CN1951002A - 使用二极管电压控制的功率放大器的温度补偿电路 - Google Patents

使用二极管电压控制的功率放大器的温度补偿电路 Download PDF

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CN1951002A CNA2004800425097A CN200480042509A CN1951002A CN 1951002 A CN1951002 A CN 1951002A CN A2004800425097 A CNA2004800425097 A CN A2004800425097A CN 200480042509 A CN200480042509 A CN 200480042509A CN 1951002 A CN1951002 A CN 1951002A
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Abstract

提供了一种通过二极管电压控制的功率放大器的温度补偿电路，其中第一电阻器(Rref)、第一二极管(D1)和第二二极管(D2)串联连接于参考电压。所述温度补偿电路包括：连接于参考电压的第二电阻器(R1)，串联连接于第二电阻器的第三电阻器(R2)，一个端子连接于参考电压的第四电阻器(Rc)，一个端子接地的第五电阻器(Re)，偏置晶体管，其基极端连接于第二电阻器与第三电阻器之间的触点(VS)、集电极端连接于第四电阻器的另一个端子、且发射极端连接于第五电阻器的另一个端子，以及连接在第一二极管和第二二极管之间的串联连接端子与偏置晶体管的集电极端之间的第六电阻器(Rf)。集电极端的电压为温度的补偿而变化。

Description

使用二极管电压控制的功率放大器的温度补偿电路
技术领域
本发明涉及诸如蜂窝电话或个人数字助理(PDA)之类的个人便携式通信设备中所包含的功率放大器，更具体而言，涉及一种功率放大器的温度补偿电路。
背景技术
随着电子技术的发展，有效地设计并且高代价地制造了便携式电子设备。便携式电子设备主要包括传呼机、蜂窝电话、音乐播放器、计算器、膝上电脑和PDA。便携式电子设备通常需要直流电源以及用作用于提供直流电源的能源的一个或多个电池。
诸如移动式手机或蜂窝电话之类的无线便携式通信终端变得小而轻。因此，占据移动式手机相当大一部分的电池的大小变得更小以适合于小而轻的移动式手机。就蜂窝电话来说，除了需要较小的终端和电池外，还要求较长的通话时间。因此，电池的寿命是诸如移动式手机或蜂窝电话之类的移动式通信终端的一个重要因素。
这些个人无线通信设备的使用中的温度依季节的变化、放大器的工作或者工作持续时间而变化。不管温度的变化而保持功率放大器的特殊特征是判断终端性能的另一个重要因素。
不管温度的变化，对于功率放大器在适当的工作范围内的高级放大工作，需要用于补偿温度的偏置电路。根据常规的技术，将如图1所示的电路用于功率放大器的偏置。
图1是常规功率放大器的偏置电路的电路图。参照图1，晶体管Q2是功率放大器的放大端的简化形式。晶体管Q1是偏置晶体管或DC缓冲晶体管，其向晶体管Q2的基极提供偏置电压。由于当偏置电压VY被直接输入到晶体管Q2的基极时晶体管Q1补偿施加于晶体管Q2的不充分电流，因而将其称为DC缓冲晶体管。在图1中，将电源电压Vcc施加到晶体管Q2和Q1上，而将参考电压Vref施加到偏置电路块200的电阻器Rref上。晶体管Q2的集电极静态工作电流是由静态工作电流IQ来表示的。
在描述常规的发明之前，需要先理解二极管的典型电流特性。本领域的技术人员将容易地理解典型二极管的电流特性等同于根据晶体管的基极-发射极电压的电流特性。
图2是用温度的参数示出根据二极管两端之间的电压的电流特性或者根据晶体管的基极-发射极电压的电流特性的图。在图2中，随着温度增加，特性曲线移动到左侧以使二极管导通电压VBE(on)降低。正如众所周知的那样，该曲线的移动具有约-2mV/℃的值。当偏置电压Vbias是恒定的时，有效的基极-发射极电压为VBE(eff)＝Vbias-VBE(on)以使电流增大。
接下来，在图1的常规偏置电路块200的温度补偿工作中，假定VY节点的电压依据在约25℃的室温下的电阻器Rref以及两个二极管D1和D2被设计成2.6V。这意味着电阻器Rref的值被设置以使串联连接的两个二极管中的每一个两端之间的电压变为1.3V。
像二极管D1和D2一样，晶体管Q1和Q2的基极-发射极之间的电压为1.3V。
当工作温度升高时，在晶体管Q1和Q2中，如图2所示，基极-发射极导通电压VBE(on)降低以使静态工作电流IQ增大。然而，由于二极管D1和D2与晶体管Q1和Q2具有相同的温度依赖性，因此电压VY相应地降低。电压VY的降低意味着晶体管Q1和Q2的基极-发射极电压的降低。同样，由于晶体管Q1和Q2的基极-发射极电压之间的有效电压VBE(eff)未变化，因而静态工作电流IQ是恒定的。
当工作温度降低时，晶体管Q1和Q2的基极-发射极导通电压VBE(on)增大以使静态工作电流IQ降低。然而，由于二极管D1和D2与晶体管Q1和Q2具有相同的温度依赖性，因而电压VY相应地增大。电压VY的增加意味着晶体管Q1和Q2的基极电压的增加。同样，由于晶体管Q1和Q2的基极-发射极电压之间的有效电压VBE(eff)未变化，静态工作电流IQ是恒定的。
总结一下上述工作，二极管D1和D2中每一个的两端之间的电压VY根据温度的变化来跟踪晶体管Q1和Q2的基极-发射极导通电压以使有效电压VBE(eff)保持恒定。因此，不管温度的变化，静态工作电流IQ都是恒定的。
然而，实际上，当VY电压降至约2.4V时，晶体管Q1和Q2中每一个的基极-发射极的两端之间的电压自动降至约1.2V。然而，在这种情况下，晶体管Q2的静态工作电流IQ增大得比在室温下的大小更大。这是因为驱动大量电流的晶体管Q1和Q2的尺寸稍大于二极管D1和D2的尺寸所以温度依赖性不同。因此，会有这样的问题，即电压VY必须小于2.4V以执行准确的温度补偿以便晶体管Q2的静态工作电流IQ保持恒定。
当工作温度下降得比室温更低时，电压VY依据对二极管D1和D2固有的温度依赖性而增大。当电压VY增大至约2.8V时，晶体管Q1和Q2中每一个的基极-发射极两端之间的电压自动增大至约1.4V。所以，与在室温下的电流相比，晶体管Q2的静态工作电流IQ降低了。由于同样理由在温度增加的情况下，为了执行准确的温度补偿，其中通过所述温度晶体管Q2的补偿静态工作电流IQ保持恒定，出现了电压VY必须大于静态工作电流IQ的问题。图3示出与理想状态下的静态工作电流IQ相比、当温度补偿功能由于上述问题而不充分时的静态工作电流IQ的图。
已经开发出各种电路技术以解决如下问题，即根据二极管D1和D2的温度依赖性、利用温度补偿功能来保持晶体管Q2的静态工作电流IQ恒定很难。其中一种电路技术就是串联连接的二极管D1和D2中每一个的两端之间的电压是根据温度的变化而任意且适当变化的以提供更理想的静态工作电流IQ特征。
参照图4，描述了其中一种具有附加温度补偿功能的常规技术。这个电路包括偏置电路块200和放大器块210。在所述电路的结构中，晶体管226示出放大RF信号的放大电路的一部分，并且晶体管224是DC缓冲晶体管，并且电阻器R2对晶体管226的基极进行DC偏置。
所述偏置电路块200与放大器块210具有相同的元件以形成电流镜像形态。晶体管220和晶体管222分别与晶体管224和晶体管226产生镜像对，而电阻器R1与电阻器R2产生镜像对。
节点234的电压经由晶体管222从晶体管220的基极流向地以使电压降是2VBE。电阻器R1连接于晶体管222的基极节点240。DC参考电压Vref连接于电阻器Rref的一侧并且在电阻器Rref两端之间流动的电流为Iref。
当工作温度升高时，晶体管222的基极-发射极导通电压VBE(on)降低。然而，由于电流Imir几乎保持恒定，因而节点240的电压保存几乎恒定。因此，晶体管222的基极-发射极之间的有效电压增大以使晶体管222的集电极电流增大并且节点234的电压降低。当节点234的电压降低时，节点242的电压自动降低。因此，由于晶体管226的基极-发射极的有效电压是恒定的，因而静态工作电流IQ的变化受限。
当工作温度降低时，晶体管222的基极-发射极导通电压VBE(on)增大。然而，由于电流Imir几乎保持恒定，因而节点240的电压几乎保持恒定。因此，晶体管222的基极-发射极之间的有效电压降低以使晶体管222的集电极电流降低并且节点234的电压增大。当节点234的电压增大时，节点242的电压自动增大。因此，由于晶体管226的基极-发射极之间的有效电压是恒定的，因而静态工作电流IQ的变化受限。
另外，作为精调施加于偏置电路二极管的电压的常规技术，美国专利6,566,954号公开了一种对偏置电路的温度补偿功能的附加补偿功能，其中有源器件代替电阻器被插入到放大RF信号的晶体管当中。
美国专利6,452,454号公开了一种通过另外在偏置电路中提供多个并联二极管或电流通路以调节来自于参考电压Vref的电流量的附加温度补偿功能的技术。
美国专利6,556,082号公开了允许附加温度补偿功能的另一种电路技术，其是通过添加电阻器并调节电阻器之间的比率来实现的。
美国专利6,424,225号公开了这样一种技术，其中提供附加电路以便根据温度的变化进行工作，从而使得从偏置电路提供的参考电流能够被增减，由此实现较宽范围内的附加温度补偿。
发明内容
为了解决上述问题，本发明提供了一种功率放大器的温度补偿电路，其具有用以控制偏置电路的二极管电压以补偿功率放大器的温度的电路。
根据本发明的一个方面，一种通过二极管电压控制的功率放大器的温度补偿电路，其中第一电阻器(Rref)、第一二极管(D1)和第二二极管(D2)串联连接于参考电压，所述温度补偿电路包括：第二电阻器(R1)，其连接于参考电压；第三电阻器(R2)，其串联连接于第二电阻器；第四电阻器(Rc)，其一个端子连接于参考电压；第五电阻器(Re)，其一个端子接地；偏置晶体管，其基极端第二电阻器与第三电阻器之间的连接于触点(VS)，集电极端连接于第四电阻器的另一个端子，且发射极端连接于第五电阻器的另一个端子；以及第六电阻器(Rf)，其连接在第一二极管和第二二极管之间的串联连接端子与偏置晶体管的集电极端之间，其中集电极端的电压为温度的补偿而变化。
根据本发明的另一方面，一种通过二极管电压控制的功率放大器的温度补偿电路，其中第一电阻器(Rref)、第一二极管(D1)和第二二极管(D2)串联连接于参考电压，所述温度补偿电路包括：第三二极管(D3)，其连接于参考电压；第二电阻器(R1)，其连接于第三二极管；第三电阻器(R2)，其串联连接于第二电阻器；第四电阻器(Rc)，其一个端子连接于参考电压；第五电阻器(Re)，其一个端子接地；偏置晶体管，其基极端连接于第二电阻器和第三电阻器之间的触点(VS)，集电极端连接于第四电阻器的另一个端子，且发射极端连接于第五电阻器的另一个端子；以及第六电阻器(Rf)，其连接在第一二极管和第二二极管之间的串联连接端子与偏压晶体管的集电极端之间，其中集电极端的电压为温度的补偿而变化。
根据本发明的另一方面，一种通过二极管电压控制的功率放大器的温度补偿电路，其中第一电阻器(Rref)、第一二极管(D1)和第二二极管(D2)串联连接于参考电压，所述温度补偿电路包括：第二电阻器(R1)，其连接于参考电压；第三电阻器(R2)，其串联连接于第二电阻器；第四电阻器(Rc1)，其一个端子连接于参考电压；第五电阻器(Rc2)，其串联连接于第四电阻器；第六电阻器(Re)，其一个端子接地；偏置晶体管，其基极端连接于第二电阻器和第三电阻器之间的触点(VS)，集电极端连接于第五电阻器，且发射极端连接于第六电阻器的另一个端子；以及第七电阻器(Rf)，其连接在第一二极管和第二二极管之间的串联连接端子与第四电阻器和第五电阻器之间的串联连接端子之间，其中集电极端的电压为温度的补偿而变化。
根据本发明的另一方面，一种通过二极管电压控制的功率放大器的温度补偿电路，其中第一电阻器(Rref)、第一二极管(D1)和第二二极管(D2)串联连接于参考电压，所述温度补偿电路包括：第三二极管(D3)，其连接于参考电压；第二电阻器(R1)，其连接于第三二极管；第三电阻器(R2)，其串联连接于第二电阻器；第四电阻器(Rc1)，其一个端子连接于参考电压；第五电阻器(Rc2)，其串联连接于第四电阻器；第六电阻器(Re)，其一个端子接地；偏置晶体管，其基极端连接于第二电阻器和第三电阻器之间的触点(VS)，集电极端连接于第五电阻器Rc2且发射极端连接于第六电阻器的另一个端子；以及第七电阻器(Rf)，其连接在第一二极管和第二二极管之间的串联连接端子与第四电阻器和第五电阻器之间的串联连接端子之间，其中集电极端的电压为温度的补偿而变化。
附图说明
图1是功率放大器的常规偏置电路的电路图；
图2是示出基极-发射极电压与二极管或晶体管的电流之间的关系的图；
图3是示出当温度补偿性能不充分时的静态工作电流IQ与理想状态下的静态工作电流IQ之间的比较结果的图；
图4是具有附加温度补偿功能的功率放大器的常规偏置电路的电路图；
图5是示出根据本发明实施例的偏置电路的静态工作电流IQ的图；
图6是根据本发明实施例的、通过二极管电压控制的功率放大器的温度补偿电路的电路图；
图7是根据本发明另一实施例的、通过二极管电压控制的功率放大器的温度补偿电路的电路图；
图8是根据本发明又一个实施例的、通过二极管电压控制的功率放大器的温度补偿电路的电路图；
图9是根据本发明又一个实施例的、通过二极管电压控制的功率放大器的温度补偿电路的电路图；
图10至12是示出根据本发明的、通过二极管电压控制的功率放大器的温度补偿电路的工作模式的图；和
图13是示出根据工作模式1、2和3下的温度变化的Ix的变化的图。
具体实施方式方式
在本发明中，如图5所示，通过设计操作用于当温度增加时吸收参考电流而当温度降低时吸收源参考电流的电路，较宽范围内的附加温度补偿是可能的。
本发明包括如下方法，即，在室温下保持如图5中所示的曲线所示的静态工作电流IQ的值(模式1)，在技术规范允许的范围内的最高温下保持静态工作电流IQ的值(模式2)，以及在技术规范允许的范围内的最低温下连续地保持静态工作电流IQ的值(模式3)。
在模式1中，相对于室温而言较低/较高温度下的电流增大/减小。在模式2中，对于较高温度而言相对较低的温度下的电流增大。在模式3中，对于较低温度而言相对较高的温度下的电流减小。
图6是根据本发明实施例的、通过二极管电压控制的功率放大器的温度补偿电路的电路图，其包括具有温度补偿电路和二极管电压控制电路300的功率放大器100。
具有温度补偿电路的功率放大器100包括：根据输入信号进行DC缓冲的第一晶体管Q1和根据第一晶体管Q1进行控制的第二晶体管Q2。第一晶体管Q1的发射极端连接于第二晶体管Q2的基极端。将电压Vcc施加到第一和第二晶体管Q1和Q2上。参考电阻器Rref连接于第一晶体管Q1的基极端并且施加偏置电压。第一二极管D1和第二二极管D2串联连接在第一晶体管Q1的基极端与地或陆地之间并且同时根据参考电阻器Rref的阻抗分量值的比率来设置施加于第一晶体管Q1的基极端上的偏置电压。
在二极管电压控制电路300中，分压电阻器R1和R2之间的触点电压Vs连接于第三晶体管Q3的基极。集电极电阻器Rc连接于第三晶体管Q3的集电极。发射极电阻器Re连接于第三晶体管Q3的发射极。电阻器Rf连接在集电极电阻器Rc和第三电阻器Q3的集电极之间的触点电压VAUX与第一和第二二极管D1和D2之间的触点电压VX之间。二极管电压控制电路300是施加以参考电压Vref的分压偏置电路。
如图6所示那样配置的通过二极管电压控制的功率放大器的温度补偿电路的工作是基于根据温度变化的操作模式1、2和3进行描述的。
(1)操作模式1：供应+吸收模式
首先，当电路的温度相对于室温较高时，由于第二晶体管Q2的导通电压的下降与输入到第一晶体管Q1的基极的电压VY以及输入到第二晶体管的基极的电压VIN的下降相比显著，因而静态工作电流IQ增大。为了在高温下限制静态工作电流IQ的增加，在二极管电压控制电路300中发生下列操作。
如果电阻器R1和R2之间的触点电压Vs在不考虑温度的情况下是恒定的，则由于第三晶体管Q3的导通电压降低，因而晶体管Q3的集电极电流增大以致于集电极电阻器Rc上的电压降更加增大。集电极电阻器Rc和第三晶体管Q3的集电极端之间的触点电压VAUX降低。
第一二极管D1和第二二极管D2之间的触点电压VX大于集电极电阻器Rc和第三晶体管Q3的集电极端之间的触点电压VAUX。流过第一二极管D1的电流的一部分经电阻器Rf流入第三晶体管Q3(IX＜0)。相应地，随着电压VX、VY和VIN降低，静态工作电流IQ的增加受到限制。也就是说，当温度高于室温时，二极管电压控制电路300吸收一部分参考电流Iref。
其次，当电路的温度低并且电阻器R1和R2之间的触点电压Vs是恒定的时，第三晶体管Q3的导通电压增大且第三晶体管Q3的集电极电流降低以使得集电极电阻器Rc上的电压降降低。集电极电阻器Rc和第三晶体管Q3的集电极端之间的触点电压VAUX增大。
第一二极管D1和第二二极管D2之间的触点电压VX小于集电极电阻器Rc和第三晶体管Q3的集电极端之间的触点电压VAUX。流过电阻器Rc的电流的一部分经电阻器Rf流入第二二极管D2(IX＞0)。相应地，随着电压VX、VY和VIN增加，在较低温度下的静态工作电流IQ的增加受到限制。也就是说，当温度低于室温时，二极管电压控制电路300在第二二极管D2的两端供应一部分电流。
(2)工作模式2：供应模式
在电路工作的所有范围内的温度都可能低于技术规范允许的最大温度。由于电阻器R1和R2之间的触点电压Vs在相对低的温度下是固定的，因而第三晶体管Q3的导通电压增大且第三晶体管Q3的集电极电流减小。因此，集电极电阻器Rc和第三晶体管Q3的集电极端之间的触点电压VAUX增大。
第一二极管D1和第二二极管D2之间的触点电压VX小于集电极电阻器Rc和第三晶体管Q3的集电极端之间的触点电压VAUX。流过电阻器Rc的电流的一部分经电阻器Rf流入第二二极管D2(IX＞0)。相应地，电压VX、VY和VIN增加。因此，随着温度降低而减小的静态工作电流IQ得以保持。
(3)工作模式3：吸收模式
在电路工作的所有范围内的温度都可能高于技术规范允许的最大温度。由于电阻器R1和R2之间的触点电压Vs在相对高的温度下是固定的，因而第三晶体管Q3的导通电压降低且第三晶体管Q3的集电极电流增大。因此，集电极电阻器Rc和第三晶体管Q3的集电极端之间的触点电压VAUX降低。
第一二极管D1和第二二极管D2之间的触点电压VX大于集电极电阻器Rc和第三晶体管Q3的集电极端之间的触点电压VAUX。流过电阻器Rref的电流的一部分经电阻器Rf流入第三晶体管Q3(IX＜0)以使得电压VX、VY和VIN降低。因此，随着温度增加而增大的静态工作电流IQ得以保持。
本发明的另一个功能就是在不管参考电压Vref的变化的情况下恒定地保持功率放大器的静态工作电流。参考电压Vref是典型蜂窝电话的技术规范中所包含的项，并且其在一定程度上的变化是允许的。当参考电压Vref增加或降低时，图6中所示的电路的工作特性如下。
首先，当参考电压Vref增加时，触点电压Vs增加，从而防止了电压VY的增大。
其次，当参考电压Vref降低时，触点电压Vs降低以使得由于电路像低温补偿电路一样工作，因而防止了电压VY的降低。
因此，在不考虑参考电压Vref的损益的情况下减少了功率放大器的特性的变化。
图7是根据本发明另一个实施例的、通过二极管电压控制的功率放大器的温度补偿电路的电路图，其包括具有温度补偿电路和二极管电压控制电路400的功率放大器100。
参照图7，在二极管电压控制电路400中，由于在图3和6的二极管电压控制电路300上的分压电阻器R1的前端上添加了二极管D3，因而电压Vs改变。电压VX和VY被改变以使得温度的补偿变得平稳。
因此，在图7中所示的电路中，电压Vs在高温下增大以使得电流Q3进一步增大。电压Vs在低温下降低以使得电流Q1进一步减小。
图8是根据本发明又一个实施例的、通过二极管电压控制的功率放大器的温度补偿电路的电路图，其包括具有温度补偿电路和二极管电压控制电路500的功率放大器100。
二极管电压控制电路500，其中代替图3和5中的二极管电压控制电路300中的集电极电阻器Rc而添加电阻器Rc1和Rc2，其能够通过调节电阻器Rc1和Rc2之间的比率来更精细地确定电压VAUX。
图9是根据本发明又一个实施例的、通过二极管电压控制的功率放大器的温度补偿电路的电路图，其包括具有温度补偿电路和二极管电压控制电路600的功率放大器100。
在二极管电压控制电路600中，由于在图5中的二极管电压控制电路500中的分压电阻器R1的前端添加了二极管D3，因而电压Vs根据温度而变化。电压VX和VY被改变以使得温度的补偿变得平稳。通过调节电阻器Rc1和Rc2之间的比率能够更精细地确定电压VAUX。
图10至12是示出根据本发明的、通过二极管电压控制的功率放大器的温度补偿电路的工作模式的图。
图10A、10B和10C是分别示出IQ、VX和IX在操作模式1(供应+吸收模式)下根据温度的变化而变化的图。
图11A、11B和11C是分别示出IQ、VX和IX在工作模式2(供应模式)下根据温度的变化而变化的图。
图12A、12B和12C是分别示出IQ、VX和IX在工作模式3(吸收模式)下根据温度的变化而变化的图。
图13是示出IX在工作模式1、2和3下根据温度的变化而变化的图。通过调节电压VAUX的值，能够如图13所示那样调节电流IX，这意味着各种应用都是可能的。
尽管已经参考本发明的优选实施例具体地示出和描述了本发明，但是本领域的技术人员将理解的是，在不脱离如所附权利要求限定的本发明的精神和范围的情况下可以作出各种形式和细节上的变化。
工业实用性
如上所述，根据依照本发明的温度补偿电路，在不管温度的变化的情况下，功率放大器的静态工作电流在室温下得以保持(模式1)，静态工作电流IQ的值在最高温度下得以保持在技术规范允许的范围内(模式2)，并且静态工作电流IQ的值在最低温度下得以恒定保持在技术规范允许的范围内(模式3)。因此，防止了由于功率放大器造成的不必要的功耗。
此外，具有根据本发明的功率放大器的便携式无线通信设备具有更长的通话时间。

Claims (8)

1.一种通过二极管电压控制的功率放大器的温度补偿电路，其中第一电阻器(Rref)、第一二极管(D1)和第二二极管(D2)串联连接于参考电压，所述温度补偿电路包括：
第二电阻器(R1)，其连接于参考电压；
第三电阻器(R2)，其串联连接于第二电阻器；
第四电阻器(Rc)，其一个端子连接于参考电压；
第五电阻器(Re)，其一个端子接地；
偏置晶体管，其基极端连接于第二电阻器与第三电阻器之间的触点(VS)，集电极端连接于第四电阻器的另一个端子，且发射极端连接于第五电阻器的另一个端子；以及
第六电阻器(Rf)，其连接在第一二极管和第二二极管之间的串联连接端子与偏置晶体管的集电极端之间，
其中集电极端的电压为温度的补偿而变化。
2.一种通过二极管电压控制的功率放大器的温度补偿电路，其中第一电阻器(Rref)、第一二极管(D1)和第二二极管(D2)串联连接于参考电压，所述温度补偿电路包括：
第三二极管(D3)，其连接于参考电压；
第二电阻器(R1)，其连接于第三二极管；
第三电阻器(R2)，其串联连接于第二电阻器；
第四电阻器(Rc)，其一个端子连接于参考电压；
第五电阻器(Re)，其一个端子接地；
偏置晶体管，其基极端连接于第二电阻器和第三电阻器之间的触点(VS)，集电极端连接于第四电阻器的另一个端子，且发射极端连接于第五电阻器的另一个端子；以及
第六电阻器(Rf)，其连接在第一二极管和第二二极管之间的串联连接端子与偏压晶体管的集电极端之间，
其中集电极端的电压为温度的补偿而变化。
3.一种通过二极管电压控制的功率放大器的温度补偿电路，其中第一电阻器(Rref)、第一二极管(D1)和第二二极管(D2)串联连接于参考电压，所述温度补偿电路包括：
第二电阻器(R1)，其连接于参考电压；
第三电阻器(R2)，其串联连接于第二电阻器；
第四电阻器(Rc1)，其一个端子连接于参考电压；
第五电阻器(Rc2)，其串联连接于第四电阻器；
第六电阻器(Re)，其一个端子接地；
偏置晶体管，其基极端连接于第二电阻器和第三电阻器之间的触点(VS)，集电极端连接于第五电阻器，且发射极端连接于第六电阻器的另一个端子；以及
第七电阻器(Rf)，其连接在第一二极管和第二二极管之间的串联连接端子与第四电阻器和第五电阻器之间的串联连接端子之间，
其中集电极端的电压为温度的补偿而变化。
4.一种通过二极管电压控制的功率放大器的温度补偿电路，其中第一电阻器(Rref)、第一二极管(D1)和第二二极管(D2)串联连接于参考电压，所述温度补偿电路包括：
第三二极管(D3)，其连接于参考电压；
第二电阻器(R1)，其连接于第三二极管；
第三电阻器(R2)，其串联连接于第二电阻器；
第四电阻器(Rc1)，其一个端子连接于参考电压；
第五电阻器(Rc2)，其串联连接于第四电阻器；
第六电阻器(Re)，其一个端子接地；
偏置晶体管，其基极端连接于第二电阻器和第三电阻器之间的触点(VS)，集电极端连接于第五电阻器Rc2且发射极端连接于第六电阻器的另一个端子；以及
第七电阻器(Rf)，其连接在第一二极管和第二二极管之间的串联连接端子与第四电阻器和第五电阻器之间的串联连接端子之间，
其中集电极端的电压为温度的补偿而变化。
5.根据权利要求1-4中任何一项所述的温度补偿电路，其中集电极端的电压是由第二电阻器和第三电阻器之间的触点电压来确定的。
6.根据权利要求1或2所述的温度补偿电路，其中集电极端的电压按第四电阻器的值变化。
7.根据权利要求3或4所述的温度补偿电路，其中集电极端的电压按第四电阻器的值变化。
8.根据权利要求3或4所述的温度补偿电路，其中集电极端的电压按第四电阻器和第五电阻器之间的比率变化。
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