CN1214741A - 具有蒸汽涂覆的evoh表面的阻挡层膜 - Google Patents

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Abstract

一种制造多层聚合物膜的方法,它是将阻挡涂层蒸汽淀积到已粘合到聚合物基材上的乙烯乙烯醇共聚物层上。一种具有阻挡层性能的多层聚合物膜,它也是在蒸汽淀积的阻挡涂层和聚合物基材之间使用乙烯乙烯醇共聚物层获得的。

Description

具有蒸汽涂覆的EVOH表面的阻挡层膜
本发明涉及阻挡层膜，本发明尤其是涉及具有至少一个暴露的高能表面以通过蒸汽淀积阻挡涂层材料而接受阻挡涂层(barrier coating)的阻挡层膜。
为了给经涂覆的基材提供某些阻挡层性能，采用蒸汽淀积来制造涂层是已知的。例如，有机涂层如非晶形碳可以阻止诸如水、氧气和二氧化碳等物质的传送。因此，已将碳涂层施加到基材(如聚合物膜)上以改进基材所具有的阻挡层性能。这样，蒸汽淀积的涂层通常被称为阻挡涂层。
施加到基材上以改进其阻挡层性能的另一个涂层的例子是无机材料如无机氧化物的涂层。硅和铝的氧化物被广泛地用于改进基材，尤其是聚合物基材的阻挡层性能。硅和铝的氧化物由于其类似于玻璃的性质也可以提供耐磨性。
通过各种蒸汽淀积的方法可以将上述涂层淀积到基材上。一般来说可以将蒸汽淀积方法分为物理蒸汽淀积(PVD)或化学蒸汽淀积(CVD)。PVD法的例子包括离子束溅射和热蒸发。CVD法的例子包括辉光放电和等离子体增强的化学蒸汽淀积(PECVD)。
在这些方法中，PECVD被广泛地应用，部分原因是它能涂覆温度敏感的基材如聚合物膜。尤其值得一提的是，与其它淀积法如辉光放电以及甚至是离子束溅射所需的反应器温度相比，上述这种方法能在较低的反应器温度下淀积涂层材料。由于较低的反应器温度，就可以涂覆温度敏感的基材，否则用其它涂覆方法经较高的反应器温度可能对该基材有不利的影响。
然而，PECVD法是一种比较慢且时间长的方法，这使得在许多情况下这种技术在商业是并不可行。因此，现有技术迫切需要一种能提高使用PECVD制造阻挡层膜的速度而同时又能保持经涂覆基材所具有的所需阻挡层性质的方法。
现有技术中同样需要提供阻挡层性能提高的阻挡层膜。因此，本发明的一个目的是提供阻挡层性能改进的阻挡层膜及其制造方法。
提出了已有技术需求的本发明提供一种制造具有阻挡层性能的聚合物膜的方法。该方法包括将阻挡涂层蒸汽淀积到已粘合到聚合物基材上的乙烯乙烯醇层的一个暴露表面上的步骤。
聚合物基材可为任何聚合物基材，只要它与乙烯乙烯醇层相容。较好的聚合物基材包括聚丙烯，聚乙烯，双轴尼龙和聚酯。
阻挡涂层可为有机或无机涂层。较好的无机氧化物涂层包括硅和铝的氧化物，较具体地说是SiOx，其中x为1≤x≤2,Al2O3和它们的混合物。较好的有机涂层包括非晶形碳。
本发明也提供一种提高制造阻挡层膜速度的方法。该方法包括将乙烯乙烯醇层粘合到聚合物基材上而后将阻挡涂层蒸汽淀积到乙烯乙烯醇层的暴露表面上的步骤。将乙烯乙烯醇层粘合到聚合物基材上的一个较好的方法是通过共挤压。
本发明也提供一种具有阻挡层性能的多层聚合物膜。该膜含有聚合物基材和涂在该聚合物基材一个面上的乙烯乙烯醇层。阻挡涂层位于乙烯乙烯醇层的外表面，即与聚合物基材相反的一面上。阻挡涂层的厚度较好为10-5000埃。
由于采用了本发明，制造含有蒸汽淀积阻挡涂层的聚合物膜所需的时间大为缩短，因而提高了PECVD技术的商业实用性。而且，本发明提供一种在涂覆时间保持不变的情况下制造对传送水和大气具有改进阻挡层性能的聚合物膜的方法。因此，本发明的阻挡层膜对诸如水和大气等物质提供改进的不可渗透性。
按本发明，提供一种制造具有阻挡层性能的聚合物膜的方法。该方法包括将阻挡涂层蒸汽淀积到提供高能表面、已粘合到聚合物基材上的聚合物材料的一个暴露表面上的步骤。
提供被称为“高能表面”的聚合物材料的一个例子是非晶形尼龙。据认为非晶形尼龙层的表面能促进蒸汽淀积的涂层粘合到其上，而这本身又导致获得较好质量的涂层。尤其是，与其它聚合物相比，非晶形尼龙层的暴露表面具有高的“可润湿性”或表面能。聚合物的可润湿性被认为能影响材料与另一种材料紧密接触的能力。这样，可以认为与直接涂覆下面的聚合物基材所达到的效果相比，非晶形尼龙表层的高可润湿性能促进较好性能阻挡涂层的蒸汽淀积。
至此，本文业已证实使用对聚合物基材具有高能表面的聚合物层(例如非晶形尼龙)能大为缩短经蒸汽淀积，更具体地说经PECVD来淀积阻挡涂层所需的时间。与已有技术的膜相比，高能表面能缩短涂覆时间，而同时又能保持阻挡层性能。
即便涂覆时间保持不变，使用高能表面(例如非晶形尼龙)也能促进制造阻挡层性能提高或改进的阻挡层膜。换句话说，本领域的普通技术人员可以保持涂覆时间恒定，并可获得阻挡层性能提高的多层聚合物膜。在短的涂覆时间内，例如以8英尺/分钟(FPM)较之与4 FPM的涂覆速度也可以观察使用高能表面的效果而使之更为明显。这被认为是由于膜所具有的全部阻挡层性能更多是取决于涂层的品质，而非所施加的涂层材料的数量。
本发明所用的非晶形尼龙较好是由六亚甲基二胺和间苯二酸与对苯二酸混合物合成的非晶形共聚酰胺。一种这样的商品购得的产品是Dupont PA-3426。参看非晶形尼龙，可以考虑的有基本上100％非晶形的尼龙聚合物。这可通过差示扫描量热法(DSC)很容易地加以确定，原因是聚合物不会显示出任何与结晶区域相对应的峰。然而，也可以考虑使用非晶形尼龙与半结晶尼龙的混合物，只要该混合物显示出与非晶形尼龙相比拟的可润湿性。
可用已有技术中已知的各种方法将非晶形尼龙层粘合到基材上。例如，可以使用粘合剂将尼龙层层压到聚合物基材上。一种特别好的将尼龙层固定到聚合物基材上的方法是将聚合物材料与非晶形尼龙共挤压，从而获得在其至少一个面上含有一层非晶形尼龙的聚合物基材。一般来说，使用连接层将非晶形尼龙粘合到聚合物基材上。例如，诸如马来酐改性的聚丙烯材料可以用作连接层。一种这样的商品购得的产品是Atmer QF-500A。
也可以考虑其它具有与非晶形尼龙相类似可润湿性的聚合物，它们同样能有效地提供高能表面以通过蒸汽淀积接受阻挡涂层。
已经发现具有与非晶形尼龙相类似可润湿性的一种材料是乙烯乙烯醇共聚物(EVOH)。正如本文中所述，聚合物基材上的EVOH表层能促进与使用非晶形尼龙表层获得的相比拟的对阻挡涂层的淀积。所用的EVOH树脂较好为乙烯与乙烯醇的摩尔百分比约为29∶71至约48∶52的树脂。更好的是两者的摩尔百分比约为44∶56至约48∶52的EVOH树脂。按本发明可以使用的EVOH树脂是易于从日本的Kuraray Co.,Ltd.和Nippon Gohsei以及从美国的EVAL Co.，购得的商品。一种这样较好的EVOH树脂是由美国EVAL公司制造的48摩尔％的树脂，ECG-156B。
与非晶形尼龙层一样，可用已有技术中已知的各种方法将EVOH层粘合到基材上。例如，可以使用粘合剂将EVOH层层压到聚合物基材上。一种特别好的将EVOH层固定到聚合物基材上的方法是共挤压。这样，制成了在其一个面上含有EVOH暴露表面的聚合物基材。也可以使用如非晶形尼龙层所用的那些连接层将EVOH层粘合到聚合物基材上。
按本发明使用的聚合物基材的例子包括，但不局限于聚丙烯，聚乙烯，双轴尼龙和聚酯。同样认为也可以使用其它基材，只要这种基材与含有高能表面的材料是相容的。
本发明也提供一种提高阻挡层膜制造速度的方法。该方法包括将含有至少一个暴露的高能表面的聚合物层粘合到聚合物基材上，而后将阻挡涂层蒸汽淀积到暴露的高能表面上的步骤。同样地，该聚合物层较好为非晶形尼龙或乙烯乙烯醇层。
如上所述，通过蒸汽淀积阻挡层材料制成阻挡涂层。按本发明，任何可被蒸汽淀积并提供阻挡层性能的材料都可用作阻挡涂层。阻挡涂层可为有机涂层如碳涂层，或为无机涂层如氧化物涂层。较好的碳涂层是非晶形碳，这部分是由于其阻挡层性能和易于使用。较好的氧化物涂层包括硅的氧化物(SiOx，其中1≤x≤2)和铝的氧化物(Al2O3)。而且，也可以使用各种涂层的混合物，如SiOx，其中1≤x≤2和Al2O3。
按本发明可以使用任何蒸汽淀积技术，但条件是反应器的温度对要涂覆的基材没有不利影响。宜使用CVD法，原因是聚合物材料的对温度敏感的特性。PECVD最好，原因是反应器温度通常比待用作基材的所考虑的聚合物材料的熔点低得多。这部分是由于PECVD涂覆过程中所形成的低温等离子体。
PVD方法通常要求反应器的温度高于所考虑的聚合物基材的熔点，结果它一般应予以避免。然而，若反应器温度可以保持在对聚合物基材没有不利影响的温度下，则PVD方法当然可以在本发明中使用。
对本领域技术熟练者来说显而易见的是，阻挡涂层的原料取决于所用的蒸汽淀积法的类型。在PVD法中，原料通常是与待淀积的阻挡涂层相同的化学物质。例如，将固体SiOx源放在待蒸发的反应器中，随后以SiOx涂层淀积到基材上。
在优选的CVD法中，原料是与待淀积的涂层不同的化学物质。例如，将气态反应剂如六甲基二硅氧烷(HMDSO)和氧气(O2)放在反应器中，使它们反应，随后在基材上形成SiOx涂层。这样，主要的气态反应剂如HMDSO分解在基材上形成所需的涂层。
由于CVD涂层法是较好的，因此阻挡涂层的原料宜为气态反应剂或气态反应剂的混合物。或者，非气态原料也可以使用，只要它们能通过如蒸发或升华转变成气态。
非晶形碳涂层的淀积需要碳源作为气态反应剂。气态反应剂较好为含1-20个碳原子的烃。乙炔是一种这样较好的气态反应剂。
类似地，SiOx涂层(其中1≤x≤2)的淀积需要含硅化合物和氧化剂作为气态反应剂。这些含硅化合物的例子包括，但不局限于硅烷，硅氧烷和硅烷醇。六甲基二硅氧烷和四乙氧基硅烷(TEOS)是两种这样较好的气态反应剂。氧化剂包括，但不局限于分子氧(O2)和一氧化二氮(N2O)。然而，其它原子氧源也是可以使用的。
氧化铝涂层的淀积需要含铝化合物和氧化剂。含铝化合物的一个例子是氯化铝(AlCl3)。氧化剂可为与上述SiOx涂层淀积所用的相同的氧化剂。
整体上来说，一旦选择了特定的阻挡涂层，本领域的普通技术人员就可容易地确定蒸汽淀积阻挡涂层所需的气态反应剂。
当将气态反应剂加入反应器后，主要的气态反应剂发生分解或与其它气态反应剂反应，随后淀积到暴露的高能表面上作为阻挡涂层。这种涂层的厚度可为10至5000埃，较好为100至2000埃。涂层的厚度主要是取决于淀积所需的时间长短。
本发明所用的等离子体宜将初级射频施加到第一电极上产生。这种射频激发流过反应器的气体混合物，从而形成等离子体。这种气体混合物宜为上述气态反应剂如乙炔或TEOS和氧气以及惰性或稀有气体如氩气或氦气的混合物。
适用于蒸汽淀积，更具体的是PECVD的设备是众所周知并且可以商品购得的。这种设备通常包括能容纳基材大小的容器。该设备还包括排空容器的真空泵，在受控条件下将气体混合物送入容器的装置，和在容器中产生等离子体的装置。
在一个特别好的实例中，等离子体发生装置包括末端隔开的第一和第二电极，它们一起被用来将独立的二级能源送入反应器中。将13.56MHZ的初级射频施加到第一电极上，而将90KHz至450KHz的次级射频施加到第二电极上。宜将容器作为两个射频的接地。
初级射频产生等离子体(通过激发气体混合物)，而次级射频被认为是通过激发要淀积的涂层材料的分子来促进碳在高能表面上的淀积。这个理论得到下述事实的支持，即当施加此次级射频时可以观察到等离子体的可见变化。
其它产生等离子体的装置也在本发明的考虑范围内。例如，也可以使用微波范围内的初级频率如2.45GHz。另外，光度装置如激光器也可以用来激发气体混合物。磁铁也可以用来促进将涂层材料定向到基材上。
容器也包括用于支承待涂覆的聚合物基材的基材支架板。这个基材支架板最好与第二电极是一个整体。另外，基材支架板可以包括平坦或拱形的支承表面。认为使用拱形支承表面将有助于本发明的工业化制造。
实施例1
制造两个非晶形碳涂覆的参照膜。将约27.94cm(11”)长×39.37cm(15.5”)宽的1密耳厚的取向聚丙烯膜放在25.4cm(10”)长×39.37cm(15.5”)宽的连接到第二电极上的基材支架板上。基材支架板包括曲率半径为101.6cm(40”)的拱形表面。该膜沿使膜固定在支架上的膜的长度方向上悬挂在基材支架板上。
将容器泵抽降至1mTorr。然后以100sccm的流量将乙炔/氩气混合气体送入容器中，混合气体中70％是乙炔。使用位于真空泵入口处的门阀将容器中的压力升至100mTorr的反应压力。将100watt能级的13.5MHZ初级频率施加到第一电极上，而将25watt能级的95KHz次级频率施加到第二电极上。
对基材进行约300秒钟的涂覆。然后，切断气体混合物，再次将容器泵抽降至11Torr。而后通入干氮气释放容器内的真空，取出各自涂覆的基材。
然后对两个参照膜进行试验。第一个参照膜在23℃和0％相对湿度下的氧气传输速度(TO2)为0.4ccO2/645.16cm2(100in2)/atm/24hr，在37.8℃(100°F)和90％相对湿度下的水蒸气传输速度(WVTR)为0.02g H2O/645.16cm2(100in2)/atm/24hr。第二个参照膜在23℃和0％相对湿度下的氧气传输速度为0.6ccO2/645.16cm2(100in2)/atm/24hr，在37.8℃(100°F)和90％相对湿度下的水蒸气传输速度为0.09gH2O/645.16cm2(100 in2)/atm/24hr。
因此，在23℃和0％相对湿度下的平均参照氧气传输速度为0.5ccO2/645.16cm2(100in2)/atm/24hr，在37.8℃(100°F)和90％相对湿度下的平均参照水蒸气传输速度为0.055gH2O/645.16cm2(100 in2)/atm/24hr。
实施例2
使用基片来制造本发明非晶形碳涂覆的阻挡层膜，所述基片是将非晶形尼龙与聚丙烯共挤压随后经双轴取向制得的。使用Dupont nylon PA-3426树脂粒料和Atmer QF-500A连接层。取向膜的厚度约为1密耳，非晶形尼龙层大约为膜总厚的6％或为0.06密耳。
将约27.94cm(11”)长×39.37cm(15.5”)宽的聚合物样品放在连接到第二电极上并如实施例1所述的基材支架板上。
将容器泵抽降至1mTorr。然后以60sccm的流量将乙炔/氩气混合气体送入容器中，混合气体中约83％是乙炔。使用位于真空泵入口处的门阀将容器中的压力升至100mTorr的反应压力。将100watt能级的13.5MHZ初级频率施加到第一电极上，而将25watt能级的95KHz次级频率施加到第二电极上。
对基材进行约60秒钟的涂覆。然后，切断气体混合物，再次将容器泵抽降至1mTorr。而后通入干氮气释放容器内的真空，取出各自涂覆的基材。
接着对聚合物样品进行试验。该样品膜在23℃和0％相对湿度下的氧气传输速度为0.42ccO2/645.16cm2(100in2)/atm/24hr，在37.8℃(100°F)和90％相对湿度下的水蒸气传输速度为0.024g H2O/645.16cm2(100in2)/atm/24hr。
在不同的试验条件下制备另外一些聚合物样品。将对所有聚合物样品即样品1-8测得的结果列于表1中。
样品 TO2 WVTR 压力(mTorr)     FLOW 初级能量(watt) 次级能量(watt) 时间(秒)
C2H2  Ar
参照1参照2样品1样品2样品3样品4样品5样品6样品7样品8  0.40.60.420.180.110.100.180.260.070.09  0.020.090.0240.0050.0150.0240.0200.0620.0360.051     100100100100100100100100150100     70705050505050505050     30301010101010101010     10010010050757575757550     25252525252525252525     3003006060604530153030
TO2：在23℃和0％R.H.下，cc/645.16cm2(100in2)/atm/24hrWVTR：在37.8℃(100°F)和90％R.H.下，g/645.16cm2(100in2)/atm/24hrFLOW：标准立方厘米(sccm)
从上面所列的试验数据显而易见的是，阻挡层膜可通过将碳淀积到非晶形尼龙层的暴露、高能表面上而制得。特别明显的是制造这种阻挡层膜的速度可以提高到约10倍，即涂覆时间从约300秒钟减少到15至60秒钟。同样明显的是所得膜的氧气传输速度显著降低，同时改进或至少保持水的传输量。
实施例3
使用实施例1所述现有的1密耳OPP膜材料制造SiOx参照膜(其中1≤x≤2)。涂覆过程之后，对来自膜的样品进行氧气和水蒸气传输试验。SiOx涂覆膜在23℃和0％相对湿度下的氧气传输速度为1.54cc/645.16cm2(100in2)/atm/24hr(下面表示为cc/645.16cm2(100in2)/atm/24hr)，在37.8℃(100°F)和90％相对湿度下的水蒸气传输速度为0.06g/645.16cm2(100in2)/atm/24hr(下面表示为g/645.16cm2(100in2)/atm/24hr)。
实施例4
使用实施例2所述现有的非晶形尼龙-OPP膜材料制造本发明的SiOx涂覆膜(其中1≤x≤2)。反应参数和涂覆时间与实施例3所用的相同。涂覆过程之后，对来自膜的样品进行氧气和水蒸气传输试验。SiOx涂覆膜的氧气传输速度为0.13cc/645.16cm2(100in2)/atm/24hr，水蒸气传输速度为0.07g/645.16cm2(100in2)/atm/24hr。
从实施例3和4的结果可以看出，使用诸如非晶形尼龙层提供的高能表面对其它蒸汽淀积的涂层如无机氧化物来说是适用的。特别是通过使用非晶形尼龙表层可使阻挡层膜的氧气渗透率减小到十分之一。实施例3中SiOx涂覆的OPP膜的氧气传输速度为1.54cc/645.16cm2(100in2)/atm/24hr。另一方面，实施例4中SiOx涂覆的非晶形尼龙-OPP膜的氧气传输速度为0.13g/645.16cm2(100in2)/atm/24hr。因此，实施例3和4表明，当反应参数保持恒定时，获得了阻挡层性能提高的阻挡层膜。
实施例3和4的结果也表明，由非晶形尼龙层的高能表面所产生的协同作用。该作用可通过将OPP膜与非晶形尼龙-OPP膜的氧气传输速度降低的数量级作比较看出。现有OPP膜的氧气传输速度为100cc/645.16cm2(100in2)/atm/24hr，在施加了SiOx涂层之后该值减少到1.54cc/645.16cm2(100in2)/atm/24hr。现有非晶形尼龙-OPP膜的氧气传输速度为50.5cc/645.15cm2(100in2)/atm/24hr，在施加了SiOx涂层之后该值减少到0.13cc/645.16cm2(100in2)/atm/24hr。换句话说，OPP膜的氧气传输速度减少约65倍。非晶形尼龙-OPP膜的氧气传输速度减少约388倍。这样，非晶形尼龙层的高能表面促进了阻挡层的淀积，与直接涂覆下面的聚合物材料所达到的相比，它对氧气的渗透减少约600％。
实施例5
使用实施例2所述现有的非晶形尼龙-OPP材料来制造非晶形碳涂覆的参照膜，获得本发明EVOH实例的标准。总体来说，按实施例2的步骤用非晶形碳涂层涂覆两组四个膜样品。一组非晶形尼龙-OPP样品的涂覆时间约为22.5秒钟。另一组非晶形尼龙-OPP样品的涂覆时间约为11.25秒钟。
随后对样品进行氧气和水蒸气传输试验。平均涂覆22.5秒钟的样品的平均氧气传输速度为0.070cc/645.16cm2(100in2)/atm/24hr，平均水蒸气传输速度为0.015g/645.16cm2(100in2)/atm/24hr。涂覆11.25秒钟的样品的平均氧气传输速度为0.210cc/645.16cm2(100in2)/atm/24hr，平均水蒸气传输速度为0.100g/645.16cm2(100in2)/atm/24hr。
实施例6
将EVOH树脂与聚丙烯共挤压随后双轴取向制成基片，制造本发明EVOH实例的非晶形碳涂覆膜。使用EVAL EVOH resin,ECG-156b树脂粒料和AtmerQF-500A连接层。取向膜的厚度约为1密耳，其中EVOH层大约为膜总厚的6％或为0.06密耳。总体来说，用非晶形碳涂层涂覆两组四个EVOH-OPP膜的膜样品。反应参数与实施例5中所用的相同。如实施例5中所述，分别对两组样品进行22.5和11.25秒钟的涂覆。
接着对聚合物样品进行试验。涂覆22.5秒钟的样品的平均氧气传输速度为0.020cc/645.16cm2(100in2)/atm/24hr，平均水蒸气传输速度为0.013g/645.16cm2(100in2)/atm/24hr。涂覆11.25秒钟的样品的平均氧气传输速度为0.190cc/645.16cm2(100in2)/atm/24hr，平均水蒸气传输速度为0.160g/645.16cm2(100in2)/atm/24hr。
从实施例5和6的结果可以看出，用非晶形碳涂覆的EVOH-OPP膜所提供的阻挡层性能即便不比非晶形尼龙-OPP膜的好，也可与之相比拟。例如，经涂覆的EVOH-OPP膜的氧气传输速度事实上比非晶形尼龙-OPP膜的氧气传输速度好。非晶形尼龙-OPP膜在涂覆时间分别为22.5和11.25秒钟之后的平均氧气传输速度分别为0.070和0.210cc/645.16cm2(100in2)/atm/24hr。
EVOH-OPP膜在涂覆时间分别为22.5和11.25秒钟之后的平均氧气传输速度分别为0.020和0.190cc/645.16cm2(100in2)/atm/24hr。因此，实施例5和6的结果表明EVOH树脂也可以在本发明中使用。

Claims (9)

1．一种制造具有阻挡层性能的聚合物膜的方法，它包括：将选自有机涂层和无机涂层的阻挡涂层蒸汽淀积到乙烯乙烯醇共聚物层的一个暴露表面上，其中所述乙烯乙烯醇共聚物层粘合到聚合物基材上，该聚合物基材是由选自聚丙烯，双轴尼龙，聚酯和聚乙烯的材料制成的。
2．如权利要求1所述的方法，其中所述有机涂层是非晶形碳涂层，而所述无机涂层选自SiOx，其中x为1≤x≤2，Al2O3和它们的混合物。
3．一种提高制造具有阻挡层性能的聚合物膜的速度的方法，它包括：
将含有至少一个暴露表面的乙烯乙烯醇共聚物层粘合到由选自聚丙烯，双轴尼龙，聚酯和聚乙烯的材料制成的聚合物基材上；随后
将选自有机涂层和无机涂层的阻挡涂层蒸汽淀积到所述乙烯乙烯醇共聚物层的所述暴露表面上。
4．如权利要求3所述的方法，其中所述有机涂层是非晶形碳涂层，无机涂层选自SiOx，其中x为1≤x≤2,Al2O3和它们的无机氧化物涂层的混合物。
5．一种具有阻挡层性能的多层聚合物膜，它包含聚合物基材；在所述基材的一个面上的乙烯乙烯醇共聚物层；和在所述乙烯乙烯醇共聚物层的与所述聚合物基材相反的一面上的蒸汽淀积的阻挡涂层。
6．如权利要求5所述的多层聚合物膜，其中所述聚合物基材是由选自聚丙烯，双轴尼龙，聚酯和聚乙烯的材料制成的。
7．如权利要求5或6所述的多层聚合物膜，其中所述阻挡涂层选自有机涂层和无机涂层。
8．如权利要求7所述的多层聚合物膜，其中所述有机涂层是非晶形碳涂层，而所述无机涂层选自SiOx，其中x为1≤x≤2，Al2O3和它们的混合物。
9．如权利要求5、6、7或8所述的多层聚合物膜，其中所述阻挡涂层为厚度是10-5000埃的阻挡涂层。
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