CN1239599A - 半导体激光器 - Google Patents

半导体激光器 Download PDF

Info

Publication number
CN1239599A
CN1239599A CN98801362A CN98801362A CN1239599A CN 1239599 A CN1239599 A CN 1239599A CN 98801362 A CN98801362 A CN 98801362A CN 98801362 A CN98801362 A CN 98801362A CN 1239599 A CN1239599 A CN 1239599A
Authority
CN
China
Prior art keywords
quantum well
laser
semiconductor laser
band
wavelength
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN98801362A
Other languages
English (en)
Other versions
CN1118120C (zh
Inventor
董杰
松本功
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Japan Oxygen Co Ltd
Nippon Sanso Corp
Original Assignee
Nippon Sanso Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Nippon Sanso Corp filed Critical Nippon Sanso Corp
Publication of CN1239599A publication Critical patent/CN1239599A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN1118120C publication Critical patent/CN1118120C/zh
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/30—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82—NANOTECHNOLOGY
    • B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
    • B82Y20/00—Nanooptics, e.g. quantum optics or photonic crystals
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/30—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region
    • H01S5/34—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising quantum well or superlattice structures, e.g. single quantum well [SQW] lasers, multiple quantum well [MQW] lasers or graded index separate confinement heterostructure [GRINSCH] lasers
    • H01S5/343—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising quantum well or superlattice structures, e.g. single quantum well [SQW] lasers, multiple quantum well [MQW] lasers or graded index separate confinement heterostructure [GRINSCH] lasers in AIIIBV compounds, e.g. AlGaAs-laser, InP-based laser
    • H01S5/34313—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising quantum well or superlattice structures, e.g. single quantum well [SQW] lasers, multiple quantum well [MQW] lasers or graded index separate confinement heterostructure [GRINSCH] lasers in AIIIBV compounds, e.g. AlGaAs-laser, InP-based laser with a well layer having only As as V-compound, e.g. AlGaAs, InGaAs
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S2302/00—Amplification / lasing wavelength
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/30—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region
    • H01S5/34—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising quantum well or superlattice structures, e.g. single quantum well [SQW] lasers, multiple quantum well [MQW] lasers or graded index separate confinement heterostructure [GRINSCH] lasers
    • H01S5/3409—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising quantum well or superlattice structures, e.g. single quantum well [SQW] lasers, multiple quantum well [MQW] lasers or graded index separate confinement heterostructure [GRINSCH] lasers special GRINSCH structures
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/30—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region
    • H01S5/34—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising quantum well or superlattice structures, e.g. single quantum well [SQW] lasers, multiple quantum well [MQW] lasers or graded index separate confinement heterostructure [GRINSCH] lasers
    • H01S5/343—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising quantum well or superlattice structures, e.g. single quantum well [SQW] lasers, multiple quantum well [MQW] lasers or graded index separate confinement heterostructure [GRINSCH] lasers in AIIIBV compounds, e.g. AlGaAs-laser, InP-based laser
    • H01S5/34306—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising quantum well or superlattice structures, e.g. single quantum well [SQW] lasers, multiple quantum well [MQW] lasers or graded index separate confinement heterostructure [GRINSCH] lasers in AIIIBV compounds, e.g. AlGaAs-laser, InP-based laser emitting light at a wavelength longer than 1000nm, e.g. InP based 1300 and 1500nm lasers

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Nanotechnology (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Biophysics (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Semiconductor Lasers (AREA)

Abstract

本发明涉及在2μm波段振荡的高性能的半导体激光器。迄今，1.3μm至1.55μm的波段的半导体激光器的开发正取得进展，但关于预期有很宽的利用技术领域的2μm的波段的半导体激光器的开发，还是不充分的。本发明的半导体激光器是在波长为2μm频带振荡的使用了InGaAs/InGaAsP材料的压缩应变量子阱半导体激光器，它是以光封闭层的带隙Eocl与量子阱层的基底能级间的发光转移能Ewell的差△E是275－300meV为特征的在2μm波段振荡的高性能的半导体激光器。

Description

半导体激光器
技术领域
本发明涉及压缩应变量子阱激光器，更详细地说，涉及使用了InGaAs/InGaAsP材料在波长为2μm的频带范围内振荡的半导体激光器。
本说明书基于日本国的专利申请(特愿平9-252539号)，将该日本申请的记载内容作为本说明书的一部分而引入。
背景技术
InGaAs/InGaAsP材料是半导体激光器的最重要的材料之一，特别是在有源层中具有量子阱的InGaAs/InGaAsP系列的半导体激光器作为1.3μm至1.55μm的波段的通信用光源已实现了实用化。以往，这种量子阱有源层是利用晶格匹配来形成的。
近年来，希望提高激光器的各种特性及进一步改善特性的控制性，试验了不一定对有源层进行晶格匹配，而是通过作成压缩应变层来提高激光器的各种特性及改善特性的控制性。已报告了，通过使用高应变的量子阱，也可使InGaAs/InGaAsP系列的半导体激光器在2.0μm的波段附近振荡的情况(例如，S.Forouhar等，“在2μm波长振荡的InGaAs/InGaAsP/InP应变层量子阱激光器”，Electron.Lett.,Vol.28,pp.1431-1432,1992)。根据该文可知，InGaAs/InGaAsP系列的半导体激光器的应用范围不仅是迄今为止的光通信，而且可扩展到使用激光光谱测定的气体传感技术及eye-safe的激光测距计等。
但是，现有的该材料系列中的半导体激光器的研究开发几乎都集中于1.3μm和1.55μm的波段，关于比1.6μm长的波长的激光器的设计，大都原封不动地使用1.3μm和1.55μm波长的激光器的设计指针，目前情况是，这方面的技术课题还不十分清楚。
发明的公开
本发明是鉴于以上的问题而进行的，其目的在于提供一种在波长为2μm的频带处振荡的高性能的半导体激光器。
即，本发明的半导体激光器是在波长为2μm的频带范围振荡的使用了InGaAs/InGaAsP材料的压缩应变量子阱半导体激光器，其特征在于：光封闭层的带隙(band gap)Eocl与量子阱层的基底能级间的发光转移能Ewell的差ΔE是275～300meV。
附图的简单说明
图1是示出与本发明有关的半导体激光器的结构的剖面图。
图2是说明图1中示出的结构的半导体激光器的能带结构的概略图。
图3是示出与本发明有关的实施例的半导体激光器的阱厚度与振荡波长的关系的图。
图4是示出与本发明有关的实施例的半导体激光器的注入电流与光输出的关系的图。
用于实施发明的最佳形态
以下，参照附图详细地说明本发明。
图1中示出使用了SCH(分离封闭异质结构)结构的、量子阱数为2个的情况下的量子阱半导体激光器元件的结构。
该元件为在p-InP衬底1上依次层叠了下述层的结构：p型缓冲层2(p-InP)、晶格匹配的光封闭层3(InGaAsP)、作为压缩应变层的量子阱层4(InxGa1－xAs)、晶格匹配的阻挡层5(InGaAsP)、量子阱层6(InxGa1－xAs)、晶格匹配的光封闭层7(InGaAsP)以及n型包层8(n-InP)。而且，如果将表示上述量子阱层4、6的In的组成比x定为0.53以上，则由于晶格常数大而产生压缩应变，由于膜厚较薄，故在层叠方向上发生膨胀。
在图2中以能带结构示出图1的结构的元件。通过在有源层中使用压缩应变量子阱(量子阱层4、6)，促进电子(·)和空穴(。)的反转分布，在量子阱内成为反转分布的位于导带内的电子与位于价带内的空穴复合，发生激光。为了有效地使激光发生，将电子和空穴封闭在有源层(量子阱层4、6)中和光的封闭这两种封闭效应是重要的。
光封闭结构的目的是通过增大光封闭系数来增大在有源层区域中的光增益。在SCH结构中，光封闭系数依赖于光封闭层3、7的厚度和组成波长(λg,ocl)或折射率，但在InGaAsP材料的情况下，一般来说，为了得到大的光封闭系数，希望光封闭层3、7为带隙Eocl(＝1.2398/λg,ocl)小的组成。
此外，光封闭层3、7的带隙Eocl与量子阱层4、6的基底能级间的发光转移能Ewell的差越大，就越能有效地进行电子和空穴的封闭。
一般来说，影响激光器特性的主要原因可举出：(1)载流子的溢出(overflow)，(2)光封闭层内的光吸收损耗，(3)俄歇(Auger)损耗，(4)价带间转移(IVBA)等。
电子的有效质量小，另一方面，空穴的有效质量大，故与空穴相比，电子的封闭需要高的势垒，(1)为了防止载流子的溢出，导带中的带偏移ΔEc是主要的参数，其值通常约为0.4×ΔEg。
此外，通过应变量子阱的形成，将重空穴与轻空穴分离开，通过减小价带的态密度，谋求降低有源层中的(3)俄歇(Auger)损耗和(4)价带间转移的光吸收损耗。
上述ΔE是光封闭层3、7的带隙Eocl与量子阱4、6的基底能级间的发光转移能Ewell的差(ΔE＝Eocl－Ewell)，在用于通信的波长1.5μm频带的应变量子阱中，通过尽可能增大ΔE，可防止(1)载流子的溢出和(2)光封闭层内的光吸收损耗，但如过大的话，光封闭效率就下降。如后面叙述的实施例的表2中所示，在波长1.5μm的频带的激光器中，上述能量差ΔE越大，外部微分效率越高，越能得到高输出。此外，特性温度T0也大，工作电流的温度依存性良好。在ΔE为165～353meV的宽的范围内可得到实用的激光器，在该波长范围内利用应变量子阱的效应发现良好的性能。
但是，如果打算使InGaAs/InGaAsP系列半导体激光器在波长2.0μm的频带(大致波长约为1.9～2.1μm)处振荡，则首先必须增加量子阱的厚度，增大应变量，这样就在晶体生长方面存在问题。例如，由于预期随着应变量和阱宽度的增大，晶体膜的应力被缓和，难以得到高质量的应变量子阱，故多层量子阱结构是不理想的。此外，可考虑到，因为发光波长变长，预期俄歇损耗增大等，故不能得到很好的激光器性能。再有，由于量子阱宽度变宽，故不能过分期待价带的态密度的改善。因而，量子阱的结构及性能与波长不到1.6μm的频带的情况不同，是未知的领域。
因此，在实现波长2.0μm的频带的半导体激光器时，怎样设定光封闭层3、7的带隙Eocl与量子阱的组成及能量差ΔE是主要的问题。一般来说，导带的带偏移ΔEc是主要的参数，在通常的波长1.5μm的频带的激光器中，Qc＝ΔEc/ΔEg＝0.4。但是，为了形成在2.0μm的频带振荡用的应变量子阱层，将InxGa1－xAs的In的组成比x定为约0.8，存在利用该x来改变Qc值的可能性。因此，一般考虑不能原封不动地应用0.4这样的数值，故在本发明中采用ΔE作为参数。即，本发明者主要搞清楚了Eocl和Ewell、及两者的差ΔE等对激光器特性的影响，实现了在2.0μm的频带处振荡的InGaAs/InGaAsP系列半导体激光器。
本发明者在研究InGaAs/InGaAsP系列半导体激光器中的Eocl和能量差ΔE对激光器特性的影响时，为了使InGaAs/InGaAsP系列半导体激光器在2.0μm的频带处振荡，意外地发现了上述ΔE与外部微分效率和特性温度T0不是线性关系，而是存在最佳值。即，本发明的波长2.0μm的频带的使用了InGaAs/InGaAsP材料的压缩应变量子阱半导体激光器的特征在于：光封闭层的带隙Eocl与量子阱层的基底能级间的发光转移能Ewell的差ΔE是275～300meV。
本发明者将后面叙述的表2中示出的波长1.5μm的频带的应变量子阱半导体激光器的数据大致作为参考，研究了2.0μm的频带的激光器的结构。
首先，由于将振荡波长定为2.0μm，关于应变量子阱层的组成InxGa1－xAs，将In的组成比x定为0.67-0.88，研究了应变量子阱层的应变量对于振荡波长的影响。图3中示出了将量子阱层的应变量作为参数，量子阱的厚度与振荡波长的关系。从该图可判明，为了在波长2.0μm处发光，在阱宽度约为10nm时，应变量必须约为2％。
因此，将量子阱数定为2个，将阱的厚度(Lw)定为10nm，在通过将光封闭层的组成波长λg,ocl改变为1.25～1.5μm(带隙Eocl＝1.2398/λg,ocl)，使光封闭层的带隙Eocl与量子阱层的基底能级间的发光转移能Ewell的差ΔE在197～357meV的范围内改变时，研究了激光器特性怎样变化的情况。其结果，ΔE不是越大越好，而是意外地判明了存在窄的范围的最佳值。
如果ΔE不到275meV，则不能抑制载流子的溢出。再有，由于封闭层内的吸收损耗、价带间的转移及俄歇损耗对激光器特性有显著的影响，故外部微分效率和特性温度减小，因而，没有作为激光器的实用性。
如果ΔE超过300meV，则由于光封闭层的折射率与作为缓冲层和包层的InP的折射率的差较小，故不能得到足够的光封闭系数，阈值电流密度增大，外部微分效率和特性温度减小，没有作为激光器的实用性。
在ΔE为275～300meV的范围内，通过增大光封闭系数并降低阈值电流，随着载流子的溢出的降低，可抑制激光器的内部损耗，可得到具有实用性的激光器特性。
再有，在上述的本发明的一个形态的说明中，叙述了将量子阱数定为2个的情况，但本发明不限于量子阱数为2个的半导体激光器。通过提高应变膜的结晶性，可实现3层或4层的多重量子阱结构，但由于上述的内部损耗是该波段的激光器的本质的问题，故在波长为2.1μm以上的激光器中，如果从晶体生长的方面来考虑，希望使用单层的量子阱。
【实施例】
在197～357meV的范围内改变光封闭层的带隙Eocl与量子阱层的基底能级间的发光转移能Ewell的差ΔE，试制了表1中示出的样品A至D的半导体激光器，研究了ΔE值对于激光器诸特性的影响。在表1中示出其结果。此外，在图4中将样品A至D的半导体激光器的工作温度定为(ⅰ)10℃,(ⅱ)20℃,(ⅲ)30℃,(ⅳ)40℃，示出在各自的温度下的注入电流与激光器输出的关系。
表1
    样品A(比较例1)   样品B(实施例1)   样品C(实施例2)  样品D(比较例2)
光封闭层的组成波长λg,ocl(μm)     1.50     1.36     1.36     1.25
量子阱层的应变量ε(％)     +1.9     +1.9     +2.0     +1.9
量子阱层的厚度Lw(nm)     10      10     10     10
激光器振荡波长λ(μm)     1.969      1.958     2.023     1.952
能量差ΔE(meV)     197      278     299     357
光封闭系数ζ(％)     3.24      3.04     3.04     2.83
振荡阈值电流密     660     840     917     1500
度Jth(A/cm2)
激光器外部微分效率ηd(％)     28.0     34.5     27.1     24.1
振荡阈值电流密度的特性温度T0(°K)     29     43     41     29
·样品A(比较例1)
将ΔE定为197meV的样品A的阈值电流密度较小，但由于载流子的溢出和内部损耗的影响，外部微分效率和特性温度较小，分别为28％和29°K。再有，不能进行高温工作，作为激光器不能得到充分的特性。
·样品B(实施例1)
将ΔE定为278meV的样品B的外部微分效率为34.5％，特性温度为43°K。可得到良好的激光器诸特性。
·样品C(实施例2)
将ΔE定为299meV的样品C，由于应变量大，故应变量子阱的膜厚接近于临界膜厚，外部微分效率为27％，与实施例1相比，外部微分效率较低，但特性温度大致相等。此外，工作温度对于外部微分效率的影响较小。
·样品D(比较例2)
将ΔE定为357meV的样品D由于光封闭系数较小，故阈值电流较大，分别为24.1％和29°K。此外，由于随着工作温度的上升，外部微分效率急剧减少，故不能得到较好的特性。
从上述的结果可判定，在光封闭层的带隙Eocl与量子阱层的基底能级间的发光转移能Ewell的差ΔE为275～300meV的范围内，可得到良好的激光器特性，可提供在2.0μm的频带振荡的实用的半导体激光器。
另一方面，判定了：在ΔE比275meV小的情况下(样品A)，或超过300meV(样品D)的情况下，不能得到良好的激光器特性，不能提供实用。
(参考例)
在表2中示出振荡波长为1.5μm频带的InGaAs/InGaAsP材料应变量子阱激光器的典型的例子。
表2
   样品E    样品F     样品G
光封闭层的组成波长λg，ocl(μm)     1.30     1.19     1.08
量子阱层的应变量ε(％)     +1.1     +1.1     ＋1.1
量子阱层的厚度Lw(nm)     4     4     4
激光器振荡波长λ(μm)     1.571     1.567     1.560
能量差ΔE(meV)     165     251     353
振荡阈值电流密度Jth(A/cm2)     760     630     1090
激光器外部微分效率ηd(％)     29.8     40.0     45.0
振荡阈值电流密度的特性温度T0(°K)     46     58     63
1.5μm频带的激光器的理想的应变量是+1％左右，比表1中示出的波长2.0μm频带的激光器的应变量(约+2％左右)小，在设定应变量和量子阱的宽度方面自由度较大。表2中的样品E～G为将应变量定为+1.1％、将量子阱宽度定为4nm的6周期的多层量子阱结构。为比较起见，将ΔE定为165～353meV。虽然能进一步使激光器结构达到最佳化，但所有的参数互相影响，要求出清楚的解是不容易的。ΔE越大，外部微分效率越好，特性温度T0越大。在ΔE为165～353meV的宽的范围内可得到实用的激光器。但是，在波长2.0μm频带的情况下，应变量约为+2％、量子阱宽度为10nm以上，由于接近于应变量的临界膜厚，故在晶体生长方面必须加以注意。因此，多层量子阱结构是不理想的。此外，由于量子阱宽度宽，故不能过分预期作为现有的应变量子阱的优点之一的价带的态密度的改善，同时涉及封闭结构的最佳化的设计思想与波长1.5μm频带的激光器不同。
即，在InGaAs/InGaAsP材料压缩应变量子阱激光器中，2.0μm频带的激光器的情况与1.5μm频带的激光器的情况不同，应变量和量子阱宽度大，两者的设计思想根本不同。
产业上的利用可能性
在本发明中，在InGaAs/InGaAsP材料压缩应变量子阱激光器中，通过使光封闭层的带隙Eocl与量子阱层的基底能级间的发光转移能Ewell的差ΔE在275meV以上，可抑制载流子溢出和光封闭层的光吸收损耗，同时通过将ΔE定为300meV以下，可将光封闭系数维持于足够的大小，激光器的阈值电流密度下降，可减小俄歇损耗和价带间转移。
即，按照本发明，通过将ΔE定为275～300meV的范围内，可同时实现载流子溢出和光封闭层的光吸收损耗的降低和俄歇损耗和价带间转移的改善，可提供输出特性和温度特性与1.5μm频带的激光器的水平相同的实用的2.0μm频带的激光器。

Claims (1)

1.一种在波长为2μm频带振荡的使用了InGaAs/InGaAsP材料的压缩应变量子阱半导体激光器，其特征在于：
光封闭层的带隙Eocl与量子阱层的基底能级间的发光转移能Ewell的差ΔE是275～300meV。
CN98801362A 1997-09-17 1998-09-07 半导体激光器 Expired - Fee Related CN1118120C (zh)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP9252539A JPH1197790A (ja) 1997-09-17 1997-09-17 半導体レーザ
JP252539/97 1997-09-17
JP252539/1997 1997-09-17

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN1239599A true CN1239599A (zh) 1999-12-22
CN1118120C CN1118120C (zh) 2003-08-13

Family

ID=17238789

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN98801362A Expired - Fee Related CN1118120C (zh) 1997-09-17 1998-09-07 半导体激光器

Country Status (5)

Country Link
JP (1) JPH1197790A (zh)
KR (1) KR100356103B1 (zh)
CN (1) CN1118120C (zh)
TW (1) TW388142B (zh)
WO (1) WO1999014833A1 (zh)

Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001102686A (ja) * 1999-09-29 2001-04-13 Denso Corp 半導体レーザ
JP2007019335A (ja) * 2005-07-08 2007-01-25 Sumitomo Electric Ind Ltd 半導体レーザ
JP4886634B2 (ja) * 2007-08-31 2012-02-29 日本電信電話株式会社 量子井戸構造、光閉じ込め型量子井戸構造、半導体レーザ、分布帰還型半導体レーザ、及び量子井戸構造の製造方法
CN104538843A (zh) * 2014-12-24 2015-04-22 中国科学院半导体研究所 二氧化碳检测用半导体激光芯片的制作方法
WO2019244297A1 (ja) * 2018-06-21 2019-12-26 三菱電機株式会社 発光電子デバイスの検査方法および発光電子デバイスの製造方法

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2707183B2 (ja) * 1992-03-12 1998-01-28 国際電信電話株式会社 ひずみ超格子を有する半導体デバイス
JPH05258571A (ja) * 1992-03-16 1993-10-08 Sharp Corp スタチックｒａｍ
JPH08288586A (ja) * 1995-04-17 1996-11-01 Nec Corp ２μｍ帯半導体レーザ
JPH09298338A (ja) * 1996-05-09 1997-11-18 Matsushita Electric Ind Co Ltd 量子井戸結晶体および半導体レーザ

Also Published As

Publication number Publication date
TW388142B (en) 2000-04-21
KR20000068944A (ko) 2000-11-25
JPH1197790A (ja) 1999-04-09
KR100356103B1 (ko) 2002-10-19
CN1118120C (zh) 2003-08-13
WO1999014833A1 (fr) 1999-03-25

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US5381434A (en) High-temperature, uncooled diode laser
US5048036A (en) Heterostructure laser with lattice mismatch
US5606176A (en) Strained quantum well structure having variable polarization dependence and optical device including the strained quantum well structure
CN1221520A (zh) 降低蓝移的InP基激光器
US5408487A (en) Semiconductor laser
US5296721A (en) Strained interband resonant tunneling negative resistance diode
US5841152A (en) Optical semiconductor device provided with strained quantum well layer formed on a ternary compound semiconductor substrate
JPH0422185A (ja) 半導体光素子
CN1006835B (zh) 半导体激光器
JP2724827B2 (ja) 赤外発光素子
EP0647001B1 (en) Polarization insensitive semiconductor optical amplifier
JPH09318918A (ja) 半導体光変調器
CN1118120C (zh) 半导体激光器
US6081001A (en) Nitride semiconductor light emitting device
US5886360A (en) Semiconductor device
Sharma et al. Theoretical electronic and optical properties of AlGaAsN/GaAs quantum well using 10 band kp approach
US6078602A (en) Separate confinement heterostructured semiconductor laser device having high speed characteristics
JP2004119814A (ja) ユニポーラ多重量子井戸デバイスとその製造方法
Yoshida et al. Continuous-Wave (CW) operation of GaInP-AlGaInP visible compressively strained multiple quantum-wire (CS-WQWR) lasers
KR100249629B1 (ko) 반도체 레이저
Micallef et al. The effects of strain on the confinement profile of disordered InGaAs/GaAs single quantum wells
Mitsuhara et al. Extended emission wavelength beyond 2.2 μm in strained multiple-quantum-well laser using InGaAsSb material grown on InP substrate
US5192711A (en) Method for producing a semiconductor laser device
JP2682474B2 (ja) 半導体レーザ装置
Kito et al. Enhanced relaxation oscillation frequency of 1.3 μm strained-layer multiquantum well lasers

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant
C19 Lapse of patent right due to non-payment of the annual fee
CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee