CN203631532U - 半导体整流桥 - Google Patents
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Abstract
本实用新型公开了一种半导体整流桥，包括塑封体、固定二极管的框架和铝基板，所述铝基板设置在框架上，所述框架和铝基板通过塑封体连接成一整体，且铝基板与框架之间的距离小于1mm。本实用新型在保证其绝缘性能的前提下，能够有效降低半导体整流桥的热阻率，提高半导体整流桥的功率密度，使半导体整流桥的最大输出电流能够达到50A。
Description
技术领域
本实用新型涉及一种整流器件，尤其涉及一种绝缘导热的半导体整流桥。
背景技术
现有技术中，半导体整流桥使用环氧树脂进行封装，焊接有二极管芯片的框架封装在环氧树脂内，环氧树脂不仅起到绝缘作用，还是整流器件的散热通道。但由于环氧树脂热导率低，且封装引脚芯片框架的环氧树脂有一定厚度，使得半导体整流桥的热阻率高，功率密度低下，导致半导体整流桥所能输出的电流较小。
为了解决上述问题，现有技术中提出了如下技术：
如中国专利号“200620104718.6”公开了一种扁形整流桥，其公开日为2007年06月13日，其技术方案为所述整流桥包括外壳、树脂封灌层、整流二极管和电极引脚，其电极引脚伸出树脂封灌层，桥体上有安装通孔；整流二极管均焊接在铝基覆铜板的内面上，并由树脂材料封装在外壳与该铝基覆铜板围成的空腔中。
但以上述专利文件为代表的现有技术，在实际使用过程中，仍然存在着如下缺陷：一、根据中国环氧树脂行业协会规定，铝基板分为三类：1、通用型铝基板，绝缘层由环氧下班布粘结片构成；2、高散热铝基板，绝缘层由高导热的环氧树脂或其它树脂构成；3、高频电路用铝基板，绝缘层由聚稀烃或聚酰亚胺树的脂玻璃布粘结片构成，而该专利中采用的铝基覆铜板属于通用型铝基板，其自身的热阻较高，导致整流桥的散热效果差。二、铝基覆铜板上纤维绝缘层的耐温性能和耐湿热性差，长期使用存在隐患。三、该整流桥生产工艺复杂，导致产品生产成本较高。
实用新型内容
本实用新型的目的在于克服现有技术中存在的上述问题，提供一种半导体整流桥，本实用新型在保证其绝缘性能的前提下，能够有效降低半导体整流桥的热阻率，提高半导体整流桥的功率密度，使半导体整流桥的最大输出电流能够达到50A。
为实现上述目的，本实用新型采用的技术方案如下：
一种半导体整流桥，其特征在于：包括塑封体、固定二极管的框架和铝基板，所述铝基板设置在框架上，所述框架和铝基板通过塑封体连接成一整体，且铝基板与框架之间的距离小于1mm。
所述铝基板的形状与塑封体的形状相适配，其厚度为0.1—2mm。
所述铝基板由铝板和采用树脂制成的绝缘层构成，所述绝缘层贴合在铝板的外表面上，且绝缘层位于铝板和框架之间。
所述塑封体上设置有受力孔，所述铝基板上开设有与受力孔相通的通孔。
采用本实用新型的优点在于：
一、本实用新型中，所述框架和铝基板通过塑封体连接成一整体，且铝基板与框架之间的距离小于1mm的结构，能够大幅降低半导体整流桥的热阻率和提高半导体整流桥的功率密度，提高了半导体整流桥的散热效果，不仅增强了半导体整流桥的机械强度，还使半导体整流桥的输出电流从现有的25A提高到50A；另外，由于现有生产技术的原因，整流桥中的铝基板与框架之间有一定距离，而铝基板与框架之间的距离超过1mm，将导致整流桥的散热效果差和稳定性差，因此控制铝基板与框架之间的距离小于1mm，还有利于控制整流桥的质量。
二、本实用新型中，所述铝基板的形状与塑封体的形状相适配，其厚度为0.1—2mm，此结构在保证不影响半导体整流桥安装的前提下，能够提高半导体整流桥的散热效果，从而达到提高半导体整流桥输出电流的目的。
三、本实用新型中，由树脂制成的绝缘层具有绝缘性能好的优点，而铝板具有良好的散热功能，因此由铝板和绝缘层构成的铝基板，增强了半导体整流桥的绝缘导热效果。
四、本实用新型中，所述塑封体上设置有受力孔，所述铝基板上开设有与受力孔相通的通孔，此结构便于人们快速安装整流桥。
附图说明
图1为本实用新型的结构示意图。
图中的标记为：1、塑封体，2、框架，3、铝板，4、绝缘层，5、受力孔，6、通孔。
具体实施方式
一种半导体整流桥，包括塑封体1、固定二极管的框架2和铝基板，所述铝基板设置在框架2上，所述框架2和铝基板通过塑封体1连接成一整体，且铝基板与框架2之间的距离小于1mm。
本实用新型中，所述铝基板的形状与塑封体1的形状相适配，其厚度可以为0.1mm，也可以为2mm，优选铝基板的厚度为1mm。
本实用新型的优选实施方式为，所述铝基板由铝板3和采用树脂制成的绝缘层4构成，所述绝缘层4优选贴合在铝板3的外表面上，并优选绝缘层4位于铝板3和框架2之间，以便于保证整流桥的绝缘导热效果。但并不局限于铝基板，例如还可采用与铝基板性质相近的基板，绝缘层4也并不局限于树脂，还可采用与树脂性质相近的绝缘材料。
本实用新型的又一优选实施方式，所述塑封体1上设置有受力孔5，所述铝基板上开设有通孔6，通孔6的大小与受力孔5大小相同，且通孔6与受力孔5连通。
本实用新型中，将铝基板与框架2贴合于压塑模具中，通过压塑设备注塑环氧树脂，再进行固化等处理，就可得到一种新型绝缘导热结构的半导体整流桥。
其中，为了减小铝基板与框架2之间的距离，也可提前将铝基板与框架2焊接好，然后再用环氧树脂塑封，这样就得到铝基板与框架2之间距离为0的半导体整流桥，从而进一步提高散热效果。
Claims (4)
1.一种半导体整流桥，其特征在于：包括塑封体（1）、固定二极管的框架（2）和铝基板，所述铝基板设置在框架（2）上，所述框架（2）和铝基板通过塑封体（1）连接成一整体，且铝基板与框架（2）之间的距离小于1mm。
2.如权利要求1所述的半导体整流桥，其特征在于：所述铝基板的形状与塑封体（1）的形状相适配，其厚度为0.1—2mm。
3.如权利要求1或2所述的半导体整流桥，其特征在于：所述铝基板由铝板（3）和采用树脂制成的绝缘层（4）构成，所述绝缘层（4）贴合在铝板（3）的外表面上，且绝缘层（4）位于铝板（3）和框架（2）之间。
4.如权利要求1所述的半导体整流桥，其特征在于：所述塑封体（1）上设置有受力孔（5），所述铝基板上开设有与受力孔（5）相通的通孔（6）。
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