CN201946579U - 一种传送部件 - Google Patents
一种传送部件 Download PDFInfo
- Publication number
- CN201946579U CN201946579U CN201020516401XU CN201020516401U CN201946579U CN 201946579 U CN201946579 U CN 201946579U CN 201020516401X U CN201020516401X U CN 201020516401XU CN 201020516401 U CN201020516401 U CN 201020516401U CN 201946579 U CN201946579 U CN 201946579U
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- column structure
- circle ring
- ceramic
- ring column
- metallic rod
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Images
Landscapes
- Connection Of Plates (AREA)
Abstract
本实用新型公开了一种传送部件，该传送部件包括加热底盘、陶瓷环、气缸以及多个陶瓷钉，所述加热底盘上均匀地设有多个孔，所述多个陶瓷钉分别穿过所述多个孔立放在所述陶瓷环上，所述气缸上设有金属杆，所述金属杆与所述陶瓷环通过内六角螺丝及内六角螺母固定，所述内六角螺丝穿通所述金属杆与所述陶瓷环，并且所述内六角螺丝与所述内六角螺母的裸露部分罩有陶瓷盖，从而方便拆卸金属杆时借力，避免拆卸金属杆时损伤陶瓷环，节约了成本，并且降低了内六角螺丝及内六角螺母被氧化腐蚀的概率及程度。
Description
技术领域
本实用新型涉及集成电路制造技术领域，尤其涉及一种应用于CVD制造机台反应腔的传送部件。
背景技术
在超大规模集成电路(ULSI)制造工艺中，随着电路尺寸的不断缩小，开始通过增加淀积层数的方法，在垂直方向上进行拓展。这些增加的层在器件、电路中起到各种不同的作用，主要可作为栅电极、多层布线的层间绝缘膜、金属布线、电阻、表面钝化等。对于小图形，其分辨率受晶片表面的条件影响很大，随着特征图形尺寸减小到亚微米级，芯片制造工艺对低缺陷密度的要求越来越迫切，对沉积薄膜的质量要求也越来越高，其厚度的均匀性不仅会影响到后续工艺的正常进行，也会影响到器件的电性能和机械性能，并进而影响到器件的成品率及产量。
所谓沉积是指一种以物理方式沉积在晶片表面上的工艺过程，薄膜沉积的方法包括化学气相沉积(CVD，Chemical Vapor Deposition)法和物理气相沉积(PVD，Physical Vapor Deposition)法两大类。其中，化学气相沉积是含有薄膜所需要的原子和分子的化学物质在反应室内混合并在气态下发生反应，其原子或分子淀积在晶片表面聚集形成薄膜的过程。化学气相沉积因其工艺较为简单、不需高真空、便于制备复合产物、淀积速率高，以及淀积的各种薄膜具有良好的阶梯覆盖性能等优点在半导体器件的制造中被广泛使用。
化学气相沉积需使用CVD制备机台，CVD制备机台的生产效率很大程度上决定了半导体晶圆代工厂的生产效率，为了提高CVD制备机台的生产效率，在CVD制备机台的反应腔内设计了一个比较有效率的晶圆传输系统，以满足反应腔的加工需求。
请参考图1A至图1B，其中图1A为现有的传送部件结构的剖面图，图1B为现有的传送部件结构的立体图，如图1A至图1B所示，现有的传送部件100包括：位于反应腔1内的加热底盘101、陶瓷环102、陶瓷钉103以及位于反应腔1外的气缸104，所述气缸104上有一金属杆105，所述金属杆105与所述陶瓷环102相连，所述气缸104通过波纹管2进行密封，从而使所述反应腔1形成封闭的腔室，其中陶瓷环102包括支撑部件102a及固定在所述支撑部件102a上的轴套102b，所述金属杆105与所述轴套102b相连；所述加热底盘101上均匀地设有4个孔，所述陶瓷钉103的数量为4个，所述4个陶瓷钉103分别穿过所述4个孔并立放在所述陶瓷环102的上面。所述气缸104用于驱动所述金属杆105进行上下运动，从而带动所述陶瓷环102上下运动，并进一步带动所述4个陶瓷钉103上下运动，从而可抬升和放下晶片。
请继续参考图1C，图1C为现有的陶瓷环与金属杆连接方式的示意图，如图1C所示，现有的陶瓷环102与金属杆105的连接方式为：所述轴套102b上设有一通孔，所述金属杆105插入所述通孔内，所述轴套102b与所述金属杆105的侧面通过一字口螺丝106进行固定，并且所述一字口螺丝106没有完全穿通所述金属杆105。
然而，现有的传送部件100存在以下问题：
1)由于长时间的伸缩运动，气缸104的波纹管2的密封性会变差，从而会产生漏源；
2)由于反应腔1在正常工作状态下的温度是400℃，长时间处于反应腔1的400℃高温环境下，气缸104的金属杆105会产生形变，从而使陶瓷钉103的水平升降受到影响，造成晶片位置的偏移；
3)陶瓷环102与气缸104的金属杆105通过一字口螺丝106进行固定，由于反应腔1内的电浆的影响，所述一字口螺丝106的裸露部分会发生氧化腐蚀，因此需拆换气缸104，然而由于所述一字口螺丝106没有完全穿通所述金属杆105，从而造成拆换气缸104的同时需报废没有问题的陶瓷环102。
在上述的问题中，一字口螺丝106的裸露部分发生氧化腐蚀，从而造成报废没有问题的陶瓷环102这一问题是最突出的，因此需要对陶瓷环102与气缸104的金属杆105的固定方式进行一番改进，来减少此类问题的发生。
实用新型内容
本实用新型的目的在于提供一种传送部件，以解决现有技术中传送部件的陶瓷环的轴套与气缸的金属杆之间通过一字口螺丝固定，由于一字口螺丝的裸露部分易发生氧化腐蚀，从而造成报废没有问题的陶瓷环的问题。
为解决上述问题，本实用新型提出一种传送部件，用于CVD制造机台的晶片传输，该传送部件包括加热底盘、陶瓷环、气缸以及多个陶瓷钉，所述加热底盘上均匀地设有多个孔，所述多个陶瓷钉分别穿过所述多个孔立放在所述陶瓷环上，所述气缸上设有金属杆，其特征在于，所述金属杆与所述陶瓷环通过内六角螺丝及内六角螺母固定，所述内六角螺丝穿通所述金属杆与所述陶瓷环，并且所述内六角螺丝与所述内六角螺母的裸露部分罩有陶瓷盖。
可选的，所述陶瓷环包括支撑部件及固定在所述支撑部件上的轴套，所述轴套上设有通孔，所述金属杆插入所述通孔内，所述金属杆的侧面与所述轴套的侧面通过所述内六角螺丝及所述内六角螺母固定，所述内六角螺丝穿通所述金属杆与所述轴套。
可选的，所述陶瓷盖包括第一部件及第二部件，所述第一部件包括第一底座以及与所述第一底座固定的第一圆环柱体结构，所述第一圆环柱体结构的内壁上开有多个凹槽，所述第一圆环柱体结构的侧面对称地设有第一开口，所述第一开口的尾部为第一半圆形结构；所述第二部件包括第二底座以及与所述第二底座固定的第二圆环柱体结构，所述第二圆环柱体结构的外壁上设有多个凸块，所述第二圆环柱体结构的侧面对称地设有第二开口，所述第二开口的尾部为第二半圆形结构；其中，所述凹槽与所述凸块相匹配。
可选的，所述第一圆环柱体结构的内径大于所述第二圆环柱体结构的外径，且所述第二圆环柱体结构的外径与所述凸块的宽度之和大于所述第一圆环柱体结构的内径，同时小于所述第一圆环柱体结构的内径与所凹槽的深度之和。
可选的，所述第一圆环柱体结构的内径大于所述内六角螺丝的螺帽的直径，所述第二圆环柱体结构的内径大于所述内六角螺母的直径。
可选的，所述第一半圆形结构的直径与所述第二半圆形结构的直径相等，且所述第一半圆形结构的直径大于所述轴套的直径。
可选的，所述孔的数量为四个，所述陶瓷钉的数量为四个。
本实用新型由于采用以上的技术方案，使之与现有技术相比，具有以下的优点和积极效果：
(1)将现有的一字口螺丝改为内六角螺丝，方便拆卸金属杆时借力；
(2)将现有的简单螺丝固定改为内六角螺丝穿通所述金属杆与所述陶瓷环，并以螺母固定，这样一来，即使出现拆卸困难，也只需将内六角螺丝强行破坏即可，避免损伤陶瓷环，从而节约了成本；
(3)增加一组陶瓷盖对所述内六角螺丝及内六角螺母进行保护，降低了内六角螺丝及内六角螺母被氧化腐蚀的概率及程度，从而降低了拆卸螺丝的次数，节约了成本。
附图说明
图1A为现有的传送部件结构的剖面图；
图1B为现有的传送部件结构的立体图；
图1C为现有的陶瓷环与金属杆连接方式的示意图；
图2A为本实用新型实施例提供的传送部件结构的立体图；
图2B为本实用新型实施例提供的陶瓷环与金属杆连接方式的示意图；
图3A为本实用新型实施例提供的陶瓷盖的第一部件沿A-A方向 的剖面结构示意图；
图3B为本实用新型实施例提供的陶瓷盖的第二部件沿A-A方向的剖面结构示意图；
图3C为本实用新型实施例提供的陶瓷盖的第一部件的俯视图；
图3D为本实用新型实施例提供的陶瓷盖的第二部件的俯视图。
具体实施方式
以下结合附图和具体实施例对本实用新型提出的传送部件进一步详细说明。根据下面说明和权利要求书，本实用新型的优点和特征将更清楚。需说明的是，附图均采用非常简化的形式且均使用非精准的比率，仅用于方便、明晰地辅助说明本实用新型实施例的目的。
本实用新型的核心思想在于，提供一种传送部件，该传送部件包括加热底盘、陶瓷环、气缸以及多个陶瓷钉，所述加热底盘上均匀地设有多个孔，所述多个陶瓷钉分别穿过所述多个孔立放在所述陶瓷环上，所述气缸上设有金属杆，所述金属杆与所述陶瓷环通过内六角螺丝及内六角螺母固定，所述内六角螺丝穿通所述金属杆与所述陶瓷环，并且所述内六角螺丝与所述内六角螺母的裸露部分罩有陶瓷盖，从而方便拆卸金属杆时借力，避免拆卸金属杆时损伤陶瓷环，节约了成本，并且降低了内六角螺丝及内六角螺母被氧化腐蚀的概率及程度。
请参考图2A至图2B，其中图2A为本实用新型实施例提供的传送部件结构的立体图，图2B为本实用新型实施例提供的陶瓷环与金属杆连接方式的示意图，如图2A至图2B所示，该传送部件包括加热底盘101、陶瓷环、气缸104以及多个陶瓷钉103，所述加热底盘101上均匀地设有多个孔，所述多个陶瓷钉103分别穿过所述多个孔立放在所述陶瓷环上，所述气缸104上设有金属杆105，所述金属杆105与所述陶瓷环通过内六角螺丝107及内六角螺母108固定，所述内六角螺丝107穿通所述金属杆105与所述陶瓷环，并且所述内六角螺丝107与所述内六角螺母108的裸露部分罩有陶瓷盖200。
其中，所述陶瓷环包括支撑部件102a及固定在所述支撑部件102a上的轴套102b，所述轴套102b上设有通孔，所述金属杆105插入所述通孔内，所述金属杆105的侧面与所述轴套102b的侧面通过所述内六角螺丝107及所述内六角螺母108固定，所述内六角螺丝107穿通所述金属杆105与所述轴套102b。
请继续参考图3A至图3D，其中，图3A为本实用新型实施例提供的陶瓷盖的第一部件沿A-A方向的剖面结构示意图，图3B为本实用新型实施例提供的陶瓷盖的第二部件沿A-A方向的剖面结构示意图，图3C为本实用新型实施例提供的陶瓷盖的第一部件的俯视图，图3D为本实用新型实施例提供的陶瓷盖的第二部件的俯视图，如图3A至图3D所示，所述陶瓷盖200包括第一部件210及第二部件220，所述第一部件210包括第一底座211以及与所述第一底座211固定的第一圆环柱体结构212，所述第一圆环柱体结构212的内壁上开有多个凹槽213，所述第一圆环柱体结构212的侧面对称地设有第一开口214，所述第一开口214的尾部为第一半圆形结构215；所述第二部件220包括第二底座221以及与所述第二底座221固定的第二圆环柱体结构222，所述第二圆环柱体结构222的外壁上设有多个凸块223，所述第二圆环柱体结构222的侧面对称地设有第二开口224，所述第二开口224的尾部为第二半圆形结构225；其中，所述凹槽213与所述凸块223相匹配。
进一步地，所述第一圆环柱体结构212的内径大于所述第二圆环柱体结构222的外径，且所述第二圆环柱体结构222的外径与所述凸块223的宽度之和大于所述第一圆环柱体结构212的内径，同时小于所述第一圆环柱体结构212的内径与所凹槽213的深度之和。
进一步地，所述第一圆环柱体结构212的内径大于所述内六角螺丝107的螺帽的直径，所述第二圆环柱体结构222的内径大于所述内六角螺母108的直径。
进一步地，所述第一半圆形结构215的直径与所述第二半圆形结构225的直径相等，且所述第一半圆形结构215的直径大于所述轴套 102b的直径。
进一步地，所述孔的数量为四个，所述陶瓷钉103的数量为四个。
本实用新型提供的陶瓷盖200的使用方法为：所述第一部件210沿着开口214的方向插入所述轴套102b的外面，所述第二部件220沿着开口224的方向插入所述第一部件210内，使所述凸块223插入所述凹槽213内。
在上述的具体实施例中，所述第一底座211与所述第一圆环柱体结构212是一体成型结构，所述第二底座221与所述第二圆环柱体结构222是一体成型结构。
在上述的具体实施例中，所述陶瓷盖被描述成用于保护内六角螺丝与内六角螺母，避免其被氧化腐蚀的，然而应该认识到，根据实际情况，所述陶瓷盖还可以用于其它易被氧化腐蚀的结构。
综上所述，本实用新型提供了一种传送部件，该传送部件包括加热底盘、陶瓷环、气缸以及多个陶瓷钉，所述加热底盘上均匀地设有多个孔，所述多个陶瓷钉分别穿过所述多个孔立放在所述陶瓷环上，所述气缸上设有金属杆，所述金属杆与所述陶瓷环通过内六角螺丝及内六角螺母固定，所述内六角螺丝穿通所述金属杆与所述陶瓷环，并且所述内六角螺丝与所述内六角螺母的裸露部分罩有陶瓷盖，从而方便拆卸金属杆时借力，避免拆卸金属杆时损伤陶瓷环，节约了成本，并且降低了内六角螺丝及内六角螺母被氧化腐蚀的概率及程度。
显然，本领域的技术人员可以对实用新型进行各种改动和变型而不脱离本实用新型的精神和范围。这样，倘若本实用新型的这些修改和变型属于本实用新型权利要求及其等同技术的范围之内，则本实用新型也意图包含这些改动和变型在内。
Claims (7)
1.一种传送部件，用于CVD制造机台的晶片传输，包括加热底盘、陶瓷环、气缸以及多个陶瓷钉，所述加热底盘上均匀地设有多个孔，所述多个陶瓷钉分别穿过所述多个孔立放在所述陶瓷环上，所述气缸上设有金属杆，其特征在于，所述金属杆与所述陶瓷环通过内六角螺丝及内六角螺母固定，所述内六角螺丝穿通所述金属杆与所述陶瓷环，并且所述内六角螺丝与所述内六角螺母的裸露部分罩有陶瓷盖。
2.如权利要求1所述的传送部件，其特征在于，所述陶瓷环包括支撑部件及固定在所述支撑部件上的轴套，所述轴套上设有通孔，所述金属杆插入所述通孔内，所述金属杆的侧面与所述轴套的侧面通过所述内六角螺丝及所述内六角螺母固定，所述内六角螺丝穿通所述金属杆与所述轴套。
3.如权利要求2所述的传送部件，其特征在于，所述陶瓷盖包括第一部件及第二部件，所述第一部件包括第一底座以及与所述第一底座固定的第一圆环柱体结构，所述第一圆环柱体结构的内壁上开有多个凹槽，所述第一圆环柱体结构的侧面对称地设有第一开口，所述第一开口的尾部为第一半圆形结构；所述第二部件包括第二底座以及与所述第二底座固定的第二圆环柱体结构，所述第二圆环柱体结构的外壁上设有多个凸块，所述第二圆环柱体结构的侧面对称地设有第二开口，所述第二开口的尾部为第二半圆形结构；其中，所述凹槽与所述凸块相匹配。
4.如权利要求3所述的传送部件，其特征在于，所述第一圆环柱体结构的内径大于所述第二圆环柱体结构的外径，且所述第二圆环柱体结构的外径与所述凸块的宽度之和大于所述第一圆环柱体结构的内径，同时小于所述第一圆环柱体结构的内径与所凹槽的深度之和。
5.如权利要求3所述的传送部件，其特征在于，所述第一圆环柱体结构的内径大于所述内六角螺丝的螺帽的直径，所述第二圆环柱体结构的内径大于所述内六角螺母的直径。
6.如权利要求3所述的传送部件，其特征在于，所述第一半圆形结构的直径与所述第二半圆形结构的直径相等，且所述第一半圆形结构的直径大于所述轴套的直径。
7.如权利要求1所述的传送部件，其特征在于，所述孔的数量为四个，所述陶瓷钉的数量为四个。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201020516401XU CN201946579U (zh) | 2010-09-03 | 2010-09-03 | 一种传送部件 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201020516401XU CN201946579U (zh) | 2010-09-03 | 2010-09-03 | 一种传送部件 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN201946579U true CN201946579U (zh) | 2011-08-24 |
Family
ID=44473915
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201020516401XU Expired - Fee Related CN201946579U (zh) | 2010-09-03 | 2010-09-03 | 一种传送部件 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN201946579U (zh) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN106206385A (zh) * | 2016-09-27 | 2016-12-07 | 上海华力微电子有限公司 | 一种降低腔体内金属污染含量的多晶硅刻蚀腔及方法 |
| CN112157407A (zh) * | 2020-09-30 | 2021-01-01 | 靖江先锋半导体科技有限公司 | 晶圆传输装置及底座的加工方法 |
-
2010
- 2010-09-03 CN CN201020516401XU patent/CN201946579U/zh not_active Expired - Fee Related
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN106206385A (zh) * | 2016-09-27 | 2016-12-07 | 上海华力微电子有限公司 | 一种降低腔体内金属污染含量的多晶硅刻蚀腔及方法 |
| CN112157407A (zh) * | 2020-09-30 | 2021-01-01 | 靖江先锋半导体科技有限公司 | 晶圆传输装置及底座的加工方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN103094037B (zh) | 一种夹持装置及应用该夹持装置的等离子体加工设备 | |
| CN201946579U (zh) | 一种传送部件 | |
| KR200495564Y1 (ko) | 비-스크래칭의 내구성 기판 지지 핀 | |
| CN103258748B (zh) | 柱栅阵列陶瓷封装用焊柱的组装方法 | |
| CN102425704A (zh) | 快速锁紧式微波贯通法兰 | |
| CN204253518U (zh) | 固定件 | |
| CN206799424U (zh) | 一种用于玻璃热弯机的成型机构 | |
| CN202816895U (zh) | 传送部件 | |
| CN105655279A (zh) | 承载装置及半导体加工设备 | |
| CN104015305B (zh) | 一种组合式防滑套模具 | |
| CN201715187U (zh) | 一种应用于真空隔热体防吸瘪的支撑装置 | |
| US10654083B2 (en) | Glassy carbon roll-type mold manufacturing method for fine pattern formation, and glassy carbon roll-type mold manufactured by the method | |
| CN101813231A (zh) | 一种应用于真空隔热体防吸瘪的支撑装置 | |
| CN102376620B (zh) | 一种半导体器件的形成方法 | |
| CN103302805B (zh) | 一种等壁厚螺杆泵定子及其生产工艺 | |
| CN206241130U (zh) | 超高端面要求旋切冲孔产品预制件 | |
| CN101752967A (zh) | 一种电机外壳的制造方法 | |
| CN201947156U (zh) | 一种光伏逆变器压铸箱体的镶铜导热装置 | |
| CN105115334A (zh) | 一种基于内胀外压的方形铜热管及其制造方法 | |
| CN101813854B (zh) | 液晶显示器及其制造方法 | |
| CN201689874U (zh) | 一种陶瓷环 | |
| CN204720421U (zh) | 一种扁平形半导体产品塑封模具 | |
| CN219011305U (zh) | 一种组合式水表井增高节 | |
| TWI772168B (zh) | 卷輪修復裝置及修復方法 | |
| CN102730670A (zh) | 一种非平面图形石墨烯的制备方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C14 | Grant of patent or utility model | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| ASS | Succession or assignment of patent right |
Owner name: SEMICONDUCTOR MANUFACTURING INTERNATIONAL (BEIJING Free format text: FORMER OWNER: SEMICONDUCTOR MANUFACTURING INTERNATIONAL (SHANGHAI) CORPORATION Effective date: 20130325 |
|
| C41 | Transfer of patent application or patent right or utility model | ||
| COR | Change of bibliographic data |
Free format text: CORRECT: ADDRESS; FROM: 201203 PUDONG NEW AREA, SHANGHAI TO: 100176 DAXING, BEIJING |
|
| TR01 | Transfer of patent right |
Effective date of registration: 20130325 Address after: 100176 No. 18, Wenchang Avenue, Beijing economic and Technological Development Zone, Beijing Patentee after: Semiconductor Manufacturing International (Beijing) Corporation Address before: 201203 Shanghai City, Pudong New Area Zhangjiang Road No. 18 Patentee before: Semiconductor Manufacturing International (Shanghai) Corporation |
|
| CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee | ||
| CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee |
Granted publication date: 20110824 Termination date: 20180903 |