CN201877277U - 一种防局部偏磁电流互感器二次绕组结构 - Google Patents
一种防局部偏磁电流互感器二次绕组结构 Download PDFInfo
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Abstract
本实用新型涉及一种防局部偏磁电流互感器二次绕组结构，特别是正立式大电流电流互感器二次绕组，属于互感器制造技术领域。技术方案是包含铁芯（1）、铁芯绝缘（2）、主绕组（3）、屏蔽绕组（5），铁芯上缠绕主绝缘，主绝缘外设置主绕组，主绕组外均匀布满了数对匝数相同、绕向相反、位置相对的屏蔽绕组，屏蔽绕组联结在一起。本实用新型的有益效果是：结构新颖，减少外磁场影响，防止局部偏磁，解决了仪表保安系数小与额定一次电流大之间的矛盾，产品测量精度达到0.2S级，仪表保安系数FS小于等于5。
Description
技术领域：
本实用新型涉及一种防局部偏磁电流互感器二次绕组结构，特别是正立式大电流电流互感器二次绕组，属于互感器制造技术领域。
背景技术：
随着电网容量的不断增大，电网中的一次电流也越来越大，220kV和500kV电流互感器的额定一次电流达到4000安培以上。正立式电流互感器因一次导体一般为“U”形管，电流从导电管一端流入从另一端(称为返回导体)流出，二次绕组套装在其中一端上，这就存在返回导体对该二次绕组的影响。由于返回导体中的电流产生的磁通经过铁芯，靠近返回导体一侧的铁芯的磁通密度增加，远离返回导体一侧的铁芯的磁通密度减少，使得铁芯各段的磁通密度不等。因为这种外磁场产生的磁通路径大部分通过空气，铁芯磁路只是极小一段，所以其磁感应强度与空气的磁导率成正比，而且磁力线只与部分二次绕组相链，在正常工作情况下是使二次漏抗增加的漏磁。但是在大电流情况下(如4000A)，一次安匝数高，往往又有仪表保安系数要求，此时铁芯尺寸会很小。因返回导体影响，会在铁芯中出现局部偏磁，使靠近返回导体一侧的铁芯磁通密度很快增长，误差迅速加大，造成测量级二次绕组误差不合格。
实用新型内容：
本实用新型目的是提供一种防局部偏磁电流互感器二次绕组结构，减少外磁场影响，防止局部偏磁，解决背景技术中存在的上述问题。
本实用新型的技术方案是：
一种防局部偏磁电流互感器二次绕组结构，包含铁芯、铁芯绝缘、主绕组、屏蔽绕组，铁芯上缠绕主绝缘，主绝缘外设置主绕组，主绕组外均匀布满了数对匝数相同、绕向相反、位置相对的屏蔽绕组，屏蔽绕组联结在一起。
本实用新型还设有层间绝缘和外绝缘，在主绕组与屏蔽绕组之间设置层间绝缘，在屏蔽绕组外面设置外绝缘。
所说的铁芯是超微晶铁芯。
采用本实用新型，在铁芯上绕上主绝缘，在主绕组外均匀布满了数对匝数相同、绕向相反、位置相对的屏蔽绕组，将屏蔽绕组联结在一起，使主磁通在其中感应的电势互相抵消，利用返回导体产生的外磁场，在铁芯各部分产生的磁通的差异所产生的电势差形成环流，以减少杂散磁通的影响，防止因铁芯出现局部偏磁而出现误差不合格现象。
在设计屏蔽绕组时要考虑环流大小，选择适当的导线，防止温升过高。
本实用新型的有益效果是：结构新颖，减少外磁场影响，防止局部偏磁，解决了仪表保安系数小与额定一次电流大之间的矛盾，产品测量精度达到0.2S级，仪表保安系数FS小于等于5。
附图说明：
图1是本实用新型的结构示意图；
图2是本实用新型的屏蔽绕组联接示意图；
图3是本实用新型的剖视图。
图中：铁芯1、铁芯绝缘2、主绕组3、层间绝缘4、屏蔽绕组5、外绝缘6。
具体实施方式：
以下结合附图，通过实施例对本实用新型作进一步说明。
一种防局部偏磁电流互感器二次绕组结构，包含铁芯1、铁芯绝缘2、主绕组3、屏蔽绕组5，铁芯上缠绕主绝缘，主绝缘外设置主绕组，主绕组外均匀布满了数对匝数相同、绕向相反、位置相对的屏蔽绕组，屏蔽绕组联结在一起。本实用新型还设有层间绝缘4和外绝缘6，在主绕组与屏蔽绕组之间设置层间绝缘，在屏蔽绕组外面设置外绝缘。所说的铁芯是超微晶铁芯。
本实施例中主绕组外均匀布满了两对（A、B、C、D）匝数相同、绕向相反、位置相对的屏蔽绕组，屏蔽绕组联结在一起。在合适大小的铁芯1上绕上铁芯绝缘2，再绕上主绕组3，层间绕上层间绝缘4，主绕组外再绕上两对屏蔽绕组5，并将屏蔽绕组按图2连接在一起，屏蔽绕组外绕上外绝缘6即可。
采用本实用新型，在铁芯上绕上主绝缘，在主绕组外均匀布满了数对匝数相同、绕向相反、位置相对的屏蔽绕组，将屏蔽绕组联结在一起，使主磁通在其中感应的电势互相抵消，利用外磁场在铁芯各部分产生的磁通的差异所产生的电势差形成环流，以减少杂散磁通的影响，防止局部偏磁。
Claims (3)
1.一种防局部偏磁电流互感器二次绕组结构，其特征在于包含铁芯（1）、铁芯绝缘（2）、主绕组（3）、屏蔽绕组（5），铁芯上缠绕主绝缘，主绝缘外设置主绕组，主绕组外均匀布满了数对匝数相同、绕向相反、位置相对的屏蔽绕组，屏蔽绕组联结在一起。
2.根据权利要求1所述之防局部偏磁电流互感器二次绕组结构，其特征在于还设有层间绝缘（4）和外绝缘（6），在主绕组与屏蔽绕组之间设置层间绝缘，在屏蔽绕组外面设置外绝缘。
3.根据权利要求1或2所述之防局部偏磁电流互感器二次绕组结构，其特征在于所说的铁芯是超微晶铁芯。
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