CN1879238B - 包括保护性阻挡层叠层的电子器件 - Google Patents

Abstract

在含有其中包括了第一无定形碳改性体的第一阻挡层和第二无定形碳改性体的第二阻挡层的保护性阻挡层叠层的电子器件中，所述保护性阻挡层叠层和具有相当厚度和组成的单一阻挡层相比，具有较高密度、更好的粘合性以及更大的柔韧性。

Description

包括保护性阻挡层叠层的电子器件

本发明涉及包括保护性阻挡层叠层的电子器件。本发明尤其涉及包括电致发光二极管和保护性阻挡层叠层的电致发光器件。

本发明更具体涉及包括有机电致发光二极管和保护性阻挡层叠层的有机电致发光器件(OLED)。

现有技术的发光二极管通常是无机半导体二极管，即，其发射体材料是无机半导体，例如具有合适掺杂剂的ZnS、硅、锗或者HI-V半导体比如InP、GaAs、GaAlAs、GaP或GaN的二极管。

由于能够得到半导电的有机共轭聚合物并检测出它们适用于制备发光元件，所以全世界的本领域技术人员都在进行有机电致发光二极管以及基于所述有机电致发光二极管的显示器和灯的研究。

和无机LED不同，无机LED在具有相对高分辨率的显示器中的应用是有某些条件的而且涉及高成本，而人们认定有机电致发光二极管对于小型易用的显示器而言有巨大的潜力。

和液晶显示器不同，有机电致发光显示器还具有发光的优点，因此它们不需要另外的背光源。

因此，所述有机电致发光显示器件在需要具有低电压和低电耗的发光显示器件的应用中得到了应用。所述应用包括，尤其是，用于可移动用途的显示器，比如便携式电话和organizer，或者在汽车中的应用，即，从无线电到导航系统。

本发明的有机电致发光器件也可用于常规照明目的。

有机发光器件(OLED)采用发光的有机或聚合物材料，用于电子器件的显示器和灯。发光的有机或聚合物材料可以夹在行电极和列电极之间。当在该发光材料上施加了电压时，它发出特定波长的光。所发射的光通过所述列电极，列电极在有些实施方案中是透明的。

人们发现，为了确保良好的性能，需要保护器件的活性材料免受环境条件的影响。具体而言，已知电极中有时采用的材料(例如钙、镁等)对环境空气中的氧和水分极其敏感。电活性有机或聚合物层还需要保护以免受水分的影响，因为氧和/或水的存在能够很容易阻碍电荷注入(通过原子团物质进行)。相应地，已经提出了各种保护方案来密封有机电致发光显示器件，以保护它们免受水分和有害气体的影响。

例如，US20030025448描述了一种有机电致发光显示器件，它包括前电极部件、反电极部件、设置在所述前电极部件和反电极部件之间的有机电致发光部件、和无定形碳改性体的保护层，通过所述保护层以气密和防水方式对所述有机电致发光显示器件进行了密封。

已经发现，尤其在大面积上涂覆无定形碳保护性阻挡层的工艺带来了很多技术挑战。在将制造按比例放大到较大尺寸的过程中通常需要解决的问题包括，例如，针孔、热处理过程中的CTE不匹配、以及与有机和无机界面的粘合不佳。

无定形碳改性体的薄保护层对针孔很敏感。

如果所述层的膜厚增加，那么所涂覆的膜中内应力就大大增加，导致易于发生薄片剥落。

因此，尽管在本领域中目前采用许多阻挡层材料来保护有机电致发光器件中的电极和发光材料，但是仍持续需要提供在有机电致发光器件中使用的保护性阻挡材料。

本发明的一般目标是提供包括机械和化学稳定保护性阻挡材料的电子器件，所述阻挡材料充当对水分和有害气体的可靠扩散阻挡物并允许塑性变形。

根据本发明，通过包括保护性阻挡层叠层的电子器件来实现这个目标，所述阻挡层叠层包括第一无定形碳改性体的第一阻挡层和第二无定形碳改性体的第二阻挡层。

本发明基于以下观察结果：包括第一无定形碳改性体的第一阻挡层和第二无定形碳改性体的第二阻挡层的保护性阻挡层叠层，和具有相当厚度和组成的单一阻挡层相比，密度更高、粘合性更好以及柔韧性更大。

机械性能得到改善可能源于所述两个阻挡层之间的界面具有释放应力的能力。如果该界面提供了滑移面、为塑性的或者可以局部脱层，就发生所述应力释放。

所述保护性阻挡层叠层形成了防水蒸气和其它污染性或腐蚀性物质穿透的优异阻挡物，而且对机械变形、裂纹形成和刮痕不敏感。

本发明对于容易被水分和有害气体老化的有机电致发光器件而言，特别有用。

在本发明中，第一和第二无定形碳改性体可以选自包括无定形碳、四面体无定形碳、氢化的无定形碳、四面体氢化的无定形碳、金刚石类碳和玻璃碳的无定形碳改性体。

第一和第二阻挡层组成上的一个梯级使膜厚发生中断，导致叠层不连续，从而防止裂纹扩展跨过整个叠层厚度。

在本发明中，第一和第二无定形碳改性体也可以选自掺杂的无定形碳改性体，其中所述掺杂剂选自硼、硅、氮、磷、氧和氟。

该结构由多个在化学上不同的层构成。这种化学差异可以是有用的，并且可以有助于改善材料的性能。

在本发明的一个实施方案中，所述包括第一或第二无定形碳改性体的第一和第二阻挡层的至少之一选自等离子体激元能＞27eV的阻挡层。这种层提供了对电子器件的改进保护并延长了其寿命。

在本发明的一个实施方案中，第一和第二无定形碳改性体选自折射率n＞1.8的无定形碳改性能

在本发明的另一个实施方案中，第一和第二无定形碳改性体选自折射率n＞2.0的无定形碳改性体。

在本发明的一个实施方案中，第一无定形碳改性体的第一阻挡层具有第一折射率，第二无定形碳改性体的第二阻挡层具有高于所述第一折射率的第二折射率。

这种通过其折射系数区别的层的组合可以是有用的，可以有助于改善材料的性能。

在本发明的另一实施方案中，第一无定形碳改性体的第一阻挡层具有的第一折射率n1＞1.8，而第二无定形碳改性体的第二阻挡层具有的第二折射率n2＞2.0。

在本发明的又一实施方案中，所述保护性阻挡层叠层包括位于第一无定形碳改性体的第一阻挡层和第二无定形碳改性体的第二阻挡层之间的中间层。

优选所述中间层包括选自比如聚对亚苯基二甲基类、苯并环丁烷类、聚酰亚胺类、氟化聚酰亚胺类、聚(芳撑醚类)、聚(萘类)、聚(norbones)、氟聚合物(例如，PTFE)、氯代氟化聚合物类(PCFP)或烃类的聚合物的聚合物。

在本发明的优选实施方案中，所述中间层包括选自比如聚对亚苯基二甲基类、苯并环丁烷类、聚酰亚胺类、氟化聚酰亚胺类、聚(芳撑醚类)、聚(萘类)、聚(norbones)、氟聚合物(例如，PTFE)、氯代氟化聚合物类(PCFP)或烃类的聚合物的聚合物，而且所有无定形碳改性体选自包括至少10％键合到所述无定形碳改性体的碳原子上的氢的无定形碳改性体。

将这种保护性阻挡层叠层定义为全有机物质阻挡层叠层。

在本发明的另一实施方案中，所述保护性阻挡层叠层包括在第一无定形碳改性体的第一阻挡层和有机电致发光二极管之间的粘合层。

在本发明的另一实施方案中，所述保护性阻挡层叠层包括位于第二碳改性体的第二阻挡层上并与之接触的顶层。

对于本发明而言，优选所述阻挡层叠层的厚度大于或等于30nm。

即使所述碳层叠层的厚度被设为大于30nm，所述无定形碳层中内应力的增加值也小，而且所述无定形碳阻挡层叠层可以保持和所述有机电致发光二极管的优异粘合强度。

本发明还涉及制备包括保护性阻挡层叠层的电子器件的方法，其中所述保护性阻挡层叠层包括第一无定形碳改性体的第一阻挡层和第二无定形碳改性体的第二阻挡层，其中所述第一和第二保护性阻挡层是从气相沉积的。

根据本发明的优选实施方案，所述保护层通过射频等离子体CVD工艺沉积。

尤其优选所述从气相沉积的操作点处于动态受控范围内。

本发明的优点在于所述保护性阻挡层叠层可以通过与活性层以及电极相同的沉积方法沉积。以此方式，就能够在原位，即，在与制备器件相同的地点，提供第一封装工艺，从而避免可能引入氧、水或其它污染物的操作和通道。

参考下面描述的实施方案，本发明的这些和其它方面将显而易见并得到说明。

本发明的电子器件包括其中包括了第一无定形碳改性体的第一阻挡层和第二无定形碳改性体的第二阻挡层的保护性阻挡层叠层。

本发明的电子器件可以优选是任何电致发光器件，比如包括GaN、GaAS、AlGaN或InP的有机电致发光器件OLED或者无机-有机电致发光器件LED。

本发明对于在Plastic Electronics中使用的有机薄膜晶体管(OTFT)也非常有用。

在本发明中，“有机电致发光器件(OLED)”用作包括具有活性电致发光层的有机电致发光二极管的电致发光器件的通用名称，所述活性电致发光层包括选自有机、小有机和聚合物电致发光材料的材料。这种器件用于显示器、光瓦管和大面积发光体。

由聚合发光材料制成的器件偶尔也指聚合发光器件(PLED)，由小有机分子制备的器件偶尔指SMOLEDS。

这种有机电致发光二极管通常包括重叠的和部分并列的单独层的排列。为了形成这种层的排列，可以利用本领域技术人员公知的所有层结构和材料。通常，OLED包括排列在充当前电极的正电极和充当反电极的负电极之间的电致发光层，所述电极的一个或全部可能是透明的和/或分段的。另外，一层或多层电子注入层和/或电子传输层可以设置在电致发光层和正电极之间。同样，一层或多层空穴注入层和/或空穴传输层可以设置在电致发光层和负电极之间。

图1是根据本发明一个实施方案的用作显示器件的OLED结构的截面图。

所述有机电致发光显示器件包括具有接触端点3的ITO第一电极8、PDOT电致发光层7、PPV第二电致发光层6和Al第二电极5。所述有机电致发光显示器件另外涂覆了包括无定形碳的第一阻挡层4a和无定形碳的第二保护性阻挡层4b的保护性阻挡层叠层。

优选地，所述显示器件通过SiO₂层2固定到光透明基材1上。

这种层排列可以提供在玻璃、石英、陶瓷、合成树脂或者透明柔性塑料膜的基材上。合适的合成树脂是，例如，聚酰亚胺、聚对苯二甲酸乙二酯和聚四氟乙烯。本发明对于其中在器件背侧发光的TOLED也是有用的。

所述电致发光层排列在两个电极层之间。

负电极提供电子，电子与有机电致发光层中源于正电极的空穴组合以形成激发子，从而在复合过程中发射光子。

至少一个电极层应该是透明的或者至少不透明的。通常，正电极由非化学配比或者掺杂的锡氧化物，例如ITO形成，或者由具有高功函的金属，例如金或银形成。这些电极材料可以容易地用来形成透明层。由于ITO具有高电导性和透明度，所以它特别适于此目的。

可替换地，可以采用导电性的聚苯胺或聚3，4-亚乙基二氧噻吩层作为透明正电极，无论其是否和ITO层组合。

所述发射电子进入有机电致发光层的负电极应该具有低功函。适用于作为负电极的材料是例如铟、铝、钙、钡和镁。如果负电极由反应活性钡制成，则可以建议采用另一环氧树脂或惰性金属的保护层覆盖所述电极层。这些层的优点在于它们的反射性低于金属层。

已经发现，聚(对亚苯基)型(LPPP)的芳香共轭梯形聚合物在化学上类似低聚亚苯基或聚亚苯基，尤其适用作有机LED中所用的有机电致发光元件。LPPP具有连续的共轭双键链。特别适合的是，例如，可溶性的聚亚苯基亚乙基亚乙烯基和可溶性的聚噻吩，尤其是聚亚苯基亚乙烯基，其进一步在苯环的第二和第五位用烷基或烷氧基残基取代。这种聚合物容易加工而且形成具有无定形结构的层。合适的聚亚苯基乙烯基的例子是聚(2-甲基-5-(正十二烷基)-对亚苯基亚乙烯基)、聚(2-甲基-5-(3，5-二甲基辛基)-对-亚苯基亚乙烯基、聚(2-甲基-5-(4，6，6-三甲基庚基)-对亚苯基亚乙烯基、聚(2-甲氧基-5-十二烷氧基-对亚苯基亚乙烯基)和聚(2-甲氧基-5-(乙基己氧基)-亚苯基亚乙烯基(MEH-PPV)。

包括两个不同电致发光层的器件明显比仅仅具有一个电致发光层的有机电致发光器件性能好。一层有效传输空穴，比如PPV，一层有效传输电子，例如噁二唑。这样使得空穴和电子更容易复合。

聚亚乙基二氧噻吩PEDOT和聚亚乙基二氧噻吩-聚苯乙烯磺酸酯PEDOT-SS对于传输正电荷载流子而言特别有利。对于传输正电荷载流子而言，采用4，4’，4”-三[N-(1-萘基)-N-苯基-氨基]-三苯基胺与羟基喹啉铝-III-盐Alq3组合作为发射和电子传输材料，也非常有利。

如上所述，最终显示器或灯需要进行封装以防氧和水分穿透到电极和发光层。

根据本发明，有机电子器件还包括包括了第一无定形碳改性体的第一阻挡层和第二无定形碳改性体的第二阻挡层的保护性阻挡层叠层。

将无定形碳改性体定义为包括无定形碳网状结构的亚稳无定形碳材料，其可以含有纳米晶体或微晶体相。

如同本说明书中使用的那样，“无定形”是指没有X射线衍射峰的无序排列非晶材料。

无定形碳材料中的至少一些碳原子被键合在和金刚石相似的化学结构中，其中键为sp³型。剩余键的大部分可以是石墨型或sp²型。该层中的键还可以包括一些碳-氢(C-H)键。

这种碳改性体包括被称作无定形碳(a-C)、氢化无定形碳(a-C：H)、四面体无定形碳(t-aC)、四面体氢化无定形碳(t-aC：H)或(考虑到高的机械硬度)金刚石类碳(DLC)或玻璃状/玻璃质碳的碳改性体。

A-C：H是指氢化的无定形碳。这些材料可以含有高达50原子％的氢。

高度四面体化的无定形碳(ta-C)形成了sp³碳碳键，是金刚石类碳(DLC)的特殊形式。

“金刚石类碳”是指包括大约50-90原子％碳和大约10-50原子％氢，而且由大约50-大约90％四面体键组成的无定形膜或涂层。

玻璃状碳是在许多性质上和玻璃类似的碳类型。玻璃状碳具有封闭微孔隙，气体不可渗透，而且具有和玻璃相应的硬度。

包括大量，比如10-50原子％键合到碳原子上的氢的无定形碳改性体，满足“有机”物质而不是无机物质的一般定义。

无定形碳材料还可以含有掺杂原子，比如硼、氮、磷、氧、氟、硅和/或其他。

碳的这些无定形改性体具有可归因于在其结构中同时存在具有sp³杂化的四面体键合以及具有sp²杂化的三角形键合的特殊物理性质。

由于四面体键合和三角形键合的相对量可以受到制备方法的影响，所以该物理参数也会受到影响。

在阻挡层中提供sp³型键用于提高包括无定形碳改性体的层的硬度和抗刮性，而石墨sp²型键使得该层更具有延展性。

无定形碳层可以进一步由其折射率表征。

可以通过改变沉积条件，例如，前体气体、压力等，制备具有不同折射率的材料。

所述器件包括与有机电致发光二极管相邻的保护性阻挡叠层，所述阻挡叠层包括第一无定形碳改性体的第一阻挡层和第二无定形碳改性体的第二阻挡层。“相邻”是指紧接着但不必是直接紧接着。可以有另外的中间层。所速阻挡叠层包括至少一个第一阻挡层和至少一个第二阻挡层。

本文使用的给定材料的“层”包括其厚度与其长度以及宽度相比小的材料区域。层的例子包括片、箔、膜、叠片、涂层等。本文所用的层不需要是平的，而可以是弯的、折叠的或者其它轮廓的，例如以便至少部分包围另一个元件。

阻挡层叠层可以具有由双层或三层组成的层结构，或者具有通过多个单层层压形成的结构。

例如，可以采用其中一层选自硬的无定形碳改性体而第二层选自软的无定形碳改性体的双层结构。

硬碳层和润滑性碳层的协同相互作用延长了器件涂层的寿命。

所述保护性阻挡层叠层和电极的金属或合金粘合得很好，而且将所述有机电致发光器件的相对具有裂缝的表面抹平成光滑的不渗透表面。

还可以采用其中两层选自硬的无定形碳改性体而第三中间层选自软的无定形碳改性体的三层结构。当保护性涂层包括三重涂层的阻挡层时得到了特别有利的结果，其中所述三重涂层包括硬的微晶四面体taC或taC：H碳改性体和无定形三角形aC或DLC-碳改性体的软的阻挡中间层。

还可以采用由无定形碳层与另一或者同一无定形碳改性体的层交替构成的层压结构，即，所述保护性阻挡层叠层包括具有不同百分比的sp³碳-碳键的不同层。

这种在其不同层具有不同组成的无定形碳改性体的多层阻挡层叠层系统，可以通过改变所用的原料和/或前体气体，和/或通过改变在沉积工艺中采用的离子能量，连续形成。

在这个实施方案中，单独的无定形碳层相对较薄(约5-20nm)，组合起来堆积成厚度≥30nm的较厚阻挡层叠层。这种交替的层结构降低了对其它厚阻挡层组件造成困扰的机械应力。

根据本发明的一个实施方案，本发明的电子器件的复合阻挡层结构包括第一无定形碳改性体的第一阻挡层和第二无定形碳的第二阻挡层，其中所述第一或第二无定形碳改性体可以选自掺杂的无定形碳改性体，其中所述掺杂剂选自硼、硅、氮、磷、氧和氟。

对包括掺杂无定形碳改性体的结构可以进行定制以满足应用的要求。例如，第一层可以富含硅，以最大化和基材的粘合。

第二层可以富含氟，以最大化所述保护性阻挡叠层的疏水性质。

在另一种情况下，所述保护性阻挡层叠层可以包括多层具有至少两种不同折射率的无定形碳材料。本发明的层可以是折射率n＜1.8，例如1.5的低折射率层，或者是折射率n＞1.8，例如1.9-2.1的高折射率层。

优选采用其材料的折射率以预定模式或曲线随着层厚度变化而渐变的多层叠层。

所述渐变变化可以是不连续的或连续的，例如，正弦形式的。

通过以使得折射率以连续或不连续阶跃变化的方式顺序排列这些层，有机电致发光器件可以实现内应力下降以及最优化的阻挡性质。

在本发明的一个实施方案中，采用多层阻挡层叠层，其中所述阻挡层叠层任选包括至少一个聚合物中间层，优选在三层叠层中，其中所述聚合物中间层位于无定形碳改性体的第一和第二阻挡层之间。

阻挡叠层的中间层聚合物优选由聚合物比如聚对亚苯基二甲基类、苯并环丁烷类、聚酰亚胺类、氟化聚酰亚胺类、聚(芳撑醚类)、聚(萘类)、聚(norbones)、氟聚合物(例如，PTFE)、氯代氟化聚合物类(PCFP)或烃组成。

由由无定形碳改性体(具有大量键合到碳原子上的氢)和聚合物中间层组成的各层组成的多层阻挡层叠层被认为是“全有机”保护性阻挡层叠层。

在本发明的另一实施方案中，所述保护性阻挡层叠层包括与电子器件相邻并且位于电子器件和主要保护性阻挡层之间的粘合层。

所述粘合层的材料可以适当选自任何已知的合适粘合促进剂，但优选是沉积在所述有机电致发光二极管表面上的等离子体聚合的有机硅化合物、聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)或聚偏二氟乙烯等。

需要时在所述阻挡叠层的顶部可以具有另外的外涂顶层，比如有机或无机层、平面化层、透明导体、防反射涂层或其它功能层。

当阻挡层叠层的总厚度≥30nm，比如2μm-10μm，而且每个单独层的阻挡层厚度为5-20nm时，获得最优性能。

由于这是第一次对沉积无定形碳层的初始研究，所以采用了各种不同的制造技术，比如dc或RF等离子体辅助碳蒸气沉积、溅射和离子束溅射。另外，为了改善碳层的参数，还采用了各种含碳源材料，即，固态、液态或气态。

优选通过由气相沉积，即，通过PVD工艺比如溅射和蒸镀，尤其是CVD工艺，来制造无定形碳改性体的保护层。合适的CVD工艺包括等离子体CVD工艺、ECR-等离子体-CVD工艺、DC-等离子体-喷射-CVD工艺、过滤式阴极电弧沉积工艺、级联式电弧CVD工艺、微波等离子体CVD工艺和尤其是RF-等离子体CVD工艺。

离子辅助等离子体沉积无定形碳涂层的优选模式是离子辅助电容耦合的射频(RF)等离子体沉积，因为所述工艺获得了极高的沉积一致性。在具有理想的一致性的沉积工艺情况下，层在垂直表面上的形成速率等于在水平表面上的形成速率，而且实现了均匀的阶跃覆盖。如果从气相沉积的操作点位于动态受控范围内，则对沉积一致性有有利的影响。高温也对沉积一致性有有利的影响；但是，沉积温度优选低于250℃。由于所述温度不足以发生热解，所以原料气另外被射频气体放电激发并分解，使其粘合到有机电致发光器件的表面上。

待涂覆的表面优选在涂覆操作的过程中相对于碳源移动。

在从气相的沉积过程中，合适的反应控制使得可以制备具有高电阻的无定形碳层。可以制备具有高达10¹³Ω电阻值的层。如果保护性阻挡层由气相沉积，那么所述保护性阻挡层可以由不同的原料气体形成。优选气态烃，比如烯烃类，即，饱和脂肪烃，比如甲烷、乙烷和丙烷。优选采用甲烷。另外，还可以采用烯烃类，即，不饱和烃，比如乙烷和丙烷，例如乙炔、环烷烃、即，饱和的环烃，比如环己烷和，处于蒸气状态的芳香烃，比如苯或苯衍生物。上述类型的烃可以单独使用或者以混合物形式使用。另外，可以在所述烃中加入惰性气体，比如氦气或氩气。

在涂覆工艺过程中，电子器件的待涂覆表面有利地通过防止在涂覆工艺过程中发生的UV辐射和离子轰击影响的措施，比如电子束控制、过滤等，进行防护。

如上所述，通过调整本发明工艺中的沉积参数，阻挡层的物理参数，比如硬度、密度和折射率可以连续或不连续变化。

控制所述层的物理参数的主要工艺参数是在涂覆沉积过程中轰击表面的离子能以及原料气化学。

沉积工艺力能学(energitics)的增加导致层性质从四面体sp²键合材料变为三角形sp³键合材料，而且折射率n从＜1.8变为＞1.8，例如1.9-2.1。

将语句“沉积工艺力能学”定义为输送到涂层表面的能量除以沉积速率。通过基材加热、冲击离子和快速电中性物质以及等离子体辐射能，将能量输送到涂层表面上。

原料气体化学对由纯烃前体原料气体制成的无定形碳材料的参数有影响，所述无定形碳材料在低沉积能下本质上是软的聚合物的。

如上所述，第一和第二阻挡层共同作用，以阻止氧、水和任何其它有害分子从外部环境传输到电子器件上。

本发明的器件可以进一步包括抑制器件内反射的光学过滤元件。这些反射一方面在器件的具有不同折射率的层之间的界面上形成，另一方面，在充当金属镜的金属阴极处形成。

为了抑制阴极处的光反射，所述阴极可以涂覆导电的吸光层。

根据本发明的器件可以另外包括影响电光性质的器件，比如UV过滤器，抗反射涂层和称作微腔的器件，比如颜色转换和颜色校正过滤器。

在附图中：

图1给出了根据本发明的有机电致发光器件的结构示意图。

标记列表：

1  光透明基材

2  粘合层

3  接触终点

4  无定形碳的阻挡层叠层

4a 无定形碳改性体的第一阻挡层

4b 无定形碳改性体的第二阻挡层

5  第二电极

6  第二电致发光层

7  第一电致发光层

8  第一电极

Claims (17)

1.包括保护性阻挡层叠层的电子器件，所述保护性阻挡层叠层包括第一无定形碳改性体的第一阻挡层和第二无定形碳改性体的第二阻挡层，其中该第一无定形碳改性体具有第一相对百分比的具有sp³杂化的四面体碳-碳键合和具有sp²杂化的三角形碳-碳键合，该第二无定形碳改性体具有第二相对百分比的具有sp³杂化的四面体碳-碳键合和具有sp²杂化的三角形碳-碳键合。

2.权利要求1的电子器件，其中所述电子器件是有机电致发光器件。

3.权利要求1的电子器件，其中所述第一和第二无定形碳改性体选自包括无定形碳a-C、四面体无定形碳t-aC、氢化无定形碳a-C:H、四面体氢化无定形碳t-aC:H、金刚石类碳DLC和玻璃碳的无定形碳改性体。

4.权利要求1的电子器件，其中所述第一和第二无定形碳改性体选自掺杂的无定形碳改性体，其中掺杂剂选自硼、硅、氮、磷、氧和氟。

5.权利要求1的电子器件，其中所述包括第一或第二无定形碳改性体的第一和第二阻挡层的至少之一选自等离子体激元能＞27eV的阻挡层。

6.权利要求1的电子器件，其中所述第一和第二无定形碳改性体选自折射率n＞1.8的无定形碳改性体。

7.权利要求1的电子器件，其中所述第一和第二无定形碳改性体选自折射率n＞2.0的无定形碳改性体。

8.权利要求1的电子器件，其中所述第一无定形碳改性体的第一阻挡层具有第一折射率，第二无定形碳改性体的第二阻挡层具有比所述第一折射率大的第二折射率。

9.权利要求1的电子器件，其中所述第一无定形碳改性体的第一阻挡层具有的第一折射率n1＞1.8，以及第二无定形碳改性体的第二阻挡层具有的第二折射率n2＞2.0。

10.权利要求1的电子器件，包括位于所述第一无定形碳改性体的第一阻挡层和所述第二无定形碳改性体的第二阻挡层之间的聚合物中间层。

11.权利要求10的电子器件，其中所述聚合物中间层包括选自聚对亚苯基二甲基类、苯并环丁烷类、聚酰亚胺类、氟化聚酰亚胺类、聚芳撑醚类、聚萘类、聚norbones、氟聚合物、氯代氟化聚合物类和烃类的聚合物。

12.权利要求11的电子器件，其中所有无定形碳改性体选自包括至少10％键合到碳原子上的氢的无定形碳改性体。

13.权利要求1的电子器件，包括位于所述第二碳改性体的第二阻挡层上并与之接触的顶层。

14.权利要求1的电子器件，特征在于所述阻挡层叠层的层厚度d≥30nm。

15.制备包括保护性阻挡层叠层的电子器件的方法，其中所述保护性阻挡层叠层包括第一无定形碳改性体的第一阻挡层和第二无定形碳改性体的第二阻挡层，其中该第一无定形碳改性体具有第一相对百分比的具有sp³杂化的四面体碳-碳键合和具有sp²杂化的三角形碳-碳键合，该第二无定形碳改性体具有第二相对百分比的具有sp³杂化的四面体碳-碳键合和具有sp²杂化的三角形碳-碳键合，其中所述第一和第二阻挡层由气相进行沉积。

16.权利要求15的制备电子器件的方法，特征在于所述保护性阻挡层叠层通过RF等离子体CVD工艺沉积。

17.权利要求15的制备电子器件的方法，特征在于从所述气相进行沉积的操作点位于动态受控范围内。