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CN1298123A - 电子照相感光体及其制造方法 - Google Patents

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CN1298123A
CN1298123A CN 00128352 CN00128352A CN1298123A CN 1298123 A CN1298123 A CN 1298123A CN 00128352 CN00128352 CN 00128352 CN 00128352 A CN00128352 A CN 00128352A CN 1298123 A CN1298123 A CN 1298123A
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佐佐木辉夫
原健一
中村洋一
铃木信二郎
喜纳秀树
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富士电机影像器材有限公司
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    • G03G5/0664Dyes
    • G03G5/0696Phthalocyanines

Abstract

公开一种电子照相感光体,它包括导电基片和在该导电基片上至少含有酞菁化合物作为光敏材料的光敏层,其中,按1摩尔所述酞菁化合物计,所述光敏层包括100nmol—200mmol带邻苯二甲腈化合物作为配位体的金属酞菁化合物。该感光体具有优良的电位保持率。还提供该感光体的制造方法,包括用涂料液涂覆形成光敏层的步骤,从而使得到的光敏层具有高的电位保持率。

Description

电子照相感光体及其制造方法

本发明涉及电子照相感光体(下面简称为感光体)及其制造方法,具体地说,本发明涉及由有机材料于导电基片上形成的光敏层中包括改进的光敏材料的感光体,从而显示出优良的电位保持率。这种电子照相用感光体适用于采用电子照相法的打印机、复印机或传真机。本发明还涉及这种感光体的制造方法。

电子照相感光体一般需要具有在黑暗中保持表面电荷,受光后产生电荷并且受光后转移电荷的功能。已知类型的感光体包括所谓的单层型感光体(它在单一层中具有所述功能)和所谓功能分离的叠层型感光体,叠层型感光体具有一层主要用于产生电荷的层和一层用于在黑暗中保持表面电荷而受光转移电荷的层。

这些类型的感光体用于用已知的电子照相方法(如Carlson法)形成影象。用这种方法形成影象是通过在黑暗中利用电晕放电对感光体充电,在该感光体带电表面上形成静电潜影(如原文的字符或图画),用上色剂粉末显影如此形成的静电影象并将构成影象的该上色剂粉末转移并固定在载体(如纸)上而实现的。上色剂粉末转移后,使感光体消除静电,除去残留的上色剂粉末,用光照抹去残留的电荷就可重新使用该感光体。

对于电子照相感光体的光敏材料,业已使用的有分散在树脂粘合剂中的无机光电导剂,如硒、硒合金、氧化锌和氧化镉,以及例如分散在树脂粘合剂中或者真空沉积的有机光电导剂,如聚N-乙烯基咔唑、聚乙烯基蒽、酞菁化合物或双偶氮化合物。

在这些有机光敏材料中,已对酞菁化合物的合成方法进行了广泛的研究,包括研究在合成过程中作为副产品的衍生杂质。日本未审查专利公开No.平3-35245公开了对合成钛氧基氧代酞菁过程中副产品氯化钛氧基酞菁的研究结果,确认过去的实施例中氯的含量为0.38-5重量%。该文献还公开了对不产生氯化酞菁副产品的钛氧基氧代酞菁合成方法的详细研究结果。

另外,如I.M.Keen和B.W.Malerbi在J.Inorg.Nucl.Chem.,Vol.27,p1311-1319(1965)所述,已知酞菁化合物分子结构,可以邻苯二甲腈化合物作为配位体。作为分子结构中邻苯二甲腈化合物作为配位体的金属酞菁化合物的例子,该文献公开了邻苯二甲腈(酞菁)氯合钌(Ⅲ)、邻苯二甲腈(酞菁)氯合锇(Ⅲ)、邻苯二甲腈(酞菁)二氧合锇(Ⅵ)和邻苯二甲腈(一氯酞菁)氯合铱(Ⅲ)。

但是除了上述I.M.Keen等的文献以外,其它文献均未提到过这类金属酞菁。具体地说,该文献例举的金属酞菁限于铂族元素,未公开过带有邻苯二甲腈化合物作为配位体的其它金属酞菁化合物。因此,从未研究过感光体中这类金属酞菁的用量与电位保持率之间的关系。

日本未审查专利申请No.平5-273775和平9-230615报道了钛氧基酞菁与二元醇反应形成钛配合物。但是,这些文献的目的是要获得高灵敏度的感光体,而与获得高电位保持率无关。另外,这些文献未提到带有邻苯二甲腈化合物作为配位体的金属酞菁化合物。

如上所述,已知在感光体中使用酞菁化合物作为光敏材料,并且对该化合物的合成、纯化和副产品进行了许多研究工作。但是,目前为止不知道不含氯的邻苯二甲腈化合物的聚合产物与电子照相感光体特性的关系。尽管已经公开了酞菁化合物的各种合成方法,但是不知道合成酞菁化合物时的副产品的类型和含量与电子照相特性,尤其是电位保持率之间的关系。具体地说,带有邻苯二甲腈化合物作为配位体的金属酞菁的含量与电位保持率之间的关系从未得到过研究。

因此,本发明的目的是通过了解这种关系,提供一种具有优良电子照相特性,尤其是电位保持率的电子照相感光体。本发明另一个目的是提供一种电子照相感光体的制造方法,它包括涂覆涂料液形成光敏层的步骤,该涂覆步骤能形成具有优良电位保持率的光敏层。

本发明人经过对解决问题的方法进行大量研究以后,发现光敏层中当带有邻苯二甲腈化合物作为配位体的金属酞菁化合物(下面也称之为带配位体的金属酞菁)在含酞菁化合物的层中的含量在特定的范围内时,可明显提高感光体的电位保持率。本发明是在该发现的基础上完成的。

因此,本发明电子照相感光体包括导电基片和在该导电基片上至少含有酞菁化合物作为光敏材料的光敏层,其中,按1摩尔酞菁化合物计,所述含酞菁化合物的光敏层包括100nmol-200mmol带邻苯二甲腈化合物作为配位体的金属酞菁化合物。

另外,本发明人发现,在含酞菁化合物和带配位体的金属酞菁化合物(相对于前者,后者的含量在一定的范围内)的感光体的制造方法中,在涂覆步骤中使用这种含电荷产生剂的涂料液时,可明显提高感光体的电位保持率。在该发现的基础上完成了本发明制造方法。

因此,本发明感光体的制造方法包括用含电荷产生剂的涂料液涂覆导电基片形成光敏层的方法,其中所述涂料液包括酞菁化合物和带邻苯二甲腈化合物作为配位体的金属酞菁化合物,按1摩尔酞菁化合物计,金属酞菁的含量为100nmol-200mmol。

本发明感光体的光敏层可以是单层型或叠层型的,并且不限于某种类型。本发明制造方法中的涂覆方法可选自浸涂、喷涂和其它各种方法,并且不限于任何特定的方法。

下面将参照较好的实例和附图详细说明本发明。

图1是本发明负电荷充电叠层型感光体一个例子的剖面图;图2是本发明带配位体金属酞菁化合物的钛氧基氧代酞菁的TOF-MS光谱的一个例子中,表示阳离子检测分析结果的谱图;图3是本发明带配位体金属酞菁化合物的钛氧基氧代酞菁的TOF-MS光谱的一个例子,表示质量数为704的带配位体的金属酞菁化合物分子离子的MS/MS分析结果谱图;图4是本发明带配位体金属酞菁化合物的钛氧基氧代酞菁的TOF-MS光谱的一个例子,表示阴离子检测分析结果的谱图;图5是本发明一个实例中带配位体金属酞菁化合物的钛氧基氧代酞菁的TOF-MS光谱的一个例子,表示阳离子检测分析结果的谱图。

附图中标号1表示导电基片,标号2表示底涂层,标号3表示电荷产生层,标号4表示电荷转移层,标号5表示光敏层。

电子照相感光体具有数种已知的类型,如负电荷充电叠层型感光体、正电荷充电叠层型感光体和正电荷充电单层型感光体。尽管下面以负电荷充电叠层型感光体作为例子进行详细描述,但是除了涉及金属酞菁化合物(其金属原子带有邻苯二甲腈配位体)的材料和方法以外,用于形成和制造本发明感光体的材料和方法可适当地选自任何已知的材料和方法。

图1是负电荷充电叠层型感光体,它包括导电基片1,叠合在该基片上的底涂层2,和叠合在底涂层上的光敏层5。光敏层5包括电荷产生层3和叠合在该电荷产生层上的电荷转移层4。因此,该光敏层是由独立的电荷产生层3和电荷转移层4组成的功能独立型光敏层。

在上述类型的感光体中底涂层2是非必要的。

导电基片1用作感光体的电极,还用于支承其它各层。导电基片1可具有圆筒形、平面形或薄膜形的形状,并可由金属或合金(如铝、不锈钢或镍)或者经处理具有合适导电性的玻璃或树脂制成。

底涂层2可由醇溶性聚酰胺、可溶剂溶解的芳族聚酰胺或热固性聚氨酯树脂等制成。所述醇溶性聚酰胺较好是,如尼龙6、尼龙8、尼龙12、尼龙66、尼龙610或尼龙612等的共聚物,或者N-烷基改性的或N-烷氧基烷基改性的尼龙。上述化合物的具体例子有AMILAN CM8000(一种购自Toray Industries Inc.的6/66/610/12共聚尼龙)、ELBAMIDE 9061(一种购自Du Pont Japan Co.,Ltd的6/66/612共聚尼龙)和DAIAMIDE T-170(一种购自Daicel-Huels Co.,Ltd的主要含尼龙12的共聚尼龙)。底涂层2还可包括无机细粉末,如二氧化钛、二氧化锡、氧化铝、碳酸钙或二氧化硅。

受光产生电荷的电荷产生层3是将有机光电导性物质的颗粒真空沉积在底涂层2上,或者将由有机光电导性物质的粒子分散在树脂粘合剂中形成的涂料液涂覆底涂层2而制得的。重要的是电荷产生层3能高效地将产生的电荷注入电荷转移层4并且能高效地产生电荷。也就是说,要求电荷产生层3能产生电荷而很少依赖电场,并即使在弱电场中也能很好地使电荷注入。

尽管要求本发明电荷产生剂至少含有一种酞菁化合物,但是还可并用例如选自偶氮化合物、醌化合物、靛蓝化合物、花青化合物、squarilium化合物和azurenium化合物的其它颜料或染料。

按1摩尔酞菁化合物计,本发明感光体中电荷产生层3包括100nmol-200mmol带邻苯二甲腈化合物作为配位体的金属酞菁化合物。当光敏层所含的带配位体的金属酞菁化合物相对于酞菁化合物的量在该具体的范围内时,可明显提高电位保持率。尽管其作用机理未完全了解,但是这可能是下列原因造成的。

低于100nmol的少量带配位体的金属酞菁会使酞菁化合物太纯,使晶体生长太快,或者破坏了分散性能,这两种因素均会导致电位保持率下降。另一方面,超过200mmol的较高含量会使酞菁化合物晶体结构的无序性太高,或者带邻苯二甲腈化合物配位体的金属酞菁本身会产生不利的作用,导致电位保持率下降。

适用于本发明的酞菁化合物的合成可采用已知的方法,例如,C.C.Lenzoff等在VCH Publishers,Inc 1989年出版的“酞菁”或者F.H.Moser等在CRCPress1983年出版的“酞菁”中所述的方法。

本发明酞菁化合物较好是钛氧基氧代酞菁或无金属酞菁。酞菁的中心金属元素可选自过渡金属,尤其是钛、钒、铬、锰、铁、钴、镍、铜、锆和铌。酞菁的中心金属元素还可选自铟、镓、铝、锗和锡。如通式(1)所示酞菁化合物可以是具有各种官能团的酞菁化合物:其中M代表氢原子、金属原子、金属氧化物、金属卤化物、金属氢氧化物、硅化合物或磷化合物;R1-R16各自为氢原子、卤原子、羟基、硝基、氰基、酯基、烷基、烯丙基、烷氧基、芳基或苯氧基。

带邻苯二甲腈化合物作为配位体的金属酞菁化合物可选自各种化合物,包括如J.Inorg.Nucl.Chem,Vol.27,p1311-1319(1965)所述的一邻苯二甲腈(酞菁)氯合钌(Ⅲ)、一邻苯二甲腈(酞菁)氯合锇(Ⅲ)、一邻苯二甲腈(酞菁)二氧合锇(Ⅵ)和一邻苯二甲腈(一氯酞菁)氯合铱(Ⅲ)。较好的是,金属酞菁化合物是钛氧基氧代酞菁化合物,作为配位体的邻苯二甲腈化合物可如通式(2)所示具有取代基:其中R17-R20各种表示氢原子、卤原子、羟基、硝基、氰基、酯基、烷基、烯丙基、烷氧基、芳基或苯氧基。

下面描述本发明人发现的带邻苯二甲腈化合物作为配位体的金属酞菁化合物的组合物体系。

起初,在合成钛氧基氧代酞菁过程中发现一种副产品。该副产品的分子结构中一个相应于邻苯二甲腈化合物的结构额外地作为钛氧基氧代酞菁化合物的金属配位结合。该副产品的化学式为(C8H4N2)5OTi,分子量为704.5,下面将其称为钛氧基氧代五聚物。本发明人成功地大量制得该副产品并分离之。

为了了解该钛氧基氧代五聚物的结构,本发明人使用激光切断电离飞行时间质谱法(简称TOF-MS)对含钛氧基氧代五聚物副产品的钛氧基氧代酞菁试样进行分析。图2-4是含钛氧基氧代五聚物的钛氧基氧代酞菁的TOF-MS谱图的例子。图2是阳离子检测分析结果,表明除了质量数为576的钛氧基氧代酞菁分子的离子外,还测得质量数为704的钛氧基氧代五聚物分子的离子。

随后,将注意力集中在质量数为704的钛氧基氧代五聚物分子的该离子上,对该离子进行阳离子检测MS-MS分析。结果如图3所示。结果表明由质量数为704的五聚物离子产生质量数为576的片断离子,并且钛氧基氧代五聚物分子的离子结构中分子量为128的邻苯二甲腈位于酞菁环的外面。

图4是同样的试样的阴离子探测结果。结果高灵敏度地测得钛氧基氧代酞菁的质量数为576的分子离子。对于钛氧基氧代五聚物,不仅未测得该分子的离子,而且未测得反映钛氧基氧代五聚物结构的任何其它离子。

上面的分析表明,对于钛氧基氧代五聚物的结构,难以产生能直接反映钛氧基氧代五聚物分子结构的其它离子,附加的邻苯二甲腈是作为配位体连接在钛氧基氧代酞菁上的。

在本发明酞菁化合物是钛氧基氧代酞菁时,质量数为704的带邻苯二甲腈化合物作为配位体的钛氧基氧代酞菁化合物的质谱峰强度较好占质量数为576的钛氧基氧代酞菁的峰强度的10-5%-20%。

通过升华可控制用于本发明的带邻苯二甲腈作为配位体的金属酞菁化合物的含量。可将合成中的金属酞菁副产品作为用作本发明感光体的金属酞菁。

电荷产生层3的膜厚度决定于电荷产生剂的吸光系数,较好控制在不超过5微米,最好不超过1微米。

电荷产生层3含有电荷产生剂作为主要组分并可加入电荷转移剂和其它物质。用于电荷产生层3的树脂粘合剂可选自聚碳酸酯、聚酯、聚酰胺、聚氨酯、环氧树脂、聚乙烯醇缩丁醛、苯氧化合物、硅氧烷、甲基丙烯酸酯的聚合物、共聚物以及这些物质的卤化物和氰乙基化合物等的适当组合。按100重量份树脂粘合剂计,用于电荷产生层的电荷产生剂的用量较好为10-5000重量份,更好为50-1000重量份。

电荷转移层4是一层涂层膜,它是由电荷转移剂溶解在树脂粘合剂中的材料制成的。电荷转移剂可例如选自腙化合物、苯乙烯基化合物、胺化合物及其衍生物,它们可单独使用或适当地组合使用。在黑暗中电荷转移层4作为绝缘层用于保留感光体的电荷,并在受光后用于转移来自电荷产生层的电荷。用于电荷转移层的粘合剂树脂可例如选自聚碳酸酯、聚酯、聚苯乙烯和甲基丙烯酸酯等聚合物、聚合物混合物和共聚物。与电荷转移剂的相容性以及机械、化学和电气稳定性和粘性对树脂粘合剂的选择是重要的。按100重量份树脂粘合剂计,电荷转移剂的用量较好为20-500重量份,更好为30-300重量份。

电荷转移层4的膜厚较好控制在3-50微米,更好控制在15-40微米以保持实际有效的表面电位。

下面参照实施例说明本发明,但是本发明不限于这些实施例。

实施例1制造底涂层将70重量份购自Toray Industries,Inc.的聚酰胺树脂AMILAN CM8000和930重量份甲醇(和光纯药工业(株)制)混合在一起制得用于底涂层的涂料液。用浸涂法将该涂料液涂覆在铝基片上,干燥后形成0.5微米厚的底涂层。

合成钛氧基氧代酞菁将800g邻苯二甲腈(东京化成工业(株)制)和1.8升喹啉(东京化成工业(株)制)加入反应容器中并搅拌之。接着在氮气氛中滴加297g四氯化钛(KishidaChemical Co.,Ltd)并搅拌之,接着在2小时内加热至180℃并在该温度下搅拌15小时。

使反应液冷却至130℃,过滤,用3升N-甲基-2-吡咯烷酮(关东化学(株)制)洗涤之。在1.8升N-甲基-2-吡咯烷酮中在氮气氛中将形成的湿滤饼在160℃加热搅拌1小时。冷却形成的混合物并过滤。随后用3升N-甲基-2-吡咯烷酮、2升丙酮(关东化学(株)制)、2升甲醇(关东化学(株)制)和4升温纯水依次洗涤,得到湿滤饼。

将如此形成的钛氧基氧代酞菁湿滤饼在用360ml 36%盐酸(关东化学(株)制)和4升水制得的稀盐酸中在80℃加热搅拌1小时,使之冷却并过滤,用4升温水洗涤,并干燥。得到的产物真空升华3次进行纯化并干燥。

随后,边冷却和搅拌边在-5℃将200g如此制得的干产物加至4kg 96%硫酸(关东化学(株)制)中,使得液体温度保持在-5℃或更低。在-5℃进一步搅拌并冷却1小时。将形成的硫酸溶液加至35升水和5kg冰的混合物中,使温度保持在10℃或更低,将其冷却并搅拌1小时。过滤并用10升温水洗涤。

将如此得到的产物与由10升水和770ml 36%盐酸组成的稀盐酸相混合,并在80℃将其加热搅拌1小时。冷却、过滤并用10升温水洗涤,干燥后得到钛氧基氧代酞菁,经升华纯化后得到纯的钛氧基氧代酞菁。

合成带配位体的金属酞菁化合物重复与上面钛氧基氧代酞菁合成方法相同的步骤,但是在干燥氮气氛中实施的步骤改成在空气中进行,同时向反应容器中持续吹入外界空气。

本方法制得带有附加邻苯二甲腈与钛氧基氧代酞菁金属原子相连的结构的带配位体的金属酞菁与钛氧基氧代酞菁的混合物。图5是带配位体的金属酞菁化合物混合钛氧基氧代酞菁的TOF-MS阳离子检测结果的谱图。

在TOF-MS阳离子检测分析中测得钛氧基氧代酞菁和带配位体的金属酞菁的峰强度比为1∶1。用升华法对混合物进行纯化,得到纯的带配位体的金属酞菁化合物。带配位体的金属酞菁的产率按邻苯二甲腈计为10-15%。

制造电荷产生层将100nmol如此制得的带配位体的金属酞菁化合物加至1mol钛氧基氧代酞菁中。将该混合物与0.5升水和1.5升邻二氯苯(Kanto Chemical Co.,Ltd制)一起加至带6.6kg直径为8mm的氧化锆球的球磨机中研磨24小时。用1.5升丙酮和1.5升甲醇取出,过滤,用水1.5升洗涤,干燥。

将10重量份该含带配位体的金属酞菁化合物的钛氧基氧代酞菁与10重量份聚氯乙烯树脂(MR-110,Nippon Zeon Co.,Ltd制)、686重量份二氯甲烷和294重量份1,2-二氯乙烷相混合,超声波分散后制得用于电荷产生层的涂料液。用浸涂法将该涂料液涂覆在上述底涂层上,干燥后形成厚0.2微米的电荷产生层。

制造电荷转移层将100重量份4-(二苯基氨基)苯甲醛苯基(2-噻吩基甲基)腙(Fuji ElectricCo.,Ltd制)、100重量份聚碳酸酯树脂(PANLITE K-1300,购自Teijin ChemicalCo.,Ltd)、800重量份二氯甲烷、1重量份硅烷偶联剂(KP-340,购自Shin’etsuChemical Co.,Ltd)和4重量份苯基亚膦酸二(2,4-二叔丁基苯基)酯(FujiElectric Co.,Ltd制)混合在一起制得用于电荷转移层的涂料液。用浸涂法将该涂料液涂覆在上述带有电荷产生层的基片上,干燥后形成厚度为20微米的电荷转移层。从而制得感光体。

实施例2用与实施例1相同的方法制得感光体,但是将加入1摩尔钛氧基氧代酞菁化合物中的带配位体的金属酞菁化合物的量改成10微摩尔。

实施例3用与实施例1相同的方法制得感光体,但是将加入1摩尔钛氧基氧代酞菁化合物中的带配位体的金属酞菁化合物的量改成1mmol。

实施例4用与实施例1相同的方法制得感光体,但是将加入1摩尔钛氧基氧代酞菁化合物中的带配位体的金属酞菁化合物的量改成100mmol。

实施例5用与实施例1相同的方法制得感光体,但是将加入1摩尔钛氧基氧代酞菁化合物中的带配位体的金属酞菁化合物的量改成200mmol。

实施例6用与实施例1相同的方法制得感光体,但是在加入实施例1的带配位体的金属酞菁化合物后,用96%硫酸(关东化学(株)制)对形成的混合物进行酸糊粘合处理,接着用水洗涤,然后干燥。

实施例7用与实施例6相同的方法制得感光体,但是将加入1摩尔钛氧基氧代酞菁化合物中的带配位体的金属酞菁化合物的量改成10微摩尔。

实施例8用与实施例6相同的方法制得感光体,但是将加入1摩尔钛氧基氧代酞菁化合物中的带配位体的金属酞菁化合物的量改成1mmol。

实施例9用与实施例6相同的方法制得感光体,但是将加入1摩尔钛氧基氧代酞菁化合物中的带配位体的金属酞菁化合物的量改成100mmol。

实施例10用与实施例6相同的方法制得感光体,但是将加入1摩尔钛氧基氧代酞菁化合物中的带配位体的金属酞菁化合物的量改成200mmol。

比较例1用与实施例1相同的方法制得感光体,但是将加入1摩尔钛氧基氧代酞菁化合物中的带配位体的金属酞菁化合物的量改成50nmol。

比较例2用与实施例1相同的方法制得感光体,但是将加入1摩尔钛氧基氧代酞菁化合物中的带配位体的金属酞菁化合物的量改成300mmol。

比较例3用与实施例6相同的方法制得感光体,但是将加入1摩尔钛氧基氧代酞菁化合物中的带配位体的金属酞菁化合物的量改成50nmol。

比较例4用与实施例6相同的方法制得感光体,但是将加入1摩尔钛氧基氧代酞菁化合物中的带配位体的金属酞菁化合物的量改成300mmol。

用Kawaguchi Electric Works Co.,Ltd制造的EPA-8200型静电记录纸试验仪分别测定实施例1-10和比较例1-4的感光体的电气特性。在黑暗中将感光体电晕充电至表面电位为-600V,并在黑暗中静置5秒钟。测定其间的电位保持率。结果列于表1。

表1<tables id="table1" num="001"> <table>试样电位保持率实施例198.1实施例297.9实施例398.2实施例497.6实施例597.6实施例698.3实施例798.0实施例898.2实施例998.1实施例1097.7比较例191.5比较例290.4比较例391.3比较例490.2</table> </tables>由表1可见所有实施例试样均具有高的良好的电位保持率,而相比之下所有比较例的试样均具有较低的电位保持率。

实施例11用与实施例1相同的方法制得感光体,但是用常用方法合成的无金属酞菁代替钛氧基氧代酞菁。

实施例12用与实施例11相同的方法制得感光体,但是将加入1摩尔无金属酞菁化合物中的带配位体的金属酞菁化合物的量改成10微摩尔。

实施例13用与实施例11相同的方法制得感光体,但是将加入1摩尔无金属酞菁化合物中的带配位体的金属酞菁化合物的量改成1mmol。

实施例14用与实施例11相同的方法制得感光体,但是将加入1摩尔无金属酞菁化合物中的带配位体的金属酞菁化合物的量改成100mmol。

实施例15用与实施例11相同的方法制得感光体,但是将加入1摩尔无金属酞菁化合物中的带配位体的金属酞菁化合物的量改成200mmol。

实施例16用与实施例11相同的方法制得感光体,但是在加入带配位体的金属酞菁化合物后,用96%硫酸(关东化学(株)制)对形成的混合物进行酸糊粘结处理,接着用水洗涤,然后干燥。

实施例17用与实施例16相同的方法制得感光体,但是将加入1摩尔无金属酞菁化合物中的带配位体的金属酞菁化合物的量改成10微摩尔。

实施例18用与实施例16相同的方法制得感光体,但是将加入1摩尔无金属酞菁化合物中的带配位体的金属酞菁化合物的量改成1mmol。

实施例19用与实施例16相同的方法制得感光体,但是将加入1摩尔无金属酞菁化合物中的带配位体的金属酞菁化合物的量改成100mmol。

实施例20用与实施例16相同的方法制得感光体,但是将加入1摩尔无金属酞菁化合物中的带配位体的金属酞菁化合物的量改成200mmol。

比较例5用与实施例11相同的方法制得感光体,但是将加入1摩尔无金属酞菁化合物中的带配位体的金属酞菁化合物的量改成50nmol。

比较例6用与实施例11相同的方法制得感光体,但是将加入1摩尔无金属酞菁化合物中的带配位体的金属酞菁化合物的量改成300mmol。

比较例7用与实施例16相同的方法制得感光体,但是将加入1摩尔无金属酞菁化合物中的带配位体的金属酞菁化合物的量改成50nmol。

比较例8用与实施例16相同的方法制得感光体,但是将加入1摩尔无金属酞菁化合物中的带配位体的金属酞菁化合物的量改成300mmol。

用与上述实施例和比较例相同的方法测定实施例11-20和比较例5-8的感光体的电气特性,得出电位保持率(%)。结果列于表2。

表2

由表2可见所有实施例试样均具有高的良好的电位保持率,而相比之下所有比较例的试样均具有较低的电位保持率。

实施例21用与实施例1相同的方法制得感光体,但是用常用方法合成的酞菁钒代替钛氧基氧代酞菁。

实施例22用与实施例21相同的方法制得感光体,但是将加入1摩尔酞菁钒中的带配位体的金属酞菁化合物的量改成10微摩尔。

实施例23用与实施例21相同的方法制得感光体,但是将加入1摩尔酞菁钒中的带配位体的金属酞菁化合物的量改成1mmol。

实施例24用与实施例21相同的方法制得感光体,但是将加入1摩尔酞菁钒中的带配位体的金属酞菁化合物的量改成100mmol。

实施例25用与实施例21相同的方法制得感光体,但是将加入1摩尔酞菁钒中的带配位体的金属酞菁化合物的量改成200mmol。

实施例26用与实施例21相同的方法制得感光体,但是在加入带配位体的金属酞菁化合物后,用96%硫酸(关东化学(株)制)对形成的混合物进行酸糊粘结处理,接着用水洗涤,然后干燥。

实施例27用与实施例26相同的方法制得感光体,但是将加入1摩尔酞菁钒中的带配位体的金属酞菁化合物的量改成10微摩尔。

实施例28用与实施例26相同的方法制得感光体,但是将加入1摩尔酞菁钒中的带配位体的金属酞菁化合物的量改成1mmol。

实施例29用与实施例26相同的方法制得感光体,但是将加入1摩尔酞菁钒中的带配位体的金属酞菁化合物的量改成100mmol。

实施例30用与实施例26相同的方法制得感光体,但是将加入1摩尔酞菁钒中的带配位体的金属酞菁化合物的量改成200mmol。

比较例9用与实施例21相同的方法制得感光体,但是将加入1摩尔酞菁钒中的带配位体的金属酞菁化合物的量改成50nmol。

比较例10用与实施例21相同的方法制得感光体,但是将加入1摩尔酞菁钒中的带配位体的金属酞菁化合物的量改成300mmol。

比较例11用与实施例26相同的方法制得感光体,但是将加入1摩尔酞菁钒化合物中的带配位体的金属酞菁化合物的量改成50nmol。

比较例12用与实施例26相同的方法制得感光体,但是将加入1摩尔酞菁钒中的带配位体的金属酞菁化合物的量改成300mmol。

用与上述实施例和比较例相同的方法测定实施例21-30和比较例9-12的感光体的电气特性,得出电位保持率。结果列于表3。

表3<tables id="table3" num="003"> <table>试样电位保持率(%)实施例2195.2实施例2295.1实施例2395.3实施例2495.0实施例2595.1实施例2695.2实施例2794.9实施例2895.2实施例2995.0实施例3095.1比较例987.9比较例1088.6比较例1188.2比较例1288.4</table> </tables>由表3可见所有实施例试样均具有高的良好的电位保持率,而相比之下所有比较例的试样均具有较低的电位保持率。

实施例31用与实施例1相同的方法制得感光体,但是用常用方法合成的酞菁铌代替钛氧基氧代酞菁。

实施例32用与实施例31相同的方法制得感光体,但是将加入1摩尔酞菁铌中的带配位体的金属酞菁化合物的量改成10微摩尔。

实施例33用与实施例31相同的方法制得感光体,但是将加入1摩尔酞菁铌中的带配位体的金属酞菁化合物的量改成1mmol。

实施例34用与实施例31相同的方法制得感光体,但是将加入1摩尔酞菁铌中的带配位体的金属酞菁化合物的量改成100mmol。

实施例35用与实施例31相同的方法制得感光体,但是将加入1摩尔酞菁铌中的带配位体的金属酞菁化合物的量改成200mmol。

实施例36用与实施例31相同的方法制得感光体,但是在加入带配位体的金属酞菁化合物后,用96%硫酸对形成的混合物进行酸糊粘结处理,接着用水洗涤,然后干燥。

实施例37用与实施例36相同的方法制得感光体,但是将加入1摩尔酞菁铌中的带配位体的金属酞菁化合物的量改成10微摩尔。

实施例38用与实施例36相同的方法制得感光体,但是将加入1摩尔酞菁铌中的带配位体的金属酞菁化合物的量改成1mmol。

实施例39用与实施例36相同的方法制得感光体,但是将加入1摩尔酞菁铌中的带配位体的金属酞菁化合物的量改成100mmol。

实施例40用与实施例36相同的方法制得感光体,但是将加入1摩尔酞菁铌中的带配位体的金属酞菁化合物的量改成200mmol。

比较例13用与实施例31相同的方法制得感光体,但是将加入1摩尔酞菁铌中的带配位体的金属酞菁化合物的量改成50nmol。

比较例14用与实施例31相同的方法制得感光体,但是将加入1摩尔酞菁铌中的带配位体的金属酞菁化合物的量改成300mmol。

比较例15用与实施例36相同的方法制得感光体,但是将加入1摩尔酞菁铌化合物中的带配位体的金属酞菁化合物的量改成50nmol。

比较例16用与实施例36相同的方法制得感光体,但是将加入1摩尔酞菁铌中的带配位体的金属酞菁化合物的量改成300mmol。

用与上述实施例和比较例相同的方法测定实施例31-40和比较例13-16的感光体的电气特性,得出电位保持率(%)。结果列于表4。

表4<tables id="table4" num="004"> <table>试样电位保持率实施例3195.2实施例3294.8实施例3395.2实施例3495.0实施例3595.1实施例3695.3实施例3794.9实施例3895.0实施例3995.3实施例4095.2比较例1389.2比较例1488.4比较例1588.2比较例1687.4</table> </tables>由表4可见所有实施例试样均具有高的良好的电位保持率,而相比之下所有比较例的试样均具有较低的电位保持率。

实施例41用与实施例11相同的方法制得感光体,但是用常用方法合成的酞菁铟代替实施例1的无金属酞菁。

实施例42用与实施例41相同的方法制得感光体,但是将加入1摩尔酞菁铟中的带配位体的金属酞菁化合物的量改成10微摩尔。

实施例43用与实施例41相同的方法制得感光体,但是将加入1摩尔酞菁铟中的带配位体的金属酞菁化合物的量改成1mmol。

实施例44用与实施例41相同的方法制得感光体,但是将加入1摩尔酞菁铟中的带配位体的金属酞菁化合物的量改成100mmol。

实施例45用与实施例41相同的方法制得感光体,但是将加入1摩尔酞菁铟中的带配位体的金属酞菁化合物的量改成200mmol。

实施例46用与实施例41相同的方法制得感光体,但是在加入带配位体的金属酞菁化合物后,用96%硫酸对形成的混合物进行酸糊粘结处理,接着用水洗涤,然后干燥。

实施例47用与实施例46相同的方法制得感光体,但是将加入1摩尔酞菁铟中的带配位体的金属酞菁化合物的量改成10微摩尔。

实施例48用与实施例46相同的方法制得感光体,但是将加入1摩尔酞菁铟中的带配位体的金属酞菁化合物的量改成1mmol。

实施例49用与实施例46相同的方法制得感光体,但是将加入1摩尔酞菁铟中的带配位体的金属酞菁化合物的量改成100mmol。

实施例50用与实施例46相同的方法制得感光体,但是将加入1摩尔酞菁铟中的带配位体的金属酞菁化合物的量改成200mmol。

比较例17用与实施例41相同的方法制得感光体,但是将加入1摩尔酞菁铟中的带配位体的金属酞菁化合物的量改成50nmol。

比较例18用与实施例41相同的方法制得感光体,但是将加入1摩尔酞菁铟中的带配位体的金属酞菁化合物的量改成300mmol。

比较例19用与实施例46相同的方法制得感光体,但是将加入1摩尔酞菁铟化合物中的带配位体的金属酞菁化合物的量改成50nmol。

比较例20用与实施例46相同的方法制得感光体,但是将加入1摩尔酞菁铟中的带配位体的金属酞菁化合物的量改成300mmol。

用与上述实施例和比较例相同的方法测定实施例41-50和比较例17-20的感光体的电气特性,得出电位保持率。结果列于表5。

表5

由表5可见所有实施例试样均具有高的良好的电位保持率,而相比之下所有比较例的试样均具有较低的电位保持率。

实施例51用与实施例1相同的方法制得感光体,但是用常用方法合成的酞菁镓代替钛氧基氧代酞菁。

实施例52用与实施例51相同的方法制得感光体,但是将加入1摩尔酞菁镓中的带配位体的金属酞菁化合物的量改成10微摩尔。

实施例53用与实施例51相同的方法制得感光体,但是将加入1摩尔酞菁镓中的带配位体的金属酞菁化合物的量改成1mmol。

实施例54用与实施例51相同的方法制得感光体,但是将加入1摩尔酞菁镓中的带配位体的金属酞菁化合物的量改成100mmol。

实施例55用与实施例51相同的方法制得感光体,但是将加入1摩尔酞菁镓中的带配位体的金属酞菁化合物的量改成200mmol。

实施例56用与实施例51相同的方法制得感光体,但是在加入带配位体的金属酞菁化合物后,用96%硫酸对形成的混合物进行酸糊粘结处理,接着用水洗涤,然后干燥。

实施例57用与实施例56相同的方法制得感光体,但是将加入1摩尔酞菁镓中的带配位体的金属酞菁化合物的量改成10微摩尔。

实施例58用与实施例56相同的方法制得感光体,但是将加入1摩尔酞菁镓中的带配位体的金属酞菁化合物的量改成1mmol。

实施例59用与实施例56相同的方法制得感光体,但是将加入1摩尔酞菁镓中的带配位体的金属酞菁化合物的量改成100mmol。

实施例60用与实施例56相同的方法制得感光体,但是将加入1摩尔酞菁镓中的带配位体的金属酞菁化合物的量改成200mmol。

比较例21用与实施例51相同的方法制得感光体,但是将加入1摩尔酞菁镓中的带配位体的金属酞菁化合物的量改成50nmol。

比较例22用与实施例51相同的方法制得感光体,但是将加入1摩尔酞菁镓中的带配位体的金属酞菁化合物的量改成300mmol。

比较例23用与实施例56相同的方法制得感光体,但是将加入1摩尔酞菁镓化合物中的带配位体的金属酞菁化合物的量改成50nmol。

比较例24用与实施例56相同的方法制得感光体,但是将加入1摩尔酞菁镓中的带配位体的金属酞菁化合物的量改成300mmol。

用与上述实施例和比较例相同的方法测定实施例51-60和比较例21-24的感光体的电气特性,得出电位保持率。结果列于表6。

表6<tables id="table6" num="006"> <table>试样电位保持率(%)实施例5195.5实施例5295.3实施例5395.0实施例5495.3实施例5595.1实施例5695.4实施例5794.9实施例5895.2实施例5995.3实施例6095.1比较例2189.4比较例2288.7比较例2389.8比较例2489.0</table> </tables>由表6可见所有实施例试样均具有高的良好的电位保持率,而相比之下所有比较例的试样均具有较低的电位保持率。

实施例61用与实施例1相同的方法制得感光体,但是用常用方法合成的酞菁锆代替钛氧基氧代酞菁。

实施例62用与实施例61相同的方法制得感光体,但是将加入1摩尔酞菁锆中的带配位体的金属酞菁化合物的量改成10微摩尔。

实施例63用与实施例61相同的方法制得感光体,但是将加入1摩尔酞菁锆中的带配位体的金属酞菁化合物的量改成1mmol。

实施例64用与实施例61相同的方法制得感光体,但是将加入1摩尔酞菁锆中的带配位体的金属酞菁化合物的量改成100mmol。

实施例65用与实施例61相同的方法制得感光体,但是将加入1摩尔酞菁锆中的带配位体的金属酞菁化合物的量改成200mmol。

实施例66用与实施例61相同的方法制得感光体,但是在加入带配位体的金属酞菁化合物后,用96%硫酸对形成的混合物进行酸糊粘结处理,接着用水洗涤,然后干燥。

实施例67用与实施例66相同的方法制得感光体,但是将加入1摩尔酞菁锆中的带配位体的金属酞菁化合物的量改成10微摩尔。

实施例68用与实施例66相同的方法制得感光体,但是将加入1摩尔酞菁锆中的带配位体的金属酞菁化合物的量改成1mmol。

实施例69用与实施例66相同的方法制得感光体,但是将加入1摩尔酞菁锆中的带配位体的金属酞菁化合物的量改成100mmol。

实施例70用与实施例66相同的方法制得感光体,但是将加入1摩尔酞菁锆中的带配位体的金属酞菁化合物的量改成200mmol。

比较例25用与实施例61相同的方法制得感光体,但是将加入1摩尔酞菁锆中的带配位体的金属酞菁化合物的量改成50nmol。

比较例26用与实施例61相同的方法制得感光体,但是将加入1摩尔酞菁锆中的带配位体的金属酞菁化合物的量改成300mmol。

比较例27用与实施例66相同的方法制得感光体,但是将加入1摩尔酞菁锆化合物中的带配位体的金属酞菁化合物的量改成50nmol。

比较例28用与实施例66相同的方法制得感光体,但是将加入1摩尔酞菁锆中的带配位体的金属酞菁化合物的量改成300mmol。

用与上述实施例和比较例相同的方法测定实施例61-70和比较例25-28的感光体的电气特性,得出电位保持率(%)。结果列于表7。

表7<tables id="table7" num="007"> <table>试样电位保持率(%)实施例6195.1实施例6295.5实施例6395.3实施例6495.5实施例6595.2实施例6695.6实施例6795.1实施例6895.4实施例6995.3实施例7095.1比较例2588.8比较例2689.0比较例2789.2比较例2888.7</table> </tables>由表7可见所有实施例试样均具有高的良好的电位保持率,而相比之下所有比较例的试样均具有较低的电位保持率。

实施例71用与实施例1相同的方法制得感光体,但是用常用方法合成的酞菁锗代替钛氧基氧代酞菁。

实施例72用与实施例71相同的方法制得感光体,但是将加入1摩尔酞菁锗中的带配位体的金属酞菁化合物的量改成10微摩尔。

实施例73用与实施例71相同的方法制得感光体,但是将加入1摩尔酞菁锗中的带配位体的金属酞菁化合物的量改成1mmol。

实施例74用与实施例71相同的方法制得感光体,但是将加入1摩尔酞菁锗中的带配位体的金属酞菁化合物的量改成100mmol。

实施例75用与实施例71相同的方法制得感光体,但是将加入1摩尔酞菁锗中的带配位体的金属酞菁化合物的量改成200mmol。

实施例76用与实施例71相同的方法制得感光体,但是在加入带配位体的金属酞菁化合物后,用96%硫酸对形成的混合物进行酸糊粘结处理,接着用水洗涤,然后干燥。

实施例77用与实施例76相同的方法制得感光体,但是将加入1摩尔酞菁锗中的带配位体的金属酞菁化合物的量改成10微摩尔。

实施例78用与实施例76相同的方法制得感光体,但是将加入1摩尔酞菁锗中的带配位体的金属酞菁化合物的量改成1mmol。

实施例79用与实施例76相同的方法制得感光体,但是将加入1摩尔酞菁锗中的带配位体的金属酞菁化合物的量改成100mmol。

实施例80用与实施例76相同的方法制得感光体,但是将加入1摩尔酞菁锗中的带配位体的金属酞菁化合物的量改成200mmol。

比较例29用与实施例71相同的方法制得感光体,但是将加入1摩尔酞菁锗中的带配位体的金属酞菁化合物的量改成50nmol。

比较例30用与实施例71相同的方法制得感光体,但是将加入1摩尔酞菁锗中的带配位体的金属酞菁化合物的量改成300mmol。

比较例31用与实施例76相同的方法制得感光体,但是将加入1摩尔酞菁锗化合物中的带配位体的金属酞菁化合物的量改成50nmol。

比较例32用与实施例76相同的方法制得感光体,但是将加入1摩尔酞菁锗中的带配位体的金属酞菁化合物的量改成300mmol。

用与上述实施例和比较例相同的方法测定实施例71-80和比较例29-32的感光体的电气特性,得出电位保持率(%)。结果列于表8。

表8<tables id="table8" num="008"> <table>试样电位保持率(%)实施例7195.4实施例7295.1实施例7395.3实施例7495.0实施例7595.1实施例7695.2实施例7794.9实施例7895.0实施例7995.2实施例8095.2比较例2988.3比较例3087.7比较例3188.2比较例3288.0</table> </tables>由表8可见所有实施例试样均具有高的良好的电位保持率,而相比之下所有比较例的试样均具有较低的电位保持率。

实施例81用与实施例1相同的方法制得感光体,但是用常用方法合成的1,2,3,4,8,9,10,11,15,16,17,18,22,23,24,25-十六氟-29H,31H-酞菁铁(Ⅱ)(下面简称为酞菁氟铁)代替钛氧基氧代酞菁。

实施例82用与实施例81相同的方法制得感光体,但是将加入1摩尔酞菁氟铁中的带配位体的金属酞菁化合物的量改成10微摩尔。

实施例83用与实施例81相同的方法制得感光体,但是将加入1摩尔酞菁氟铁中的带配位体的金属酞菁化合物的量改成1mmol。

实施例84用与实施例81相同的方法制得感光体,但是将加入1摩尔酞菁氟铁中的带配位体的金属酞菁化合物的量改成100mmol。

实施例85用与实施例81相同的方法制得感光体,但是将加入1摩尔酞菁氟铁中的带配位体的金属酞菁化合物的量改成200mmol。

实施例86用与实施例81相同的方法制得感光体,但是在加入带配位体的金属酞菁化合物后,用96%硫酸对形成的混合物进行酸糊粘结处理,接着用水洗涤,然后干燥。

实施例87用与实施例86相同的方法制得感光体,但是将加入1摩尔酞菁氟铁中的带配位体的金属酞菁化合物的量改成10微摩尔。

实施例88用与实施例86相同的方法制得感光体,但是将加入1摩尔酞菁氟铁中的带配位体的金属酞菁化合物的量改成1mmol。

实施例89用与实施例86相同的方法制得感光体,但是将加入1摩尔酞菁氟铁中的带配位体的金属酞菁化合物的量改成100mmol。

实施例90用与实施例86相同的方法制得感光体,但是将加入1摩尔酞菁氟铁中的带配位体的金属酞菁化合物的量改成200mmol。

比较例33用与实施例81相同的方法制得感光体,但是将加入1摩尔酞菁氟铁中的带配位体的金属酞菁化合物的量改成50nmol。

比较例34用与实施例81相同的方法制得感光体,但是将加入1摩尔酞菁氟铁中的带配位体的金属酞菁化合物的量改成300mmol。

比较例35用与实施例86相同的方法制得感光体,但是将加入1摩尔酞菁氟铁化合物中的带配位体的金属酞菁化合物的量改成50nmol。

比较例36用与实施例86相同的方法制得感光体,但是将加入1摩尔酞菁氟铁中的带配位体的金属酞菁化合物的量改成300mmol。

用与上述实施例和比较例相同的方法测定实施例81-90和比较例33-36的感光体的电气特性,得出电位保持率(%)。结果列于表9。

表9

由表9可见所有实施例试样均具有高的良好的电位保持率,而相比之下所有比较例的试样均具有较低的电位保持率。

实施例91用与实施例1相同的方法制得感光体,但是用常用方法合成的酞菁锡代替钛氧基氧代酞菁。

实施例92用与实施例91相同的方法制得感光体,但是将加入1摩尔酞菁锡中的带配位体的金属酞菁化合物的量改成10微摩尔。

实施例93用与实施例91相同的方法制得感光体,但是将加入1摩尔酞菁锡中的带配位体的金属酞菁化合物的量改成1mmol。

实施例94用与实施例91相同的方法制得感光体,但是将加入1摩尔酞菁锡中的带配位体的金属酞菁化合物的量改成100mmol。

实施例95用与实施例91相同的方法制得感光体,但是将加入1摩尔酞菁锡中的带配位体的金属酞菁化合物的量改成200mmol。

实施例96用与实施例91相同的方法制得感光体,但是在加入带配位体的金属酞菁化合物后,用96%硫酸对形成的混合物进行酸糊粘结处理,接着用水洗涤,然后干燥。

实施例97用与实施例96相同的方法制得感光体,但是将加入1摩尔酞菁锡中的带配位体的金属酞菁化合物的量改成10微摩尔。

实施例98用与实施例96相同的方法制得感光体,但是将加入1摩尔酞菁锡中的带配位体的金属酞菁化合物的量改成1mmol。

实施例99用与实施例96相同的方法制得感光体,但是将加入1摩尔酞菁锡中的带配位体的金属酞菁化合物的量改成100mmol。

实施例100用与实施例96相同的方法制得感光体,但是将加入1摩尔酞菁锡中的带配位体的金属酞菁化合物的量改成200mmol。

比较例37用与实施例91相同的方法制得感光体,但是将加入1摩尔酞菁锡中的带配位体的金属酞菁化合物的量改成50nmol。

比较例38用与实施例91相同的方法制得感光体,但是将加入1摩尔酞菁锡中的带配位体的金属酞菁化合物的量改成300mmol。

比较例39用与实施例96相同的方法制得感光体,但是将加入1摩尔酞菁锡化合物中的带配位体的金属酞菁化合物的量改成50nmol。

比较例40用与实施例96相同的方法制得感光体,但是将加入1摩尔酞菁锡中的带配位体的金属酞菁化合物的量改成300mmol。

用与上述实施例和比较例相同的方法测定实施例91-100和比较例37-40的感光体的电气特性,得出电位保持率(%)。结果列于表10。

表10<tables id="table10" num="010"> <table>试样电位保持率(%)实施例9195.0实施例9294.8实施例9394.7实施例9494.9实施例9594.6实施例9694.8实施例9794.9实施例9895.0实施例9994.8实施例10094.6比较例3787.9比较例3887.1比较例3988.0比较例4087.4</table> </tables>由表10可见所有实施例试样均具有高的良好的电位保持率,而相比之下所有比较例的试样均具有较低的电位保持率。

实施例101用与实施例1相同的方法制得感光体,但是用常用方法合成的酞菁锰代替钛氧基氧代酞菁。

实施例102用与实施例101相同的方法制得感光体,但是将加入1摩尔酞菁锰中的带配位体的金属酞菁化合物的量改成10微摩尔。

实施例103用与实施例101相同的方法制得感光体,但是将加入1摩尔酞菁锰中的带配位体的金属酞菁化合物的量改成1mmol。

实施例104用与实施例101相同的方法制得感光体,但是将加入1摩尔酞菁锰中的带配位体的金属酞菁化合物的量改成100mmol。

实施例105用与实施例101相同的方法制得感光体,但是将加入1摩尔酞菁锰中的带配位体的金属酞菁化合物的量改成200mmol。

实施例106用与实施例101相同的方法制得感光体,但是在加入带配位体的金属酞菁化合物后,用96%硫酸对形成的混合物进行酸糊粘结处理,接着用水洗涤,然后干燥。

实施例107用与实施例106相同的方法制得感光体,但是将加入1摩尔酞菁锰中的带配位体的金属酞菁化合物的量改成10微摩尔。

实施例108用与实施例106相同的方法制得感光体,但是将加入1摩尔酞菁锰中的带配位体的金属酞菁化合物的量改成1mmol。

实施例109用与实施例106相同的方法制得感光体,但是将加入1摩尔酞菁锰中的带配位体的金属酞菁化合物的量改成100mmol。

实施例110用与实施例106相同的方法制得感光体,但是将加入1摩尔酞菁锰中的带配位体的金属酞菁化合物的量改成200mmol。

比较例41用与实施例101相同的方法制得感光体,但是将加入1摩尔酞菁锰中的带配位体的金属酞菁化合物的量改成50nmol。

比较例42用与实施例101相同的方法制得感光体,但是将加入1摩尔酞菁锰中的带配位体的金属酞菁化合物的量改成300mmol。

比较例43用与实施例106相同的方法制得感光体,但是将加入1摩尔酞菁锰中的带配位体的金属酞菁化合物的量改成50nmol。

比较例44用与实施例106相同的方法制得感光体,但是将加入1摩尔酞菁锰中的带配位体的金属酞菁化合物的量改成300mmol。

用与上述实施例和比较例相同的方法测定实施例101-110和比较例41-44的感光体的电气特性,得出电位保持率(%)。结果列于表11。

表11<tables id="table11" num="011"> <table>试样电位保持率(%)实施例10195.5实施例10295.7实施例10395.2实施例10495.5实施例10595.4实施例10695.6实施例10795.5实施例10895.0实施例10995.3实施例11095.1比较例4187.6比较例4286.9比较例4387.1比较例4487.3</table> </tables>由表11可见所有实施例试样均具有高的良好的电位保持率,而相比之下所有比较例的试样均具有较低的电位保持率。

实施例111用与实施例1相同的方法制得感光体,但是用常用方法合成的酞菁铝代替钛氧基氧代酞菁。

实施例112用与实施例111相同的方法制得感光体,但是将加入1摩尔酞菁铝中的带配位体的金属酞菁化合物的量改成10微摩尔。

实施例113用与实施例111相同的方法制得感光体,但是将加入1摩尔酞菁铝中的带配位体的金属酞菁化合物的量改成1mmol。

实施例114用与实施例111相同的方法制得感光体,但是将加入1摩尔酞菁铝中的带配位体的金属酞菁化合物的量改成100mmol。

实施例115用与实施例111相同的方法制得感光体,但是将加入1摩尔酞菁铝中的带配位体的金属酞菁化合物的量改成200mmol。

实施例116用与实施例111相同的方法制得感光体,但是在加入带配位体的金属酞菁化合物后,用96%硫酸对形成的混合物进行酸糊粘结处理,接着用水洗涤,然后干燥。

实施例117用与实施例116相同的方法制得感光体,但是将加入1摩尔酞菁铝中的带配位体的金属酞菁化合物的量改成10微摩尔。

实施例118用与实施例116相同的方法制得感光体,但是将加入1摩尔酞菁铝中的带配位体的金属酞菁化合物的量改成1mmol。

实施例119用与实施例116相同的方法制得感光体,但是将加入1摩尔酞菁铝中的带配位体的金属酞菁化合物的量改成100mmol。

实施例120用与实施例116相同的方法制得感光体,但是将加入1摩尔酞菁铝中的带配位体的金属酞菁化合物的量改成200mmol。

比较例45用与实施例111相同的方法制得感光体,但是将加入1摩尔酞菁铝中的带配位体的金属酞菁化合物的量改成50nmol。

比较例46用与实施例111相同的方法制得感光体,但是将加入1摩尔酞菁铝中的带配位体的金属酞菁化合物的量改成300mmol。

比较例47用与实施例116相同的方法制得感光体,但是将加入1摩尔酞菁铝化合物中的带配位体的金属酞菁化合物的量改成50nmol。

比较例48用与实施例116相同的方法制得感光体,但是将加入1摩尔酞菁铝中的带配位体的金属酞菁化合物的量改成300mmol。

用与上述实施例和比较例相同的方法测定实施例111-120和比较例45-48的感光体的电气特性,得出电位保持率(%)。结果列于表12。

表12

由表12可见所有实施例试样均具有高的良好的电位保持率,而相比之下所有比较例的试样均具有较低的电位保持率。

实施例121用与实施例1相同的方法制得感光体,但是用常用方法合成的酞菁铁代替钛氧基氧代酞菁。

实施例122用与实施例121相同的方法制得感光体,但是将加入1摩尔酞菁铁中的带配位体的金属酞菁化合物的量改成10微摩尔。

实施例123用与实施例121相同的方法制得感光体,但是将加入1摩尔酞菁铁中的带配位体的金属酞菁化合物的量改成1mmol。

实施例124用与实施例121相同的方法制得感光体,但是将加入1摩尔酞菁铁中的带配位体的金属酞菁化合物的量改成100mmol。

实施例125用与实施例121相同的方法制得感光体,但是将加入1摩尔酞菁铁中的带配位体的金属酞菁化合物的量改成200mmol。

实施例126用与实施例121相同的方法制得感光体,但是在加入带配位体的金属酞菁化合物后,用96%硫酸对形成的混合物进行酸糊粘结处理,接着用水洗涤,然后干燥。

实施例127用与实施例126相同的方法制得感光体,但是将加入1摩尔酞菁铁中的带配位体的金属酞菁化合物的量改成10微摩尔。

实施例128用与实施例126相同的方法制得感光体,但是将加入1摩尔酞菁铁中的带配位体的金属酞菁化合物的量改成1mmol。

实施例129用与实施例126相同的方法制得感光体,但是将加入1摩尔酞菁铁中的带配位体的金属酞菁化合物的量改成100mmol。

实施例130用与实施例126相同的方法制得感光体,但是将加入1摩尔酞菁铁中的带配位体的金属酞菁化合物的量改成200mmol。

比较例49用与实施例121相同的方法制得感光体,但是将加入1摩尔酞菁铁中的带配位体的金属酞菁化合物的量改成50nmol。

比较例50用与实施例121相同的方法制得感光体,但是将加入1摩尔酞菁铁中的带配位体的金属酞菁化合物的量改成300mmol。

比较例51用与实施例126相同的方法制得感光体,但是将加入1摩尔酞菁铁中的带配位体的金属酞菁化合物的量改成50nmol。

比较例52用与实施例126相同的方法制得感光体,但是将加入1摩尔酞菁铁中的带配位体的金属酞菁化合物的量改成300mmol。

用与上述实施例和比较例相同的方法测定实施例121-130和比较例49-52的感光体的电气特性,得出电位保持率(%)。结果列于表13。

表13

由表13可见所有实施例试样均具有高的良好的电位保持率,而相比之下所有比较例的试样均具有较低的电位保持率。

实施例131用与实施例1相同的方法制得感光体,但是用常用方法(特开平3-94264号公报揭示)合成的钛氧基四氯酞菁代替钛氧基氧代酞菁。

实施例132用与实施例131相同的方法制得感光体,但是将加入1摩尔钛氧基四氯酞菁中的带配位体的金属酞菁化合物的量改成10微摩尔。

实施例133用与实施例131相同的方法制得感光体,但是将加入1摩尔钛氧基四氯酞菁中的带配位体的金属酞菁化合物的量改成1mmol。

实施例134用与实施例131相同的方法制得感光体,但是将加入1摩尔钛氧基四氯酞菁中的带配位体的金属酞菁化合物的量改成100mmol。

实施例135用与实施例131相同的方法制得感光体,但是将加入1摩尔钛氧基四氯酞菁中的带配位体的金属酞菁化合物的量改成200mmol。

实施例136用与实施例131相同的方法制得感光体,但是在加入带配位体的金属酞菁化合物后,用96%硫酸(关东化学制)对形成的混合物进行酸糊粘结处理,接着用水洗涤,然后干燥。

实施例137用与实施例136相同的方法制得感光体,但是将加入1摩尔钛氧基四氯酞菁中的带配位体的金属酞菁化合物的量改成10微摩尔。

实施例138用与实施例136相同的方法制得感光体,但是将加入1摩尔钛氧基四氯酞菁中的带配位体的金属酞菁化合物的量改成1mmol。

实施例139用与实施例136相同的方法制得感光体,但是将加入1摩尔钛氧基四氯酞菁中的带配位体的金属酞菁化合物的量改成100mmol。

实施例140用与实施例136相同的方法制得感光体,但是将加入1摩尔钛氧基四氯酞菁中的带配位体的金属酞菁化合物的量改成200mmol。

比较例53用与实施例131相同的方法制得感光体,但是将加入1摩尔钛氧基四氯酞菁中的带配位体的金属酞菁化合物的量改成50nmol。

比较例54用与实施例131相同的方法制得感光体,但是将加入1摩尔钛氧基四氯酞菁中的带配位体的金属酞菁化合物的量改成300mmol。

比较例55用与实施例136相同的方法制得感光体,但是将加入1摩尔钛氧基四氯酞菁中的带配位体的金属酞菁化合物的量改成50nmol。

比较例56用与实施例136相同的方法制得感光体,但是将加入1摩尔钛氧基四氯酞菁中的带配位体的金属酞菁化合物的量改成300mmol。

用与上述实施例和比较例相同的方法测定实施例131-140和比较例53-56的感光体的电气特性,得出电位保持率。结果列于表14。

表14

由表14可见所有实施例试样均具有高的良好的电位保持率,而相比之下所有比较例的试样均具有较低的电位保持率。

实施例141用与实施例1相同的方法制得感光体,但是用文献J.Inorg.Nucl.Chem,1965,Vol.27,p1311-1319所述方法合成的邻苯二甲腈(-氯酞菁)氯合铱(Ⅲ)(下面简称为铱五聚物)代替带配位体的金属酞菁化合物。

实施例142用与实施例141相同的方法制得感光体,但是将加入1摩尔钛氧基氧代酞菁中的铱五聚物的量改成10微摩尔。

实施例143用与实施例141相同的方法制得感光体,但是将加入1摩尔钛氧基氧代酞菁中的铱五聚物的量改成1mmol。

实施例144用与实施例141相同的方法制得感光体,但是将加入1摩尔钛氧基氧代酞菁中的铱五聚物的量改成100mmol。

实施例145用与实施例141相同的方法制得感光体,但是将加入1摩尔钛氧基氧代酞菁中的铱五聚物的量改成200mmol。

实施例146用与实施例141相同的方法制得感光体,但是在加入铱五聚物后,用96%硫酸对形成的混合物进行酸糊粘结处理,接着用水洗涤,然后干燥。

实施例147用与实施例146相同的方法制得感光体,但是将加入1摩尔钛氧基氧代酞菁中的铱五聚物的量改成10微摩尔。

实施例148用与实施例146相同的方法制得感光体,但是将加入1摩尔钛氧基氧代酞菁中的铱五聚物的量改成1mmol。

实施例149用与实施例146相同的方法制得感光体,但是将加入1摩尔钛氧基氧代酞菁中的铱五聚物的量改成100mmol。

实施例150用与实施例146相同的方法制得感光体,但是将加入1摩尔钛氧基氧代酞菁中的铱五聚物的量改成200mmol。

比较例57用与实施例141相同的方法制得感光体,但是将加入1摩尔钛氧基氧代酞菁中的铱五聚物的量改成50nmol。

比较例58用与实施例141相同的方法制得感光体,但是将加入1摩尔钛氧基氧代酞菁中的铱五聚物的量改成300mmol。

比较例59用与实施例146相同的方法制得感光体,但是将加入1摩尔钛氧基氧代酞菁化合物中的铱五聚物的量改成50nmol。

比较例60用与实施例146相同的方法制得感光体,但是将加入1摩尔钛氧基氧代酞菁中的铱五聚物的量改成300mmol。

用与上述实施例和比较例相同的方法测定实施例141-150和比较例57-60的感光体的电气特性,得出电位保持率(%)。结果列于表15。

表15<tables id="table15" num="015"> <table>试样电位保持率(%)实施例14197.5实施例14297.7实施例14397.6实施例14497.4实施例14597.3实施例14697.9实施例14797.4实施例14897.5实施例14997.6实施例15097.4比较例5790.1比较例5889.4比较例5990.7比较例6089.8</table> </tables>由表15可见所有实施例试样均具有高的良好的电位保持率,而相比之下所有比较例的试样均具有较低的电位保持率。

本发明感光体包括含有至少一种酞菁化合物作为光敏材料的光敏层,其中该光敏层含有带相当于邻苯二甲腈化合物的结构作为配位体的分子结构的金属酞菁化合物。在本发明感光体中,按1摩尔酞菁化合物计,光敏层中带配位体的金属酞菁的含量为100nmol-200mmol,使电子照相感光体具有优良的电位保持率。

本发明还提供一种感光体的制造方法,包括用含电荷产生剂的涂料液涂覆导电基片形成感光层的步骤,其中该涂料液还含有带相当于邻苯二甲腈化合物的结构作为配位体分子结构的金属酞菁化合物。在本发明方法中,按1摩尔酞菁化合物计,用于光敏层的涂料液中带配位体的金属酞菁的含量为100nmol-200mmol,使电子照相感光体具有优良的电位保持率。

Claims (11)

1.一种电子照相感光体,它包括:导电基片,和在该导电基片上含有至少一种酞菁化合物作为光敏材料的光敏层,其中,按1摩尔所述酞菁化合物计,所述光敏层包括100nmol-200mmol带邻苯二甲腈化合物作为配位体的金属酞菁化合物。
2.如权利要求1所述的电子照相感光体,其特征在于所述酞菁化合物是钛氧基酞菁。
3.如权利要求1所述的电子照相感光体,其特征在于所述酞菁化合物是无金属氧代酞菁。
4.如权利要求1所述的电子照相感光体,其特征在于所述酞菁化合物的中心元素是过渡金属。
5.如权利要求4所述的电子照相感光体,其特征在于所述过渡金属选自钛、钒、铬、锰、铁、钴、镍、铜、锆和铌。
6.如权利要求1所述的电子照相感光体,其特征在于所述酞菁化合物的中心元素选自铟、镓、铝、锗和锡。
7.如权利要求1所述的电子照相感光体,其特征在于所述酞菁化合物由式(1)表示:其中M代表氢原子、金属原子、金属氧化物、金属卤化物、金属氢氧化物、硅化合物或磷化合物;R1-R16各自为氢原子、卤原子、羟基、硝基、氰基、酯基、烷基、烯丙基、烷氧基、芳基或苯氧基。
8.如权利要求1-7中任何一项所述的电子照相感光体,其特征在于所述金属酞菁化合物是钛氧基氧代酞菁。
9.如权利要求1-8中任何一项所述的电子照相感光体,其特征在于所述邻苯二甲腈化合物由式(2)表示:其中R17-R20各自表示氢原子、卤原子、羟基、硝基、氰基、酯基、烷基、烯丙基、烷氧基、芳基或苯氧基。
10.如权利要求2所述的电子照相感光体,其特征在于所述光敏层中含有作为电荷产生剂的质量数为576的钛氧基氧代酞菁和质量数为704的带邻苯二甲腈化合物作为配位体的钛氧基氧代酞菁,在质谱中相对质量数为576的化合物的峰强度,质量数为704的化合物的峰强度为10-5%-20%。
11.一种电子照相感光体的制造方法,包括用含电荷产生剂的涂料液涂覆导电基片,形成光敏层的步骤,其中该涂料液含有酞菁化合物和带邻苯二甲腈化合物作为配位体的金属酞菁化合物,按1摩尔所述酞菁化合物计,所述金属酞菁化合物的含量为100nmol-200mmol。
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