CN201430150Y - 太阳能电池组件 - Google Patents

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Abstract

本实用新型涉及太阳能电池领域,尤其涉及封装有反接保护电路的复合太阳能电池组件。本实用新型的太阳能电池组件,包括多组单晶硅或多晶硅电池片组、覆盖于所述单晶硅或多晶硅电池片组的膜层、封装于所述单晶硅或多晶硅电池片组的电路板。所述的电路是防反接保护电路,所述的防反接保护电路的输入端电性连接于所述单晶硅或多晶硅电池片组的输出端,输出端电性连接于升压电路再至蓄电池。所述的防反接保护电路通过一场效应管和电容、二极管和电阻组成。本实用新型采用如上技术方案,是一种具有电路简单合理且反接保护功能更加完善的太阳能电池组件。

Description

太阳能电池组件
技术领域
本实用新型涉及太阳能电池领域,尤其涉及封装有反接保护电路的复合太阳能电池组件。
背景技术
太阳能电池是通过光电效应或者光化学效应直接把光能转化成电能的装置。太阳光照在半导体p-n结上,形成新的空穴-电子对,在p-n结电场的作用下,空穴由n区流向p区,电子由p区流向n区,接通电路后就形成电流。这就是光电效应太阳能电池的工作原理。太阳能光伏发电在不远的将来会占据世界能源消费的重要席位,不但要替代部分常规能源,而且将成为世界能源供应的主体。太阳能电池组件线又叫封装线,电池的封装不仅可以使电池的寿命得到保证,而且还增强了电池的抗击强度,且还具备一定的电路功能,所以组件板的封装质量非常重要。而一般的太阳能电池组件带有防反接的电路,但是通常只是简单的极性保护。如图1所示,单晶硅或多晶硅电池片组1的一正源极后面的升压电路2包括正接线端之间还串联一保护二极管D1、D2,再由升压电路2输出对蓄电池3充电。
实用新型内容
针对上述问题,本实用新型提出一种反接保护功能更加完善的太阳能电池组件。本实用新型的技术方案是:
本实用新型的太阳能电池组件,包括多组单晶硅或多晶硅电池片组、覆盖于所述单晶硅或多晶硅电池片组的膜层、封装于所述单晶硅或多晶硅电池片组的电路板。所述的电路是防反接保护电路,所述的防反接保护电路的输入端电性连接于所述单晶硅或多晶硅电池片组的输出端,输出端电性连接于升压电路再至蓄电池。
进一步的,所述的防反接保护电路包括正接线端和负接线端,正接线端通过导线与所述单晶硅或多晶硅电池片组的正源极连接,负接线端通过导线与所述单晶硅或多晶硅电池片组的负源极连接,所述连接负接线端和负源极的导线上设有场效应管,所述场效应管的源极与负接线端连接,场效应管的漏极与所述升压电路的负源极连接,场效应管的栅极通过一串连的限流电阻与正接线端及升压电路的负源极连接,所述场效应管的栅极与所述单晶硅或多晶硅电池片组的负源极之间并联有电容、二极管和电阻。其中,二极管的正极与所述升压电路的负源极连接,二极管的负极与场效应管的栅极连接。
进一步的,所述单晶硅或多晶硅电池片组的每一正源极与所述的防反接保护电路包括正接线端之间还串联一保护二极管。
本实用新型采用如上技术方案,是一种具有电路简单合理且反接保护功能更加完善的太阳能电池组件。
附图说明
图1是背景技术的结构示意图;
图2是本实用新型的结构示意图。
具体实施方式
现结合附图和具体实施方式对本实用新型进一步说明。
参阅图2所示,本实用新型的太阳能电池组件,包括多组单晶硅或多晶硅电池片组1、覆盖于所述单晶硅或多晶硅电池片组1的膜层、封装于所述单晶硅或多晶硅电池片组的电路板。所述的电路是防反接保护电路,所述的防反接保护电路的输入端电性连接于所述单晶硅或多晶硅电池片组1的输出端,输出端电性连接于升压电路2再至蓄电池3。
所述的防反接保护电路包括正接线端和负接线端,正接线端通过导线与所述单晶硅或多晶硅电池片组1的正源极B+连接,负接线端通过导线与所述单晶硅或多晶硅电池片组1的负源极B-连接,所述连接负接线端和负源极B-的导线上设有场效应管Q1,场效应管Q1的源极与负接线端连接,场效应管Q1的漏极与所述升压电路2的负源极V-连接,场效应管Q1的栅极通过一串连的限流电阻R1与正接线端及升压电路2的负源极V+连接,所述场效应管Q1的栅极与所述单晶硅或多晶硅电池片组1的负源极之间并联有电容C2、二极管D1和电阻R2。其中,二极管D1的正极与所述升压电路2的负源极V-连接,二极管D1的负极与场效应管Q1的栅极连接。在负接线端和所述升压电路2的负源极V-之间使用一个场效应管Q1构成一个可控的电路,当正常接线时,正接线端和负接线端分别接电池片组1的正源极B+和负源极B-,正电压经限流电阻R1限流后加在场效应管Q1的栅极,使其导通,场效应管Q1的导通内阻小,近似短路,输出就可以正常工作,如果极性接反,将电池片组1的负源极B-接到了正接线端,电池片组1的正源极B+接到了负接线端,等于给场效应管Q1栅极加上了负电压,场效应管Q1截止,电流无回路,就避免了给后面的升压电路2造成损坏。
优选的,所述单晶硅或多晶硅电池片组1的每一正源极B+与所述的防反接保护电路包括正接线端之间还串联一保护二极管D2、D3。
尽管结合优选实施方案具体展示和介绍了本实用新型,但所属领域的技术人员应该明白,在不脱离所附权利要求书所限定的本实用新型的精神和范围内,在形式上和细节上可以对本实用新型做出各种变化,均为本实用新型的保护范围。

Claims (3)

1、太阳能电池组件,包括多组单晶硅或多晶硅电池片组(1)、覆盖于所述单晶硅或多晶硅电池片组(1)的膜层、封装于所述单晶硅或多晶硅电池片组的电路板,其特征在于:所述的电路是防反接保护电路,所述的防反接保护电路的输入端电性连接于所述单晶硅或多晶硅电池片组(1)的输出端,输出端电性连接于升压电路(2)再至蓄电池(3)。
2、根据权利要求1所述的太阳能电池组件,其特征在于:所述的防反接保护电路包括正接线端和负接线端,正接线端通过导线与所述单晶硅或多晶硅电池片组(1)的正源极(B+)连接,负接线端通过导线与所述单晶硅或多晶硅电池片组(1)的负源极(B-)连接,所述连接负接线端和负源极(B-)的导线上设有场效应管(Q1),所述场效应管(Q1)的源极与负接线端连接,场效应管(Q1)的漏极与所述升压电路(2)的负源极(V-)连接,场效应管(Q1)的栅极通过一串连的限流电阻(R1)与正接线端及升压电路(2)的负源极(V+)连接,所述场效应管(Q1)的栅极与所述单晶硅或多晶硅电池片组(1)的负源极之间并联有电容(C2)、二极管(D1)和电阻(R2),其中,二极管(D1)的正极与所述升压电路(2)的负源极(V-)连接,二极管(D1)的负极与场效应管(Q1)的栅极连接。
3、根据权利要求1所述的太阳能电池组件,其特征在于:所述单晶硅或多晶硅电池片组(1)的每一正源极(B+)与所述的防反接保护电路包括正接线端之间还串联一保护二极管(D2、D3)。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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CN111446745A (zh) * 2020-03-03 2020-07-24 深圳市倍特力电池有限公司 一种采用多级电芯并联的稳压升压电池组及其升压方法

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