CN205177795U - 实用半导体晶圆加热氧化仪 - Google Patents
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Abstract
本实用新型公开了实用半导体晶圆加热氧化仪，包括进口端、氧化箱、支架、传送带、出口端、散热扇、计时器、温度计、氧气传输管、气体流量计、氧气填充装置和搁物架，所述的氧化箱一端为进口端，氧化箱另一端为出口端，前盖与进口端铰链，后盖与出口端连接，氧化箱底端设有支架，氧化箱由预热腔、加热腔和散热腔组成，氧化箱内设有传送带，传送带上设有搁物架，氧气填充装置通过氧气传输管与加热腔连通，氧气传输管上设有气体流量计，散热腔内壁顶端设有散热扇，氧化箱上设有计时器和温度计。本实用新型避免热量散失，提高加热氧化效率，可以避免放置拿取晶圆时烫伤手，调整加热时间，达到合适的氧化效果，结构简单，使用方便，利于推广。
Description
技术领域
本实用新型涉及一种半导体制造设备，具体是实用半导体晶圆加热氧化仪。
背景技术
半导体指常温下导电性能介于导体与绝缘体之间的材料。半导体在收音机、电视机以及测温上有着广泛的应用。如二极管就是采用半导体制作的器件。半导体是指一种导电性可受控制，范围可从绝缘体至导体之间的材料。无论从科技或是经济发展的角度来看，半导体的重要性都是非常巨大的。今日大部分的电子产品，如计算机、移动电话或是数字录音机当中的核心单元都和半导体有着极为密切的关连。常见的半导体材料有硅、锗、砷化镓等，而硅更是各种半导体材料中，在商业应用上最具有影响力的一种。晶圆是指硅半导体集成电路制作所用的硅晶片，由于其形状为圆形，故称为晶圆；在硅晶片上可加工制作成各种电路元件结构，而成为有特定电性功能之IC产品。晶圆的原始材料是硅，而地壳表面有用之不竭的二氧化硅。二氧化硅矿石经由电弧炉提炼，盐酸氯化，并经蒸馏后，制成了高纯度的多晶硅，其纯度高达99.999999999%。晶圆在制造过程中需要多次添加氧化层，氧化时需要工人拿进拿出晶圆，温度过高容易对工人造成烫伤。
实用新型内容
本实用新型的目的在于提供实用半导体晶圆加热氧化仪，以解决上述背景技术中提出的问题。
为实现上述目的，本实用新型提供如下技术方案：
实用半导体晶圆加热氧化仪，包括进口端、氧化箱、支架、传送带、出口端、散热扇、计时器、温度计、氧气传输管、气体流量计、氧气填充装置和搁物架，所述的氧化箱一端为进口端，氧化箱另一端为出口端，前盖与进口端铰链，后盖与出口端连接，氧化箱底端设有支架，氧化箱由预热腔、加热腔和散热腔组成，氧化箱内设有传送带，传送带上设有搁物架，氧气填充装置通过氧气传输管与加热腔连通，氧气传输管上设有气体流量计，散热腔内壁顶端设有散热扇，氧化箱上设有计时器和温度计。
作为本实用新型进一步的方案：所述的预热腔靠近进口端，散热腔靠近出口端，加热腔在预热腔和散热腔之间。
作为本实用新型再进一步的方案：所述的搁物架内设有多层隔板。
与现有技术相比，本实用新型的有益效果是：本实用新型前盖和后盖保证加热时氧化箱内温度，避免热量散失，提高加热氧化效率，支架避免高温对地面造成损害，搁物架可以一次加热氧化多个晶圆，预热腔内温度较低，可以避免放置晶圆时烫伤手，加热腔对晶圆进行高温氧化，气体流量计记录输入氧气含量，氧气填充装置保证氧化的成功，散热腔内无加热装置，散热扇对晶圆进行散热降温，避免拿取时烫伤手，计时器记录氧化时间，温度计随时测量加热温度，通过调节传送带的传送速度调整加热时间，达到合适的氧化效果，结构简单，使用方便，利于推广。
附图说明
图1为实用半导体晶圆加热氧化仪的结构示意图。
图中：1、前盖，2、进口端，3、氧化箱，4、支架，5、预热腔，6、加热腔，7、散热腔，8、传送带，9、出口端，10、后盖，11、散热扇，12、计时器，13、温度计，14、氧气传输管，15、气体流量计，16、氧气填充装置，17、搁物架，18、隔板。
具体实施方式
下面结合具体实施方式对本专利的技术方案作进一步详细地说明。
请参阅图1，实用半导体晶圆加热氧化仪，包括进口端2、氧化箱3、支架4、传送带8、出口端9、散热扇11、计时器12、温度计13、氧气传输管14、气体流量计15、氧气填充装置16和搁物架17，所述的氧化箱3一端为进口端2，氧化箱3另一端为出口端9，前盖1与进口端2铰链，后盖10与出口端9连接，前盖1和后盖10保证加热时氧化箱3内温度，避免热量散失，提高加热氧化效率，氧化箱3底端设有支架4，支架4避免高温对地面造成损害，氧化箱3由预热腔5、加热腔6和散热腔7组成，预热腔5靠近进口端2，散热腔7靠近出口端9，加热腔6在预热腔5和散热腔7之间，氧化箱3内设有传送带8，传送带8上设有搁物架17，搁物架17内设有多层隔板18，搁物架17可以一次加热氧化多个晶圆，预热腔5内温度较低，可以避免放置晶圆时烫伤手，加热腔6对晶圆进行高温氧化，氧气填充装置16通过氧气传输管14与加热腔6连通，氧气传输管14上设有气体流量计15，气体流量计15记录输入氧气含量，氧气填充装置16保证氧化的成功，散热腔7内无加热装置，散热腔7内壁顶端设有散热扇11，散热扇11对晶圆进行散热降温，避免拿取时烫伤手，氧化箱3上设有计时器12和温度计13，计时器12记录氧化时间，温度计13随时测量加热温度，通过调节传送带8的传送速度调整加热时间，达到合适的氧化效果。
本实用新型的工作原理是：本实用新型前盖和后盖保证加热时氧化箱内温度，避免热量散失，提高加热氧化效率，支架避免高温对地面造成损害，搁物架可以一次加热氧化多个晶圆，预热腔内温度较低，可以避免放置晶圆时烫伤手，加热腔对晶圆进行高温氧化，气体流量计记录输入氧气含量，氧气填充装置保证氧化的成功，散热腔内无加热装置，散热扇对晶圆进行散热降温，避免拿取时烫伤手，计时器记录氧化时间，温度计随时测量加热温度，通过调节传送带的传送速度调整加热时间，达到合适的氧化效果。
上面对本专利的较佳实施方式作了详细说明，但是本专利并不限于上述实施方式，在本领域的普通技术人员所具备的知识范围内，还可以在不脱离本专利宗旨的前提下做出各种变化。
Claims (3)
1.实用半导体晶圆加热氧化仪，包括进口端、氧化箱、支架、传送带、出口端、散热扇、计时器、温度计、氧气传输管、气体流量计、氧气填充装置和搁物架，其特征在于，所述的氧化箱一端为进口端，氧化箱另一端为出口端，前盖与进口端铰链，后盖与出口端连接，氧化箱底端设有支架，氧化箱由预热腔、加热腔和散热腔组成，氧化箱内设有传送带，传送带上设有搁物架，氧气填充装置通过氧气传输管与加热腔连通，氧气传输管上设有气体流量计，散热腔内壁顶端设有散热扇，氧化箱上设有计时器和温度计。
2.根据权利要求1所述的实用半导体晶圆加热氧化仪，其特征在于，所述的预热腔靠近进口端，散热腔靠近出口端，加热腔在预热腔和散热腔之间。
3.根据权利要求1所述的实用半导体晶圆加热氧化仪，其特征在于，所述的搁物架内设有多层隔板。
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| CN201520878015.8U CN205177795U (zh) | 2015-11-06 | 2015-11-06 | 实用半导体晶圆加热氧化仪 |
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Publications (1)
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|---|---|
| CN205177795U true CN205177795U (zh) | 2016-04-20 |
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Family Applications (1)
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Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN106038285A (zh) * | 2016-05-04 | 2016-10-26 | 金柯楠 | 一种血液医疗化验保存装置 |
| CN109082626A (zh) * | 2018-10-11 | 2018-12-25 | 湖南华天光电惯导技术有限公司 | 铝阴极加热氧化箱 |
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2015
- 2015-11-06 CN CN201520878015.8U patent/CN205177795U/zh not_active Expired - Fee Related
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