CN207109146U - 一种防泄漏碳化硅晶体生长炉 - Google Patents
一种防泄漏碳化硅晶体生长炉 Download PDFInfo
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Abstract
本实用新型属于晶体生长技术领域，具体涉及一种防泄漏碳化硅晶体生长炉，包括炉体和上炉盖以及下炉盖，炉体内设有坩埚，坩埚周围设有上反射屏、侧反射屏和下反射屏，上炉盖上设有观察窗以及与观察窗相适应的成像设备，成像设备与观察窗之间设有滤光片；所述的上反射屏为圆锥状反射屏；所述的下反射屏上方设有收集槽，收集槽通过收集槽支柱设于下炉盖上，收集槽支柱下部设有压力传感器，压力传感器通过数据信号线与报警器连接。采用本实用新型不仅可以方便、清晰的观察到生长炉内的情况，杜绝安全隐患，而且可以使晶体表面温度分布更加平缓，降低了晶体内部热应力。
Description
技术领域
本实用新型属于晶体生长技术领域，具体涉及一种防泄漏碳化硅晶体生长炉。
背景技术
在晶体生长技术中，晶体的生长都是在晶体炉内生长，晶体生长方法主要有火焰法、提拉法、导模法、坩埚下降法、泡生法、定向凝固法等，无论哪种方法，对温场的梯度和稳定性要求都很高，而且晶体生长过程中需要人肉眼直接进行观察，不仅误差较大，而且对人的眼睛伤害极大。另外，由于晶体生长处于相对密闭的环境当中，如果坩埚发生损坏泄露也不易被发现，造成安全隐患。
发明内容
针对上述问题，本实用新型提出了一种防泄漏碳化硅晶体生长炉，采用本实用新型不仅可以方便、清晰的观察到生长炉内的情况，杜绝安全隐患，而且可以使晶体表面温度分布更加平缓，降低了晶体内部热应力。
本实用新型采用以下技术方案：一种防泄漏碳化硅晶体生长炉，包括炉体和上炉盖以及下炉盖，炉体内设有坩埚，坩埚周围设有上反射屏、侧反射屏和下反射屏，上炉盖上设有观察窗以及与观察窗相适应的成像设备，成像设备与观察窗之间设有滤光片；所述的上反射屏为圆锥状反射屏；所述的下反射屏上方设有收集槽，收集槽通过收集槽支柱设于下炉盖上，收集槽支柱下部设有压力传感器，压力传感器通过数据信号线与报警器连接。
所述的上反射屏与籽晶轴的夹角为60度。
所述的成像设备与显示屏连接。
所述的收集槽内径大于坩埚外径。
优选的，本申请所述的反射屏均为高纯钼反射屏。
本实用新型具有以下优点：
(1)将传统人工观察代替为高清成像设备通过显示系统显示出来，既解决了人工观察导致的操作不便，提高了工作效率，又可将之前因强光及人眼本身的局限未能及时发现的异常生长情况反馈出来，提高观察准确性，并及时对生长状况进行调整，同时也可避免强光对人眼的伤害。
(2)圆锥状反射屏强化了炉内的热反射，对已生长出的晶体起到了烘烤作用，使晶体表面温度分布更加平缓，降低了由于热应力过高而导致晶体开裂的概率。
(3)一旦有泄露发生，泄露原料流入收集槽，压力传感器感知变化后将信号传送至报警器报警，避免了安全隐患。
本申请结构简单，使用方便，可以广泛推广和使用。
附图说明
图1为本实用新型结构示意图；
图中：1、炉体，2、上炉盖，3、下炉盖，4、坩埚，5、上反射屏，6、侧反射屏，7、下反射屏，8、观察窗，9、成像设备，10、滤光片，11、收集槽，12、收集槽支柱，13、压力传感器，14、数据信号线，15、报警器，16、显示屏。
具体实施方式
一种防泄漏碳化硅晶体生长炉，包括炉体1和上炉盖2以及下炉盖3，炉体1内设有坩埚4，坩埚4周围设有上反射屏5、侧反射屏6和下反射屏7，上炉盖2上设有观察窗8以及与观察窗8相适应的成像设备9，成像设备9与观察窗8之间设有滤光片10；所述的上反射屏5为圆锥状反射屏；所述的下反射屏7上方设有收集槽11，收集槽11通过收集槽支柱12设于下炉盖3上，收集槽支柱12下部设有压力传感器13，压力传感器13通过数据信号线14与报警器15连接。
所述的上反射屏5与籽晶轴的夹角为60度。
所述的成像设备9与显示屏16连接。
所述的收集槽11内径大于坩埚4外径。
Claims (4)
1.一种防泄漏碳化硅晶体生长炉，包括炉体(1)和上炉盖(2)以及下炉盖(3)，炉体(1)内设有坩埚(4)，坩埚(4)周围设有上反射屏(5)、侧反射屏(6)和下反射屏(7)，其特征在于：上炉盖(2)上设有观察窗(8)以及与观察窗(8)相适应的成像设备(9)，成像设备(9)与观察窗(8)之间设有滤光片(10)；所述的上反射屏(5)为圆锥状反射屏；所述的下反射屏(7)上方设有收集槽(11)，收集槽(11)通过收集槽支柱(12)设于下炉盖(3)上，收集槽支柱(12)下部设有压力传感器(13)，压力传感器(13)通过数据信号线(14)与报警器(15)连接。
2.根据权利要求1所述的一种防泄漏碳化硅晶体生长炉，其特征在于：所述的上反射屏(5)与籽晶轴的夹角为60度。
3.根据权利要求1所述的一种防泄漏碳化硅晶体生长炉，其特征在于：所述的成像设备(9)与显示屏(16)连接。
4.根据权利要求1所述的一种防泄漏碳化硅晶体生长炉，其特征在于：所述的收集槽(11)内径大于坩埚(4)外径。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201720786708.3U CN207109146U (zh) | 2017-06-30 | 2017-06-30 | 一种防泄漏碳化硅晶体生长炉 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201720786708.3U CN207109146U (zh) | 2017-06-30 | 2017-06-30 | 一种防泄漏碳化硅晶体生长炉 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN207109146U true CN207109146U (zh) | 2018-03-16 |
Family
ID=61575144
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201720786708.3U Active CN207109146U (zh) | 2017-06-30 | 2017-06-30 | 一种防泄漏碳化硅晶体生长炉 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN207109146U (zh) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN114959913A (zh) * | 2022-05-23 | 2022-08-30 | 连城凯克斯科技有限公司 | 一种防泄漏碳化硅晶体生长炉 |
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2017
- 2017-06-30 CN CN201720786708.3U patent/CN207109146U/zh active Active
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| CN114959913A (zh) * | 2022-05-23 | 2022-08-30 | 连城凯克斯科技有限公司 | 一种防泄漏碳化硅晶体生长炉 |
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