CN204792839U - 一种bipv晶硅电池组件 - Google Patents
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- 239000013078 crystal Substances 0.000 title claims abstract description 52
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 44
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 44
- 239000010703 silicon Substances 0.000 title claims abstract description 44
- 238000013084 building-integrated photovoltaic technology Methods 0.000 title claims abstract 8
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims abstract description 19
- 239000011148 porous material Substances 0.000 claims abstract description 5
- 239000002313 adhesive film Substances 0.000 claims description 14
- 239000005341 toughened glass Substances 0.000 claims description 4
- 239000002184 metal Substances 0.000 abstract description 4
- 230000035515 penetration Effects 0.000 abstract description 3
- 239000012528 membrane Substances 0.000 abstract 2
- 230000009466 transformation Effects 0.000 abstract 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 2
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 238000010248 power generation Methods 0.000 description 1
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 1
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-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
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- Y02B10/10—Photovoltaic [PV]
-
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- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
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- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
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Abstract
本实用新型涉及一种BIPV晶硅电池组件，包括由上往下依次层叠的表面玻璃、胶膜层一、晶硅电池芯片、胶膜层二、背板玻璃和安装在背板玻璃底面上的接线盒；晶硅电池芯片为全背电极晶硅电池芯片；晶硅电池芯片上设有电极栅线；晶硅电池芯片上用激光穿透设有多个开孔；开孔的位置避开电极栅线的布置。本实用新型的全背电极晶硅电池芯片将正负两极金属接触均移到电池片背面，可使电池片正面完全看不到多数太阳能电池片正面呈现的金属线，不仅带来同等面积更大的发电效率，且看上去更美观，同时用激光穿透在芯片上设有多个开孔，通过设计开孔的孔径大小及位置分布来改变透光率，不需要改变芯片的结构，减少了改造成本。
Description
技术领域
本实用新型涉及一种BIPV晶硅电池组件，属于太阳能电池BIPV应用领域。
背景技术
BIPV(BuildingIntegratedPhotovoltaic)是将太阳能发电产品集成到建筑上的技术。BIPV适合大多数建筑，如屋顶、幕墙、大棚等形式都可以安装。在现代化建筑中，BIPV发电系统既具有发电功能，又具有建筑物构件和材料功能，甚至提升建筑物的美感，与建筑物形成完美的统一体。
现有的晶硅电池组件一般采用双玻封装结构，双玻晶硅电池电池组件有着美观、透光的优点，应用非常广泛，如：太阳能智能窗、太阳能凉亭、光伏建筑顶棚以及光伏玻璃幕墙等等。随着国内外光伏建筑一体化的推广，其商业市场将进一步扩大，对晶硅电池组件的要求也越来越高。
实用新型内容
本实用新型的目的是提供一种外观优美、发电效率更高的BIPV晶硅电池组件。
实现本实用新型目的的技术方案是一种BIPV晶硅电池组件，包括由上往下依次层叠的表面玻璃、胶膜层一、晶硅电池芯片、胶膜层二、背板玻璃，还包括接线盒；所述晶硅电池芯片为全背电极晶硅电池芯片；所述晶硅电池芯片上设有多条电极栅线；所述晶硅电池芯片上设有多个开孔；所述开孔的位置避开电极栅线的布置。
所述开孔孔径大小为0.5-15mm。
所述接线盒安装在背板玻璃的底面上。
所述的胶膜层一和胶膜层二可采用EVA或PVB。
所述表面玻璃为超白高透玻璃。
所述背板玻璃为钢化玻璃。
采用了上述技术方案，本实用新型具有以下的有益效果：(1)本实用新型的晶硅电池芯片为全背电极晶硅电池芯片，全背电极晶硅电池芯片将正负两极金属接触均移到电池片背面，可使面朝太阳的电池片正面呈全黑色，完全看不到多数太阳能电池正面呈现的金属线，不仅为使用者带来同等面积更大的发电效率，且看上去更加美观。
(2)本实用新型的全背电极晶硅电池芯片上用激光穿透设有多个开孔，可以根据透光率的要求，合理设计开孔的孔径大小及位置分布，这种透光设计的方法不需要改变电池芯片的结构，减少了改造成本。
(3)本实用新型的背板玻璃为钢化玻璃，增加了整个组件的强度，延长了组件的使用寿命。
附图说明
为了使本实用新型的内容更容易被清楚地理解，下面根据具体实施例并结合附图，对本实用新型作进一步详细的说明，其中
图1为本实用新型BIPV晶硅电池组件的结构示意图；
图2为图1的晶硅电池芯片开孔示意图；
附图中标记为：
表面玻璃1、胶膜层一2、晶硅电池芯片3、胶膜层二4、背板玻璃5、接线盒6、开孔7。
具体实施方式
(实施例1)
见图1至图2，一种BIPV晶硅电池组件，包括由上往下依次层叠的表面玻璃1、胶膜层一2、晶硅电池芯片3、胶膜层二4、背板玻璃5，还包括接线盒6，接线盒6安装在背板玻璃5的底面上。
表面玻璃1为超白高透玻璃。晶硅电池芯片3为全背电极晶硅电池芯片；晶硅电池芯片3上设有多条电极栅线8；晶硅电池芯片3上设有多个开孔7；开孔7孔径大小为0.5-15mm；开孔7的位置避开电极栅线8的布置。胶膜层一2和胶膜层二4可采用EVA或PVB。背板玻璃5为钢化玻璃。
以上所述的具体实施例，对本实用新型的目的、技术方案和有益效果进行了进一步详细说明，所应理解的是，以上所述仅为本实用新型的具体实施例而已，并不用于限制本实用新型，凡在本实用新型的精神和原则之内，所做的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本实用新型的保护范围之内。
Claims (6)
1.一种BIPV晶硅电池组件，包括由上往下依次层叠的表面玻璃(1)、胶膜层一(2)、晶硅电池芯片(3)、胶膜层二(4)、背板玻璃(5)，还包括接线盒(6)，其特征在于：所述晶硅电池芯片(3)为全背电极晶硅电池芯片；所述晶硅电池芯片(3)上设有多条电极栅线(8)；所述晶硅电池芯片(3)上设有多个开孔(7)；所述开孔(7)的位置避开电极栅线(8)的布置。
2.根据权利要求1中所述BIPV晶硅电池组件，其特征在于：所述开孔(7)孔径大小为0.5-15mm。
3.根据权利要求1中所述BIPV晶硅电池组件，其特征在于：所述接线盒(6)安装在背板玻璃(5)的底面上。
4.根据权利要求1中所述BIPV晶硅电池组件，其特征在于：所述的胶膜层一(2)和胶膜层二(4)可采用EVA或PVB。
5.根据权利要求1中所述BIPV晶硅电池组件，其特征在于：所述表面玻璃(1)为超白高透玻璃。
6.根据权利要求1中所述BIPV晶硅电池组件，其特征在于：所述背板玻璃(5)为钢化玻璃。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201520454601.XU CN204792839U (zh) | 2015-06-29 | 2015-06-29 | 一种bipv晶硅电池组件 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201520454601.XU CN204792839U (zh) | 2015-06-29 | 2015-06-29 | 一种bipv晶硅电池组件 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN204792839U true CN204792839U (zh) | 2015-11-18 |
Family
ID=54532832
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201520454601.XU Expired - Fee Related CN204792839U (zh) | 2015-06-29 | 2015-06-29 | 一种bipv晶硅电池组件 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN204792839U (zh) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2018157495A1 (zh) * | 2017-03-03 | 2018-09-07 | 广东爱康太阳能科技有限公司 | 打孔perc双面太阳能电池及其组件、系统和制备方法 |
-
2015
- 2015-06-29 CN CN201520454601.XU patent/CN204792839U/zh not_active Expired - Fee Related
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2018157495A1 (zh) * | 2017-03-03 | 2018-09-07 | 广东爱康太阳能科技有限公司 | 打孔perc双面太阳能电池及其组件、系统和制备方法 |
| EP3588582A4 (en) * | 2017-03-03 | 2020-12-23 | Guangdong Aiko Solar Energy Technology Co., Ltd | PERC BASED BIFACIAL SOLAR CELL WITH DRILLING, AND ASSEMBLY, SYSTEM AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME |
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| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C14 | Grant of patent or utility model | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| CP01 | Change in the name or title of a patent holder | ||
| CP01 | Change in the name or title of a patent holder |
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|
| TR01 | Transfer of patent right | ||
| TR01 | Transfer of patent right |
Effective date of registration: 20190218 Address after: Room 103, Building 2, Office District, Olympic Village, Chaoyang District, Beijing Patentee after: HANERGY PHOTOVOLTAIC TECHNOLOGY Co.,Ltd. Address before: Room 684, No. 158 Renmin East Road, Wujin District, Changzhou City, Jiangsu Province, 213000 Patentee before: JIANGSU WUJIN HANERGY FILM SOLAR ENERGY Co.,Ltd. |
|
| TR01 | Transfer of patent right | ||
| TR01 | Transfer of patent right |
Effective date of registration: 20190311 Address after: Room 107, Building 2, Olympic Village Street Comprehensive Office District, Chaoyang District, Beijing Patentee after: HANERGY MOBILE ENERGY HOLDING GROUP Co.,Ltd. Address before: Room 103, Building 2, Office District, Olympic Village, Chaoyang District, Beijing Patentee before: HANERGY PHOTOVOLTAIC TECHNOLOGY Co.,Ltd. |
|
| CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee | ||
| CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee |
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