CN118472876A - 一种直流高压母线的平衡电路及过流保护电路 - Google Patents

Abstract

本发明公开了一种直流高压母线的平衡电路及过流保护电路，所述过流保护电路包括：稳压单元、判断单元、时序单元、限定单元、控制单元、执行单元和驱动增强单元；本发明中，通过过流保护电路中稳压源和比较器提供判断标准，D触发器对各信号进行处理，再通过三极管Q3、和三极管Q4组成的同相放大器增强驱动能力，将信号传递至外部的开关，使开关根据信号进行通断，达到过流保护的目的，过流保护电路能够更精准的判断电流的大小，保护的灵敏度高。

Description

一种直流高压母线的平衡电路及过流保护电路

技术领域

本发明属于高压直流电路技术领域，具体涉及一种直流高压母线的平衡电路及过流保护电路。

背景技术

在新能源PCS储能变流器系统中，通过控制蓄电池的充电和放电过程，进行交、直流的变换，在无电网情况下直接为交流负载供电，在接入电网情况下直接为电网输送能量。其中蓄电池由电芯及控制电路构成BMS系统，蓄电池输出为直流高压电，该直流高压母线总电压为2*BUS+，中点电压是参考地，正端电压为BUS+、负端电压为BUS-，直流高压电经过后级的如T型三电平、I型三电平等逆变输出交流电可离网使用或者并网使用。当输出负载不平衡时，会导致直流高压母线偏压的情况，严重情况下造成输入电容的不均压。不均压会使电容电压超出额定耐压，若变换器中的元器件降额使用不足，则有可能损坏变换器。因此，在PCS中必须采取措施将直流高压母线上的电压进行均衡控制。

如图5所示，通常的平衡电路设计思路为分别对正负直流母线进行采样，在参考地上加功率电感，图中N为中性点。当正端电压较高时，开关管Q21导通，电容C21给电感L21充电，当正端电压下降到需要的平衡电压后Q21关断，然后L21通过Q22的体二极管给C22充电到需要的平衡电压，负端电压上升。正端电压低且负端电压高时则调节过程同理。

传统的平衡电路不能解决过流保护的问题，当母线上有过流故障时不能进行有效保护，造成器件的损坏形成硬故障，造成严重的经济损失，也给后续的维修更换带来一定的难度和成本。传统的过流保护电路应用在高压直流母线平衡电路侧，一般是直接对大电流信号进行采样后采取保护动作，在电气上存在非隔离问题，安全性存在隐患，无法保证人身安全，且当保护动作不及时会导致整个保护电路和其他弱电控制电路元器件的损坏或击穿。

发明内容

本发明的目的在于提供一种直流高压母线的平衡电路及过流保护电路，能够基于电流互感器进行采样，通过触发器及其外围电路进行过流控制保护，起到电流变换和电气隔离作用，电流互感器起到桥梁的作用，从而使平衡电路的保护动作快，反应灵敏。

本发明通过下述技术方案实现：

一种过流保护电路，包括：稳压单元、判断单元、时序单元、限定单元、控制单元、执行单元和驱动增强单元；

所述稳压单元接收外部电压，为判断单元提供稳定的判断电压；

所述判断单元对稳压单元提供的判断电压进行对比后向控制单元发送信号；

所述时序单元为控制单元提供时序信号；

所述限定模块对控制单元进行功能限定；

所述控制单元对判断单元和时序单元输出的信号进行处理，并向执行单元发送对应的执行信号；

所述执行单元用于处理控制单元和时序单元的信号并输出至驱动增强单元；

所述驱动增强单元对执行单元发出的执行信号进行增强后输出至后级电路的开关模块，开关模块根据执行信号实现通断动作。

进一步地，所述过流保护电路中，各单元的电子元器件分别为：

所述稳压单元包括：第九电阻、第十电阻、第十一电阻和稳压源；

所述判断单元包括：第一电阻和比较器；

所述时序单元包括：第二电阻、第三电阻、第四电阻、第一电容和第一MOS管；

所述限定单元包括：第五电阻和第六电阻；

所述控制单元包括：触发器；

所述执行单元包括：第七电阻、第八电阻、第二MOS管和逻辑与门芯片；

所述驱动增强单元包括：第十二电阻、第十三电阻、第二电容、第三电容和第三MOS管和第四MOS管；

所述触发器的第一引脚通过第六电阻连接五伏电压；第二引脚通过第五电阻接地；第三引脚与第四电阻的一端和第一MOS管的源极连接，第四电阻的另一端接地，所述第一MOS管的漏极连接五伏电压，所述第一MOS管的栅极与第二电阻的一端连接并通过第三电阻接地和第一电容接地；所述第二电阻的另一端与外部的数字处理器连接；第四引脚通过第一电阻与电源和比较器的输出端连接，所述比较器的输入负端与外部的整流器连接，所述比较器的输入正端与第十电阻、第十一电阻的一端和稳压源的R端连接，所述第十一电阻的另一端和稳压源的A端接地，所述第十电阻的另一端和稳压源的K端通过第九电阻连接五伏电压；第五引脚与第二MOS管的栅极连接，所述第二MOS管的源极接地，所述第二MOS管的漏极与第七电阻的一端和逻辑与门芯片的第二输入端连接，所述第七电阻的另一端连接十二伏电压，所述逻辑与门芯片的第一输入端通过第二电阻连接至外部的数字处理器，所述逻辑与门芯片的输出端通过第八电阻连接第三MOS管和第四MOS管的基极，所述第三MOS管的集电极与第二电容的一端连接十二伏电压，所述第四MOS管的集电极与第三电阻的一端和地线连接，所述第三MOS管和第四MOS管的发射极同时与外部的开关、第十二电阻和第三电容连接，所述第十二电阻的另一端与第二电容的另一端连接，第三电容的另一端与第十三电阻连接。

进一步地，所述第一MOS管根据数字处理模块的输出电平进行通断。

进一步地，所述第十电阻和第十一电阻的阻值为1.25V。

一种直流高压母线的平衡电路，包括上述所述的过流保护电路，包括正端电路和负端电路，所述正端电路和负端电路对称设置；所述正端电路和负端电路上均设置有：电感模块、整流模块、采样模块、开关模块、数字处理模块以及过流保护电路，所述数字处理模块的一端与正端电路中的采样模块和过流保护电路连接，所述数字处理模块的另一端与负端电路中的采样模块和过流保护电路连接；所述过流保护电路根据数字处理模块传输的电流强度控制开关模块的通断。

进一步地，所述整流模块与开关模块和过流保护电路连接；所述整流模块包括：电流互感器、第十四电阻、第十五电阻、第一二极管和第二二极管；所述电流互感器与第一二极管和第十四电阻串联，所述第二二极管和第十五电阻与第十四电阻并联。

进一步地，所述电流互感器用于将原边的大电流隔离转换为副边的小电流信号传递至过流保护电路。

进一步地，所述开关模块包括：第十六电阻、开关管和第四电容，所述第十六电阻、和第四电容串联在开关管上，所述开关管一端与电流互感器连接，其另一端与电源连接。

进一步地，所述电感模块包括：电感元件和电容元件，所述电感原件位于正端电路和负端电路的中性点，所述电容元件与电流互感器并联。

进一步地，所述采样模块包括采样单元、第十七电阻和第十八电阻；所述采样单元的一端连接在第十七电阻和第十八电阻之间，所述采样单元的另一端与数字处理模块连接。

本发明与现有技术相比，具有以下优点及有益效果：

1）本发明中，通过过流保护电路中稳压源和比较器提供判断标准，D触发器对各信号进行处理，再通过三极管Q3、和三极管Q4组成的同相放大器增强驱动能力，将信号传递至外部的开关，使开关根据信号进行通断，达到过流保护的目的，过流保护电路能够更精准的判断电流的大小，保护的灵敏度高。

2）本发明中，将过流保护电路与平衡电路相结合，过流保护电路与平衡电路中采样模块和整流模块相配合，通过过流保护电路中 D触发器及其外围电路对平衡电路中电流进行判断从而实现过流控制保护，能解决传统过流保护电路存在的风险，起到电流变换和电气隔离作用，并且具有保护动作快，保护性能卓越。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例的技术方案，下面将对实施例中的附图作简单地介绍，应当理解，以下附图仅示出了本发明的某些实施例，因此不应被看作是对范围的限定，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他相关的附图。

图1为本发明中过流保护电路的结构示意图。

图2为本发明中平衡电路的结构示意图。

图3为本发明中过流保护电路的仿真原理图。

图4为本发明中过流保护电路的仿真结果示意图。

图5为现有的平衡电路结构示意图。

具体实施方式

为使本发明实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。

实施例1：

一种过流保护电路，如图1所示，所述过流保护电路包括：稳压单元、判断单元、时序单元、限定单元、控制单元、执行单元和驱动增强单元；

所述稳压单元接收外部电压，为判断单元提供稳定的判断电压；

所述判断单元对稳压单元提供的判断电压进行对比后向控制单元发送信号；

所述时序单元为控制单元提供时序信号；

所述限定模块对控制单元进行功能限定；

所述控制单元对判断单元和时序单元输出的信号进行处理，并向执行单元发送对应的执行信号；

所述执行单元用于处理控制单元和时序单元的信号并输出至驱动增强单元；

所述驱动增强单元对执行单元发出的执行信号进行增强后输出至后级电路的开关模块，开关模块根据执行信号实现通断动作。

所述过流保护电路中，各单元的电子元器件分别为：

所述稳压单元包括：第九电阻R9、第十电阻R10、第十一电阻R11和稳压源TLV431；

所述判断单元包括：第一电阻R1和比较器IC1；

所述时序单元包括：第二电阻R2、第三电阻R3、第四电阻R4、第一电容C1和第一MOS管Q1；

所述限定单元包括：第五电阻R5和第六电阻R6；

所述控制单元包括：触发器74LVC74A；

所述执行单元包括：第七电阻R7、第八电阻R8、第二MOS管Q2和逻辑与门芯片AND；

所述驱动增强单元包括：第十二电阻R12、第十三电阻R13、第二电容C2、第三电容C3和第三MOS管Q3和第四MOS管Q4；

所述触发器74LVC74A的第一引脚1通过第六电阻R6连接五伏电压；第二引脚2通过第五电阻R5接地；第三引脚3与第四电阻R4的一端和第一MOS管Q1的源极连接，第四电阻R4的另一端接地，所述第一MOS管Q1的漏极连接五伏电压，所述第一MOS管Q1的栅极与第二电阻R2的一端连接并通过第三电阻R3接地和第一电容C1接地；所述第二电阻R2的另一端与外部的数字处理器连接；第四引脚4通过第一电阻R1与电源和比较器IC1的输出端连接，所述比较器IC1的输入负端与外部的整流器连接，所述比较器IC1的输入正端与第十电阻R10、第十一电阻R11的一端和稳压源TLV431的R端连接，所述第十一电阻R11的另一端和稳压源TLV431的A端接地，所述第十电阻R10的另一端和稳压源TLV431的K端通过第九电阻R9连接五伏电压；第五引脚5与第二MOS管Q2的栅极连接，所述第二MOS管Q2的源极接地，所述第二MOS管Q2的漏极与第七电阻R7的一端和逻辑与门芯片AND的第二输入端连接，所述第七电阻的另一端连接十二伏电压，所述逻辑与门芯片的输入端Y通过第二电阻R2连接至数字处理器，所述逻辑与门芯片AND的输出端Z通过第八电阻R8连接第三MOS管Q3和第四MOS管Q4的基极，所述第三MOS管Q3的集电极与第二电容C2的一端连接十二伏电压，所述第四MOS管Q4的集电极与第三电阻R3的一端和地线连接，所述第三MOS管Q3和第四MOS管Q4的发射极与外部的开关、第十二电阻R12和第三电容C3连接，所述第十二电阻R12的另一端与第二电容C2的另一端连接，第三电容C3的另一端与第十三电阻R13连接；所述第一MOS管Q1根据数字处理模块DSP的输出电平进行通断；所述第十电阻R10和第十一电阻R11的阻值为1.25V。

过流保护电路H100中触发器74LVC74A为D触发器，D触发器74LVC74A的第一引脚1通过第六电阻R6连接+5V的VCC电压；第二引脚2通过第五电阻R5接地；第三引脚3与第四电阻R4的一端和第一MOS管Q1的源极连接，第四电阻R4的另一端接地，第一MOS管Q1的漏极连接+5V的VCC，第一MOS管Q1的栅极与第二电阻R2的一端连接、通过第三电阻R3接地、通过第一电容C1接地，第二电阻R2的另一端传输PWM信号；第四引脚4通过第一电阻R1连接+5V的VCC、与比较器IC1的输出端连接，比较器IC1为理想比较器，理想比较器IC1的输入负端与信号BUS+_LIMIT端连接，输入正端与第十电阻R10、第十一电阻R11的一端以及稳压源TLV431的R端连接，第十一电阻R11的另一端与稳压源TLV431的A端接地，第十电阻R10的另一端以及稳压源TLV431的K端通过第九电阻R9连接+5V的VCC；第五引脚5与第二MOS管Q2的栅极连接，第二MOS管Q2的源极接地，漏极与第七电阻R7的一端、逻辑与门芯片AND的输入端2连接，第七电阻R7的另一端与+12V连接，逻辑与门芯片AND的输入端1通过第二电阻R2传输PWM信号，输出端通过第八电阻R8连接第三MOS管Q3和第四MOS管Q4的基极，第三MOS管Q3和第四MOS管均为三极管，三极管Q3的集电极与第二电容C2的一端连接有+12V电压，三极管Q4的集电极与第三电阻R3的一端和接地端连接，三极管Q3和三极管Q4的发射极的输出端与第十二电阻R12的一端和第三电容C3的一端连接，第十二电阻R12的另一端与第二电容C2的另一端连接，第三电容C3的另一端与第十三电阻R13连接。

D触发器74LVC74A的逻辑功能表如表1，因引脚1接+5V的VCC，输入高电平，引脚2接地，因此D触发器74LVC74A在过流保护电路中仅使用功能1和功能4。

表 1 D触发器74LVC74A功能表

BUS+_PWM与D触发器74LVC74A的引脚3同相位，当信号BUS+_PWM为高电平时，第一MOS管Q1导通，第三引脚3通过第一MOS管Q1的漏极上拉为+5V高电平；当信号BUS+_PWM为低电平时，第一MOS管Q1关闭，第三引脚3通过第四电阻R4接地为低电平。

该过流保护电路分为两个状态，分别为正常工作状态和过流保护状态。稳压器TLV431的R端由精密电阻即第十电阻R10和第十一电阻R11调至1.25V，作为平衡电路是否过流的判断标准基准。当信号BUS+_LIMIT端电压小于1.25V时为正常工作状态一，平衡电路的输出OUT_BUS+端与输入PWM为同步的驱动信号；当信号BUS+_LIMIT端电压大于1.25V时，电路进入状态二过流保护，输出端OUT_BUS+端为低电平。

当电路处于状态一时，理想比较器IC1输出高电平，即第四引脚4输入高电平，D触发器74LVC74A执行对应的逻辑功能，在第三引脚3下一个上升沿到来时，第五引脚5输出低电平，第二MOS管Q2关闭，逻辑与门芯片AND的输入端2连接12V电压，即输入高电平，逻辑与门芯片AND的输入端1连接信号PWM，输出端OUT的结果与信号PWM一致，再经过三极管Q3、Q4组成同相推挽电路增强驱动能力后输出增强的信号PWM，平衡电路正常工作。

当电路处于状态二时，理想比较器IC1输出低电平，即第四引脚4输入低电平，D触发器74LVC74A执行对应的逻辑功能，在第三引脚3无论输入什么电平，第五引脚5都输出高电平，第二MOS管Q2导通，逻辑与门芯片AND的输入端2通过第二MOS管Q2接地，即输入低电平，逻辑与门芯片AND的输入端1连接信号PWM，输出端OUT的结果为低电平，三极管Q3和三极管Q4组成同相推挽电路不工作，输出低电平，平衡电路停止工作，开关管Q11关断，达到过流保护的目的。

实施例2：

一种直流高压母线的平衡电路，如图2所示，包括上述所述的过流保护电路，包括正端电路和负端电路，所述正端电路和负端电路对称设置；所述正端电路和负端电路上均设置有：电感模块、整流模块、采样模块C100、开关模块、数字处理模块DSP和过流保护电路H100，所述数字处理模块DSP的一端与正端电路中的采样模块C100和过流保护电路H100连接，所述数字处理模块DSP的另一端与负端电路中的采样模块C100和过流保护电路H100连接；所述过流保护电路H100根据数字处理模块DSP传输的电流强度控制开关模块的通断。

平衡电路上下对称的电路，平衡电路包括正端电路和负端电路，这里仅针对上半部分正电路端进行叙述。

过流保护电路H100收到由数字处理模块DSP计算输出的PWM信号，若BUS+_LIMIT端未收到整流模块+的过流信号则将PWM信号增强后由OUT_BUS+端输出到开关模块，控制开关模块的正常工作；若BUS+_LIMIT端收到整流模块的过流信号则OUT_BUS+端输出低电平，使开关模块停止工作，平衡电路停止工作。下半部分负端电路同理，这里不再赘述。

若未收到过流信号时，即判断模块收到的BUS+_LIMIT端低于1.25V时，判断单元发出高电平到控制单元，控制单元输出低电平到执行单元，执行单元处理后继续输出时序信号，时序信号经驱动增强单元增强后由OUT_BUS+端输出到后级的开关模块，开关模块正常工作；

若收到过流信号时，即判断单元收到的BUS+_LIMIT端高于1.25V时，判断单元发出低电平到控制单元，控制单元输出高电平到执行单元，执行单元处理后输出低电平，经过驱动增强单元处理后仍输出为低电平，由OUT_BUS+端输出到后级的开关模块，开关模块停止工作，保护平衡电路。

在高压母线侧增加了电流互感器CT，电流互感器CT为T11，电流互感器CT原副边的匝比为1：n，通常n远大于1，因此副边电流为原边的1/n倍，所以电流互感器CT能将原边大电流隔离转换为副边的小电流信号。以正端高压母线为例，T11副边电流经过第十四电阻R14产生电压，该电压与原边大电流等比例，当原边过流时，该电压升高与保护电路中的基准电压进行比较，输出的驱动信号OUT_BUS+端信号为低电平，使开关管Q11关断，从而对原边高压母线侧进行保护；

工作原理为过流保护电路收到由数字处理模块DSP计算输出的PWM信号，无过流情况时该信号经过增强后输出为OUT_BUS+端，OUT_BUS+端与输入的PWM相位相同，用于控制平衡电路中开关管Q11和Q12的开关时间，使平衡电路正常工作，维持正端和负端之间的电压在允许的平衡范围内。当平衡电路直流高压母线上的电流过大时，使T11副边整流后在第十四电阻R14上得到大于1.25V的电压BUS+_LIMIT端，接比较器IC3的负端，使比较器IC3输出翻转为低电平，经过逻辑计算最终使OUT_BUS+端输出低电平，使平衡电路中的开关管Q11关闭，平衡电路停止工作；母线BUS-的电流过高时，过流保护电路H100的保护电路作用相同，这里不再赘述。

实施例3：

本实施例在上述实施例的基础上，进一步限定平衡电路中的其它模块，整流模块与开关模块和过流保护电路H100连接；整流模块包括：电流互感器CT、第十四电阻、第十五电阻、第一二极管D11和第二二极管D12；电流互感器CT与第一二极管D11和第十四电阻R14串联，第二二极管D12和第十五电阻R15与第十四电阻R14并联；电流互感器CT用于将原边的大电流隔离转换为副边的小电流信号传递至过流保护电路H100；开关模块包括：第十六电阻R16、开关管Q11和第四电容C4，第十六电阻R16、和第四电容C4串联在开关管Q11上，开关管Q11一端与电流互感器CT连接，其另一端与电源连接；电感模块包括：电感元件L11和电容元件C，电感原件L11位于正端电路和负端电路的中性点，电容元件C与电流互感器CT并联；采样模块C100包括采样单元、第十八电阻R18和第十七电阻R17；采样单元的一端连接在第十七电阻R17和第十八电阻R18之间，采样单元的另一端与数字处理模块DSP连接。本实施例的其他部分与上述实施例相同，这里不再赘述。

如图3所示，仿真原理图中使用方波电压源V31模拟信号BUS+_PWM，频率为1kHz，使用三角波电压源V1模拟信号BUS+_LIMIT。

如图4所示，波形1为模拟平衡电路输出端OUT_BUS+端的波形，波形2为模拟信号BUS+_LIMIT端的波形，即三角波电压源V1的波形，波形3为理想比较器IC1的输出端波形，波形4为模拟信号PWM，即方波电压源V31。当波形2升高到1.25V时，波形3由高电平转为低电平，波形1也转为为低电平，即输出为低电平，电路进入过流保护状态。

由仿真波形可明显看出平衡电路出现过流时，过流保护电路H100能使平衡电路停止工作，保护平衡电路；当比较器负端电压超过1.25V时，理想比较器IC1迅速翻转，达到几乎无延时的保护效果。

在本发明的描述中，需要说明的是，所采用的术语“中心”、“上”、“下”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，或者是该发明产品使用时惯常摆放的方位或位置关系，仅是为了便于描述本发明和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本发明的限制。

此外，本发明的描述中若出现“水平”、“竖直”等术语并不表示要求部件绝对水平或悬垂，而是可以稍微倾斜。如“水平”仅仅是指其方向相对“竖直”而言更加水平，并不是表示该结构一定要完全水平，而是可以稍微倾斜。

在本发明的描述中，还需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，若出现术语“设置”、“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本发明中的具体含义。

以上所述，仅是本发明的较佳实施例，并非对本发明做任何形式上的限制，凡是依据本发明的技术实质对以上实施例所作的任何简单修改、等同变化，均落入本发明的保护范围之内。

Claims (10)

1.一种过流保护电路，其特征在于，包括：稳压单元、判断单元、时序单元、限定单元、控制单元、执行单元和驱动增强单元；

所述稳压单元接收外部电压，为判断单元提供稳定的判断电压；

所述判断单元对稳压单元提供的判断电压进行对比后向控制单元发送信号；

所述时序单元为控制单元提供时序信号；

所述限定模块对控制单元进行功能限定；

所述控制单元对判断单元和时序单元输出的信号进行处理，并向执行单元发送对应的执行信号；

所述执行单元用于处理控制单元和时序单元的信号并输出至驱动增强单元；

所述驱动增强单元对执行单元发出的执行信号进行增强后输出至后级电路的开关模块，开关模块根据执行信号实现通断动作。

2.如权利要求1所述过流保护电路，其特征在于，

所述稳压单元包括：第九电阻、第十电阻、第十一电阻和稳压源；

所述判断单元包括：第一电阻和比较器；

所述时序单元包括：第二电阻、第三电阻、第四电阻、第一电容和第一MOS管；

所述限定单元包括：第五电阻和第六电阻；

所述控制单元包括：触发器；

所述执行单元包括：第七电阻、第八电阻、第二MOS管和逻辑与门芯片；

所述驱动增强单元包括：第十二电阻、第十三电阻、第二电容、第三电容和第三MOS管和第四MOS管；

所述触发器的第一引脚通过第六电阻连接五伏电压；第二引脚通过第五电阻接地；第三引脚与第四电阻的一端和第一MOS管的源极连接，第四电阻的另一端接地，所述第一MOS管的漏极连接五伏电压，所述第一MOS管的栅极与第二电阻的一端连接并通过第三电阻接地和第一电容接地；所述第二电阻的另一端与外部的数字处理器连接；第四引脚通过第一电阻与电源和比较器的输出端连接，所述比较器的输入负端与外部的整流器连接，所述比较器的输入正端与第十电阻、第十一电阻的一端和稳压源的R端连接，所述第十一电阻的另一端和稳压源的A端接地，所述第十电阻的另一端和稳压源的K端通过第九电阻连接五伏电压；第五引脚与第二MOS管的栅极连接，所述第二MOS管的源极接地，所述第二MOS管的漏极与第七电阻的一端和逻辑与门芯片的第二输入端连接，所述第七电阻的另一端连接十二伏电压，所述逻辑与门芯片的第一输入端通过第二电阻连接至外部的数字处理器，所述逻辑与门芯片的输出端通过第八电阻连接第三MOS管和第四MOS管的基极，所述第三MOS管的集电极与第二电容的一端连接十二伏电压，所述第四MOS管的集电极与第三电阻的一端和地线连接，所述第三MOS管和第四MOS管的发射极同时与外部的开关、第十二电阻和第三电容连接，所述第十二电阻的另一端与第二电容的另一端连接，第三电容的另一端与第十三电阻连接。

3.如权利要求2所述过流保护电路，其特征在于，所述第一MOS管根据数字处理模块的输出电平进行通断。

4.如权利要求2所述过流保护电路，其特征在于，所述第十电阻和第十一电阻的阻值为1.25V。

5.一种直流高压母线的平衡电路，其特征在于，包括权利要求1-4中任一项所述的过流保护电路，包括正端电路和负端电路，所述正端电路和负端电路对称设置；所述正端电路和负端电路上均设置有：电感模块、整流模块、采样模块、开关模块、数字处理模块以及过流保护电路，所述数字处理模块的一端与正端电路中的采样模块和过流保护电路连接，所述数字处理模块的另一端与负端电路中的采样模块和过流保护电路连接；所述过流保护电路根据数字处理模块传输的电流强度控制开关模块的通断。

6.如权利要求5所述直流高压母线的平衡电路，其特征在于，所述整流模块与开关模块和过流保护电路连接；所述整流模块包括：电流互感器、第十四电阻、第十五电阻、第一二极管和第二二极管；所述电流互感器与第一二极管和第十四电阻串联，所述第二二极管和第十五电阻与第十四电阻并联。

7.如权利要求5所述直流高压母线的平衡电路，其特征在于，所述电流互感器用于将原边的大电流隔离转换为副边的小电流信号传递至过流保护电路。

8.如权利要求5所述直流高压母线的平衡电路，其特征在于，所述开关模块包括：第十六电阻、开关管和第四电容，所述第十六电阻、和第四电容串联在开关管上，所述开关管一端与电流互感器连接，其另一端与电源连接。

9.如权利要求5所述直流高压母线的平衡电路，其特征在于，所述电感模块包括：电感元件和电容元件，所述电感原件位于正端电路和负端电路的中性点，所述电容元件与电流互感器并联。

10.如权利要求5所述直流高压母线的平衡电路，其特征在于，所述采样模块包括采样单元、第十七电阻和第十八电阻；所述采样单元的一端连接在第十七电阻和第十八电阻之间，所述采样单元的另一端与数字处理模块连接。