CN202871804U - 一种晶体硅太阳电池背面电极结构 - Google Patents
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Abstract
本实用新型公开了一种晶体硅太阳电池背面电极结构，背面电极由一条以上主栅线和两条以上副栅线组成，主栅线在长轴方向中点被分割为一条n型主栅线和一条p型主栅线；副栅线分布在主栅线两侧呈相对的“C”字形结构，“C”字形结构的两端分别分布在n型主栅线和p型主栅线的一侧，其中一端与主栅线垂直连接，另一端不连接。这种结构不但在不改变传统模组技术的前提下实现背接触式高效太阳电池的封装，而且可以节省背面金属浆料。
Description
技术领域
本实用新型涉及太阳电池电极结构，具体涉及一种晶体硅太阳电池背面电极结构。
背景技术
现有的太阳电池，特别是晶硅太阳电池的电极结构，经常在电池的正面和背面网印一层金属电极，收集少数载流子，但是正面电极减少了太阳光的受光面积，从而减少了太阳电池的转化效率。背接触式太阳电池通过镭射隧道的形式把部分或全部正面电极转移到背面，因此具有不同发射极类型的电极需要合理的设计在电池的背面。一般的背接触式电池背电极采用：至少一对并行排列的主栅和多条叉指状副栅的电极结构。但是这种电极结构降低了主栅的利用率，从而隐形的增加了浆料成本，举例来说：如果采取两条主栅的方式，则主栅只有一边可以接受少数载流子，则主栅的利用率损失了50%；背面接触式太阳电池的双面都有n型发射极，可以具备双面集电的固有效果，但是如果采取多条主栅的形式又会降低背面发射极的利用面积。因此来自于集成电路技术的传统叉指状电极不是最适合背接触式太阳电池的电极结构。
发明内容
本实用新型的目的就是针对上述存在的缺陷而提供的一种晶体硅太阳电池背面电极结构，该结构可以在不降低电池片和模组光电转换效率的情况下，不但可以节省浆料，而且还可以和常用的网印机台兼容。
本实用新型提供的一种太阳电池正面电极结构技术方案为，背面电极由一条以上主栅线和两条以上副栅线组成，主栅线在长轴方向中点被分割为一条n型主栅线和一条p型主栅线；副栅线分布在主栅线两侧呈相对的“C”字形结构，“C”字形结构的两端分别分布在n型主栅线和p型主栅线的一侧，其中一端与主栅线垂直连接，另一端不连接。
n型主栅线和p型主栅线之间的距离为0.1mm~50mm。
副栅线分为n型副栅线和p型副栅线； n型副栅线与n型主栅线连接，p型副栅线与p型主栅线连接。
p型副栅线和n型副栅线等间距平行排列。
p型副栅线和n型副栅线间隔排列。
晶体硅片和电极可以是直接接触或者通过导体间接接触。
本实用新型的有益效果为：背面电极由一条以上主栅线和两条以上副栅线组成，主栅线在长轴方向中点被分割为一条n型主栅线和一条p型主栅线；副栅线分布在主栅线两侧呈相对的“C”字形结构，“C”字形结构的两端分别分布在n型主栅线和p型主栅线的一侧，其中一端与主栅线垂直连接，另一端不连接。与传统的叉指状电极相比，该实用新型的结构可以增加栅线的利用率，从而减少浆料成本，而且和传统的网印设备兼容，不需要增加额外的设备和成本。
附图说明：
图1是太阳电池用背面电极结构示意图；
图中，1.p型主栅线；2.n型主栅线；3. p型副栅线；4.n型副栅线。
具体实施方式：
为了更好地理解本实用新型，下面结合附图来详细说明本实用新型的技术方案，但是本发明并不局限于此。
实施例1
参见图1，本实用新型提供的一种太阳电池正面电极结构技术方案为，背面电极由一条以上主栅线和两条以上副栅线组成，主栅线在长轴方向中点被分割为一条n型主栅线2和一条p型主栅线1；副栅线分布在主栅线两侧呈相对的“C”字形结构，“C”字形结构的两端分别分布在n型主栅线2和p型主栅线1的一侧，其中一端与主栅线垂直连接，另一端不连接。
n型主栅线2和p型主栅线1之间的距离为0.1mm~50mm。
副栅线分为n型副栅线4和p型副栅线3； n型副栅线4接受n结少数载流子且与n型主栅线2连接，p型副栅线3接受p结少数载流子且与p型主栅线2连接。
p型副栅线3和n型副栅线4等间距平行间隔排列。
晶体硅片和电极可以是直接接触或者通过导体间接接触。
Claims (6)
1.一种晶体硅太阳电池背面电极结构，其特征在于，背面电极由一条以上主栅线和两条以上副栅线组成，主栅线在长轴方向中点被分割为一条n型主栅线和一条p型主栅线；副栅线分布在主栅线两侧呈相对的“C”字形结构，“C”字形结构的两端分别分布在n型主栅线和p型主栅线的一侧，其中一端与主栅线垂直连接，另一端不连接。
2. 根据权利要求1所述的一种晶体硅太阳电池背面电极结构，其特征在于，n型主栅线和p型主栅线之间的距离为0.1mm~50mm。
3. 根据权利要求1所述的一种晶体硅太阳电池背面电极结构，其特征在于，副栅线分为n型副栅线和p型副栅线； n型副栅线与n型主栅线连接，p型副栅线与p型主栅线连接。
4. 根据权利要求3所述的一种晶体硅太阳电池背面电极结构，其特征在于，p型副栅线和n型副栅线等间距平行排列。
5. 根据权利要求4所述的一种晶体硅太阳电池背面电极结构，其特征在于，p型副栅线和n型副栅线间隔排列。
6. 根据权利要求1所述的一种晶体硅太阳电池背面电极结构，其特征在于，晶体硅片和电极可以是直接接触或者通过导体间接接触。
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