CN202166088U

CN202166088U - 一种电陶炉

Info

Publication number: CN202166088U
Application number: CN2011201415615U
Authority: CN
Inventors: 王贵有; 文语; 邓阳; 阳作林
Original assignee: SICHUAN IDAO TECHNOLOGY CO LTD
Current assignee: SICHUAN IDAO TECHNOLOGY CO LTD
Priority date: 2011-05-06
Filing date: 2011-05-06
Publication date: 2012-03-14
Anticipated expiration: 2021-05-06

Abstract

本实用新型公开一种电陶炉，属于电加热技术领域。所述电陶炉包括外壳（3），以及置于外壳（3）内部的发热部件、加热驱动电路（5）和导线（4），所述发热部件包括发热丝（1）和置于发热丝（1）下部的发热盘（2），发热丝（1）与加热驱动电路（5）通过导线（4）连接，在发热部件与加热驱动电路（5）之间设置隔热板（6）；加热驱动电路（5）的电源电路包括VIP12a开关电源芯片、储能电感（L1）、DCDC电源芯片（U5）；加热驱动电路（5）的驱动电路包括MCU、三极管、电阻（R）和电控开关（Q）。本实用新型的电陶炉的设计结构简单、元器件少，不但节约了成本、而且使用和待机功耗都比较低，隔热效果好。

Description

一种电陶炉

技术领域

本发明涉及一种新型电陶炉，尤其是一种电源结构简单、功率控制方式简单的电陶炉。

背景技术

电陶炉是继电磁炉后的新一代厨房电器炉具，其具有热效率高、无辐射、无污染和无有害人体健康的产品。它的发热原理是电流经过电阻丝生热。电陶炉在设计时需要对它的电源、散热、功率控制进行设计。

现有技术的电陶炉包括外壳，在外壳内装置有加热驱动电路、发热丝、置于发热丝下部的发热盘，发热丝和发热盘合称为发热部件，加热驱动电路的驱动电流通过导线与发热丝连接。现有技术的电陶炉的加热驱动电路与发热部件在外壳内部是连通的，电陶炉在工作的时候发热丝产生的热量会使加热驱动电路的温度升高从而影响电陶炉的功率控制精度、加速加热驱动电路的老化，更甚者会直接损坏加热驱动电路，为了解决这些问题，一般采用的为加热驱动电路散热的方式为加装一个风扇，加装风扇不但增加了成本，而且也增加了整机的功耗；同时，风扇需要快速的转动，在电陶炉内部增加了一些潜在的威胁或风险。现有技术的加热驱动电路的电源都是使用变压器等元器件组成，电路复杂，元器件多，不但增加了成本、浪费资源，而且其待机功耗也比较高。控制功率时采用斩波（市电是220V的正弦交流电，将正弦波的部分斩掉，斩掉后的波形如图2）控制方式，这样的控制方式在计算功率时非常复杂，而且,功率控制不够精确。

实用新型内容

本发明的目的是提供一种新型的电陶炉，以解决现有技术中的成本高、功耗大、电路复杂等问题。

为了达到本实用新型的目的，本实用新型采用以下技术方案：

一种电陶炉，包括外壳，以及置于外壳内部的发热部件、加热驱动电路和导线，所述发热部件包括发热丝和置于发热丝下部的发热盘，发热丝与加热驱动电路通过导线连接，在发热部件与加热驱动电路之间设置隔热板；所述加热驱动电路包括电源电路和驱动电路；所述电源电路包括VIP12a开关电源芯片、储能电感、DCDC电源芯片，VIP12a开关电源芯片的第五、第六、第七、第八管脚并联后接第六二极管的负极端和第十四电容的一端，第六二极管的正极端与市电的火线连接，第一肖特基二极管的负极端与第七二极管的负极端、VIP12a开关电源芯片的第四管脚和第二电容的一端连接，第一肖特基二极管的正极端与VIP12a开关电源芯片的第三管脚和第十五电容的一端连接，第七二极管的正极端与储能电感的一端、第一电容的一端、第三电容的一端和DCDC电源芯片的输入端连接，VIP12a开关电源芯片的第一管脚和第二管脚并联以后与第十五电容的另一端、第二电容的另一端、储能电感的另一端和第二十一二极管的负极端连接，第二十一二极管的正极端与第二肖特基二极管的正极端连接，电源电路的负极输出端口与第二肖特基二极管的负极端、第一电容的另一端、第三电容的另一端、DCDC电源芯片的接地端、第十四电容的另一端和市电的零线连接，电源电路的正极输出端口与DCDC电源芯片的输出端连接；

所述驱动电路包括MCU、三极管、电阻和电控开关，MCU的控制输出端通过电阻与三极管的基极连接，三极管的集电极接VCC，电控开关控制端与三极管的源极连接，电控开关的一个可控导通端与电源电路的正极输出端连接，电控开关的另一个可控导通端与发热丝的一端连接，发热丝的另一端与电源电路的负极输出端连接。

作为优选，所述三极管包括PNP管和NPN管的任一种，本实用新型优选NPN管。

作为优选，所述可控开关为可控硅。

本实用新型的有益技术效果：电源电路设计结构简单、元器件少，不但节约了成本、而且使用和待机功耗都比较低；使用隔热板将热量隔绝在加热部件的空间内，不会让热量传导至加热驱动电路的空间内，不但结构简单，而且隔热效果好、成本低、不需要额外增加不必要的功耗。

附图说明

本实用新型将通过例子并参照附图的方式说明，其中：

图1为本实用新型的产品结构图；

图2为背景技术中斩波后的电源波形图；

图3为本实用新型的电源电路结构图；

图4为本实用新型的驱动电路结构图；

图5为本实用新型的截波后的电源波形图。

具体实施方式

本说明书中公开的所有特征，或公开的所有方法或过程中的步骤，除了互相排斥的特征和/或步骤以外，均可以以任何方式组合。

本说明书（包括任何附加权利要求、摘要和附图）中公开的任一特征，除非特别叙述，均可被其他等效或具有类似目的的替代特征加以替换。即，除非特别叙述，每个特征只是一系列等效或类似特征中的一个例子而已。

如图1所示，一种电陶炉，包括外壳3，以及置于外壳3内部的发热部件、加热驱动电路5和导线4，所述发热部件包括发热丝1和置于发热丝1下部的发热盘2，发热丝1与加热驱动电路5通过导线4连接，其特征在于，在发热部件与加热驱动电路5之间设置隔热板6。

加热驱动电路5包括电源电路和驱动电路；所述电源电路如图3所示，包括VIP12a开关电源芯片、储能电感L1、DCDC电源芯片U5，VIP12a开关电源芯片的第五、第六、第七、第八管脚并联后接第六二极管D6的负极端和第十四电容C14的一端，第六二极管D6的正极端与市电的火线连接，第一肖特基二极管D1的负极端与第七二极管D7的负极端、VIP12a开关电源芯片的第四管脚和第二电容C2的一端连接，第一肖特基二极管D1的正极端与VIP12a开关电源芯片的第三管脚和第十五电容C15的一端连接，第七二极管D7的正极端与储能电感L1的一端、第一电容C1的一端、第三电容C3的一端和DCDC电源芯片U5的输入端连接，VIP12a开关电源芯片的第一管脚和第二管脚并联以后与第十五电容C15的另一端、第二电容C2的另一端、储能电感L1的另一端和第二十一二极管D21的负极端连接，第二十一二极管D21的正极端与第二肖特基二极管D2的正极端连接，电源电路的负极输出端口OUT-与第二肖特基二极管D2的负极端、第一电容C1的另一端、第三电容C3的另一端、DCDC电源芯片U5的接地端、第十四电容C14的另一端和市电的零线连接，电源电路的正极输出端口OUT+与DCDC电源芯片U5的输出端连接。

所述驱动电路如图4所示，包括MCU、三极管、电阻R和电控开关Q，MCU的控制输出端通过电阻R与三极管的基极连接，三极管的集电极接VCC，电控开关Q控制端与三极管的源极连接，电控开关Q的一个可控导通端与电源电路的正极输出端OUT+连接，电控开关Q的另一个可控导通端与发热丝的一端连接，发热丝的另一端与电源电路的负极输出端OUT-连接。

作为优选，所述三极管包括PNP管和NPN管的任一种，本实用新型的实施例中选用的是NPN管。

作为优选，所述可控开关Q为可控硅。

功率控制电路用MCU（本实用新型的MCU选用单片机）触发三极管去触发可控硅（过零触发可控硅）让市电与发热丝导通。因为市电是220V频率为50HZ的正弦交流电，所以在一个周期内就会产生50个上半波和50个下半波。在需要控制功率时用MCU判断在过零点是否触发可控硅，从而控制在周期内经过发热丝的上半波数和下半波数的数量，从而控制电陶炉的输出功率。这样的得到功率就是

(P为得到的控制功率、U=220V、R为发热丝的电阻、n表示没有通过可控硅的上半波或者下半波。经过可控硅截波后的波形如图5。

本实用新型并不局限于前述的具体实施方式。本实用新型扩展到任何在本说明书中披露的新特征或任何新的组合，以及披露的任一新的方法或过程的步骤或任何新的组合。

Claims

1.一种电陶炉，包括外壳（3），以及置于外壳（3）内部的发热部件、加热驱动电路（5）和导线（4），所述发热部件包括发热丝（1）和置于发热丝（1）下部的发热盘（2），发热丝（1）与加热驱动电路（5）通过导线（4）连接，其特征在于，在发热部件与加热驱动电路（5）之间设置隔热板（6）；

所述加热驱动电路（5）包括电源电路和驱动电路；

所述电源电路包括VIP12a开关电源芯片、储能电感（L1）、DCDC电源芯片（U5），VIP12a开关电源芯片的第五、第六、第七、第八管脚并联后接第六二极管（D6）的负极端和第十四电容（C14）的一端，第六二极管（D6）的正极端与市电的火线连接，第一肖特基二极管（D1）的负极端与第七二极管（D7）的负极端、VIP12a开关电源芯片的第四管脚和第二电容（C2）的一端连接，第一肖特基二极管（D1）的正极端与VIP12a开关电源芯片的第三管脚和第十五电容（C15）的一端连接，第七二极管（D7）的正极端与储能电感（L1）的一端、第一电容（C1）的一端、第三电容（C3）的一端和DCDC电源芯片（U5）的输入端连接，VIP12a开关电源芯片的第一管脚和第二管脚并联以后与第十五电容（C15）的另一端、第二电容（C2）的另一端、储能电感（L1）的另一端和第二十一二极管（D21）的负极端连接，第二十一二极管（D21）的正极端与第二肖特基二极管（D2）的正极端连接，电源电路的负极输出端口（OUT-）与第二肖特基二极管（D2）的负极端、第一电容（C1）的另一端、第三电容（C3）的另一端、DCDC电源芯片（U5）的接地端、第十四电容（C14）的另一端和市电的零线连接，电源电路的正极输出端口（OUT+）与DCDC电源芯片（U5）的输出端连接；

所述驱动电路包括MCU、三极管、电阻（R）和电控开关（Q），MCU的控制输出端通过电阻（R）与三极管的基极连接，三极管的集电极接VCC，电控开关（Q）控制端与三极管的源极连接，电控开关（Q）的一个可控导通端与电源电路的正极输出端（OUT+）连接，电控开关（Q）的另一个可控导通端与发热丝的一端连接，发热丝的另一端与电源电路的负极输出端（OUT-）连接。

2.根据权利要求1所述的一种电陶炉，其特征在于，所述三极管包括PNP管和NPN管的任一种。

3.根据权利要求1所述的一种电陶炉，其特征在于，所述可控开关（Q）为可控硅。