CN203456248U - 强抗过载能力变压器 - Google Patents
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Abstract
本实用新型涉及一种强抗过载能力变压器,其包括铁芯、初级线圈以及次级线圈,初级线圈和次级线圈均由至少一层导线层组成或由骨架以及至少一层绕设在所述的骨架上的导线层组成,每层所述的导线层由至少一根绝缘导线一圈挨一圈绕制而成。本实用新型的导线层之间无绝缘层,提高了线圈的散热性和过载能力,减少了化学材料的使用,为节能减排发挥重要作用。
Description
技术领域
本实用新型涉及一种变压器,特别涉及一种强抗过载能力变压器。
背景技术
变压器的组成:1.导磁材料,工频变压器使用硅钢片、高频变压器使用磁芯。2.导电材料,漆包线、铜皮和铜管{使用水降温结构}。3.绝缘材料,包括骨架,绝缘层、塑料薄膜等。由于绝缘层的存在,降低了线圈的散热和过载能力,同时制造绝缘层需要用到大量的化学材料,对资源造成了一定的浪费。
发明内容
本实用新型的目的是提供一种强抗过载能力变压器。
为达到上述目的,本实用新型采用的技术方案是:一种强抗过载能力变压器,其包括铁芯、初级线圈以及次级线圈,初级线圈和次级线圈均由至少一层导线层组成或由骨架以及至少一层绕设在所述的骨架上的导线层组成,每层所述的导线层由至少一根绝缘导线一圈挨一圈绕制而成。
优化的,所述的导线的截面呈长方形,该长方形边长较长的两边所在的侧面为导线的宽侧面,边长较短的两边所在的侧面为导线的窄侧面,所述的导线绕制成导线层后,导线层的内壁与外壁分别为导线的两个窄侧面。
由于上述技术方案运用,本实用新型与现有技术相比具有下列优点:本实用新型的导线层之间无绝缘层,提高了线圈的散热性和过载能力,减少了化学材料的使用,为节能减排发挥重要作用。
附图说明
附图1为变压器的主视图;
附图2为线圈的主视图;
附图3为线圈的左视图;
附图4为导线的立体视图;
以上附图中:1、导线层;2、骨架;3、次级线圈;4、初级线圈;5、铁芯;11、导线;12、宽侧面;13、窄侧面。
具体实施方式
下面结合附图所示的实施例对本实用新型作进一步描述。
如图1、2、3所示,本强抗过载能力变压器,其包括铁芯5、初级线圈4以及次级线圈3,初级线圈4和次级线圈3均由至少一层导线层1组成或由骨架2以及至少一层绕设在所述的骨架2上的导线层1组成,每层所述的导线层1由至少一根绝缘导线11一圈挨一圈绕制而成。在本实施例中,导线层1为一层,其外侧无绝缘层,因此提高了线圈的散热性,进而延长了变压器的使用寿命,并且减少了化学材料的使用,为节能减排发挥重要作用。
如图4所示,导线11的截面呈长方形,该长方形边长较长的两边所在的侧面为导线的宽侧面12,边长较短的两边所在的侧面为导线的窄侧面13,导线11绕制成导线层1后,导线层1的内壁与外壁分别为导线11的两个窄侧面13。
上述实施例只为说明本实用新型的技术构思及特点,其目的在于让熟悉此项技术的人士能够了解本实用新型的内容并据以实施,并不能以此限制本实用新型的保护范围。凡根据本实用新型精神实质所作的等效变化或修饰,都应涵盖在本实用新型的保护范围之内。
Claims (2)
1.一种强抗过载能力变压器,其包括铁芯(5)、初级线圈(4)以及次级线圈(3),其特征在于:初级线圈(4)和次级线圈(3)均由至少一层导线层(1)组成或由骨架(2)以及至少一层绕设在所述的骨架(2)上的导线层(1)组成,每层所述的导线层(1)由至少一根绝缘导线(11)一圈挨一圈绕制而成。
2.根据权利要求1所示的强抗过载能力变压器,其特征在于:所述的导线(11)的截面呈长方形,该长方形边长较长的两边所在的侧面为导线的宽侧面(12),边长较短的两边所在的侧面为导线的窄侧面(13),所述的导线(11)绕制成导线层(1)后,导线层(1)的内壁与外壁分别为导线(11)的两个窄侧面(13)。
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CN201320594513.0U CN203456248U (zh) | 2013-09-25 | 2013-09-25 | 强抗过载能力变压器 |
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CN (1) | CN203456248U (zh) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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CN103489588A (zh) * | 2013-09-25 | 2014-01-01 | 苏州康开电气有限公司 | 强抗过载能力变压器 |
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2013
- 2013-09-25 CN CN201320594513.0U patent/CN203456248U/zh not_active Expired - Fee Related
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CN103489588A (zh) * | 2013-09-25 | 2014-01-01 | 苏州康开电气有限公司 | 强抗过载能力变压器 |
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GR01 | Patent grant | ||
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