CN204906699U - 扬声器 - Google Patents
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Abstract
本实用新型提供一种扬声器，包括磁路系统，磁路系统包括导磁轭、设置在导磁轭一侧的磁铁、设置在磁铁远离导磁轭一侧的华司，其中，导磁轭包括底壁及与底壁相垂直的侧壁；侧壁的厚度小于底壁的厚度。利用本实用新型，能够增大振膜补强部及磁铁和华司的面积，提升扬声器的灵敏度。
Description
技术领域
本实用新型涉及声电技术领域，更为具体地，涉及一种扬声器。
背景技术
目前，由于扬声器导磁轭的侧壁厚度较大，在扬声器外部尺寸不变的情况下，将导致磁铁和华司的尺寸相对稍小，整个磁路部分得不到合理的分配。
图1示出了现有扬声器剖面结构；图2和图3分别示出了现有扬声器导磁轭的俯视结构和剖面结构。在图1至图3中，d1表示导磁轭长轴侧壁的厚度，d2表示导磁轭短轴侧壁的厚度，d3表示导磁轭短轴的外侧长度，d4表示导磁轭短轴的内侧长度，d5表示补强部的长度，d6表示磁铁和华司的长度；目前，d1和d2与底壁的厚度均为0.4mm，此时，d3为7.96mm，d4为7.16mm，d5为6.80mm，d6为6.24mm。可知，过厚的导磁轭侧壁会导致音圈及磁铁的尺寸相对较小，振膜的补强部面积也相对较小，进而导致扬声器的声学性能相对偏低。
实用新型内容
鉴于上述问题，本实用新型的目的是提供一种扬声器，采用这种扬声器以解决目前由于导磁轭的侧壁厚度较大，导致磁路系统和振动系统尺寸稍小，进而造成扬声器声学性能没有达到最优等问题。
本实用新型提供的扬声器，包括磁路系统，磁路系统包括导磁轭、设置在导磁轭一侧的磁铁、设置在磁铁远离导磁轭一侧的华司，其中，导磁轭包括底壁及与底壁相垂直的侧壁；侧壁的厚度小于底壁的厚度。
此外，优选的结构是，侧壁包括长轴侧壁和短轴侧壁；长轴侧壁的厚度与底壁的厚度相等；短轴侧壁的厚度小于底壁的厚度。
此外，优选的结构是，短轴侧壁的厚度为底壁厚度的1/2～3/4。
此外，优选的结构是，底壁与长轴侧壁的厚度为0.4mm；短轴侧壁的厚度压薄为0.2～0.3mm；华司和磁铁在长轴方向上的长度为6.44～6.64mm。
此外，优选的结构是，还包括外壳、与外壳适配连接的前盖、收容在前盖与外壳形成的腔体内的振动系统；其中，振动系统包括振膜、粘贴在振膜一侧的音圈，以及位于振膜另一侧中心位置的补强部。
此外，优选的结构是，补强部在长轴方向上的长度为7.0～7.2mm。
此外，优选的结构是，补强部的面积为21.7～22.4mm2。
此外，优选的结构是，短轴侧壁压薄0.15㎜；
此外，优选的结构是，短轴侧壁的厚度为0.25mm；华司和磁铁的在长轴方向上的长度为6.54mm；补强部在长轴方向上的长度为7.1mm。
此外，优选的结构是，补强部的面积为22mm2。
从上面的技术方案可知，本实用新型的扬声器，侧壁的厚度小于底壁的厚度，能够合理分配整个磁路系统，磁铁和华司可相应地在原来的长度基础上增长，音圈尺寸和振膜中心的面积也相应变大，扬声器的磁力及灵敏度均明显提高。
附图说明
通过参考以下结合附图的说明及权利要求书的内容，并且随着对本实用新型的更全面理解，本实用新型的其它目的及结果将更加明白及易于理解。在附图中：
图1为现有扬声器剖面结构示意图；
图2为现有扬声器导磁轭俯视图；
图3为现有扬声器导磁轭剖面结构示意图；
图4为根据本实用新型实施例的扬声器分解结构示意图；
图5为根据本实用新型实施例的扬声器剖面图；
图6为根据本实用新型实施例的导磁轭俯视图；
图7为图6中沿A-A处的剖面图。
其中的附图标记包括：前盖1、补强部2、振膜3、音圈4、华司5、磁铁6、导磁轭7、底壁71、长轴侧壁72、短轴侧壁73、外壳8、弹片9。
在所有附图中相同的标号指示相似或相应的特征或功能。
具体实施方式
以下将结合附图对本实用新型的具体实施例进行详细描述。
图4示出了根据本实用新型实施例的扬声器分解结构；图5示出了根据本实用新型的扬声器剖面结构。
如图4和图5共同所示，本实用新型具体实施例的扬声器，包括外壳8、与外壳8适配连接的前盖1、收容在外壳8与前盖1形成的腔体内的磁路系统，磁路系统包括固定在外壳8上的导磁轭7，设置在导磁轭7靠近前盖1一侧的磁铁6、设置在磁铁6远离导磁轭7一侧的华司5，其中，导磁轭7包括底壁71及与底壁71相垂直的短轴侧壁73和长轴侧壁72，并且侧壁的厚度小于底壁71的厚度。
一种较佳的实施方式为，长轴侧壁72与底壁71的厚度相等，而短轴侧壁73的厚度与底壁71的厚度不等，具体而言，针对短轴侧壁73进行压薄处理，优选压薄为底壁71厚度的1/2～3/4。现有技术中，长轴侧壁72、短轴侧壁73与底壁71的厚度均为0.4㎜，那么，本技术方案中，短轴侧壁73相当于在原有0.4mm的基础上压薄为0.2～0.3mm；此时，华司5和磁铁6在长轴方向上的长度为6.44～6.64mm。
此外，本实用新型实施例的扬声器，还包括收容在前盖1与外壳8形成的腔体内的振动系统；其中，振动系统包括振膜3、粘贴在振膜一侧的音圈4，以及位于振膜3另一侧中心位置的补强部2。其中，振膜3包括与前盖1固定连接的固定部、与振膜固定部一体设置的凹/凸结构的折环部(位于振膜外围部位)及位于折环部内的平面部。在振膜平面部设置有调节扬声器声学性能的补强部2。
具体地，导磁轭7固定在外壳8上，华司5、磁铁6和导磁轭7从上到下依次固定。其中，导磁轭7主要用于固定磁铁6并修正磁力线，包括长方形结构的底壁71、与底壁71垂直设置的四个侧壁，侧壁包括对称设置的短轴侧壁73和长轴侧壁72。在磁铁6和华司5与导磁轭7的侧壁之间形成磁间隙，音圈4悬设在该磁间隙内。
现有导磁轭7的侧壁厚度为0.4mm，为在保持扬声器整体外部尺寸不变的情况下，适量增大音圈4、磁铁6和华司5的长度，以合理配置整个磁路系统，在本实用新型中，将导磁轭7的短轴侧壁73压薄0.1～0.2mm，由于导磁轭短轴侧壁的长度为1.6mm，在压薄0.1～0.2mm后对其性能的损失影响很小，在磁间隙不变的情况下，磁铁6和华司5的单边长轴长度可以相应地加长0.1～0.2mm(磁铁6和华司5的整体长度可增加0.2～0.4mm)，此时，补强部2的面积可增加0.7～1.4mm2。
通过仿真可知，导磁轭7的短轴侧壁的厚度设置为0.2～0.3mm；华司5和磁铁6在长轴方向上的长度可以设置为6.44～6.64mm，扬声器BL(磁力，指磁间隙的磁感应强度与有效音圈线长的乘积)提升0.01～0.015N/A，灵敏度提升0.1～0.2dB。补强部2在长轴方向上的长度可以设置为7.0～7.2mm，补强部2的面积为21.7～22.4mm2，此时，扬声器的SD(振动面积，指在扬声器的振动过程中，振膜的有效振动面积)增大，灵敏度提升0.1～0.2dB。
在本实用新型的一个具体实施方式中，导磁轭7的短轴侧壁73压薄0.15mm。具体地，图6示出了根据本实用新型实施例的导磁轭俯视结构；图7为图6中沿A-A处的剖面结构。
如图6和图7共同所示，导磁轭包括长方形结构的底壁71、与底壁71垂直设置的四个侧壁，侧壁包括对称设置的短轴侧壁73和长轴侧壁72。导磁轭的短轴侧壁73压薄0.15mm后的厚度为0.25mm，华司和磁铁在长轴方形上的长度(现有技术中的d6)为6.54mm；补强部在长轴方向上的长度(现有技术中的d5)为7.1mm，补强部的面积为22mm2。通过仿真可知，磁铁华司变大，扬声器BL提升约0.015N/A，灵敏度提升约0.2dB，振膜的SD变大，灵敏度提升约0.15dB，扬声器的声学性能明显提高。
通过上述实施方式可以看出，本实用新型提供的扬声器，通过压薄导磁轭短轴侧壁的厚度，增加磁铁、华司、补强部的长度及面积、能够提升磁路系统的磁力，扩大扬声器的振动面积，合理分配整个磁路系统，提高产品的灵敏度及声学性能。
如上参照附图以示例的方式描述了根据本实用新型提出的扬声器。但是，本领域技术人员应当理解，对于上述本实用新型所提出的扬声器，还可以在不脱离本实用新型内容的基础上做出各种改进。因此，本实用新型的保护范围应当由所附的权利要求书的内容确定。
Claims (10)
1.一种扬声器，包括磁路系统，所述磁路系统包括导磁轭、设置在所述导磁轭一侧的磁铁、设置在所述磁铁远离所述导磁轭一侧的华司，其特征在于，
所述导磁轭包括底壁及与所述底壁相垂直的侧壁；
所述侧壁的厚度小于所述底壁的厚度。
2.如权利要求1所述的扬声器，其特征在于，
所述侧壁包括长轴侧壁和短轴侧壁；
所述长轴侧壁的厚度与所述底壁的厚度相等；
所述短轴侧壁的厚度小于所述底壁的厚度。
3.如权利要求2所述的扬声器，其特征在于，
所述短轴侧壁的厚度为所述底壁厚度的1/2～3/4。
4.如权利要求3所述的扬声器，其特征在于，
所述底壁与所述长轴侧壁的厚度为0.4mm；
所述短轴侧壁的厚度压薄为0.2～0.3mm；
所述华司和磁铁在长轴方向上的长度为6.44～6.64mm。
5.如权利要求1所述的扬声器，其特征在于，还包括外壳、与所述外壳适配连接的前盖、收容在所述前盖与外壳形成的腔体内的振动系统；其中，
所述振动系统包括振膜、粘贴在所述振膜一侧的音圈，以及位于所述振膜另一侧中心位置的补强部。
6.如权利要求5所述的扬声器，其特征在于，
所述补强部在长轴方向上的长度为7.0～7.2mm。
7.如权利要求6所述的扬声器，其特征在于，
所述补强部的面积为21.7～22.4mm2。
8.如权利要求2所述的扬声器，其特征在于，
所述短轴侧壁压薄0.15㎜。
9.如权利要求8所述的扬声器，其特征在于，
所述短轴侧壁的厚度为0.25mm。
所述华司和磁铁的在长轴方向上的长度为6.54mm；
所述补强部在长轴方向上的长度为7.1mm。
10.如权利要求9所述的扬声器，其特征在于，
所述补强部的面积为22mm2。
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