CN203365628U - Mos管参数测试的保护电路 - Google Patents

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Abstract

本实用新型涉及MOS管参数测试的保护电路。MOS管参数测试的保护电路，包括MOS管，还包括保护电路，所述保护电路由第一二极管、第二二极管及第三二极管构成的MOS管保护电路之一：其中第一二极管、第二二极管接在MOS管的栅极与源极之间，第三二极管正极接MOS管源极，负极接MOS管漏极，第一二极管、第二二极管为反向串接稳压二极管。其中第一二极管、第二二极管为反向串接稳压二极管接在MOS管的栅极与源极之间，可有效避免MOS管栅源极间击穿，第三二极管接MOS管漏极与源极之间，可有效避免MOS管漏源极间由于瞬间电压过高而击穿，从而达到动态保护作用。

Description

MOS管参数测试的保护电路
技术领域
本实用新型涉及MOS管参数测试的保护电路。 
背景技术
MOS管的输入电阻很高，而栅-源极间电容又非常小，极易受外界电磁场或静电的感应而带电，而少量电荷就可在极间电容上形成相当高的电压（U=Q/C），场效应管栅极和沟道之间的绝缘层易被电压击穿，特别是栅源之间的耐压只有几十伏，电流也仅为微安级，所以在拆、装、存、测过程中极易损坏。针对性地采取保护措施来规避MOS管易损很有必要，具有现实意义。 
发明内容
本实用新型所要解决的技术问题是针对上述背景技术的不足，提供了MOS管参数测试的保护电路，有效避免电压击穿。 
    本实用新型为实现上述实用新型目的采用如下技术方案： 
MOS管参数测试的保护电路，包括MOS管，还包括保护电路，所述保护电路包括第一二极管（D1）、第二二极管（D2）及第三二极管（D3）：其中第一二极管、第二二极管接在MOS管的栅极与源极之间，第三二极管正极接MOS管源极，负极接MOS管漏极，第一二极管、第二二极管为反向串接稳压二极管。
还包括组合开关：组合开关的一侧的三个端子分别接MOS管的源极、栅极和漏极，另一侧的三个端子短接接地。 
  本实用新型采用上述技术方案，具有以下有益效果：由二极管和开关组合成双重保护电路可确保避免MOS管参数测试过程中的损坏。保护措施简单可靠、实用性强。 
附图说明
图1为本实用新型MOS管参数测试的保护电路的示意图。 
具体实施方式
下面结合附图对实用新型的技术方案进行详细说明： 
如图1所示的MOS管参数测试的保护电路包括MOS管参数测试基本测试电路；第一、第二及第三二极管D1、D2及D3构成的MOS管保护电路之一，开关S2构成的MOS管保护电路之二。
1、第一、第二及第三二极管D1、D2及D3构成的MOS管保护电路之一： 
第一二极管、第二二极管D1、D2为反向串接稳压二极管，它们接在MOS管的栅极G与源极S之间，第三二极管D3接MOS管漏极D与源极S之间，保护方案如下所述：
第一、第二二极管D1、D2为反向串接稳压二极管接在MOS管的栅极G与源极S之间，当MOS管的栅极G与源极S之间的工作电压或感应电压值超过稳压二极管的稳压值UZ时，稳压管工作在反向击穿状态,即将MOS管的UGS电压限幅在正负UZ，有效避免MOS管栅源极间击穿；第三二极管D3接MOS管漏极D与源极S之间，可释放漏极D与源极S间的干扰脉冲电压，避免MOS管漏源极间由于瞬间电压过高而击穿，从而达到动态保护作用。
2、开关S2构成的MOS管保护电路之二： 
组合开关S2一侧的三个端子分别接MOS管的三个极，另一侧的三个端子短接接地，即合上组合开关S2则MOS管的三个极短接，打开组合开关S2则MOS管的三个极分离。保护方案如下所述：
在未进行测试时，开关置闭合状态，即组合开关S2使MOS管的三个极短接，从外部给MOS场效应管短路，可以有效防止人为带电操作或焊接电路损坏MOS管，并可避免平时保管不当引起的MOS管损坏。测量时，开关置打开状态，即组合开关S2使MOS管的三个极分离，解除MOS管的外部短路保护，进入测试状态。

Claims (2)

1.MOS管参数测试的保护电路，包括MOS管，其特征在于：还包括保护电路，所述保护电路包括第一二极管（D1）、第二二极管（D2）及第三二极管（D3）：其中第一二极管（D1)、第二二极管(D2)接在MOS管的栅极(G)与源极(S)之间，第三二极管（D3）正极接MOS管源极（S），负极接MOS管漏极（D），第一二极管（D1)、第二二极管(D2)为反向串接稳压二极管。
2.根据权利要求1所述的MOS管参数测试的保护电路，其特征在于：还包括组合开关（S2）：组合开关（S2）的一侧的三个端子分别接MOS管的源极、栅极和漏极，另一侧的三个端子短接接地。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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