CN1747178B - 互补金属氧化物半导体图像传感器及其制造方法 - Google Patents
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Abstract
公开了一种互补金属氧化物半导体(CMOS)图像传感器及其制造方法。所述CMOS图像传感器包括具有光电二极管区和晶体管区的半导体衬底。在位于所述光电二极管区上的微透镜和形成于半导体衬底上的光电二极管之间形成一光路。所述光路包括在位于光电二极管区上的金属间绝缘层和形成于内部透镜上的透明光学区域之间形成的内部透镜。所述透明光学区域通常具有与所述内部透镜不同的折射率。
Description
技术领域
本发明总体上涉及互补金属氧化物半导体(CMOS)传感器及其制造方法。更具体来讲，本发明涉及具有位于其平面化绝缘层中的内部透镜的CMOS传感器及其制造方法。
背景技术
互补金属氧化物半导体(CMOS)图像传感器往往出现在诸如数码相机等各种数字图像应用当中。一个典型的CMOS图像传感器包括接收入射光的光感测块(light sensing block)和将入射光转换为电信号的逻辑块(logicblock)。
和与之存在竞争的数字图像处理技术相比，CMOS图像传感器具有很多优势。例如，CMOS图像传感器相对而言能够有效利用能量，易于和同一芯片上的其他器件集成。
近年来，CMOS图像传感器技术在很多方面都取得了进展。例如，通过提高其占空因数(fill factor)提高了CMOS图像传感器的光灵敏度。占空因数是一个比率，其表示被光感测块占用的CMOS图像传感器的相对数量。占空因数通常受到传感器上被逻辑块占用的空间量的限制。因此，可以通过减小逻辑块的尺寸提高占空因数。
尽管，这些年来，减小了CMOS图像传感器中逻辑块的典型尺寸，但是，相应的光灵敏度的增大已经在某种程度上受到了CMOS图像传感器分辨率相应增大的限制。换句话说，尽管逻辑块越来越小，但是新式器件正在包含越来越多的逻辑块。因此，需要额外的措施来提高CMOS图像传感器的光灵敏度。
提高CMOS图像传感器的光灵敏度的一种方法是在光感测块上放置微透镜，从而集中入射到其上的光。但是，采用微透镜的方法存在的问题在于其有效性受到微透镜和光感测块之间光路特性的限制。
已经提出了多种器件和方法，用来通过微透镜提高入射光在光感测块上的汇聚。很多这样的技术致力于改变微透镜和图像传感块中的光电二极管之间的光路。例如，在美国专利No.5796154中公开的双透镜和美国专利No.6171885中公开的半导体阵列成像装置。令人遗憾的是，上述传统器件需要复杂、昂贵的制造工艺。
为了客服这些问题，需要提供光灵敏度得到提高的新的CMOS图像传感器，以及相关的制造方法。
发明内容
根据本发明的一些实施例，提供了一种CMOS图像传感器。根据本发明的另一些实施例，提供了一种制造CMOS图像传感器的方法。通过位于微透镜和光电二极管之间的、包括内部透镜在内的光路将入射光汇聚到了光电二极管上，因此，所述CMOS图像传感器的光灵敏度得到了提高。
根据本发明的一个实施例，CMOS图像传感器包括：具有光电二极管区和晶体管区的衬底；形成于所述衬底的光电二极管区上的光电二极管；形成于所述衬底的晶体管区的多个晶体管；覆盖所述光电二极管和多个晶体管的平面化绝缘层，形成于平面化的绝缘层上的金属间绝缘层，以及形成于所述晶体管区上的金属线路层，所述金属线路层穿过金属间绝缘层。所述CMOS图像传感器进一步包括形成于所述平面化绝缘层上的内部透镜，在与所述光电二极管相对的位置形成作为金属间绝缘层的一部分的内部透镜，此外，还包括覆盖所述内部透镜并穿过位于光电二极管区上的金属间绝缘层的透明光学区域。优选采用与金属间绝缘层不同的材料形成透明光学区域。
根据本发明的另一实施例，一种制造CMOS图像传感器的方法包括：形成具有光电二极管区和晶体管区的衬底；在所述光电二极管区上形成光电二极管；在所述晶体管区上形成晶体管；形成覆盖所述光电二极管和晶体管的平面化绝缘层，形成覆盖所述平面化绝缘层的金属间绝缘层；以及在所述晶体管区上形成金属线路层，所述金属线路层穿过金属间绝缘层。所述方法进一步包括：通过去除位于光电二极管区上的金属间绝缘层的一部分而形成穿过所述金属间绝缘层的空腔；在所述光电二极管区中形成作为金属间绝缘层的一部分的内部透镜；以及通过填充所述空腔在内部透镜上形成透明光学区域。
附图说明
下面，将参照附图对本发明的几个实施例予以说明。在这些附图中，类似的附图标记表示类似的元件、组件或步骤。在所述附图中：
图1是说明根据本发明的CMOS图像传感器的像素传感器的图示；
图2是图1中所示的根据本发明的一实施例的像素传感器的横截面图；
图3是根据本发明的另一实施例的图1中所示的像素传感器的横截面图；
图4是根据本发明的又一实施例的图1中所示的像素传感器的横截面图；
图5是根据本发明的又一实施例的图1中所示的像素传感器的横截面图；
图6A到图6D是说明根据本发明的实施例的CMOS图像传感器的制造方法的图示；
图7A和图7B是说明根据本发明的另一实施例的CMOS图像传感器的制造方法的图示；
图8A和图8B是说明根据本发明的又一实施例的CMOS图像传感器的制造方法的图示；以及
图9A和图9B是说明根据本发明的又一实施例的CMOS图像传感器的制造方法的图示。
具体实施方式
下面，将参照相应的附图对本发明的示范性实施例予以说明。这些实施例是作为示范实例提出的。本发明的实际范围由下文中的权利要求书界定。
图1是说明根据本发明的CMOS图像传感器的像素传感器的图示。所述CMOS图像传感器通常包括形成于半导体衬底的像素阵列区上的像素传感器阵列。
参照图1，像素传感器10包括光电二极管区20和晶体管区30。像素传感器10通过形成于光电二极管区20中的光电二极管PD接收光。将光电二极管PD接收的光转换为电信号并传输至晶体管区30的晶体管。
晶体管区30包括：将光电二极管PD生成的电荷传输至浮置扩散区FD的传输晶体管Tx；对存储在浮置扩散区FD中的电荷进行周期性重置的重置晶体管Rx；用于缓冲与浮置扩散区中的电荷相对应的信号的、起着源极跟随器缓冲放大器作用的驱动晶体管Dx；以及，用于选择像素传感器10的、作为开关的选择晶体管Sx。
在图1所示的实施例中，像素传感器10包括一个光电二极管和四个金属氧化物半导体(MOS)晶体管Tx、Rx、Dx和Sx。但是，本发明不限于这一结构。例如，在一个不同的实施例中，所述像素传感器包括晶体管区中的传输晶体管和源极跟随器缓冲放大器，光电二极管区中的光电二极管。
图2是图1中所示的像素传感器10的横截面图。图2中所示的横截面图是沿图1中的II-II′线得到的。
参照图2，所述的像素传感器包括具有光电二极管区和晶体管区的半导体衬底100。半导体衬底100包括由隔离区102界定的有源区。
光电二极管区包括n型光电二极管104和在光电二极管104上形成的p+型空穴累积器件(HAD)区106。所述晶体管区包括在半导体衬底100上形成的多个晶体管110。但是，为了简化说明，图2中只示出了一个晶体管110。图2中所示的晶体管110是将光电二极管104生成的电荷传输至n+型浮置扩散区108的传输晶体管Tx。
采用平面化的绝缘层120覆盖光电二极管104和晶体管110。平面化的绝缘层120包括绝缘层112，形成绝缘层112的材料与在晶体管110的栅极侧壁形成的绝缘隔片112a的材料相同。
在本发明选择的实施例中，平面化绝缘层120进一步包括绝缘膜，其具有位于光电二极管区的自对准多晶硅化物(salicide)阻挡层(未示出)。所述绝缘膜可以包括，例如，由中等温度(medium temperature)氧化物(MTO)膜和氮化硅膜构成的叠层结构。在自对准多晶硅化物工艺中，采用自对准多晶硅化物阻挡层作为掩模，覆盖光电二极管，所述的自对准多晶硅化物工艺用于在形成于晶体管区中的晶体管的栅极区、源极区和漏极区上形成金属自对准多晶硅化物。
平面化绝缘层120进一步包括形成于晶体管110上的帽层(未示出)。所述帽(capping)层通常由包括未掺杂硅酸盐玻璃(USG)膜和SiON膜的叠层结构构成。平面化绝缘层120进一步包括等离子体增强型四乙基原硅酸盐玻璃(PE-TEOS)膜，其用作在对平面化绝缘层120的上表面进行平面化处理时的顶层。
在位于光电二极管区和晶体管区之上的平面化绝缘层120上形成金属间绝缘层130。金属间绝缘层130包括三个连续叠置的绝缘膜132、134和136。
在金属间绝缘层130的内部形成包括多个金属线路层142、144、146和148在内的线路层140。穿过绝缘膜132在平面化绝缘层120上形成金属线路层142，穿过绝缘膜134在绝缘膜132上形成金属线路层144，穿过绝缘膜136在绝缘膜134上形成金属线路层146，以及，在绝缘膜136上形成金属线路层148。
尽管在图2所示的实施例中，线路层140具有四(4)层，但是，线路层140中的层数和金属间绝缘层130中的相应层的数量可以改变。
通常，绝缘膜132、134和136中的每一个均包括含有氧化物、氮化物、或氧化物和氮化物的膜。线路层148由钝化层150覆盖，通常，所述钝化层150也由含有氧化物、氮化物或氧化物和氮化物的膜构成。
在光电二极管区中与光电二极管104相对的位置形成内部透镜160。优选地，内部透镜为凸透镜，并且形成于与金属线路层142相同的平面上。在多个绝缘膜132、134和136之间形成作为金属间绝缘层130的一部分的内部透镜160。内部透镜160优选包括氧化物层。
穿过位于内部透镜160之上的金属间绝缘层形成覆盖内部透镜160的透明光学区域170。形成透明光学区域170的材料与形成金属间绝缘层130的材料不同。优选地，形成透明光学区域170地材料具有与内部透镜160不同的折射率。
透明光学区域170通常由有机聚合物化合物形成。例如，其可以是CytopTM(Ashahi Glass Company)和聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)聚合物。CytopTM是具有环形形状的氟聚合物。优选地，采用折射率低于内部透镜折射率地材料，例如CytopTM聚合物，形成透明光学区域170。
在透明光学区域170和金属线路层140上形成平面化层172。在平面化层172上形成滤色器180。形成平面化层172的材料与形成透明光学区域170的材料相同。
在滤色器180上面对光电二极管104形成微透镜190。可以由TMR型树脂(Tokyo Ohka Kogyo，Co.)或MFR型树脂(Japan Synthetic RubberCorporation)形成微透镜190。
根据图2所示的本发明的实施例，形成作为金属间绝缘层130的一部分的内部凸透镜160，并且采用与金属间绝缘层130不同的材料在内部透镜160上形成透明光学区域170，进而在像素传感器中提供透明光路。特别地，形成透明光学区域170的材料具有比内部透镜160的折射率更低的折射率。图2中所示的像素传感器能够通过内部透镜160将光汇聚到光电二极管104上。
图3是根据本发明的另一实施例的像素传感器10的图示。图3中所示的像素传感器具有与图2中所示的像素传感器相同的结构，除了包含在内部透镜160和透明光学区域170之间的透明光学衬垫(liner)262之外。
透明光学衬垫262沿内部透镜160的上表面形成，具有与内部透镜160相同的凸轮廓。
优选采用氮化硅、硅氧化物-氮化物或有机聚合物化合物形成透明光学衬垫262。透明光学衬垫262通常由折射率不同于内部透镜160和透明光学区域170的材料形成。优选地，由折射率低于内部透镜160的折射率，高于透明光学区域170的折射率的材料形成透明光学衬垫262。例如，在由氧化膜形成内部透镜160时，由CytopTM型聚合物形成透明光学衬垫262。
根据图3所示的本发明的实施例，所述像素传感器包括：内部透镜160、位于内部透镜160上的透明光学衬垫262和位于透明光学衬垫262上的透明光学区域170。透明光学衬垫262和透明光学区域170优选由折射率低于内部透镜160的材料形成，透明光学区域170优选由折射率低于透明光学衬垫262的材料形成。因此，具有图3所示的像素传感器的CMOS图像传感器提供了汇聚在光电二极管104上的光。位于内部透镜160和透明光学区域170之间的透明光学衬垫262通过将入射光汇聚到光电二极管104上提高了传感器的光灵敏度。
图4是根据本发明的又一实施例的图1中所示的像素传感器的横截面图。图4中所示的像素传感器具有与图2中所示的像素传感器相同的结构，除了采用图4中所示的内部透镜360替代图2中所示的内部透镜160之外。图4中所示的内部透镜360为凹透镜。
图4中所示的像素传感器通过在绝缘膜132、134和136之间形成作为金属间绝缘层130的一部分的内部凹透镜，以及采用与金属间绝缘层130不同的材料在内部透镜360上形成透明光学区域170，提供透明光路。优选由折射率高于内部透镜360的材料形成透明光学区域170。
图5是根据本发明的又一实施例的像素传感器的图示。5中所示的像素传感器具有与图4中所示的像素传感器相同的结构，除了在内部透镜360和透明光学区域170之间形成的透明光学衬垫462之外。
在内部透镜360的上表面形成具有凹陷外形的透明光学衬垫462。优选采用氮化硅、硅氧化物-氮化物或有机聚合物化合物形成透明光学衬垫462。此外，透明光学衬垫462优选由折射率不同于内部透镜360和透明光学区域170的折射率的材料形成。优选地，由折射率高于内部透镜360的折射率，低于透明光学区域170的折射率的材料形成透明光学衬垫462。例如，内部透镜360由氧化膜形成，透明光学衬垫462由氮化硅、硅氧化物氮化物、或PMMA型聚合物形成。
通过在内部透镜360和透明光学区域170之间形成透明光学衬垫462，图5中所示的像素传感器在光电二极管104上有效地提供了汇聚光。
图6A到图6D是说明根据本发明的实施例的CMOS图像传感器的制造方法的图示。
参照图6A，形成具有光电二极管区和晶体管区的半导体衬底100。在半导体衬底100上形成隔离区102，由此界定半导体衬底100中的有源区。之后，在位于半导体衬底100表面的光电二极管区中形成“n”型光电二极管104。接下来，在“n”型光电二极管上形成p+型HAD区106，并在晶体管区中形成多个晶体管。为了简化说明，图6A只示出了单个晶体管110。
在晶体管110的栅极110a的侧壁上形成绝缘隔片112a。在晶体管区形成栅极110a之后，形成覆盖光电二极管区和晶体管区的绝缘层112，由此形成绝缘隔片112a。在形成绝缘层112之后，在绝缘层112上形成诸如光刻胶图案的掩模图案，以覆盖光电二极管区。采用掩模对绝缘层112深蚀刻，从而在栅极110a的侧壁形成绝缘层112a。在通过去除光刻胶图案暴露绝缘层112之后，在位于光电二极管区和晶体管区的绝缘层112和晶体管110上叠置绝缘层，从而在绝缘层112和晶体管110上形成平面化的绝缘层120。
在形成平面化的绝缘层120之后，形成金属间绝缘层130，以覆盖位于光电二极管区和晶体管区的平面化绝缘层120，并在金属间绝缘层130内形成金属线路层140。金属间绝缘层130包括多个叠置的绝缘膜132、134和136，金属线路层140包括多个在绝缘膜132、134和136之间形成的金属线路层142、144、146和148。
在金属间绝缘层130和金属线路层148上形成钝化层150。钝化层150具有叠层结构，所述叠层结构由厚度为
的氧化层和厚度为的氮化物层构成。
参照图6B，在钝化层150上形成光刻胶图案152，从而暴露位于光电二极管区的一部分钝化层150。之后，以光刻胶图案152作为蚀刻掩模，采用等离子体蚀刻对钝化层150和金属间绝缘层130进行蚀刻，由此在金属间绝缘层130中形成空腔154。
在只由氧化膜形成金属间绝缘层130的靶材蚀刻区的情况下，可以采用包含C4F8、O2或Ar的蚀刻气体，通过等离子体蚀刻法形成空腔154。例如，可以采用Tokyo Electronics(TEL)制造的“Unity85DD”装置进行等离子体蚀刻。
空腔154的底面154a具有预定曲率，从而形成了内部透镜160。通过调整蚀刻气体中O2和C4F8之间的比例控制空腔154中底面154a的轮廓。例如，通过提高O2在蚀刻气体中的相对量使154的底面154a凸起。另一方面，通过提高C4F8在蚀刻气体中的相对量使空腔154的底面154a凹陷。因此，在图6B所示的实施例中，用于形成空腔154的蚀刻气体中的O2含量相对较高。因此，底面154a呈凸型。例如，采用大约18标准立方厘米每分钟(sccm)的C4F8气体和大约10sccm的O2气体形成空腔154的平面化底面。对于凸底面154a而言，采用小于18sccm的C4F8和大于10sccm的O2。
在采用包括氧化膜和氮化物膜的化合物膜形成金属间绝缘层130的靶材蚀刻区时，可以采用包含CF4、CH2F2、CO和O2的蚀刻气体，包含C5F8、O2和Ar的蚀刻气体，或包含CF4、CH2F2、O2或CO的蚀刻气体，通过等离子体蚀刻形成空腔154。对于等离子体蚀刻而言，可以采用Tokyo Electronics(TEL)出售的“Unity85SS”平行平板型等离子体蚀刻装置。通过调整蚀刻气体中O2和碳气体(carbon gas)之间的比例控制空腔154中底面154a的轮廓。例如，通过提高O2在蚀刻气体中的相对浓度使154的底面154a凸起。通过提高碳气体的相对浓度使空腔154的底面154a凹陷。
所形成的空腔154通常具有锥形侧壁154b。通常通过向蚀刻气体添加诸如CO、CH2F2、CHF3或CH3F的富煤气形成锥形侧壁154b。
在采用“Unity85DD”蚀刻装置形成空腔154时，采用大约1700W的RF功率和大约42mT的压力进行等离子体蚀刻。
在采用“Unity85SS”蚀刻装置形成空腔154时，可以在各种不同的条件下进行等离子体蚀刻。例如，在设备中顶部电极和底部电极之间的距离大约为30mm时，可以采用大约1500Ws到1700Wb的RF功率，以及大约30mT的压力进行等离子体蚀刻。作为选择，可以在大约2000Ws和1900Wb的RF功率下，以及大约30mT的压力下，执行等离子体蚀刻，或者在大约1000Ws和300Wb的RF功率下，以及大约30mT的压力下，执行等离子体蚀刻。
参照图6C，去除光刻胶图案152。之后，在空腔154内部和钝化层150上涂覆透明光学材料，以形成透明光学区域170和平面化层172。透明光学区域170填充空腔154，平面化层172覆盖位于晶体管区中的金属线路层140。通过旋涂形成透明光学区域170和平面化层172。透明光学区域170通常由诸如CytopTM或PMMA聚合物的有机聚合物化合物形成。例如，在内部透镜包括通过化学气相淀积形成的氧化膜时，采用CytopTM形成透明光学区域170。CytopTM的折射率小于用来形成金属间绝缘层130的氧化膜的折射率。所述氧化膜的折射率大约为1.45，CytopTM的折射率大约为1.34。
参照图6D，在平面化层172上形成滤色器180，在位于光电二极管104之上的滤色器180上形成微透镜190。
图7A和图7B是说明根据本发明的另一实施例的CMOS图像传感器的制造方法的图示。
参照图7A，根据参照图6A和图6B予以说明的方法形成空腔154。在形成空腔154后，去除光刻胶图案152，并在空腔154的底面154a和侧壁154b上形成具有预定厚度的透明光学衬垫262。上文中已经参照图3对透明光学衬垫262的各种特性进行了说明。
参照图7B，根据参照图6C予以说明的方法，通过在透明光学衬垫262上涂覆透明光学材料形成透明光学区域170和平面化层172。一旦形成平面化层172后，在平面化层172上，根据参照图6D予以说明的方法，形成滤色器180和微透镜190。
图8A和图8B是说明根据本发明的又一实施例的CMOS图像传感器的制造方法的图示。
如图8A所示，采用上文中参照图6A到图6D予以说明的方法形成空腔154。在形成空腔154时，控制蚀刻气体中O2的相对浓度，从而为底面154a提供凹陷外形。
参照图8B，去除光刻胶图案152。在去除光刻胶图案152之后，通过淀积透明光学材料的方法，在空腔154内部和钝化层150上形成透明光学区域170和平面化层172。在平面化层172上形成滤色器180和微透镜190。
图9A和图9B是说明根据本发明的又一实施例的CMOS图像传感器的制造方法的图示。
参照图9A，采用上文中参照图6A到图6D予以说明的方法形成空腔154。形成空腔154之后，采用参照图8A予以说明的方法去除光刻胶图案152。接下来，在空腔154的底面154a和侧壁154b上形成具有预定厚度的透明光学衬垫462。
参照图9B，根据参照图6C予以说明的方法，通过在透明光学衬垫462上淀积透明光学材料，形成透明光学区域170和平面化层172。之后，采用参照图6D予以说明的方法在平面化层172上形成滤色器180和微透镜190。
如上所述，根据本发明实施例的CMOS图像传感器包括具有凸透镜或凹透镜的像素传感器，所述凸透镜或凹透镜是位于光电二极管和微透镜之间的金属间绝缘层的一部分。所述像素传感器通过形成透明光学区域提供透明光路，所述透明光学区域穿过金属间绝缘层，并形成于内部透镜上。所述透明光学区域所采用的透明光学材料不同于形成金属间绝缘层的材料。因此，所述CMOS图像传感器能够使光在光电二极管上得到有效的汇聚。此外，所述CMOS图像传感器通过放置在内部透镜和透明光学区域之间的透明光学衬垫使光得到了汇聚，因而能够提供高光灵敏度。
上述示范性实施例为解说实例。本领域技术人员应当理解，在不背离下述权利要求界定的本发明的范围的情况下，可以对所述的示范性实施例在形式和细节上做出各种改变。
本申请要求于2004年9月11日提交的韩国专利申请No.10-2004-0072819的优先权，在此将其全文引入以做参考。
Claims (40)
1.一种互补金属氧化物半导体(CMOS)图像传感器，其包括：
具有光电二极管区和晶体管区的衬底；
在所述光电二极管区内形成的光电二极管；
在所述晶体管区内形成的晶体管；
覆盖所述光电二极管和所述晶体管的平面化绝缘层；
在所述平面化绝缘层上由第一材料形成的金属间绝缘层；
在所述晶体管区上形成的至少部分地位于金属间绝缘层内的金属线路层；
在位于所述光电二极管之上的平面化绝缘层上形成的作为金属间绝缘层的一部分的内部透镜；以及
由不同于第一材料的第二材料形成的透明光学区域，其至少部分位于所述内部透镜之上的金属间绝缘层内。
2.如权利要求1所述的CMOS图像传感器，其中，所述内部透镜为凸透镜。
3.如权利要求1所述的CMOS图像传感器，其中，所述内部透镜为凹透镜。
4.如权利要求1所述的CMOS图像传感器，其中，所述金属间绝缘层包括由从氧化物和氮化物构成的组中选出的至少一种材料形成的膜。
5.如权利要求4所述的CMOS图像传感器，其中，所述内部透镜是由氧化膜形成的。
6.如权利要求1所述的CMOS图像传感器，其中，所述透明光学区域是由折射率与内部透镜的折射率不同的材料形成的。
7.如权利要求6所述的CMOS图像传感器，其中，所述内部透镜为凸透镜，且所述透明光学区域是由折射率低于所述内部透镜的折射率的材料形成的。
8.如权利要求6所述的CMOS图像传感器，其中，所述内部透镜为凹透镜，且所述透明光学区域是由折射率高于所述内部透镜的折射率的材料形成的。
9.如权利要求6所述的CMOS图像传感器，其中，所述内部透镜是由氧化膜构成的，且所述透明光学区域是由有机聚合物化合物形成的。
10.如权利要求1所述的CMOS图像传感器，其进一步包括：
在所述内部透镜和透明光学区域之间形成的透明光学衬垫。
11.如权利要求10所述的CMOS图像传感器，其中，所述透明光学衬垫是由折射率与内部透镜和透明光学区域的折射率不同的材料形成的。
12.如权利要求11所述的CMOS图像传感器，其中，所述的透明光学衬垫是由氮化硅、硅氧化物-氮化物或有机聚合物化合物形成的。
13.如权利要求10所述的CMOS图像传感器，其中，所述内部透镜是由氧化膜形成的，所述透明光学衬垫是由氮化硅、硅氧化物-氮化物或有机聚合物化合物形成的，所述透明光学区域是由有机聚合物化合物形成的。
14.如权利要求10所述的CMOS图像传感器，其中，所述内部透镜为凸透镜，所述透明光学衬垫形成于所述内部透镜的上表面，并为凸形。
15.如权利要求14所述的CMOS图像传感器，其中，所述透明光学衬垫具有低于所述内部透镜的折射率，所述透明光学区域具有低于所述透明光学衬垫的折射率。
16.如权利要求10所述的CMOS图像传感器，其中，所述内部透镜为凹透镜，所述透明光学衬垫形成于所述内部透镜的上表面，并具有凹形。
17.如权利要求16所述的CMOS图像传感器，其中，所述透明光学衬垫具有高于所述内部透镜的折射率，所述透明光学区域具有高于所述透明光学衬垫的折射率。
18.如权利要求1所述的CMOS图像传感器，其中，所述内部透镜形成于与金属线路层共同的平面上。
19.如权利要求1所述的CMOS图像传感器，其进一步包括：
形成于所述透明光学区域上的滤色器；以及
形成于所述滤色器上且和所述光电二极管相对的微透镜。
20.如权利要求19所述的CMOS图像传感器，其进一步包括覆盖所述金属线路层和透明光学区域的平面化层；
其中，所述滤色器形成于所述平面化层上。
21.如权利要求20所述的CMOS图像传感器，其中，所述平面化层是由与透明光学区域相同的材料形成的。
22.一种制造CMOS图像传感器的方法，所述方法包括：
在衬底中形成光电二极管区和晶体管区；
在所述光电二极管区内形成光电二极管；
在所述晶体管区内形成晶体管；
形成覆盖所述光电二极管和晶体管的平面化绝缘层；
形成覆盖所述平面化绝缘层的金属间绝缘层；
在晶体管区上形成至少部分地位于金属间绝缘层内的金属线路层；
通过去除一部分位于所述光电二极管区之上的金属间绝缘层形成穿过金属间绝缘层的空腔；
在所述光电二极管区之上形成作为金属间绝缘层的一部分的内部透镜；以及
通过填充所述空腔在所述内部透镜上形成透明光学区域。
23.如权利要求22所述的方法，其中，所述空腔包括形成所述内部透镜的具有预定曲率的底面。
24.如权利要求22所述的方法，其中，所述内部透镜为与所述空腔的底面形状相对应的凸透镜。
25.如权利要求22所述的方法，其中，所述内部透镜为与所述空腔的底面形状相对应的凹透镜。
26.如权利要求22所述方法，其中，所述金属间绝缘层包括由从氧化物和氮化物构成的组中选出的至少一种材料形成的膜。
27.如权利要求26所述的方法，其中，所述内部透镜是由氧化膜形成的。
28.如权利要求22所述的方法，其中，所述内部透镜是通过控制在形成所述空腔时去除的金属间绝缘层的量而形成的。
29.如权利要求22所述的方法，其中，形成的所述空腔具有倾斜侧壁。
30.如权利要求22所述的方法，其中，所述透明光学区域由有机聚合物化合物形成。
31.如权利要求30所述的方法，其中，所述透明光学区域是由折射率与内部透镜的折射率不同的材料形成的。
32.如权利要求22所述的方法，其中，所述内部透镜是通过形成空腔的凸形底面形成的凸透镜，且
其中，所述透明光学区域是由折射率低于所述内部透镜的材料形成的。
33.如权利要求22所述的方法，其中，所述内部透镜是通过形成空腔的凹形底面形成的凹透镜，且
其中，所述透明光学区域是由折射率高于所述内部透镜的材料形成的。
34.如权利要求22所述的方法，其进一步包括：
形成覆盖所述透明光学区域、金属间绝缘层和金属线路层的平面化层；
在所述平面化层上形成滤色器；以及
在所述滤色器上形成与所述光电二极管相对的微透镜。
35.如权利要求34所述的方法，其中，所述平面化层和透明光学区域是由相同的材料形成的。
36.如权利要求22所述的方法，其进一步包括：
在形成所述透明光学区域之前，且在形成所述空腔之后，在所述内部透镜上形成透明光学衬垫。
37.如权利要求36所述的方法，其中，所述的透明光学衬垫是由氮化硅、硅氧化物-氮化物或有机聚合物化合物形成的。
38.如权利要求37所述的方法，其中，所述透明光学衬垫是由折射率与内部透镜的折射率不同的材料形成的。
39.如权利要求36所述的方法，其中，所述内部透镜是通过形成具有凸形底面的空腔形成的凸透镜；并且
其中，所述透明光学衬垫是由折射率低于所述内部透镜的材料形成的。
40.如权利要求36所述的方法，其中，所述内部透镜是通过形成具有凹形底面的空腔形成的凹透镜；并且
其中，所述透明光学衬垫是由折射率高于所述内部透镜的材料形成的。
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| US7442629B2 (en) | 2004-09-24 | 2008-10-28 | President & Fellows Of Harvard College | Femtosecond laser-induced formation of submicrometer spikes on a semiconductor substrate |
| US7224856B2 (en) * | 2001-10-23 | 2007-05-29 | Digital Optics Corporation | Wafer based optical chassis and associated methods |
| US7961989B2 (en) * | 2001-10-23 | 2011-06-14 | Tessera North America, Inc. | Optical chassis, camera having an optical chassis, and associated methods |
| JP4682568B2 (ja) * | 2004-09-16 | 2011-05-11 | ソニー株式会社 | 固体撮像素子の製造方法 |
| KR100672730B1 (ko) * | 2005-07-15 | 2007-01-24 | 동부일렉트로닉스 주식회사 | 씨모스 이미지 센서 및 그 제조방법 |
| KR100731128B1 (ko) * | 2005-12-28 | 2007-06-22 | 동부일렉트로닉스 주식회사 | 씨모스 이미지 센서의 제조방법 |
| JP4953635B2 (ja) * | 2006-01-06 | 2012-06-13 | キヤノン株式会社 | 固体撮像素子の製造方法 |
| US20070200055A1 (en) * | 2006-02-24 | 2007-08-30 | Tower Semiconductor Ltd. | Via wave guide with cone-like light concentrator for image sensing devices |
| US7358583B2 (en) | 2006-02-24 | 2008-04-15 | Tower Semiconductor Ltd. | Via wave guide with curved light concentrator for image sensing devices |
| JP2008034627A (ja) * | 2006-07-28 | 2008-02-14 | Fujifilm Corp | フォトダイオードおよびその作製方法 |
| JP5305622B2 (ja) * | 2006-08-31 | 2013-10-02 | キヤノン株式会社 | 光電変換装置の製造方法 |
| KR100763232B1 (ko) * | 2006-09-20 | 2007-10-04 | 삼성전자주식회사 | 이미지 센서의 제조 방법 |
| EP1930950B1 (en) | 2006-12-08 | 2012-11-07 | Sony Corporation | Solid-state image pickup device, method for manufacturing solid-state image pickup device, and camera |
| KR100937654B1 (ko) * | 2006-12-12 | 2010-01-19 | 동부일렉트로닉스 주식회사 | 이미지 센서 및 그 제조방법 |
| US7803647B2 (en) * | 2007-02-08 | 2010-09-28 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Optical transmission improvement on multi-dielectric structure in advance CMOS imager |
| JP5164509B2 (ja) * | 2007-10-03 | 2013-03-21 | キヤノン株式会社 | 光電変換装置、可視光用光電変換装置及びそれらを用いた撮像システム |
| US8183510B2 (en) * | 2008-02-12 | 2012-05-22 | Omnivision Technologies, Inc. | Image sensor with buried self aligned focusing element |
| US7589306B2 (en) * | 2008-02-12 | 2009-09-15 | Omnivision Technologies, Inc. | Image sensor with buried self aligned focusing element |
| KR101023071B1 (ko) * | 2008-09-05 | 2011-03-24 | 주식회사 동부하이텍 | 이미지 센서 및 그 제조 방법 |
| JP5408954B2 (ja) * | 2008-10-17 | 2014-02-05 | キヤノン株式会社 | 撮像装置、及び撮像システム |
| KR101545638B1 (ko) | 2008-12-17 | 2015-08-19 | 삼성전자 주식회사 | 이미지 센서 및 그 제조 방법, 이미지 센서를 포함하는 장치 및 그 제조 방법 |
| KR20100079739A (ko) * | 2008-12-31 | 2010-07-08 | 주식회사 동부하이텍 | 이미지 센서 및 그의 제조 방법 |
| JP2010177391A (ja) | 2009-01-29 | 2010-08-12 | Sony Corp | 固体撮像装置、電子機器、固体撮像装置の製造方法 |
| US20100289065A1 (en) | 2009-05-12 | 2010-11-18 | Pixart Imaging Incorporation | Mems integrated chip with cross-area interconnection |
| JP5434252B2 (ja) * | 2009-05-14 | 2014-03-05 | ソニー株式会社 | 固体撮像装置、および、その製造方法、電子機器 |
| JP5446485B2 (ja) * | 2009-06-10 | 2014-03-19 | ソニー株式会社 | 固体撮像素子及びその製造方法、撮像装置 |
| US20100320552A1 (en) * | 2009-06-19 | 2010-12-23 | Pixart Imaging Inc. | CMOS Image Sensor |
| TWI418024B (zh) * | 2009-07-06 | 2013-12-01 | Pixart Imaging Inc | 影像感測元件及其製作方法 |
| JP2011023409A (ja) * | 2009-07-13 | 2011-02-03 | Panasonic Corp | 固体撮像装置 |
| US8314469B2 (en) | 2009-09-04 | 2012-11-20 | United Microelectronics Corp. | Image sensor structure with different pitches or shapes of microlenses |
| US9911781B2 (en) | 2009-09-17 | 2018-03-06 | Sionyx, Llc | Photosensitive imaging devices and associated methods |
| US9673243B2 (en) | 2009-09-17 | 2017-06-06 | Sionyx, Llc | Photosensitive imaging devices and associated methods |
| KR101832119B1 (ko) * | 2010-02-19 | 2018-02-26 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 |
| JP2013527598A (ja) * | 2010-03-24 | 2013-06-27 | サイオニクス、インク． | 高められた電磁放射線検出を有するデバイス及び関連方法 |
| US8692198B2 (en) | 2010-04-21 | 2014-04-08 | Sionyx, Inc. | Photosensitive imaging devices and associated methods |
| US20120146172A1 (en) | 2010-06-18 | 2012-06-14 | Sionyx, Inc. | High Speed Photosensitive Devices and Associated Methods |
| US20120018831A1 (en) * | 2010-07-20 | 2012-01-26 | Himax Imaging, Inc. | Light pipe fabrication with improved sensitivity |
| KR101801259B1 (ko) * | 2010-07-21 | 2017-11-27 | 삼성전자주식회사 | 광 유도 구조물, 상기 광 유도 구조물을 포함하는 이미지 센서, 및 상기 이미지 센서를 포함하는 프로세서 베이스드 시스템 |
| US8466000B2 (en) | 2011-04-14 | 2013-06-18 | United Microelectronics Corp. | Backside-illuminated image sensor and fabricating method thereof |
| US9496308B2 (en) | 2011-06-09 | 2016-11-15 | Sionyx, Llc | Process module for increasing the response of backside illuminated photosensitive imagers and associated methods |
| US20130010165A1 (en) | 2011-07-05 | 2013-01-10 | United Microelectronics Corp. | Optical micro structure, method for fabricating the same and applications thereof |
| CN103946867A (zh) | 2011-07-13 | 2014-07-23 | 西奥尼克斯公司 | 生物计量成像装置和相关方法 |
| US9312292B2 (en) | 2011-10-26 | 2016-04-12 | United Microelectronics Corp. | Back side illumination image sensor and manufacturing method thereof |
| US8318579B1 (en) | 2011-12-01 | 2012-11-27 | United Microelectronics Corp. | Method for fabricating semiconductor device |
| CN102522415A (zh) * | 2011-12-22 | 2012-06-27 | 上海宏力半导体制造有限公司 | Cmos图像传感器及其制作方法 |
| US8570669B2 (en) * | 2012-01-23 | 2013-10-29 | Optiz, Inc | Multi-layer polymer lens and method of making same |
| US9064764B2 (en) | 2012-03-22 | 2015-06-23 | Sionyx, Inc. | Pixel isolation elements, devices, and associated methods |
| US8815102B2 (en) | 2012-03-23 | 2014-08-26 | United Microelectronics Corporation | Method for fabricating patterned dichroic film |
| JP6021439B2 (ja) | 2012-05-25 | 2016-11-09 | キヤノン株式会社 | 固体撮像装置 |
| US9401441B2 (en) | 2012-06-14 | 2016-07-26 | United Microelectronics Corporation | Back-illuminated image sensor with dishing depression surface |
| US8779344B2 (en) | 2012-07-11 | 2014-07-15 | United Microelectronics Corp. | Image sensor including a deep trench isolation (DTI)that does not contact a connecting element physically |
| US8828779B2 (en) | 2012-11-01 | 2014-09-09 | United Microelectronics Corp. | Backside illumination (BSI) CMOS image sensor process |
| US8779484B2 (en) | 2012-11-29 | 2014-07-15 | United Microelectronics Corp. | Image sensor and process thereof |
| WO2014127376A2 (en) | 2013-02-15 | 2014-08-21 | Sionyx, Inc. | High dynamic range cmos image sensor having anti-blooming properties and associated methods |
| WO2014151093A1 (en) | 2013-03-15 | 2014-09-25 | Sionyx, Inc. | Three dimensional imaging utilizing stacked imager devices and associated methods |
| US9279923B2 (en) | 2013-03-26 | 2016-03-08 | United Microelectronics Corporation | Color filter layer and method of fabricating the same |
| US9537040B2 (en) | 2013-05-09 | 2017-01-03 | United Microelectronics Corp. | Complementary metal-oxide-semiconductor image sensor and manufacturing method thereof |
| US9129876B2 (en) | 2013-05-28 | 2015-09-08 | United Microelectronics Corp. | Image sensor and process thereof |
| US9209345B2 (en) | 2013-06-29 | 2015-12-08 | Sionyx, Inc. | Shallow trench textured regions and associated methods |
| US9054106B2 (en) | 2013-11-13 | 2015-06-09 | United Microelectronics Corp. | Semiconductor structure and method for manufacturing the same |
| US9841319B2 (en) | 2013-11-19 | 2017-12-12 | United Microelectronics Corp. | Light detecting device |
| JP6300564B2 (ja) * | 2014-02-18 | 2018-03-28 | キヤノン株式会社 | 固体撮像装置及びその製造方法 |
| JP2016009730A (ja) * | 2014-06-23 | 2016-01-18 | 株式会社東芝 | 半導体装置の製造方法 |
| US9582312B1 (en) * | 2015-02-04 | 2017-02-28 | Amazon Technologies, Inc. | Execution context trace for asynchronous tasks |
| KR102472276B1 (ko) | 2016-03-24 | 2022-11-29 | 에스케이하이닉스 주식회사 | 이미지 센서 |
| WO2018088281A1 (ja) * | 2016-11-14 | 2018-05-17 | パナソニック・タワージャズセミコンダクター株式会社 | 固体撮像装置及びその製造方法 |
| US9935146B1 (en) | 2016-12-19 | 2018-04-03 | Semiconductor Components Industries, Llc | Phase detection pixels with optical structures |
| JP2019091817A (ja) * | 2017-11-15 | 2019-06-13 | シャープ株式会社 | 固体撮像装置および固体撮像装置の製造方法 |
| KR102541294B1 (ko) * | 2018-03-26 | 2023-06-12 | 에스케이하이닉스 주식회사 | 라이닝 층을 가진 위상차 검출 픽셀을 포함하는 이미지 센서 |
| KR102507207B1 (ko) * | 2018-04-11 | 2023-03-09 | 에스케이하이닉스 주식회사 | 낮은 굴절률을 갖는 패싱 필터를 포함하는 이미지 센서 |
| US11069729B2 (en) * | 2018-05-01 | 2021-07-20 | Canon Kabushiki Kaisha | Photoelectric conversion device, and equipment |
| TWI672806B (zh) * | 2018-06-22 | 2019-09-21 | 晶相光電股份有限公司 | 全域快門互補式金屬氧化物半導體影像感測器及其形成方法 |
| US10763297B1 (en) * | 2019-05-31 | 2020-09-01 | Int Tech Co., Ltd. | Optical sensor |
| WO2022050897A2 (en) * | 2020-08-27 | 2022-03-10 | Compoundtek Pte. Ltd. | Semiconductor device and fabricating method therefor |
| US20230411540A1 (en) * | 2022-06-16 | 2023-12-21 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Limited | Semiconductor device and method of making |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1471172A (zh) * | 2002-06-24 | 2004-01-28 | ��ʿ��Ƭ��ʽ���� | 固体摄像装置及其制造方法 |
| CN1518119A (zh) * | 2003-01-16 | 2004-08-04 | 三星电子株式会社 | 互补金属氧化物半导体图像传感器件的结构及其制造方法 |
Family Cites Families (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2833941B2 (ja) * | 1992-10-09 | 1998-12-09 | 三菱電機株式会社 | 固体撮像装置とその製造方法 |
| JP2841037B2 (ja) | 1995-07-26 | 1998-12-24 | エルジイ・セミコン・カンパニイ・リミテッド | Ｃｃｄ固体撮像素子の製造方法 |
| KR0172849B1 (ko) | 1995-08-02 | 1999-02-01 | 문정환 | 고체촬상소자 및 그의 제조방법 |
| JP3620237B2 (ja) * | 1997-09-29 | 2005-02-16 | ソニー株式会社 | 固体撮像素子 |
| JP2000164839A (ja) * | 1998-11-25 | 2000-06-16 | Sony Corp | 固体撮像装置 |
| JP2001094086A (ja) * | 1999-09-22 | 2001-04-06 | Canon Inc | 光電変換装置及びその製造方法 |
| JP2001309395A (ja) * | 2000-04-21 | 2001-11-02 | Sony Corp | 固体撮像素子及びその製造方法 |
| JP2002064193A (ja) * | 2000-08-22 | 2002-02-28 | Sony Corp | 固体撮像装置および製造方法 |
| JP2002151670A (ja) * | 2000-08-30 | 2002-05-24 | Sony Corp | 固体撮像装置および製造方法 |
| JP2002110953A (ja) * | 2000-10-04 | 2002-04-12 | Toshiba Corp | 固体撮像装置 |
| JP2003007988A (ja) * | 2001-06-19 | 2003-01-10 | Sharp Corp | 固体撮像装置およびその製造方法 |
| JP2003332548A (ja) | 2002-05-16 | 2003-11-21 | Fuji Film Microdevices Co Ltd | 固体撮像素子及びその製造方法 |
| JP4120543B2 (ja) * | 2002-12-25 | 2008-07-16 | ソニー株式会社 | 固体撮像素子およびその製造方法 |
| JP4549195B2 (ja) * | 2005-01-19 | 2010-09-22 | キヤノン株式会社 | 固体撮像素子およびその製造方法 |
-
2004
- 2004-09-11 KR KR1020040072819A patent/KR100652379B1/ko not_active IP Right Cessation
-
2005
- 2005-08-22 US US11/207,759 patent/US7262073B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2005-09-09 JP JP2005262834A patent/JP5013391B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2005-09-12 CN CN2005101038384A patent/CN1747178B/zh not_active Expired - Fee Related
-
2007
- 2007-07-24 US US11/782,085 patent/US20070262366A1/en not_active Abandoned
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1471172A (zh) * | 2002-06-24 | 2004-01-28 | ��ʿ��Ƭ��ʽ���� | 固体摄像装置及其制造方法 |
| CN1518119A (zh) * | 2003-01-16 | 2004-08-04 | 三星电子株式会社 | 互补金属氧化物半导体图像传感器件的结构及其制造方法 |
Non-Patent Citations (1)
| Title |
|---|
| JP特开2004-134790A 2004.04.30 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
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| US20070262366A1 (en) | 2007-11-15 |
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