CN1477722A - 发光二极管的构造改良 - Google Patents

发光二极管的构造改良 Download PDF

Info

Publication number
CN1477722A
CN1477722A CNA031330843A CN03133084A CN1477722A CN 1477722 A CN1477722 A CN 1477722A CN A031330843 A CNA031330843 A CN A031330843A CN 03133084 A CN03133084 A CN 03133084A CN 1477722 A CN1477722 A CN 1477722A
Authority
CN
China
Prior art keywords
improvement
light
emitting diode
electrode
led configurations
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CNA031330843A
Other languages
English (en)
Other versions
CN1222052C (zh
Inventor
林明德
许荣贵
林三宝
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Opto Tech Corp
Original Assignee
Opto Tech Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Opto Tech Corp filed Critical Opto Tech Corp
Priority to CNB031330843A priority Critical patent/CN1222052C/zh
Publication of CN1477722A publication Critical patent/CN1477722A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN1222052C publication Critical patent/CN1222052C/zh
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/11—Manufacturing methods
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/19—Details of hybrid assemblies other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/191—Disposition
    • H01L2924/19101—Disposition of discrete passive components
    • H01L2924/19107—Disposition of discrete passive components off-chip wires

Landscapes

  • Led Device Packages (AREA)
  • Led Devices (AREA)

Abstract

本发明是有关于一种发光二极管，尤指一种可适用于平面型发光二极管的构造改良，其主要是利用一导电片直接固着于发光二极管磊晶片的第一电极或第二电极，用以取代现有覆晶发光二极管的锡球构造，如此不仅可增加其散热效率以增加其稳定度及使用寿命，亦可在不使用覆晶发光二极管的封装制作方式下，即可得到与覆晶发光二极体相同的发光导出效果。

Description

发光二极管的构造改良
技术领域
本发明是有关于一种发光二极管，尤指一种可适用于平面型发光二极管的构造改良，其可在不使用覆晶发光二极体的封装制作方式下，即可得到与覆晶发光二极管相同的发光导出效果。
背景技术发光二极管(LED；Light-Emitting Diode)由于具备有亮度高、电能损耗低、重量轻、使用寿命长及无高污染材料的优点，因此是为现代生活中的重要发光元件。而在发光二极管发展历程中，如何有效提高发光亮度及增加散热效率，一直以来皆为业界所研发的重点所在。其中，为改善现有LED构造因为接线垫(bondingpad)所造成的阻光遗憾，于是业界发展出一种覆晶发光二极管构造(flip chip LED)，如图1所示。其主要是将一发光晶粒17予以倒置，而将其第一电极177及第二电极179分别藉由第一锡球171及第二锡球175与基板11上的第一供电线路13及第二供电线路15电性连接。当发光晶粒17的磊晶层174发光时，其投射光线将朝具有透光效果的晶粒基板172方向投射出去，如虚线箭头所示。虽然，覆晶封装LED构造可有效解决现有LED投射光源被电极或接线垫吸收的遗憾，但覆晶封装LED在制作过程中不仅需要昂贵的植球机机器，且亦需要精确的对准技术，徒增制程上的成本支出及困难度，再者，其导热效果亦存在有其可提升的空间。
因此，如何设计出一种新颖的发光二极管结构，不仅可利用较低的成本支出即可得到与现有覆晶封装LED相同的出光效果，亦可提供良好的导热效率，以提升其使用寿命，此即本发明的发明重点。
发明内容
本发明的主要目的，在于提供一种发光二极管构造改良，可有效改善上述现有发光二极管所面临的技术困难点。
本发明的次要目的，在于提供一种发光二极管构造改良，利用简单导电片即可在不需要植球机等昂贵机器的情况下，以获得与覆晶封装发光二极管相同的发光导出效果，不仅可以简化制作流程，亦可相对降低制作成本。
本发明的又一目的，在于提供一种发光二极管构造改良，利用简单导电片以作为散热管道，不仅可以有效提升其导热效率，亦可因此而大幅增加其发光亮度及使用寿命。
为达成上述目的，本发明主要构造是包括：一基板；一固设于基板上具有PN界面的发光二极管磊晶层，该磊晶层的同一表面部分位置个别设有第一电极及第二电极；及至少一导电片固设于第一电极、第二电极及其组合式的其中之一。一种发光二极管的构造改良，其主要构造是包括有：
一晶粒基板；
一固设于该晶粒基板上具有一PN界面的发光二极体磊晶层，该磊晶层的同一表面部分位置个别设有一第一电极及一第二电极；及
至少一导电片，固设于该第一电极、第二电极及其组合式的其中之一。
所述的发光二极管构造改良，其中该导电片是由一具有散热功能的材料所制成。
所述的发光二极管构造改良，其中该发光二极管是为一覆晶构装型发光二极管。
所述的发光二极管构造改良，其中该导电片是可弯折成任意几何形状。
所述的发光二极管构造改良，其中该导电片是为一“L”型态样。
所述的发光二极管构造改良，其中该LED是为一SMD型发光二极管。
所述的发光二极管构造改良，尚包括有至少一引线，可个别固设于该导电片上。
所述的发光二极管构造改良，其中该导电片是可为该第一电极、第二电极及其组合式的其中之一的延伸电极，该延伸电极可延伸超出发光二极管磊晶层侧边的垂直延伸位置。
所述的发光二极管构造改良，尚包括有一反光层，固设于该磊晶层与第一电极之间。
所述的发光二极管构造改良，尚包括至少有一供电线路，该供电线路内可用以置放该发光二极管。
所述的发光二极管构造改良，尚包括有一散热层，设于该供电线路内，并用以包覆该发光二极管的表面。
所述的发光二极管构造改良，其中该散热层主要是包覆于该PN界面的周边位置。
所述的发光二极管构造改良，尚包括有一保护层，设于供电线路内，并用以包覆该发光二极管的表面。
所述的发光二极管构造改良，其中该保护层内尚可设有一色彩转换层。
所述的发光二极管构造改良，其中该色彩转换层是可选择由一荧光体、磷光体及其组合式其中之一所组成。
附图说明
图1是现有覆晶封装发光二极管的构造截面图；
图2是本发明发光二极管一较佳实施例的构造截面图；
图3是本发明又一实施例的构造剖视图；
图4是本发明又一实施例的构造剖视图；
图5是本发明又一实施例的构造剖视图。
具体实施方式
首先，请参阅图2，是为本发明发光二极管一较佳实施例的构造截面图；如图所示，本发明发光二极管的发光晶粒28如同于一般的平面型发光二极管，主要构造是包括有一晶粒基板282，且在晶粒基板282上形成有一具有PN界面的磊晶层284，磊晶层284的同一表面上再个别设有一第一电极287及第二电极289。而在第一电极287上再固设有一具导电功效的导电片21，且在导电片21及第二电极289上分别藉由一第一引线215及第二引线255而与一相对应的供电线路(未显示)电性连接。当磊晶层284的PN界面工作而产生投射光源时，其投射光源将可经由具有透光效果的晶粒282方向投射出去，如虚线箭头所示。
由于本发明发光二极管的投射光源是可经由晶粒基板282方向投射出去，因此，其发光导出效果即如同于现有覆晶封装发光二极管构造，但其却不必使用如现有覆晶封装发光二极管所需要的植球机及精确对准技术，所以可相对简化制作流程及降低技术困难度，当然亦可相对大幅降低生产成本。
又，该导电片21是可选择一具有良好导热效果的材质所制成，当发光磊晶层284的PN界面工作而产生高热时，其工作热源可藉由导电片21而传导于发光元件外，因此，不仅可维持发光晶粒28各构成元件的工作稳定性及发光产生量，且亦可有效提升元件的使用寿命。
再者，请参阅图3，是为本发明又一实施例的构造截面图；如图所示，在此实施例中，其主要是在发光晶粒28的第二电极289上再固设有一具有导电或导热功效的导电片35，导电片35再藉由第二引线355而与一供电线路(未显示)电性连接。
由于，发光二极管的打线垫位置及打线程序是分别在导电片21、35上实施，而非直接在发光晶粒28上，因此，其对发光晶粒28所可能形成的损害亦获得明显改善，相对可提升发光二极管的生产良率。
又，在发光磊晶层284与第一电极287之间亦可设有一具有反光效果的反光层288，该反光层288可将PN界面所产生而投向该方向的投射光源反射至晶粒基板282方向，如虚线箭头所示，藉此以提升发光亮度。
另外，请参阅图4，是为本发明又一实施例的构造截面图；如图所示，在此实施例中，其主要是将发光晶粒28置放于一供电线路461、462之间，且利用一具有导热功效的散热层43予以包覆发光晶粒28的部分或全部表面，而散热层43可适时将PN界面所产生的工作高热予以排除于元件外，因此，散热层43在最佳状况下是需包覆于PN界面周边位置。
又，一具透光效果的保护层47设于散热层43的表面及供电线路461、462之间，藉此以保护发光晶粒28。而保护层47内亦可设有至少一如荧光体或磷光体所组成的色彩转换层475，经由该色彩转换层475的作用而可将投射光源转换成其它波长或色彩，因此，可达到产生全彩或白光的效果。当然，散热层43与保护层47亦可为同一材质所制成，且，散热层43内亦可存在有色彩转换层。
又，导电片21、35亦可作为第一电极287或第二电极289的延伸电极，如在此实施例中所示的第二电极489，其延伸电极45可与第二电极489成为一体，且可超过发光晶粒28侧边的垂直延伸位置，在延伸电极45上再固设第二引线355。
最后，请参阅图5，是为本发明又一实施例的构造截面图；如图所示，其主要是将与第一电极287、第二电极289电性连接的导电片41、55弯折成“L”型或其它几何形状态样的导电片，如此，该发光二极管即可成为一SMD型发光二极管，藉此以扩大本发明的实际使用类型。当然，为了预防导电片41、55的不正常电性连接，因此，在导电片41、55与发光晶粒28之间亦可设有一绝缘层49、495。
综上所述，当知本发明是有关于一种发光二极管，尤指一种可适用于平面型发光二极管的构造改良，其可在不使用覆晶发光二极管的封装制作方式下，即可得到与覆晶发光二极管相同的发光导出效果。故本发明实为一具有新颖性、进步性及可供产业上利用者，应符合我国专利法专利申请要件无疑。
但以上所述，仅为本发明的一较佳实施例而已，并非用来限定本发明实施的范围，即凡依本发明申请专利范围所述的形状、构造、特征及精神所为的均等变化与修饰，均应包括于本发明的权利要求范围内。

Claims (15)

1、一种发光二极管的构造改良，其特征在于，其主要构造是包括有：
一晶粒基板；
一固设于该晶粒基板上具有一PN界面的发光二极体磊晶层，该磊晶层的同一表面部分位置个别设有一第一电极及一第二电极；及
至少一导电片，固设于该第一电极、第二电极及其组合式的其中之一。
2、如权利要求1所述的发光二极管构造改良，其特征在于，所述该导电片是由一具有散热功能的材料所制成。
3、如权利要求1所述的发光二极管构造改良，其特征在于，所述该发光二极管是为一覆晶构装型发光二极管。
4、如权利要求1所述的发光二极管构造改良，其特征在于，所述该导电片是可弯折成任意几何形状。
5、如权利要求1所述的发光二极管构造改良，其特征在于，所述该导电片是为一“L”型态样。
6、如权利要求5所述的发光二极管构造改良，其特征在于，所述该LED是为一SMD型发光二极管。
7、如权利要求1所述的发光二极管构造改良，其特征在于，包括有至少一引线，可个别固设于该导电片上。
8、如权利要求1所述的发光二极管构造改良，其特征在于，所述该导电片是可为该第一电极、第二电极及其组合式的其中之一的延伸电极，该延伸电极可延伸超出发光二极管磊晶层侧边的垂直延伸位置。
9、如权利要求1所述的发光二极管构造改良，其特征在于，包括有一反光层，固设于该磊晶层与第一电极之间。
10、如权利要求1所述的发光二极管构造改良，其特征在于，包括至少有一供电线路，该供电线路内可用以置放该发光二极管。
11、如权利要求1所述的发光二极管构造改良，其特征在于，包括有一散热层，设于该供电线路内，并用以包覆该发光二极管的表面。
12、如权利要求11所述的发光二极管构造改良，其特征在于，所述该散热层主要是包覆于该PN界面的周边位置。
13、如权利要求11所述的发光二极管构造改良，其特征在于，包括有一保护层，设于供电线路内，并用以包覆该发光二极管的表面。
14、如权利要求13所述的发光二极管构造改良，其特征在于，所述该保护层内尚可设有一色彩转换层。
15、如权利要求14所述的发光二极管构造改良，其特征在于，所述该色彩转换层是可选择由一荧光体、磷光体及其组合式其中之一所组成。
CNB031330843A 2003-07-23 2003-07-23 发光二极管 Expired - Fee Related CN1222052C (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CNB031330843A CN1222052C (zh) 2003-07-23 2003-07-23 发光二极管

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CNB031330843A CN1222052C (zh) 2003-07-23 2003-07-23 发光二极管

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN1477722A true CN1477722A (zh) 2004-02-25
CN1222052C CN1222052C (zh) 2005-10-05

Family

ID=34154217

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CNB031330843A Expired - Fee Related CN1222052C (zh) 2003-07-23 2003-07-23 发光二极管

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN1222052C (zh)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1324719C (zh) * 2004-04-01 2007-07-04 光磊科技股份有限公司 一种发光二极管
CN101834254A (zh) * 2006-09-22 2010-09-15 晶元光电股份有限公司 发光组件及其制造方法
CN101834254B (zh) * 2006-09-22 2016-12-14 晶元光电股份有限公司 发光组件及其制造方法

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1324719C (zh) * 2004-04-01 2007-07-04 光磊科技股份有限公司 一种发光二极管
CN101834254A (zh) * 2006-09-22 2010-09-15 晶元光电股份有限公司 发光组件及其制造方法
CN101834254B (zh) * 2006-09-22 2016-12-14 晶元光电股份有限公司 发光组件及其制造方法

Also Published As

Publication number Publication date
CN1222052C (zh) 2005-10-05

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN101051665B (zh) 具有阳极化绝缘层的发光二极管封装及其制造方法
JP5038147B2 (ja) 発光体、及び前記発光体を製造する方法
CN1591924A (zh) 表面安装型led及使用它的发光装置
TWI397193B (zh) Light emitting diode chip element with heat dissipation substrate and method for making the same
CN102347425B (zh) 发光装置以及照明装置
US20130313514A1 (en) Semiconductor light emitting device
CN1855561A (zh) 发光二极管封装的制造方法
CN1754268A (zh) 照明模块及其制造方法
CN1461498A (zh) 使用led芯片的发光装置
CN101060159A (zh) 具有多阶梯反射表面结构的发光二极管封装及其制造方法
CN1707823A (zh) 大功率led封装
CN1856884A (zh) 照明装置
CN102185091A (zh) 一种发光二极管器件及其制造方法
TWI496323B (zh) 發光模組
US20210320233A1 (en) Light-emitting device and illuminating apparatus comprising the same
CN2867600Y (zh) 发光二极管封装结构
JP2012044218A (ja) 発光装置
CN102759024B (zh) Led光源及其制造方法
US9029898B2 (en) Light emitting diode and illumination device using same
JP5275140B2 (ja) 照明装置及び発光装置
JP2007294838A (ja) 発光ダイオードのパッケージ構造
CN102280563A (zh) 一种高功率led柔性封装
CN105789153A (zh) 发光装置
CN1905220A (zh) 发光二极管封装结构
CN1298059C (zh) 一种镶嵌式功率型led光源的封装结构

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant
C17 Cessation of patent right
CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee

Granted publication date: 20051005