CN203163840U - 高精度柱式称重传感器 - Google Patents
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Abstract
本实用新型公开了一种高精度柱式称重传感器，包括弹性体、由八个电阻组成的全桥测量电路和用于对所述全桥测量电路进行非线性补偿的补偿电阻，所述补偿电阻串联连接于所述全桥测量电路的电源输入端，所述补偿电阻为半导体电阻并安装于所述弹性体的表面。由于增加了补偿电阻，该补偿电阻也感应压力，作用力增大时，补偿电阻被压缩，电阻值减小，其两端压降减小，使全桥测量电路两端的电压增大，其输出增大，达到对所述全桥测量电路进行非线性补偿的目的，从而实现柱式称重传感器的高精度测量。
Description
技术领域
本实用新型涉及一种柱式称重传感器，尤其涉及一种对全桥测量电路进行非线性补偿的高精度柱式称重传感器。
背景技术
称重传感器是一种将质量信号转变为可测量的电信号输出的装置，主要包括弹性体和电阻应变片。将电阻应变片安装于柱状弹性体表面上的称重传感器即为柱式称重传感器。现有的柱式称重传感器由于其截面积随负载增大而增大，但轴向应变与负载之间不是线性比例关系，使电阻应变片感受到的压力偏小，输出信号也变小，导致柱式称重传感器产生固有的非线性，降低了测量精度。目前有一些对弹性体进行改进以提高测量精度的措施，但这些措施比较麻烦，成本较高。
实用新型内容
本实用新型的目的就在于为了解决上述问题而提供一种对全桥测量电路进行非线性补偿的高精度柱式称重传感器。
本实用新型通过以下技术方案来实现上述目的：
本实用新型所述高精度柱式称重传感器包括弹性体、由八个电阻组成的全桥测量电路和用于对所述全桥测量电路进行非线性补偿的补偿电阻，所述补偿电阻串联连接于所述全桥测量电路的电源输入端，所述补偿电阻为半导体电阻并安装于所述弹性体的表面。
具体地，所述补偿电阻可以为一个半导体电阻。
所述补偿电阻也可以为两个相互串联的半导体电阻。
所述补偿电阻还可以为两个相互并联的半导体电阻。
本实用新型的有益效果在于：
由于增加了补偿电阻，该补偿电阻也感应压力，作用力增大时，补偿电阻被压缩，电阻值减小，其两端压降减小，使全桥测量电路两端的电压增大，其输出增大，达到对所述全桥测量电路进行非线性补偿的目的，从而实现柱式称重传感器的高精度测量。
附图说明
图1是本实用新型所述高精度柱式称重传感器的电路结构示意图之一；
图2是本实用新型所述高精度柱式称重传感器的电路结构示意图之二；
图3是本实用新型所述高精度柱式称重传感器的电路结构示意图之三。
具体实施方式
下面结合附图对本实用新型作进一步说明：
如图1-图3所示，本实用新型所述高精度柱式称重传感器包括弹性体（图中未示出）、由八个电阻组成的全桥测量电路和用于对全桥测量电路进行非线性补偿的补偿电阻，补偿电阻串联连接于全桥测量电路的电源输入端Ui，补偿电阻为半导体电阻并安装于弹性体的表面。上述结构中，组成全桥测量电路的八个电阻分别为第一电阻R1、第二电阻R2、第三电阻R3、第四电阻R4、第五电阻R5、第六电阻R6、第七电阻R7和第八电阻R8。
如图1所示，补偿电阻可以为一个半导体电阻R9。
如图2所示，补偿电阻也可以为两个相互串联的半导体电阻即第九电阻R9和第十电阻R10。
如图3所示，补偿电阻还可以为两个相互并联的半导体电阻即第九电阻R9和第十电阻R10。
上述第十电阻R10为阻值小于第九电阻R9的电阻，用于对补偿电阻的阻值进行精度调节。
如图1-图3所示，由于增加了补偿电阻，该补偿电阻也感应压力，作用力增大时，补偿电阻被压缩，电阻值减小，其两端压降减小，使全桥测量电路两端的电压增大，其输出端Uo增大，达到对全桥测量电路进行非线性补偿的目的，从而实现柱式称重传感器的高精度测量。
Claims (4)
1.一种高精度柱式称重传感器，包括弹性体和由八个电阻组成的全桥测量电路，其特征在于：还包括用于对所述全桥测量电路进行非线性补偿的补偿电阻，所述补偿电阻串联连接于所述全桥测量电路的电源输入端，所述补偿电阻为半导体电阻并安装于所述弹性体的表面。
2.根据权利要求1所述的高精度柱式称重传感器，其特征在于：所述补偿电阻为一个半导体电阻。
3.根据权利要求1所述的高精度柱式称重传感器，其特征在于：所述补偿电阻为两个相互串联的半导体电阻。
4.根据权利要求1所述的高精度柱式称重传感器，其特征在于：所述补偿电阻为两个相互并联的半导体电阻。
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