CN207091543U - 高比容腐蚀环境下的石墨电极 - Google Patents

高比容腐蚀环境下的石墨电极 Download PDF

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高比容腐蚀环境下的石墨电极,高比容腐蚀由于两个加电的石墨电极之间的间距较小,且石墨电极的尺寸较大,导致严重影响侵蚀铝箔地比电容及其均匀性。本实用新型包括中心石墨电极本体和对称置于其两侧的石墨电极本体,所述的石墨电极本体的左右侧面和底面套有第一PVC密封套,所述的中心石墨电极本体的左右侧面和底面套有第二PVC密封套,所述的第一上部电极本体、所述的第一下部电极本体上分别具有横向第一通孔,所述的第一中部电极本体具有横向第二通孔,所述的第二上部电极本体具有横向第三通孔,所述的第二中部电极本体具有横向第四通孔。本实用新型降低石墨电极的边缘效应,增强石墨电极和铝箔电极间电解液循环传质能力。

Description

高比容腐蚀环境下的石墨电极
技术领域
本实用新型属于低压腐蚀生产设备领域,具体涉及一种高比容腐蚀环境下的石墨电极。
背景技术
低压腐蚀生产是通过前处理、布点、中间处理、扩大面腐蚀、后处理工艺流程,最主要的工艺是扩大面腐蚀工艺,目前扩大面腐蚀工艺是电解槽中使铝箔浸入酸性电解液,铝箔处于电解槽的两个加电石墨电极之间,在电解槽的石墨电极上施加电流对铝箔进行电化学侵蚀扩面。由于石墨阴极反应产生氢气,造成电解液的pH升高,作为阳极的铝箔被腐蚀生成铝离子,由于两个加电的石墨电极之间的间距较小,且石墨电极的尺寸较大,电解液循环传质困难,因此铝箔处于石墨电极之间的溶液成分变化很大,电解液浓度常常偏离工艺设定的范围,严重影响侵蚀铝箔地比电容及其均匀性,并造成铝箔边缘和中部的电容量有较大偏差。同时石墨电极的边缘效应的影响,也严重影响铝箔的比电容及其均匀性,并造成铝箔边缘和中部的电容量有较大偏差。
发明内容
本实用新型的目的是提供了一种增强石墨电极和铝箔电极间电解液循环传质能力的高比容腐蚀环境下的石墨电极。
本实用新型通过以下技术方案实现:
一种高比容腐蚀环境下的石墨电极,包括中心石墨电极本体和对称置于其两侧的石墨电极本体,所述的石墨电极本体连接第一电极极耳、所述的中心石墨电极本体连接第二电极极耳,所述的石墨电极本体的左右侧面和底面套有第一PVC密封套,所述的中心石墨电极本体的左右侧面和底面套有第二PVC密封套,所述的石墨电极本体由上至下依次为第一上部电极本体、第一中部电极本体、第一下部电极本体,所述的中心石墨电极本体由上至下依次为第二上部电极本体、第二中部电极本体、第二下部电极本体,所述的第一上部电极本体、所述的第一下部电极本体上分别具有横向第一通孔,所述的第一中部电极本体具有横向第二通孔,所述的第二上部电极本体、所述的第二下部电极本体分别具有横向第三通孔,所述的第二中部电极本体具有横向第四通孔。
本实用新型所述的高比容腐蚀环境下的石墨电极,:所述的第一上部电极本体为直角梯形结构,梯形的底角范围为40°~80°,所述的第一下部电极本体为直角梯形结构,梯形的底角范围为40°~80°,第一上部电极本体与第一下部电极本体以第一中部电极本体的水平中心线对称布置;
所述的第二上部电极本体为等腰梯形结构,梯形的底角范围为40°~80°,所述的第二下部电极本体为等腰梯形结构,梯形的底角范围为40°~80°,第二上部电极本体和第二下部电极本体以第二中部电极本体的水平中心线对称布置;
所述的直角梯形结构的斜边与所述等腰梯形结构的斜边相对应。
本实用新型所述的高比容腐蚀环境下的石墨电极,所述的第一中部电极本体为矩形结构;所述的第二中部电极本体为矩形结构。
本实用新型所述的高比容腐蚀环境下的石墨电极,第一通孔的直径是10~15mm,第一通孔与同排相邻的第一通孔间的距离是150~200mm,第一通孔与上排或下排相邻的第一通孔间的距离是70~150mm;第二通孔的直径是15~25mm,第二通孔与同排相邻的第二通孔间的距离是250~300mm,第二通孔与上排或下排相邻的第二通孔间的距离是70~150mm。
本实用新型所述的高比容腐蚀环境下的石墨电极,第三通孔的直径是10~15mm,第三通孔与同排相邻的第三通孔间的距离是150~200mm,第三通孔与上排或下排相邻的第三通孔间的距离是70~150mm;第四通孔的直径是15~25mm,第四通孔与同排相邻的第四通孔间的距离是250~300mm,第四通孔与上排或下排相邻的第四通孔间的距离是70~150mm。
本实用新型所述的高比容腐蚀环境下的石墨电极,所述的石墨电极本体、中心石墨电极本体的宽度是1.5~3.5m,高度是0.6~1.5m。
本实用新型在使用过程中,石墨电极本体分别位于中心石墨电极本体的左边和右边,石墨电极本体的梯形面与中心石墨电极本体的梯形面相对,电容器铝箔在石墨电极本体与中心石墨电极本体之间通过。由于本实用新型石墨电极的梯形面设计,使得石墨电极的上部与铝箔的间距大于石墨电极的中部与铝箔的间距,使得石墨电极的下部与铝箔的间距也大于石墨电极的中部与铝箔的间距,石墨电极与铝箔电极间的间距增大保证铝箔电极的边缘效应降低。
本实用新型的通孔能够促进石墨电极和铝箔电极间电解液循环传质,石墨电极表面在腐蚀过程中产生的氢气和铝箔腐蚀产生的大量铝离子,能够通过石墨电极的通孔迅速扩散到两侧石墨电极的外侧,提高了溶液的循环性能。
本实用新型能够显著改善石墨电极间的电解液循环性能,降低了铝箔电极的边缘效应,提高了铝箔电极的比电容和铝箔电极的腐蚀均匀性。
本实用新型所述的石墨电极本体、所述的中心石墨电极本体的左右两侧面和下底面分别连接PVC密封套,能够保护石墨电极,避免与电解槽碰撞,避免与铝箔阳极连接,同时也能够有效限制溶液电力线的发散,降低边缘效应的影响,并且PVC底部密封石墨还能够使得铝箔电极在底部时候不与石墨电极相对,能够给予铝箔电极一定的时间,扩散铝箔电极与石墨电极间的高浓度铝离子,使得铝箔电极在右侧石墨电极间反应更加均匀。
附图说明
图1为本实用新型两侧石墨电极的后视图;
图2为本实用新型两侧石墨电极的左视图;
图3本实用新型中心石墨电极的主视图;
图4为本实用新型中心石墨电极的左视图;
图5为本实用新型的工作示意图;
图6为本实用新型铝箔腐蚀后的SEM图片。
具体实施方式
具体实施方式一(参见附图1-5):
一种高比容腐蚀环境下的石墨电极,包括中心石墨电极本体9和对称置于其两侧的石墨电极本体1,所述的石墨电极本体连接第一电极极耳5、所述的中心石墨电极本体连接第二电极极耳10,所述的石墨电极本体的左右侧面和底面套有第一PVC密封套6,所述的中心石墨电极本体的左右侧面和底面套有第二PVC密封套16,所述的石墨电极本体由上至下依次为第一上部电极本体3、第一中部电极本体2、第一下部电极本体4,所述的中心石墨电极本体由上至下依次为第二上部电极本体11、第二中部电极本体12、第二下部电极本体13,所述的第一上部电极本体、所述的第一下部电极本体上分别具有横向第一通孔7,所述的第一中部电极本体具有横向第二通孔8,所述的第二上部电极本体、所述的第二下部电极本体分别具有横向第三通孔14,所述的第二中部电极本体具有横向第四通孔15。
本实施方式所述的高比容腐蚀环境下的石墨电极,所述的第一上部电极本体为直角梯形结构,梯形的底角范围为60°,所述的第一下部电极本体为直角梯形结构,梯形的底角范围为60°,第一上部电极本体与第一下部电极本体以第一中部电极本体的水平中心线对称布置;
所述的第二上部电极本体为等腰梯形结构,梯形的底角范围为60°,所述的第二下部电极本体为等腰梯形结构,梯形的底角范围为60°,第二上部电极本体和第二下部电极本体以第二中部电极本体的水平中心线对称布置;
所述的直角梯形结构的斜边与所述等腰梯形结构的斜边相对应。
本实施方式所述的高比容腐蚀环境下的石墨电极,所述的第一中部电极本体为矩形结构;所述的第二中部电极本体为矩形结构;
本实施方式所述的高比容腐蚀环境下的石墨电极,第一通孔的直径是10mm,第一通孔与同排相邻的第一通孔间的距离是150mm,第一通孔与上排或下排相邻的第一通孔间的距离是70mm。
本实施方式所述的高比容腐蚀环境下的石墨电极,第二通孔的直径是15mm,第二通孔与同排相邻的第二通孔间的距离是250mm,第二通孔与上排或下排相邻的第二通孔间的距离是70mm。
本实施方式所述的高比容腐蚀环境下的石墨电极,第三通孔的直径是10mm,第三通孔与同排相邻的第三通孔间的距离是150mm,第三通孔与上排或下排相邻的第三通孔间的距离是70~150mm。
本实施方式所述的高比容腐蚀环境下的石墨电极,第四通孔的直径是15mm,第四通孔与同排相邻的第四通孔间的距离是250mm,第四通孔与上排或下排相邻的第四通孔间的距离是70mm。
本实施方式所述的高比容腐蚀环境下的石墨电极,所述的石墨电极本体、中心石墨电极本体的宽度是1.5m,高度是0.6m。
本实施方式应用于铝箔直流电腐蚀,石墨电极本体分别位于中心石墨电极本体的左边和右边,安装在电解池中,石墨电极本体的梯形面与中心石墨电极本体的梯形面相对,电容器铝箔在石墨电极本体与中心石墨电极本体之间通过,第一次侵蚀是在氯化钠、硫酸电解液中,氯化钠浓度为质量分数10%,硫酸浓度为质量分数9.5%,电解液温度35℃,直流电电流密度200mA/cm2,第二次侵蚀条件是在盐酸、草酸电解液中,盐酸浓度为质量分数8%,草酸浓度为质量分数0.5%,电解液温度35℃,电流密度为100mA/cm2,作用时间3min。对上述实施方式制备的铝箔和用直板石墨电极在同样的实验条件下制备的电极,分别取液面下20cm处的铝箔为上部样片,取中心石墨电极本体底部向上20cm处为下部样片,取中心石墨电极本体中部电极本体处为中部样片,检测单位面积的电容量如表1所示:
表1不同制备方法下制备的铝箔电容量对比表
从表1中能够看出,本实用新型制备的铝箔能够达到上、中、下腐蚀电流密度均匀的效果。
具体实施方式二(参见附图1-6):
一种高比容腐蚀环境下的石墨电极,包括中心石墨电极本体9和对称置于其两侧的石墨电极本体1,所述的石墨电极本体连接第一电极极耳5、所述的中心石墨电极本体连接第二电极极耳10,所述的石墨电极本体的左右侧面和底面套有第一PVC密封套6,所述的中心石墨电极本体的左右侧面和底面套有第二PVC密封套16,所述的石墨电极本体由上至下依次为第一上部电极本体3、第一中部电极本体2、第一下部电极本体4,所述的中心石墨电极本体由上至下依次为第二上部电极本体11、第二中部电极本体12、第二下部电极本体13,所述的第一上部电极本体、所述的第一下部电极本体上分别具有横向第一通孔7,所述的第一中部电极本体具有横向第二通孔8,所述的第二上部电极本体、所述的第二下部电极本体分别具有横向第三通孔14,所述的第二中部电极本体具有横向第四通孔15。
本实施方式所述的高比容腐蚀环境下的石墨电极,所述的第一上部电极本体为直角梯形结构,梯形的底角范围为80°,所述的第一下部电极本体为直角梯形结构,梯形的底角范围为80°,第一上部电极本体与第一下部电极本体以第一中部电极本体的水平中心线对称布置;
所述的第二上部电极本体为等腰梯形结构,梯形的底角范围为80°,所述的第二下部电极本体为等腰梯形结构,梯形的底角范围为80°,第二上部电极本体和第二下部电极本体以第二中部电极本体的水平中心线对称布置;
所述的直角梯形结构的斜边与所述等腰梯形结构的斜边相对应。
本实施方式所述的高比容腐蚀环境下的石墨电极,所述的第一中部电极本体为矩形结构;所述的第二中部电极本体为矩形结构。
本实施方式所述的高比容腐蚀环境下的石墨电极,第一通孔的直径是15mm,第一通孔与同排相邻的第一通孔间的距离是200mm,第一通孔与上排或下排相邻的第一通孔间的距离是150mm。
本实施方式所述的高比容腐蚀环境下的石墨电极,第二通孔的直径是25mm,第二通孔与同排相邻的第二通孔间的距离是300mm,第二通孔与上排或下排相邻的第二通孔间的距离是150mm。
本实施方式所述的高比容腐蚀环境下的石墨电极,第三通孔的直径是15mm,第三通孔与同排相邻的第三通孔间的距离是200mm,第三通孔与上排或下排相邻的第三通孔间的距离150mm。
本实施方式所述的高比容腐蚀环境下的石墨电极,第四通孔的直径是25mm,第四通孔与同排相邻的第四通孔间的距离是300mm,第四通孔与上排或下排相邻的第四通孔间的距离是150mm。
本实施方式所述的高比容腐蚀环境下的石墨电极,所述的石墨电极本体、中心石墨电极本体的宽度是3.5m,高度是1.5m。
本实施方式应用于铝箔直流电腐蚀,石墨电极本体分别位于中心石墨电极本体的左边和右边,安装在电解池中,石墨电极本体的梯形面与中心石墨电极本体的梯形面相对,电容器铝箔在石墨电极本体与中心石墨电极本体之间通过,第一次侵蚀是在氯化钠、硫酸电解液中,氯化钠浓度为质量分数10%,硫酸浓度为质量分数9.5%,电解液温度35℃,直流电电流密度200mA/cm2,第二次侵蚀条件是在盐酸、草酸电解液中,盐酸浓度为质量分数8%,草酸浓度为质量分数0.5%,电解液温度35℃,电流密度为100mA/cm2,作用时间3min。本实施方式下制备的铝箔如附图6所示,从附图6中能够看出,本实施方式下制备的铝箔腐蚀孔洞均匀,改善了铝箔的表面性能。

Claims (9)

1.一种高比容腐蚀环境下的石墨电极,其特征在于:包括中心石墨电极本体(9)和对称置于其两侧的石墨电极本体(1),所述的石墨电极本体(1)连接第一电极极耳(5)、所述的中心石墨电极本体(9)连接第二电极极耳(10),所述的石墨电极本体(1)的左右侧面和底面套有第一PVC密封套(6),所述的中心石墨电极本体(9)的左右侧面和底面套有第二PVC密封套(16),所述的石墨电极本体(1)由上至下依次为第一上部电极本体(3)、第一中部电极本体(2)、第一下部电极本体(4),所述的中心石墨电极本体(9)由上至下依次为第二上部电极本体(11)、第二中部电极本体(12)、第二下部电极本体(13),所述的第一上部电极本体(3)、所述的第一下部电极本体(4)上分别具有横向第一通孔(7),所述的第一中部电极本体(2)具有横向第二通孔(8),所述的第二上部电极本体(11)、所述的第二下部电极本体(13)分别具有横向第三通孔(14),所述的第二中部电极本体(12)具有横向第四通孔(15)。
2.根据权利要求1所述的高比容腐蚀环境下的石墨电极,其特征在于:所述的第一上部电极本体(3)为直角梯形结构,梯形的底角范围为40°~80°,所述的第一下部电极本体(4)为直角梯形结构,梯形的底角范围为40°~80°,第一上部电极本体(3)与第一下部电极本体(4)以第一中部电极本体(2)的水平中心线对称布置;
所述的第二上部电极本体(11)为等腰梯形结构,梯形的底角范围为40°~80°,所述的第二下部电极本体(13)为等腰梯形结构,梯形的底角范围为40°~80°,第二上部电极本体(11)和第二下部电极本体(13)以第二中部电极本体(12)的水平中心线对称布置;
所述的直角梯形结构的斜边与所述等腰梯形结构的斜边相对应。
3.根据权利要求1或2所述的高比容腐蚀环境下的石墨电极,其特征在于:所述的第一中部电极本体(2)为矩形结构。
4.根据权利要求1或2所述的高比容腐蚀环境下的石墨电极,其特征在于:所述的第二中部电极本体(12)为矩形结构。
5.根据权利要求1或2所述的高比容腐蚀环境下的石墨电极,其特征在于:第一通孔(7)的直径是10~15mm,第一通孔(7)与同排相邻的第一通孔(7)间的距离是150~200mm,第一通孔(7)与上排或下排相邻的第一通孔(7)间的距离是70~150mm。
6.根据权利要求1或2所述的高比容腐蚀环境下的石墨电极,其特征在于:第二通孔(8)的直径是15~25mm,第二通孔(8)与同排相邻的第二通孔(8)间的距离是250~300mm,第二通孔(8)与上排或下排相邻的第二通孔(8)间的距离是70~150mm。
7.根据权利要求1或2所述的高比容腐蚀环境下的石墨电极,其特征在于:第三通孔(14)的直径是10~15mm,第三通孔(14)与同排相邻的第三通孔(14)间的距离是150~200mm,第三通孔(14)与上排或下排相邻的第三通孔(14)间的距离是70~150mm。
8.根据权利要求1或2所述的高比容腐蚀环境下的石墨电极,其特征在于:第四通孔(15)的直径是15~25mm,第四通孔(15)与同排相邻的第四通孔(15)间的距离是250~300mm,第四通孔(15)与上排或下排相邻的第四通孔(15)间的距离是70~150mm。
9.根据权利要求1或2所述的高比容腐蚀环境下的石墨电极,其特征在于:所述的石墨电极本体(1)、中心石墨电极本体(9)的宽度是1.5~3.5m,高度是0.6~1.5m。
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