CN205826813U - 芯片测试系统 - Google Patents
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Abstract
本实用新型涉及一种芯片测试系统,该系统用于测试芯片的S参数,该系统包括射频信号产生模块、RF功率检波模块、直流电压读取模块,所述射频信号产生模块用于产生芯片测试用的射频信号,所述 RF功率检波模块用于将芯片产生的RF信号转换为直流电压,所述直流电压读取模块用于读取RF功率检波模块产生的直流电压,并将直流电压换算为S参数。本实用新型能够实现低成本的芯片测试。
Description
技术领域
本实用新型涉及所有在量产测试中包含S参数的芯片的测试系统(包含但不限于LNA、PA、switch)。
背景技术
包含S参数的芯片,例如LNA芯片量产测试时需要测试开短路、关断电流、工作电流和S参数。测试S参数需要用到射频专用测试设备,型号为Credence PAX,爱德万V93000等。测试S参数需要用到的射频专用测试设备租金昂贵,目前设备租金最便宜的设备型号为Credence PAX,但小时租金也高达$40.00。此外,PAX设备保有量少,在该设备上量产在忙季需要排队,产能严重受限。
实用新型内容
为了解决上述技术问题,本实用新型一方面提供了一种芯片测试系统,该系统用于测试芯片的S参数,该系统包括射频信号产生模块、RF功率检波模块、直流电压读取模块,所述射频信号产生模块用于产生芯片测试用的射频信号,所述 RF功率检波模块用于将芯片产生的RF信号转换为直流电压,所述直流电压读取模块用于读取RF功率检波模块产生的直流电压,并将直流电压换算为S参数。
所述射频信号产生模块包括振荡器以及与振荡器输出端连接的衰减器。
所述射频信号产生模块包括振荡器以及与振荡器输出端连接数个衰减器,所述数个衰减器串联连接。
所述衰减器的数量为2。
所述衰减器为衰减值可调的衰减器,所述衰减器通过调节组件调节衰减值。
所述振荡器为输出频率可调,输出功率+7.0dbm的高频压控振荡器。
所述衰减器为功率0-31.5dB衰减可调、步进0.5dB的数字衰减器。
所述RF功率检波模块为能够在一个60dB动态范围内进行RF信号测量的50MHz至3GHz单片RF功率检波器。
一种芯片测试电路,该电路包括芯片、射频信号产生模块、RF功率检波模块,射频信号产生模块与芯片的RF输入端口连接,所述RF功率检波模块与芯片的RF输出端口连接,所述射频信号产生模块用于产生芯片测试用的射频信号,所述 RF功率检波模块用于将芯片产生的RF信号转换为直流电压。
所述射频信号产生模块包括振荡器以及与振荡器输出端连接的衰减器。
本实用新型能够实现低成本的芯片测试。
参考以下详细说明更易于理解本申请的上述以及其他特征、方面和优点。
附图说明
图1为芯片测试系统的模块示意图。
图2为芯片测试系统的一种模块示意图。
图3为芯片测试系统的另一种模块示意图。
图4为Mini-Circuits公司的JTOS-1750+高频压控振荡器电路图。
图5为的RFMD公司的RFSA2614数字衰减器芯片电路图。
图6为待测GPS-LNA芯片AW5005DNR与50MHz至3GHz单片RF功率检波器LT5534的电路图。
图7为芯片测试电路的示意图。
图8为芯片测试电路的一种示意图。
图9为芯片测试电路的另一种示意图。
具体实施方式
为使本实用新型实施例的目的、技术方案和优点更加清楚,下面将结合本实用新型实施例的附图,对本实用新型实施例的技术方案进行清楚、完整地描述。显然,所描述的实施例是本实用新型的一部分实施例,而不是全部的实施例。基于所描述的本实用新型的实施例,本领域普通技术人员在无需创造性劳动的前提下所获得的所有其它实施例,都属于本实用新型保护的范围。
除非另作定义,此处使用的技术术语或者科学术语应当为本实用新型所属领域内具有一般技能的人士所理解的通常意义。本实用新型专利申请说明书以及权利要求书中使用的“第一”、“第二”以及类似的词语并不表示任何顺序、数量或者重要性,而只是用来区分不同的组成部分。同样,“一个”或者“一”等类似词语也不表示数量限制,而是表示存在至少一个。
一种芯片测试系统,该系统用于测试芯片的S参数,该系统包括射频信号产生模块、RF功率检波模块、直流电压读取模块,所述射频信号产生模块用于产生芯片测试用的射频信号,所述 RF功率检波模块用于将芯片产生的RF信号转换为直流电压,所述直流电压读取模块用于读取RF功率检波模块产生的直流电压,并将直流电压换算为S参数。
作为本实用新型一种优选的技术方案,所述射频信号产生模块包括振荡器以及与振荡器输出端连接的衰减器。
作为本实用新型一种优选的技术方案,所述射频信号产生模块包括振荡器以及与振荡器输出端连接数个衰减器,所述数个衰减器串联连接。
作为本实用新型一种优选的技术方案,所述振荡器为输出频率可调,输出功率+7.0dbm的高频压控振荡器。高频压控振荡器加数字衰减器产生1.575GHz、-30dbm的射频信号。以本方案中用到的Mini-Circuits公司的JTOS-1750+为例,高频压控振荡器有以下特点:输出频率可调,输出功率+7.0dbm,温度和电压恒定时,输出信号几乎不会有变化。
作为本实用新型一种优选的技术方案,所述衰减器为功率0-31.5dB衰减可调、步进0.5dB的数字衰减器。以本方案中用到的RFMD公司的RFSA2614为例,数字衰减器芯片具有功率衰减可调(0-31.5dB)、步进0.5dB的特点。
作为本实用新型一种优选的技术方案,所述衰减器的数量为2。把1颗JTOS-1750+和两颗RFSA2614芯片组合起来以后,即使每块PCB的差异和每个使用环境的干扰给射频信号带来的损耗不同,也可以通过调配衰减值来最后得到一个1.575GHz、-40dBm的射频信号(模拟一般GPS信号)。
作为本实用新型一种优选的技术方案,所述衰减器为衰减值可调的衰减器,所述衰减器通过调节组件调节衰减值。本实用新型的RFSA2614使用跳帽选择对应控制引脚电位为高或者低。
作为本实用新型一种优选的技术方案,所述RF功率检波模块为能够在一个60dB动态范围内进行RF信号测量的50MHz至3GHz单片RF功率检波器。以本方案中用到的LT5534是一款能够在一个60dB动态范围内进行RF信号测量的50MHz至3GHz单片RF功率检波器。以dB为单位的RF信号精确地转换为一个线性刻度上的DC电压。60dB的输入动态范围是采用级联RF检波器和RF限幅器来实现的。将它们的输出相加,以生成一个与输入RF信号(单位:dB)成比例的准确对数线性DC电压。利用一个低输出阻抗驱动器对输出进行缓冲。LT5534提供了超群的温度稳定性(在整个温度范围内的典型输出变化在±1dB之内)。对于一个大RF输入信号,输出将在不到40ns的时间里做出响应。并且,从直流电压和功率的关系表中可以看出,功率范围在-40dBm至-10dBm之间时,输出电压呈线性变化,再者,待测GPS-LNA芯片的增益设计典型值为15dB,故将信号源的功率调节至-40dBm。
将功率值转化为直流电压输出后,只需要以普通模拟测试机读取该电压值即可得到经过GPS-LNA芯片后的射频信号功率值,再减去-40dBm即可得GPS-LNA芯片的功率增益S21参数。而普通模拟测试机在任何封装测试厂均有大量设备,且小时单价均在$10-$15,甚至有部分设备小时单价在$10以下。本测试方案选用的测试机型号为Credence ASL1000,该测试设备小时单价为$8.00。
本实用新型还提供一种芯片测试电路,该电路可用于量产芯片的测试,该电路包括芯片、射频信号产生模块、RF功率检波模块,射频信号产生模块与芯片的RF输入端口连接,所述RF功率检波模块与芯片的RF输出端口连接,所述射频信号产生模块用于产生芯片测试用的射频信号,所述 RF功率检波模块用于将芯片产生的RF信号转换为直流电压。
作为本实用新型一种优选的技术方案,所述射频信号产生模块包括振荡器以及与振荡器输出端连接的衰减器。
该电路在外接12V和5V电源的情况下,可输出用于换算待测芯片S参数的直流电压。该电路外界直流电压测试设备即可实现S参数的测试。
如图4所示,衰减器为RFMD公司的RFSA2614,该数字衰减器功率0-31.5dB衰减可调、步进0.5dB的数字衰减器。该衰减器的引脚1,17,18悬空,引脚3,5,12,14,16接地,引脚2为VCC引脚,引入+5V的电压源,开关0.5,开关1,开关2,开关4,开关8,开关16一端引入+5V的电压源,引脚2通过电容CS8和CS7接地,引脚6,7,8,9通过电容CS1,CS2CS3接地,引脚10通过680pF的电容CS4接地,引脚11通过680pF的电容CS5接地,引脚13通过680pF的电容CS6接地,引脚19通过电阻RS6和电容CS17接地,电阻RS6、电容CS17的另一端与开关16的一端连接,引脚20通过电阻RS5和电容CS18接地,电阻RS5和电容CS18的另一端与开关8的一端连接,引脚21通过电阻RS4和电容CS19接地,电阻RS4和电容CS19的另一端与开关4的一端连接,引脚22通过电阻RS3和电容CS20接地,电阻RS3和电容CS20的另一端与开关2的一端连接,引脚23通过电阻RS2和电容CS21接地,电阻RS2和电容CS21的另一端与开关1的一端连接,引脚24通过电阻RS1和电容CS22接地,电阻RS1和电容CS22的另一端与开关0.5的一端连接。引脚15通过一470pF的电容输入RF信号,引脚4通过一470pF的电容CS1输出RF信号。
如图5所示,振荡器为Mini-Circuits公司的JTOS-1750+,该振荡器输出频率可调,输出功率+7.0dbm的高频压控振荡器。高频压控振荡器加数字衰减器产生1.575GHz、-30dbm的射频信号。引脚1,3,4,6,7,8,9,10,11,12,14接地,引脚2引入+12V的电压源,引脚13输出RF信号。
如图6所示,RF功率检波模块为LT5534,LT5534是一款能够在一个60dB动态范围内进行RF信号测量的50MHz至3GHz单片的RF功率检波器。待测GPS-LNA芯片为AW5005DNR。
AW5005DNR的引脚2接地,引脚1接入Credence ASL1000的OVI1-0F端口,引脚3输入RF信号,引脚3与引脚4之间通过一10nH的电感L1连接,引脚5接入Credence ASL1000的OVI1-1F端口,引脚6输出RF信号,通过电容C3,C4与LT5534的引脚6连接。
LT5534的引脚1与4引入+5V的电压源,引脚6输入RF信号,引脚2,5接地,引脚3输出直流电压,引脚3连接电阻R1的一端,电阻R1的另一端与Credence ASL1000的OVI1-2F端口连接,电阻R1的另一端通过电容C1接地。
如图1所示,一种芯片测试系统,该系统用于测试芯片的S参数,该系统包括射频信号产生模块、RF功率检波模块、直流电压读取模块。如图6所示,射频信号产生模块产生的RF信号输入待测GPS-LNA芯片AW5005DNR的引脚3,在引脚6输出RF信号,AW5005DNR输出的RF信号输入RF功率检波模块,RF功率检波模块为LT5534,LT5534是一款能够在一个60dB动态范围内进行RF信号测量的50MHz至3GHz单片的RF功率检波器。LT5534输出直流电压,直流电压采用直流电压读取模块Credence ASL1000读取并换算成待测GPS-LNA芯片的S21参数。
如图2所示,一种芯片测试系统,该系统用于测试芯片的S参数,该系统包括射频信号产生模块、RF功率检波模块、直流电压读取模块,射频信号产生模块包括振荡器以及与振荡器输出端连接的衰减器。如图4,5,6所示,振荡器为Mini-Circuits公司的JTOS-1750+,该振荡器输出频率可调,输出功率+7.0dbm的高频压控振荡器,JTOS-1750+输出RF信号并输入数字衰减器RFSA2614 ,数字衰减器RFSA2614产生的RF信号输入待测GPS-LNA芯片AW5005DNR的引脚3,在引脚6输出RF信号,AW5005DNR输出的RF信号输入RF功率检波模块,RF功率检波模块为LT5534,LT5534是一款能够在一个60dB动态范围内进行RF信号测量的50MHz至3GHz单片的RF功率检波器。LT5534输出直流电压,直流电压采用直流电压读取模块Credence ASL1000读取并换算成待测GPS-LNA芯片的S参数。
如图3所示,一种芯片测试系统,该系统用于测试芯片的S参数,该系统包括射频信号产生模块、RF功率检波模块、直流电压读取模块,射频信号产生模块振荡器以及与振荡器输出端连接2衰减器,2个衰减器串联连接。如图4,5,6所示,振荡器为Mini-Circuits公司的JTOS-1750+,该振荡器输出频率可调,输出功率+7.0dbm的高频压控振荡器,JTOS-1750+输出RF信号并输入两个串联的数字衰减器RFSA2614 ,数字衰减器RFSA2614产生的RF信号输入待测GPS-LNA芯片AW5005DNR的引脚3,在引脚6输出RF信号,AW5005DNR输出的RF信号输入RF功率检波模块,RF功率检波模块为LT5534,LT5534是一款能够在一个60dB动态范围内进行RF信号测量的50MHz至3GHz单片的RF功率检波器。LT5534输出直流电压,直流电压采用直流电压读取模块Credence ASL1000读取并换算成待测GPS-LNA芯片的S参数。
如图7所示,本实用新型还提供了一种芯片测试电路,该电路包括芯片、射频信号产生模块、RF功率检波模块,射频信号产生模块与芯片的RF输入端口连接,所述RF功率检波模块与芯片的RF输出端口连接,所述射频信号产生模块用于产生芯片测试用的射频信号,所述 RF功率检波模块用于将芯片产生的RF信号转换为直流电压。RF功率检波模块为LT5534,待测GPS-LNA芯片为AW5005DNR。其电路结构如图6所示。
如图8所示,本实用新型还提供了一种芯片测试电路,该电路包括芯片、射频信号产生模块、RF功率检波模块,射频信号产生模块与芯片的RF输入端口连接,所述RF功率检波模块与芯片的RF输出端口连接,所述射频信号产生模块用于产生芯片测试用的射频信号,射频信号产生模块包括振荡器以及与振荡器输出端连接的衰减器。如图4,5,6所示,振荡器为Mini-Circuits公司的JTOS-1750+,该振荡器输出频率可调,输出功率+7.0dbm的高频压控振荡器,JTOS-1750+输出RF信号并输入数字衰减器RFSA2614 ,数字衰减器RFSA2614产生的RF信号输入待测GPS-LNA芯片AW5005DNR的引脚3,在引脚6输出RF信号,AW5005DNR输出的RF信号输入RF功率检波模块,RF功率检波模块为LT5534,LT5534是一款能够在一个60dB动态范围内进行RF信号测量的50MHz至3GHz单片的RF功率检波器。LT5534输出直流电压。
如图9所示,本实用新型还提供了一种芯片测试电路,该电路包括芯片、射频信号产生模块、RF功率检波模块,射频信号产生模块与芯片的RF输入端口连接,所述RF功率检波模块与芯片的RF输出端口连接,所述射频信号产生模块用于产生芯片测试用的射频信号,射频信号产生模块振荡器以及与振荡器输出端连接2衰减器,2个衰减器串联连接。如图4,5,6所示,振荡器为Mini-Circuits公司的JTOS-1750+,该振荡器输出频率可调,输出功率+7.0dbm的高频压控振荡器,JTOS-1750+输出RF信号并输入数字衰减器RFSA2614 ,数字衰减器RFSA2614产生的RF信号输入待测GPS-LNA芯片AW5005DNR的引脚3,在引脚6输出RF信号,AW5005DNR输出的RF信号输入RF功率检波模块,RF功率检波模块为LT5534,LT5534是一款能够在一个60dB动态范围内进行RF信号测量的50MHz至3GHz单片的RF功率检波器。LT5534输出直流电压。
以上所述,仅为本实用新型的较佳实施例而已,并非用于限定本实用新型的保护范围。凡是根据本实用新型内容所做的均等变化与修饰,均涵盖在本实用新型的专利范围内。
Claims (10)
1.一种芯片测试系统,该系统用于测试芯片的S参数,该系统包括射频信号产生模块、RF功率检波模块、直流电压读取模块,所述射频信号产生模块用于产生芯片测试用的射频信号,所述 RF功率检波模块用于将芯片产生的RF信号转换为直流电压,所述直流电压读取模块用于读取RF功率检波模块产生的直流电压,并将直流电压换算为S参数。
2.根据权利要求1所述的芯片测试系统,其特征在于,所述射频信号产生模块包括振荡器以及与振荡器输出端连接的衰减器。
3.根据权利要求1所述的芯片测试系统,其特征在于,所述射频信号产生模块包括振荡器以及与振荡器输出端连接数个衰减器,所述数个衰减器串联连接。
4.根据权利要求3所述的芯片测试系统,其特征在于,所述衰减器的数量为2。
5.根据权利要求2所述的芯片测试系统,其特征在于,所述衰减器为衰减值可调的衰减器,所述衰减器通过调节组件调节衰减值。
6.根据权利要求2所述的芯片测试系统,其特征在于,所述振荡器为输出频率可调,输出功率+7.0dbm的高频压控振荡器。
7.根据权利要求2所述的芯片测试系统,其特征在于,所述衰减器为功率0-31.5dB衰减可调、步进0.5dB的数字衰减器。
8.根据权利要求1所述的芯片测试系统,其特征在于,所述RF功率检波模块为能够在一个60dB动态范围内进行RF信号测量的50MHz至3GHz单片RF功率检波器。
9.一种芯片测试电路,该电路包括芯片、射频信号产生模块、RF功率检波模块,射频信号产生模块与芯片的RF输入端口连接,所述RF功率检波模块与芯片的RF输出端口连接,所述射频信号产生模块用于产生芯片测试用的射频信号,所述 RF功率检波模块用于将芯片产生的RF信号转换为直流电压。
10.根据权利要求9所述的芯片测试电路,其特征在于,所述射频信号产生模块包括振荡器以及与振荡器输出端连接的衰减器。
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Cited By (2)
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CN105974301A (zh) * | 2016-06-30 | 2016-09-28 | 成绎半导体技术(上海)有限公司 | 芯片测试系统 |
CN114325318A (zh) * | 2021-12-27 | 2022-04-12 | 厦门科塔电子有限公司 | 一种rf芯片的ft测试系统及方法 |
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