二透明导电薄膜层为氧化铟锡薄膜、掺铝氧化锌薄膜、掺钨氧化铟中的至少一种。
5.根据权利要求1所述一种异质结太阳能电池，其特征在于：所述金属焊盘中的金属为银浆、银铜浆、锡膏中的至少一种，厚度为1～30um。
6.根据权利要求1所述一种异质结太阳能电池，其特征在于：所述金属箔膜为铜箔、镀锡铜箔中的一种，厚度为10～500um，方阻小于0.05Ω/□。
Priority Applications (1)
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| CN201721524208.9U CN207602581U (zh) | 2017-11-15 | 2017-11-15 | 一种异质结太阳能电池 |
Applications Claiming Priority (1)
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Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN114843373A (zh) * | 2022-01-27 | 2022-08-02 | 江苏日托光伏科技股份有限公司 | 一种htj电池的制备方法 |
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2017
- 2017-11-15 CN CN201721524208.9U patent/CN207602581U/zh active Active
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