CN1714459B - 制造半导体器件的方法 - Google Patents

制造半导体器件的方法 Download PDF

Info

Publication number
CN1714459B
CN1714459B CN038029162A CN03802916A CN1714459B CN 1714459 B CN1714459 B CN 1714459B CN 038029162 A CN038029162 A CN 038029162A CN 03802916 A CN03802916 A CN 03802916A CN 1714459 B CN1714459 B CN 1714459B
Authority
CN
China
Prior art keywords
semiconductor layer
carrier
substrate
expansion
thermal coefficient
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Lifetime
Application number
CN038029162A
Other languages
English (en)
Other versions
CN1714459A (zh
Inventor
M·费雷尔
B·哈恩
V·海勒
S·凯泽
F·奥特
A·普勒斯尔
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Ams Osram International GmbH
Original Assignee
Osram Opto Semiconductors GmbH
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Priority claimed from DE10243757A external-priority patent/DE10243757A1/de
Application filed by Osram Opto Semiconductors GmbH filed Critical Osram Opto Semiconductors GmbH
Priority claimed from PCT/DE2003/000260 external-priority patent/WO2003065420A2/de
Publication of CN1714459A publication Critical patent/CN1714459A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN1714459B publication Critical patent/CN1714459B/zh
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/02—Positioning or observing the workpiece, e.g. with respect to the point of impact; Aligning, aiming or focusing the laser beam
    • B23K26/06—Shaping the laser beam, e.g. by masks or multi-focusing
    • B23K26/073—Shaping the laser spot
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/02—Positioning or observing the workpiece, e.g. with respect to the point of impact; Aligning, aiming or focusing the laser beam
    • B23K26/06—Shaping the laser beam, e.g. by masks or multi-focusing
    • B23K26/073—Shaping the laser spot
    • B23K26/0732—Shaping the laser spot into a rectangular shape
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/02—Positioning or observing the workpiece, e.g. with respect to the point of impact; Aligning, aiming or focusing the laser beam
    • B23K26/06—Shaping the laser beam, e.g. by masks or multi-focusing
    • B23K26/073—Shaping the laser spot
    • B23K26/0738—Shaping the laser spot into a linear shape
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
    • C30B29/10—Inorganic compounds or compositions
    • C30B29/40—AIIIBV compounds wherein A is B, Al, Ga, In or Tl and B is N, P, As, Sb or Bi
    • C30B29/403—AIII-nitrides
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
    • C30B29/10—Inorganic compounds or compositions
    • C30B29/40—AIIIBV compounds wherein A is B, Al, Ga, In or Tl and B is N, P, As, Sb or Bi
    • C30B29/403—AIII-nitrides
    • C30B29/406—Gallium nitride
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
    • C30B29/10—Inorganic compounds or compositions
    • C30B29/40—AIIIBV compounds wherein A is B, Al, Ga, In or Tl and B is N, P, As, Sb or Bi
    • C30B29/42—Gallium arsenide
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B33/00—After-treatment of single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/20—Deposition of semiconductor materials on a substrate, e.g. epitaxial growth solid phase epitaxy
    • H01L21/2003—Deposition of semiconductor materials on a substrate, e.g. epitaxial growth solid phase epitaxy characterised by the substrate
    • H01L21/2007—Bonding of semiconductor wafers to insulating substrates or to semiconducting substrates using an intermediate insulating layer
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
    • H01L21/71—Manufacture of specific parts of devices defined in group H01L21/70
    • H01L21/76—Making of isolation regions between components
    • H01L21/762—Dielectric regions, e.g. EPIC dielectric isolation, LOCOS; Trench refilling techniques, SOI technology, use of channel stoppers
    • H01L21/7624—Dielectric regions, e.g. EPIC dielectric isolation, LOCOS; Trench refilling techniques, SOI technology, use of channel stoppers using semiconductor on insulator [SOI] technology
    • H01L21/76251—Dielectric regions, e.g. EPIC dielectric isolation, LOCOS; Trench refilling techniques, SOI technology, use of channel stoppers using semiconductor on insulator [SOI] technology using bonding techniques
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L24/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/005—Processes
    • H01L33/0093—Wafer bonding; Removal of the growth substrate

Abstract

本发明说明用于制造半导体器件尤其是薄层器件的方法，其中通过激光光束照射把半导体层从基片分离开，所述激光光束具有平台样的空间光束特性曲线。此外在分离前把半导体层设置在带有适配的热膨胀系数的载体上。本发明特别适用于含有氮化合物半导体的半导体层。

Description

制造半导体器件的方法
技术领域
本发明涉及一种制造半导体器件的方法，其中通过激光光束照射把半导体层从基片分离开。
背景技术
这样的方法例如用于在GaN的基础上制造无基片的发光二极管。这样的器件含有一个半导体本体部和一个载体部分，半导体本体固定在载体部分上。为了制造半导体本体首先在适当的基片上制造半导体层，然后与载体连接，并且再从基片上分离开。通过切开，例如通过锯开带有安排在其上的半导体层的载体，出现多个各自固定在相应载体上的半导体本体。在此重要的是，用于制造半导体层的基片从半导体层分开，而不在同时起器件中的载体或者载体部分的作用。
这种制造方法的优点是，对基片和载体采用不同的材料。从而可以在很大程度上各自的材料相互独立地适应对一方面制造半导体层的不同要求，以及适应另一方面工作条件的不同要求。从而可不依赖于制造半导体层的基片的要求相应于其机械特性、热力学和光学特性选择载体。
特别是用外延技术制造半导体层对外延基片有大量特殊的要求。例如基片的点阵常数必须与要敷设的半导体层相互匹配。此外基片必须能够耐受由外延技术决定的、达1000℃以上的特定温度，并且必须适应有关半导体材料层尽可能均匀的外延生长。
而对于进一步处理半导体本体和对于其工作，载体的其它特性，例如导电率和导热率以及透射率在光电器件是很重要的。适用于外延基片的材料在此常常只是有条件地适用于器件中的载体部分。最后，特别是由于比较昂贵的外延基片，例如碳化硅基片，能够多次使用基片是值得追求的。
对于所述的制造方法从基片分离开半导体层是重要的。这种分离开可以通过用激光光束照射半导体一基片的边界面达到。在此激光光束在边界面附近被吸收并且在此起分解半导体材料的作用。
从基片上分离半导体层例如可以通过激光分离开进行，如同在文献WO98/14986中所说明的。在此，为了从蓝宝石基片上分离开GaN层和GaInN层采用355nm的Q开关Nd:YAG激光器的三倍频光束。蓝宝石基片对这样波长的光线是透明的。照射能量在蓝宝石基片和GaN半导体层之间的过渡上约100nm厚的边界层中被吸收。用200mJ/cm2以上的脉冲能量在边界面上达到850℃以上的温度。GaN边界层在这样的温度下分解释放出氮气，半导体层与基片之间的连接分开。
在这样的方法中，存在由于在分离开半导体层时不完全材料分解基片残存留在半导体层上的危险。例如常常在以这样的方式方法从蓝宝石基片上分开的GaN层上有微观的蓝宝石颗粒，即所谓的“剥落”。
这样的蓝宝石残留物的直径典型地位于5μm至100μm之间。所述蓝宝石残留物妨碍进一步处理半导体层，并且由于蓝宝石的高机械耐受性和化学耐受性用于其去除需要较大的费用。这可导致只有一部分分离开的半导体层可以进一步使用，或甚至导致整个层报废。
一般地要求被分离开的半导体层有一定的机械稳定性，因为层厚非常地小，没有一定的机械稳定性就有损伤特别是断裂或者撕裂该层的危险。为了进行机械稳定，适于把半导体层载体材料决定地与载体连接，所述的半导体层也可以是已经部分加工好了的。这样的连接至少应当有能够无损伤地承受后续制造步骤出现的温度的温度稳定性。此外，这样的连接还应当在特别是器件工作时可能出现的温度变化负载中保持稳定。
为了把半导体层固定在载体上常常使用粘着剂。在较高电功率时，可能由于粘着剂有限的导热率和导电率而出现问题。此外，这样的粘着剂连接的有限的耐热性还限制了相应器件的可靠温度范围并且因而限制最大可能的损耗功率。
发明内容
本发明的任务是开发一种改善了的半导体器件的制造方法，其中借助于激光照射把半导体层从基片分开。
所述任务通过一种用于制造半导体器件的方法完成。本发明的有利扩展方案在具体实施方式部分进行了说明。
在所述方法中通过激光光束照射把半导体层从基片分离开，其特征在于，在与基片分离之前，把半导体层用背离基片的一侧附着在一个载体上、优选地焊接在载体上，并且，以与光束特性曲线和/或激光光束脉冲的脉冲长度相协调的方式和与半导体层的热膨胀系数aHL和基片的热膨胀系数as相协调的方式来选择载体的热膨胀系数aT以降低制造过程中在基片、半导体层和载体之间的张力。
根据本发明提出，通过用激光光束照射把半导体层从基片分开，其中，激光光束具有平台样的，特别是矩形或者梯形的光束特性曲线。通过这样的光束特性曲线可以明显地相对于常规的分离方法降低半导体层上的基片残留物的数量。
平台样光束特性曲线理解为一种横截面上的激光光束强度分布，这样强度分布具有中心区域，该中心区域有大体上恒定的强度分布，在中心区域上分别连接强度下降的侧边。优选地中心区域中的光束强度相对起伏低于百分之五。
为了进一步改善光束特性曲线，可以在激光器上后接光束均化器。此外，为了在半导体层上成像激光光束使用适当的光学系统例如透镜系统是适宜的，所述的透镜系统可以包含校正透镜、衰减器、反射镜、掩膜结构和/或投影器。以此方式方法可能调节用于材料分解所要求的能量密度，而不劣化有利的光束特性曲线。
相反在常规的激光分离方法采用的激光器一般地具有高斯型光束特性曲线。这在半导体-基片边界面上导致空间上较强变化的、不均匀的场分布，并且以后导致不同强度的材料分解。在后续的半导体层分离开中存在在较弱地或者不完全地材料分解的位置上基片残留物停留在半导体层上的风险。
优选地在本发明中激光光束由受激准分子激光器产生。受激准分子激光器一般地有平台样的，往往是梯形或者矩形的光束特性曲线。此外，用惰性气体卤素化合物作激光介质的受激准分子激光器发射波长在紫外线光频谱范围，这特别适用于分离开氮化合物半导体。此外典型地位于1kw至100Mw之间的受激准分子激光器的脉冲峰值功率如此之大，以至于即使在激光光束的掩模成像时和穿过多个透镜后还有足够的能量密度用于材料分解。
为了达到材料分解所要求的光强度，脉冲地工作对于激光器是适宜的。与连续工作的激光器相反，这样还减少了待分离开的半导体层过热风险。传送走激光照射产生的热可以在脉冲激光器中通过相应地选择脉冲宽度和脉冲间隔优化调节。
在有较大的横向外延的半导体层中，有利的是，相继地照射相邻地安排的半导体层的各个区域，以避免过大地扩大光束面积。由于在一定的激光脉冲的光束功率或者能量条件下，随着光束面积增加而强度下降，在较大地扩大光束时可能会低于分解阈值，就是说低于材料分解所要求的能量密度，并且损害完全地分离开半导体层。
在此，特别有利的是，如此地引导激光光束和/或带有处于其上的半导体层的基片，使得受照射的各个区域出现全面的总体安排，与之时间上相应地，就是说在照射的时间上，对受照射的面积的绝大部分积分成一个近似恒定的空间强度分布。由于这种近似恒定的强度分布分离开的半导体层具有有利地很少量的基片残留物，或甚至于没有残留物。对于所谓的受照射的各个区域的全面的总体安排，平台样的，尤其是矩形的空间光束特性曲线是特别有利的。
在本发明的一个优选的扩展方案中激光光束在半导体层的位置、或者半导体-基片-边界面的位置具有带有长度和宽度的光束面，其中长度明显地大于宽度。优选地其中长度大于宽度5至10的倍数，从而产生线状或者条状的光束面。
在照射的过程中沿平行于宽度的方向移动半导体层，从而在照射过程中线状或者条状的光束面掠过整个待分离开的半导体层。在照射的时间上进行积分。此外还表现出有利的受照射的半导体层的恒定强度分布，其中，另一个优点在相于对激光光束简单地直线移动半导体层就足够了。当然，在此系指半导体层与激光光束之间的相对运动，既可以在位置固定的激光光束条件下通过移动半导体层实现，也可以通过在位置固定的半导体层的条件下通过相应地引导激光光束实现。
在本发明中有利的是，用激光光束直接地照射半导体层与基片之间的边界面区域，从而靠近边界吸收光束能量，并且在此引起材料分解。这可以通过基片让激光光束穿过、从而透过基片照射半导体材料达到。在这样的安排中一般地激光光束在半导体层中的吸收比在基片中大得多，从而激光光束几乎无损耗地穿过基片，并且由于边界面附近的高吸收率在半导体层中吸收。
应当说明，光束吸收不必在材料分解的位置进行。还可以通过首先在另一个位置吸收光线然后向材料分解的位置进行吸收的光束能量的能量输送。可能地，光束还可以在基片中被吸收然后再向半导体层输送光束能量。
在本发明的另一个方面提出，为了制造半导体器件借助于激光光束从基片分离半导体层，其中在分离之前把半导体层用背离基片的一侧附着在一个载体上，优选地通过锡焊。与常规的粘着剂连接相对，锡焊连接以高的导热率和导电率。
分离本身最好按照所说明的方法之一进行。事实表明，在这种前面说明的分离方法中尽管锡焊连接是有利的，但是在载体与半导体层之间的粘着剂连接也在本发明的范畴之内。
作为焊锡最好采用含金的焊锡，例如一种金-锌-锡。特别优选的是在此金-锌-锡含有较高的金成分，例如在65％至85％之间的重量百分比。
这样的焊锡的熔化温度典型地是278℃，从而高于通常在焊接电子器件时相应的温度。例如在焊接电路板时的锡焊温度一般地低于260℃。从而避免在焊接器件时把半导体本体从载体上焊开。
此外作为焊锡例如钯铟焊锡也适用，其组成成分在约200℃的相对较低的起始温度下混匀，而在混匀以后有超过660℃的有利的高熔化温度。
例如可以通过在半导体层上设置一个铟层而在载体上设置一个钯层，接着在较高的压力下在约200℃或以上的温度接合载体和半导体层可制造这样的连接。
当然也可以在半导体层上设置钯层而在载体上设置铟层。此外，有利地，在半导体层和金属层之间设置其它的层，所述其它的层例如保证半导体层的保护或良好的粘附性。一个在半导体表面上的钛层、接着一个钯层和其上的铟层的层列，与载体上的钯层连接是特别有利的。
在很小的接触电阻和有利的焊接特性的角度上，在载体上的焊接前半导体层在面向载体的侧面上设置有接触金属化层是适当的。在此例如适于铂-金金属化。
在本发明的另一个方面提出，以与半导体层的热膨胀系数aHL和/或基片的热膨胀系数as相协调的方式选择载体的热膨胀系数aT，以及可能地选择激光光束脉冲的光束特性曲线和脉冲长度。总体上，与热膨胀系数相协调的概念是指：使其差小得在制造中出现的和在工作中拟定的温度范围内不会在半导体层和载体上产生损伤。特别是，由此可以显著地降低制造过程中在基片、半导体层和载体之间的张力。从而可以很大地降低在载体中和半导体层中构成裂缝的风险。
在这方面在本发明的范畴内观察到，往往在激光照射半导体表面以后可以识别出分离开半导体层用的激光脉冲的光点特性曲线(强度特性曲线。在分离开GaN半导体层的情况下，在GaN分解后在表面上遗留下金属镉。本发明人的研究表明，在激光光点的侧边上GaN材料中出现裂隙，所述的裂隙在进一步处理材料时导致半导体层从其下面的载体局部剥落。
现在发现，这主要是由热效应造成的。为了在如GaN半导体层的情况下达到分解GaN，在半导体层中必须达到约800℃至1000℃的局部温度。如果在激光光点的侧边能量密度强烈下降，可能地激光光点的内部达到脱离所要求的温度，而在激光光点的直接周围中的半导体材料保持比较地冷。
尽管在GaN表面上达到的温度随着半导体层的厚度明显下降，然而在半导体层的载体侧在激光光点的范围内还是达到400℃的温度。从而由于在激光光点和在光点外的局部不同温度，不论是在半导体层中还是在载体中由于半导体材料和载体材料一般地不同的热膨胀系数而出现拉应力，这可在半导体材料中于激光光点侧边导致观察得到的裂缝形成。
在进一步处理这样的带有裂缝的半导体层时，例如出现酸沿裂缝渗漏至半导体层下面并且一定程度上毁坏连接金属化层的问题。
在本发明优选地采用在其热特性上适应化了的载体材料。在此对于选择载体的热膨胀系数aT特别地考虑两个处理步骤，即连接过程和激光照射。
在连接过程中把在其上带有外延出的半导体层基片与载体一起全平面地加热到通常约400℃的温度然后再逐渐地冷却到室温。在该步骤中基片/半导体层/载体层组的应力平衡主要通过基片和载体确定。如果基片和载体的热膨胀系数as、aT彼此偏差过大，从而在冷却时层组可能翘曲。在载体中还可能构成裂缝，从而产生的芯片不再具有足够的稳定性。
该问题示例地在图7中示出。在图中示意性地示出的层组20是在蓝宝石基片22上生长的GaN半导体层21。半导体层21的背离基片22的侧面设置有接触金属化层23。在接触金属化层23上在约400℃温度的条件下焊接连接晶片作为载体24。
这时如果载体的热膨胀系数aT比蓝宝石基片的热膨胀系数as小得多，在该连接步骤中就可能在载体24中构成裂缝25。
在激光照射时，在激光光点内部的半导体材料局部地加热到半导体材料的分解温度以上的温度，而基片材料由于其激光吸收很小而保持得冷。因为通过激光照射半导体材料和基片之间的连接由于分解而消失，半导体层和载体的热膨胀系数aHL和aT的区别决定层组中的张力平衡。在较大的aHL和aT之间差别可导致半导体材料在光点边缘的位置形成裂缝的拉应力。
图8再次描述从蓝宝石基片22分离开GaN层21的问题。在用准分子激光器的短激光脉冲26照射层组20时，激光光束在GaN层21的邻接边界的区域27中吸收并且在此产生800℃至1000℃的温度。在半导体层21的背离基片的侧面上和在邻接的区域28中还达到约400℃的温度。在激光光点外部GaN层21和接触金属化层23保持比较地冷。在侧面直接与激光光点临界的区域29和30中的温度典型地明显低于300℃。在CaN层21和载体24的材料或连接晶片之间的热膨胀系数差异很大的情况下在外延出的GaN层21中可出现裂缝31。
为了避免在载体中和在外延的半导体层中形成裂缝，应当选择其热膨胀系数aT即不与基片的热膨胀系数as也不与半导体层的热膨胀系数aHL有过强差别的载体材料。如下文还要详细地说明那样，在选择适当的热膨胀系数aT时，还研究光束特性曲线和激光光束的脉冲长度。
在本发明方法的一个优选的扩展中提出，选择载体的热膨胀系数aT比基片的热膨胀系数as更接近半导体层的热膨胀系数aHL。 用这样的选择可以有效地降低或者完全避免在半导体层中形成裂缝。
在此，如果载体的热膨胀系数aT与基片的热膨胀系数as差45％或者以下优选地40％或者以下是适宜的。
特别地对于热膨胀系数为
a(Al2O3)＝7.5*10-6K-1
的蓝宝石基片，载体材料优选地是，其热膨胀系数aT尽管低于a(Al2O3)的，却大于4.125*10-6K-1的，特别是大于4.5*10-6K-1。
在半导体层的热特性方面，如果载体的热膨胀系数aT与半导体层的热膨胀系数aHL差35％或者以下优选地25％或者以下是有利的。特别是在脱离开氮化合物半导体层时，例如有热膨胀系数为
a(GaN)＝4.3*10-6K-1
的基于GaN的半导体层，载体材料优选地是，其热膨胀系数aT尽管大于a(aT)的，却小于5.8*10-6K-1的，特别是小于5.6*10-6K-1。
对于从蓝宝石基片分离开氮化合物半导体层，譬如GaN层或者GaInN层，热膨胀系数在4.125*10-6K-1与5.8*10-6K-1之间，尤其是在4.5*10-6K-1与5.6*10-6K-1之间的载体因此是特别地适当的。
在这样选择热膨胀系数aT时可以为从基片分离半导体层选择大的激光束脉冲的脉冲长度尤其是大于15ns的脉冲长度而不会在半导体层中形成裂缝。
在本发明的一个特别优选的扩展中，载体含有钼，钼的热膨胀系数
a(Mo)＝5.21*10-6K-1
比例如GaAs的热膨胀系数a(GaAs)＝6.4*10-6K-1显著更接近于a(GaN)。在钼连接-晶片/GaN半导体层/蓝宝石基片的层组中明显地降低了激光照射时形成裂缝的上述问题。此外钼足够地稳定，从而在连接时或者在从连接温度冷却到室温时不会出现裂缝。
在本发明的另一个优选的扩展中，载体含有铁镍钴合金，这种合金同时地具有所希望的热膨胀系数
a(Fe-Ni-Co)＝5.1*10-6K-1。
还有热膨胀系数为
a(W)＝7.5*10-6K-1的
钨被证实为载体的有利材料。总体上表明，由于其韧性金属载体材料在连接过程中和在冷却到室温的过程中很不易于裂缝。
在本发明的范畴内，如果采用较短的激光脉冲，还可以在选择载体的热膨胀系数时对半导体层的热膨胀系数方面允许最大的容差。从而，如果为了从基片分离半导体层选择小的激光光束脉冲的脉冲长度，特别是小于约15ns的脉冲长度，根据本发明载体的热膨胀系数aT可以与半导体层的热膨胀系数aHL差35％或者以上。这特别是适于在较短的脉冲宽度时采用具有a(GaAs)＝6.4*10-6K-1的GaAs连接晶片。
在本发明的一个优选的扩展方案中提出，在上述的利用具有平台状的光束特性曲线的激光束的分离方法中，应用所述的带有适配的热膨胀系数的载体。这尤其还包括所说明的有利的扩展，譬如采用例如XeF、XeBr、XeCl、KrCl或KrF作激光活性介质、构成矩形或者梯形的空间射束特性曲线、发射波长选择在200nm与400nm之间，后置适当的光学系统和/或射束均化器，或者在半导体层的多个单个区域中相继地照射基片的受激准分子激光器。
此外还可以如已经说明在分离开前借助于金锌焊锡，优选地有65％重量比至85％重量比的高含金量的金锌焊锡或者钯铟焊锡，把半导体层焊接到基片上，其中，或选择地，在此前还在半导体层的背离基片的侧面上设置譬如含有金和/或铂的金属化层。
本发明所述方法的其它优点还有，通过采用热适配的载体还解决半导体层和载体之间的粘附力不足的问题，所述的粘附力不足的问题在过去例如是在与用GaAs连接晶片作载体相关联的外延GaN层中观察到的。在根据本发明的在整个层组中控制应力平衡，还包括连接金属化，并且由此在所谓的粘附问题上产生有效的补救方法。
本发明特别适用于含氮化合物半导体的半导体层。氮化合物半导体例如是化学元素周期表的第三和/或第五主族的元素氮化合物，譬如GaN、AlGaN。InGaN、AlInGaN、InN或者AlN。在此半导体层还可以包含多个不同氮化合物半导体的单层。从而半导体层例如可以有常规的pn结、双异质结、单量子势阱结构(SQW结构)或者多个单量子势阱结构(MQW结构)。这些结构是领域内普通技术人员公知的，在此不详细地说明。优选地这样的结构用于光电器件，譬如光二极管(LED)之类的发光二极管或者激光二极管。
要说明的是，总体上在本发明的范围内对于氮化合物半导体，适用含有砷化镉、锗、钼、硅或者例如在铁、镍和/或钴基础上的合金的载体。优选地应用基于上述的有利的钼、钨或者铁-镍-钴合金材料的载体。载体最好含有砷化镉、硅、铜、铁、镍和/或钴。
作为外延制造氮化合物半导体层的基片适用于例如硅、碳化硅或者氧化铝或者蓝宝石基片，其中蓝宝石基片有利地对于分离半导体层采用的激光光束，尤其在紫外线频谱区域中是透明的。这在分离开半导体层时使得能够通过基片照射半导体层。
根据本发明的方法可以有利地用在具有典型地厚度在约50μm以下的半导体层的薄层芯片。所述薄层芯片例如可以是光电芯片，尤其是产生光束的芯片，例如发光二极管芯片。
附图说明
本发明其它特点、优点和适用性在以下结合图1至8对本发明的三个实施形式的说明中得出。
在附图中：
图1A至1E是示意图示出根据五个中间步骤的根据本发明的方法的第一实施例，
图2A和2B是示意图，分别示出根据本发明的方法的第二实施例的两种变体，
图3A和3B是示意图，示出图2A中所示方法中的激光光束的特性曲线，
图4是示意图，示出图2A中所示方法中得出的强度分布，
图5是示意图，示出根据本发明的方法的第三实施例，
图6A至6C是示意图，示出采用高斯强度分布的制造方法，
图7是示意图用于说明在载体中的裂缝出现，而
图8是示意图，用于说明在半导体层中出现裂缝。
具体实施方式
在附图中相同的要素或者相同作用的要素用相同的参考标号标示。
在图中所示的方法的第一步骤中，图1A，在基片1上设置一个半导体层2。所述半导体层2可以是氮化合物半导体层，例如在蓝宝石基片上外延生长的InGaN层。此外半导体层2还可以包含多个单层，所述单层例如可以含有GaN、AlN、AlGaN、InGaN、InN或者InAlNGaN，并且相继地生长在基片1上。
在下个步骤中，图1B，把半导体层2在背离基片的侧面上设置接触金属化层3。借助于接触金属化层3在半导体层2与一个在以后的方法步骤中设置的电气连接端，例如连接线，之间达到很低的接触电阻。此外接触金属化层3改善了半导体层2的焊接特性。
所述的接触金属化层3例如可以用薄含金和/或铂的层的形式蒸镀或者喷涂。
接着在接触金属化层3上焊接载体4，图1C。作为焊锡5优选地采用含金的焊锡，例如有含金量在65％重量比至85％重量比之间，优选地75％重量比的金锌焊锡。在这的锡焊连接显示出高的导热性和在温度变化负载下的高稳定性。
锡焊连接可以在375℃的接合温度下构成，其中，必需小于1.0巴的比较小的接合压力。这样小的接合压力使得还可以在非常薄的半导体层的情况下与载体4连接而不机械地损伤半导体层2。
作为载体4例如可以采用GaAs晶片，所述GaAs晶片具有与蓝宝石相似的热膨胀系数。
优选地载体4以钼制的连接晶片的形式设置。连接晶片的热膨胀系数a(Wo)＝5.21*10-6K-1并且与蓝宝石基片的热膨胀系数a(Al2O3)＝7.5*10-6K-1相互接近，从而在半导体层2中热效应的应力保持得有利地小。此外钼有足够的韧性，从而在连接时和在从连接温度冷却到室温时在钼连接晶片中不会出现裂缝。
在本发明中还可以采用Ge晶片代替GaAs晶片。锗的热膨胀系数与GaA s的热膨胀系数相近得在此方面几乎没有区别。然而相对于GaAs晶片Ge晶片的优点是锗晶片可以轻易地锯开，其中尤其是没有含砷的有毒锯屑产生。此外，锗晶片机械上较稳定。从而譬如用200μm厚的Ge晶片已经达到足够的稳定性，相反相应的GaAs晶片厚度大于600μm。在此有利是，还不需要在其它的处理步骤中通过打磨薄化Ge晶片。最后Ge晶片一般明显地比GaAs晶片成本低。
优选地与Ge晶体相关联采用含金的焊锡或者金本身作焊锡。用之达到特别牢固地与半导体层连接。特别优选地采用金蒸镀Ge晶片，所述的金蒸镀Ge晶片可以供选择地设置AuSb表面层。
在后续的步骤中，见图1D，用带有平台形光束特性曲线7的激光光束6穿透基片1照射半导体层2。光束的能量优选地在半导体层2中被吸收，并且引起在半导体层2与基片1之间的边界面上的材料分解，从而可以接着取出基片1。
在本发明中重要的是，这样地确定光束特性曲线与耦合的光束功率，使得在基片1与半导体层2之间的边界面上局部地出现高的，足够分解材料的温度，所述的温度在半导体层厚上大大下降，使得例如熔化而不损伤载体4与半导体层之间的连接5。
有利地由于材料分解出现焊锡层的强机械负荷由锡焊层吸收，从而甚至可以无破坏地从基片上分离开数微米厚度的半导体层。
激光光束6的横向光束特性曲线7同样地在图1D中示出。光束强度沿线AA-示出。光束特性曲线7具有一个中心区域17，在该中心区域17中强度大体上是恒定的。横向连接在中心区域17上的是侧边区域18，在其中光强度急剧下降。视下降的方式，光线特性曲线相当于梯形的(线性下降的)或者在特别急剧下降的情况下相当于矩形。
照射光源特别适用Xef-受激准分子激光器。由于受激准分子激光器的高放大倍数和典型的谐振器几何状态空间的光束特性曲线是平面形并且因此特别是适用于本发明。此外1KW至100MW范围以及发射波长在紫外线光谱范围的受激准分子激光器的高脉冲尖峰强度在本发明中是有利的。
激光光束借助于适当的光学系统穿过基片聚焦在半导体层2上并且在此具有约1mm×2mm或者以上的典型光束面。在光束面以内的强度分布在很大的程度上是均匀的，其中达到200mJ/cm2和800mJ/cm2之间的能量密度。该能量密度与均匀的强度分布相关联使得能够无残余物地从基片分离半导体层。
这举例地用实验说明蓝宝石基片上的InGaN层。具体地，用波长为351nm和脉冲宽度为25ns的XeF受激准分子激光器的脉冲激光光束照射InGaN半导体层。然而蓝宝石基片对于该波长的光束是透明的，该光束在InGaN半导体层中被强烈吸收。在对基片的过渡的薄的边界层通过能量注入加热到800℃至1000℃的温度。在这样的温度下光点中的半导体材料分解释放氮气，并且在半导体层14与基片12之间的连接分离。
作为可替代的方案，可以用KrF受激准分子激光器进行比较无残留物的分离。发射波长为约248nm，远在紫外线光谱范围内。还有，在尺寸为30mmx10mm的较大光束横截面时，相应地在150mJ/cm2至600mJ/cm2之间，优选地150mJ/cm2至450mJ/cm2之间的能量密度足够从基片无残留物地分离半导体层。此外，事实表明，发射波长约为282nm、308nm或者222nm的XeBr、XeCl和KrCl受激准分子激光器，适用于本发明。
在用激光光束照射后可以取下基片1，参见图1E，其中半导体层2可以在很大程度上没有基片残留物地保留在载体4上并且可以去进一步加工。
图2A中示出根据本发明的方法的第二实施例。与图1所示方法的区别在于，此处半导体层2的各个区域8相继受激光光束照射。近似矩形的各个区域8全平面地稍有重叠地排列。在此重叠起补偿光束特性曲线7的侧边区域18中的强度下降的作用。各个区域此外阵列样地安排，其中从尽可能均匀的强度分布的角度上相互错开阵列的行是有利的。各个区域8的替代安排在示意图2B中示出。
各个区域8内部激光的光束特性曲线在图3A和3B中示出。在图3A中强度沿图2A或2B中标出的坐标系9的x轴画出，图3B示出沿Y轴的相应强度特性曲线。两个特性曲线都是平台状的并且具有中心区域17a、17b，在中心区域17a、17b上接着具有陡然强度下降的侧边18a、18b。
由此，在图2A中所示的对半导体层的各个照射得出的强度分布在图4中示出。图中表示的是在整个照射时间上沿线B-B积分的强度。这在半导体层2的整个表面上得出很大程度上均匀的，近似恒定的强度分布，该强度分布使得能够无残留物地从基片1分离半导体层2。
相反，在图6中示出现有技术在光束特性曲线方面相应的方法。在此采用的激光，例如三倍频的Nd:YAG激光，具有近似于圆形的光束面，所述的光束面有高斯形的光束特性曲线15。
在图6A中示出相应于图2A或2B的半导体层的相继受照射的区域14的网目样安排。
所属的光束特性曲线15，也就是沿坐标系9的x轴或y轴的强度分布在图6B中示出。由于也产生圆形光束面的旋转对称的强度分布，沿两个轴的强度分布近似地相同，该强度分布相应于具有最大强度在坐标系9的原点的高斯曲线。
为了用这样的激光光束达到分解阈值，一般地要求聚焦光束。在此能量密度照射在中心超过分解阈值，而在侧边区域对于材料分解又过低。在如图6所示网目状地照射半导体层时不能够达到如图4所示的近似恒定的强度分布。在整个光束特性曲线上的强度变化尤其是在光束中心突出的强度最大值导致在半导体层上无数的强度最大值和最小值。
在整个照射时间上沿图6A所示的线C-C积分的强度的示例性特性曲线13在图6C中示出。强度特性曲线13的变化导致不均匀的材料分解，其中特别是在强度分布的最低点可低于分解阈值。
在达不到材料分解所需要的能量密度的位置，保留半导体材料。由于在这个位置的周围的材料分解，也许利用气体产生，例如在氮化合物半导体的情况中的氮气，可以在局部产生高压，通过这种高压从基片中拽出颗粒。这些颗粒可能保留在没有分解的半导体材料的位置上，从而在分离开的半导体层上残留最终的基片残留物。
为了绕过此问题，可在常规的方法中进一步提高光束强度。但是这样通过在强度最大的位置上过热而出现损伤半导体层的风险。
在图5中示出根据本发明的方法的第三实施例。与图1和图2所示的方法的区别是，此处激光光束在半导体层2上成像，从而形成条形光束面19。在此该光束面19长度是a而宽度是b，其中长度a明显地大于宽度b。一个相应的光束面可在一个受激准分子激光器11处例如借助于一个适当的掩膜光学系统12来构成。优选地长度a大于半导体层2的相应尺寸，从而在该方向完全地照射半导体层2。在光束特性曲线的侧边区域18的强度下降在此不影响分离方法，因为侧边区域18位于半导体层2的外部。
在照射的过程中沿宽度b方向移动半导体层2，从而均匀地照射整个半导体层2。有典型地在纳秒范围内的，足够短的脉冲宽度的脉冲激光器中，在此又在半导体层2上得出相继的条形单面的照射，因为大体上在激光脉冲之间继续移动半导体层2并且相对这种运动即刻地进行照射。
借助于实施例对本发明的说明当然不能够理解成对本发明的限制。更确切地说，所述实施例的各个方面可以在本发明的范围内在很大程度上自由地结合。

Claims (33)

1.用于制造半导体器件的方法，其中通过激光光束(6)照射把半导体层(2)从基片(1)分离开，
其特征在于，
在与基片(1)分离之前，把半导体层(2)用背离基片(1)的一侧附着在一个载体(4)上，并且，
以与光束特性曲线和/或激光光束脉冲的脉冲长度相协调的方式和与半导体层的热膨胀系数aHL和基片的热膨胀系数as相协调的方式来选择载体的热膨胀系数aT以降低制造过程中在基片、半导体层和载体之间的张力。
2.如权利要求1所述方法，其特征在于，在与基片(1)分离之前，把半导体层(2)用背离基片(1)的一侧焊接在载体(4)上。
3.如权利要求1所述方法，其特征在于，激光光束(6)是脉冲的。
4.如权利要求1-3之一所述方法，其特征在于，选择载体的热膨胀系数aT比基片的热膨胀系数as更接近半导体层的热膨胀系数aHL。
5.如权利要求1-3之一所述方法，其特征在于，载体的热膨胀系数aT与基片的热膨胀系数as相差45％以下。
6.如权利要求1-3之一所述方法，其特征在于，载体的热膨胀系数aT与基片的热膨胀系数as相差40％以下。
7.如权利要求1至3之一所述方法，其特征在于，载体的热膨胀系数aT与半导体层的热膨胀系数aHL差35％以下。
8.如权利要求1至3之一所述方法，其特征在于，载体的热膨胀系数aT与半导体层的热膨胀系数aHL差25％以下。
9.如权利要求1至3之一所述方法，其特征在于，载体的热膨胀系数在4.3*10-6K-1与5.9*10-6K-1之间。
10.如权利要求1至3之一所述方法，其特征在于，载体的热膨胀系数在4.6*10-6K-1与5.3*10-6K-1之间。
11.如权利要求1至3之一所述方法，其特征在于，载体(4)含有砷化镉、硅、铜、铁、镍和/或钴。
12.如权利要求1至3之一所述方法，其特征在于，载体含有钼。
13.如权利要求1至3之一所述方法，其特征在于，载体含有铁-镍-钴合金。
14.如权利要求1至3之一所述方法，其特征在于，载体含有钨。
15.如权利要求1至3之一所述方法，其特征在于，载体含有锗。
16.如权利要求1至3之一所述方法，其特征在于，为了从基片分离半导体层选择大于15ns的脉冲长度。
17.如权利要求1至3之一所述方法，其特征在于，载体的热膨胀系数aT与半导体层的热膨胀系数aHL相差35％或者以上，并且其中，为了从基片分离开半导体层而选择小于15ns的脉冲长度。
18.如权利要求1至3之一所述方法，其特征在于，借助于含金和/或锌或者钯和/或铟的焊锡把半导体层(2)焊接在载体上。
19.如权利要求1至3之一所述方法，其特征在于，在半导体层(2)与载体(4)连接之前，在半导体层(2)的背离基片(1)的侧面上设置金属化层。
20.如权利要求19所述方法，其特征在于，金属化层含有金和/或铂。
21.如权利要求1至3之一所述方法，其特征在于，半导体层(2)包含多个单层。
22.如权利要求1至3之一所述方法，其特征在于，半导体层(2)含有氮化合物半导体。
23.如权利要求22所述方法，其特征在于，氮化合物半导体是第三和/或第五主族元素的氮化合物。
24.如权利要求22所述方法，其特征在于，半导体层(2)含有0≤x≤1、0≤y≤1且x+y≤1的InxAlyGa1-x-y。
25.如权利要求22所述方法，其特征在于，半导体层(2)含有GaN、AlGaN、InGaN、AlInGaN、AlN、InN之一。
26.如权利要求1至3之一所述方法，其特征在于，基片(1)含有硅、碳化硅或者氧化铝。
27.如权利要求26所述方法，其特征在于，氧化铝是蓝宝石。
28.如权利要求1至3之一所述方法，其特征在于，半导体层(2)借助于外延方法设置在基片(1)上。
29.如权利要求1至3之一所述方法，其特征在于，半导体层(2)具有小于或者等于50μm的厚度。
30.如权利要求1至3之一所述方法，其特征在于，半导体器件包含所生长的半导体层，该所生长的半导体层的生长的基片至少部分地从该半导体层分离开。
31.如权利要求1至3之一所述方法，其特征在于，半导体器件是一个光电器件。
32.如权利要求31所述方法，其特征在于，该光电器件是产生光束的器件。
33.如权利要求32所述方法，其特征在于，该产生光束的器件是发光二极管。
CN038029162A 2002-01-31 2003-01-30 制造半导体器件的方法 Expired - Lifetime CN1714459B (zh)

Applications Claiming Priority (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE10203795.7 2002-01-31
DE10203795.7A DE10203795B4 (de) 2002-01-31 2002-01-31 Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelements
DE10243757.2 2002-09-20
DE10243757A DE10243757A1 (de) 2002-01-31 2002-09-20 Verfahren zur Herstellung von Halbleiterchips
PCT/DE2003/000260 WO2003065420A2 (de) 2002-01-31 2003-01-30 Verfahren zur herstellung eines halbleiterbauelements

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN1714459A CN1714459A (zh) 2005-12-28
CN1714459B true CN1714459B (zh) 2010-06-23

Family

ID=27618252

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN038029162A Expired - Lifetime CN1714459B (zh) 2002-01-31 2003-01-30 制造半导体器件的方法

Country Status (2)

Country Link
CN (1) CN1714459B (zh)
DE (1) DE10203795B4 (zh)

Families Citing this family (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI226139B (en) 2002-01-31 2005-01-01 Osram Opto Semiconductors Gmbh Method to manufacture a semiconductor-component
KR101058302B1 (ko) * 2003-01-31 2011-08-22 오스람 옵토 세미컨덕터스 게엠베하 박막 반도체 소자 및 상기 소자의 제조 방법
US8524573B2 (en) 2003-01-31 2013-09-03 Osram Opto Semiconductors Gmbh Method for separating a semiconductor layer from a substrate by irradiating with laser pulses
US7965031B2 (en) 2003-09-24 2011-06-21 Osram Gesellschaft mit beschränkter Haftung White-emitting LED having a defined color temperature
EP1670875B1 (de) 2003-09-24 2019-08-14 Patent-Treuhand-Gesellschaft für elektrische Glühlampen mbH Hocheffizientes beleuchtungssystem auf led-basis mit verbesserter farbwiedergabe
JP5032130B2 (ja) 2004-01-26 2012-09-26 オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング 電流拡散構造を有する薄膜ｌｅｄ
US7202141B2 (en) 2004-03-29 2007-04-10 J.P. Sercel Associates, Inc. Method of separating layers of material
DE102005025416A1 (de) 2005-06-02 2006-12-14 Osram Opto Semiconductors Gmbh Lumineszenzdiodenchip mit einer Kontaktstruktur
DE102005047152A1 (de) 2005-09-30 2007-04-12 Osram Opto Semiconductors Gmbh Epitaxiesubstrat, Verfahren zu seiner Herstellung und Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterchips
CN110972418B (zh) * 2018-09-30 2022-01-07 比亚迪股份有限公司 电子设备壳体、电子设备和复合体
KR102178626B1 (ko) * 2018-10-30 2020-11-16 에이피시스템 주식회사 적층구조물 박리 방법, 유기발광소자 수리 방법 및 적층구조물 박리장치

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0247331A2 (en) * 1986-04-28 1987-12-02 International Business Machines Corporation Removal of excess material from a semiconductor wafer
US4749840A (en) * 1986-05-16 1988-06-07 Image Micro Systems, Inc. Intense laser irradiation using reflective optics
US5326424A (en) * 1989-12-06 1994-07-05 General Motors Corporation Cubic boron nitride phosphide films
US6071795A (en) * 1998-01-23 2000-06-06 The Regents Of The University Of California Separation of thin films from transparent substrates by selective optical processing
US6136141A (en) * 1998-06-10 2000-10-24 Sky Solar L.L.C. Method and apparatus for the fabrication of lightweight semiconductor devices

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE4324318C1 (de) * 1993-07-20 1995-01-12 Siemens Ag Verfahren zur Serienverschaltung einer integrierten Dünnfilmsolarzellenanordnung
DE19640594B4 (de) * 1996-10-01 2016-08-04 Osram Gmbh Bauelement
US5998291A (en) * 1997-04-07 1999-12-07 Raytheon Company Attachment method for assembly of high density multiple interconnect structures

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0247331A2 (en) * 1986-04-28 1987-12-02 International Business Machines Corporation Removal of excess material from a semiconductor wafer
US4749840A (en) * 1986-05-16 1988-06-07 Image Micro Systems, Inc. Intense laser irradiation using reflective optics
US5326424A (en) * 1989-12-06 1994-07-05 General Motors Corporation Cubic boron nitride phosphide films
US6071795A (en) * 1998-01-23 2000-06-06 The Regents Of The University Of California Separation of thin films from transparent substrates by selective optical processing
US6136141A (en) * 1998-06-10 2000-10-24 Sky Solar L.L.C. Method and apparatus for the fabrication of lightweight semiconductor devices

Non-Patent Citations (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
C. T. Angelis, C. A, Dimitriadis, F. V. Farmakis, et al..Electrical and noise properties of thin-film transistors on verythin excimer laser annealed polycrystalline silicon films.APPLIED PHYSICS LETTERS74 24.1999,74(24),3684-3686.
C. T. Angelis, C. A, Dimitriadis, F. V. Farmakis, et al..Electrical and noise properties of thin-film transistors on verythin excimer laser annealed polycrystalline silicon films.APPLIED PHYSICS LETTERS74 24.1999,74(24),3684-3686. *
Daniel Toet, Michael O. Thompson, Patrick M. Smith, et al..Thin Film Transistors Fabricated in Printed Silicon.JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS38 10A.1999,38(10A),L1149-L1152.
Daniel Toet, Michael O. Thompson, Patrick M. Smith, et al..Thin Film Transistors Fabricated in Printed Silicon.JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS38 10A.1999,38(10A),L1149-L1152. *
JP特开2000-196197A 2000.07.14
W. S. Wong, Y. Cho, E.R. Weber, et al..Structural and optical quality ofGaN/metals/Siheterostructures fabricated by excimer laserlift-off.APPLIED PHYSICS LETTERS75 13.1999,75(13),1887-1889.
W. S. Wong, Y. Cho, E.R. Weber, et al..Structural and optical quality ofGaN/metals/Siheterostructures fabricated by excimer laserlift-off.APPLIED PHYSICS LETTERS75 13.1999,75(13),1887-1889. *
吴学华，J. S. Speck，吴自勤.高质量GaN外延薄膜的生长.物理27 01.1999,27(01),44-51.
吴学华,J. S. Speck,吴自勤.高质量GaN外延薄膜的生长.物理27 01.1999,27(01),44-51. *
张国义，刘弘度，王舒民.III-V氮化物与蓝光LEDs(I).应用基础与工程科学学报3 1.1995,3(1),1-13.
张国义,刘弘度,王舒民.III-V氮化物与蓝光LEDs(I).应用基础与工程科学学报3 1.1995,3(1),1-13. *

Also Published As

Publication number Publication date
DE10203795A1 (de) 2003-08-21
DE10203795B4 (de) 2021-12-09
CN1714459A (zh) 2005-12-28

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US8598014B2 (en) Method for producing a semiconductor element
CN100530705C (zh) 用于制造一个半导体元器件的方法
TWI424588B (zh) Semiconductor light emitting device manufacturing method
JP4883991B2 (ja) レーザーリフトオフ法およびレーザーリフトオフ装置
US7488667B2 (en) Method for manufacturing nitride-base semiconductor element and nitride-base semiconductor element
CN1937271B (zh) 氮化物类半导体元件的制造方法
CN1714459B (zh) 制造半导体器件的方法
JP2007221051A (ja) 窒化物系半導体素子の製造方法
US20060180804A1 (en) Thin-film semiconductor component and production method for said component
JP2005268775A (ja) 半導体発光素子及びその製造方法
KR20070039195A (ko) 열적 안정성이 개선된 반도체 소자 및 이의 제조방법
DE10303977A1 (de) Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelements
DE10243757A1 (de) Verfahren zur Herstellung von Halbleiterchips
DE20220258U1 (de) Halbleiterchip
WO2007089077A1 (en) Iii-nitride semiconductor light emitting device and method of manufacturing the same

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant
CX01 Expiry of patent term

Granted publication date: 20100623

CX01 Expiry of patent term