CN118414583A - 用于防止用于euv光刻的光学部件的材料的劣化的方法和系统 - Google Patents

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Abstract

本公开提供了一种用于防止用于极紫外光(EUV)光刻的光学部件的材料的劣化的方法，所述方法包括以下步骤：将晶片布置在晶片台上；使用极紫外光源产生极紫外光；经由至少一个反射装置将所述极紫外光朝向所述晶片反射，所述至少一个反射装置包括用于向所述极紫外光提供图案的掩模版装置；以及通过提供含氧气体来稳定所述至少一个反射装置的材料。

Description

用于防止用于EUV光刻的光学部件的材料的劣化的方法和 系统
相关申请的交叉引用
本申请要求于2021年12月17日递交的欧洲申请21215476.9的优先权，并且该欧洲申请的全部内容通过引用而被合并并入本文中。
技术领域
本发明涉及一种用于限制或防止等离子体条件下的材料成分的变化的系统和方法。该表面可以是例如光刻设备中的表面。该表面可以是例如壁或外壳、光学元件、保护层、掩模或基板。所述等离子体条件可以包括包含氢等离子体的环境。
背景技术
光刻设备是一种被构造为将所期望的图案施加到衬底上的机器。例如，光刻设备可以用于集成电路(IC)的制造中。光刻设备可以例如将图案形成装置(例如，掩模)处的图案投影到设置在衬底上的辐射敏感材料(抗蚀剂)层上。
随着半导体制造过程持续进步，几十年来，在电路元件的尺寸已经不断地减小的同时每器件的功能元件(诸如晶体管)的量已经在稳定地增加，这遵循着通常称为“莫尔定律(Moore’s law)”的趋势。为了跟上莫尔定律，半导体行业正在寻求能够产生越来越小的特征的技术。为了将图案投影到衬底上，光刻设备可以使用电磁辐射。这种辐射的波长确定在所述衬底上图案化的特征的最小大小。
在电磁波谱中，极紫外线是UV区中能量最大的部分。它通常从100纳米到10纳米，介于x射线辐射与深紫外线或极紫外线(DUV，100nm到200nm)之间。为了比较，可见光为700nm至400nm，并且通常UV辐射是指具有400nm至280nm波长的光。
当前用于光刻的典型的波长是365nm(i线)、248nm(KrF)、193nm(ArF)和13.5nm(EUV)。使用极紫外(EUV)辐射(具有在4nm至20nm范围内的波长，例如6.7nm或13.5nm)的光刻设备可以被用于在衬底上形成与使用例如具有193nm波长的辐射的光刻设备相比更小的特征。
EUV光产生装置可以包括例如三种装置。一种装置是激光产生等离子体(LPP)装置，其使用通过用脉冲激光束照射目标材料而产生的等离子体。另一装置使用放电产生等离子体(DPP)装置，其使用由放电产生的等离子体。又一装置使用利用同步辐射的同步辐射(SR)装置。
EUV辐射本身容易被空气和其它气体吸收。因此，EUV光从其产生的时刻到其撞击晶片的时刻必须行进通过高质量真空。这也意味着，代替透镜，通常需要曲面反射镜。传统的透镜或光掩模会吸收太多的光，因此掩模或掩模版也需要是反射型的。
对于EUV辐射，可以使用多层膜来构造具有中等效率(>60％)的反射光学器件。所述多层膜可以包括例如硅(Si)和钼(Mo)的多个间断层。所述多层膜通常被沉积在基板上，例如包括玻璃或玻璃状材料。
如上文提到的，所述EUV光刻设备的光学段可以在真空中操作。所述真空可以是大约5Pa。所述真空不仅包括去除空气，而且可以包括利用保护气体替换空气。所述气体可以包括氢气。EUV光的高能量(其可以是大约90eV)可以破坏氢键，从而在所述光学段内部产生氢自由基。所述氢自由基容易与宽范围的成分键合。所述成分通常是不想要的。所得到的新形成的物质(与氢键合)通常是气态的，并且可以从所述光刻设备去除，由此从所述光学段去除不想要的物质。因而，氢氛围具有对扫描器光学器件的清洁功能。
当氢自由基变得离子化从而形成氢等离子体时，可能出现问题。光学器件内的EUV辐射以及此外EUV源的等离子体足够强大以电离氢和氢自由基。在EUV光产生装置和光学段中的等离子体条件下，一些表面具有形成挥发性成分的趋势。所述表面包括硅和富硅表面-包括氧化硅，诸如SiO2。当暴露于氢等离子体或利用氢离子轰击时，表面中或表面上的硅可以形成诸如SiH4之类的物质。这导致硅从表面损失。
US2021124275披露了一种极紫外光聚光反射镜，其包括基板、在基板上被配置成反射具有13.5nm波长的极紫外光的多层反射膜、以及在所述多层反射膜上的保护膜。所述保护膜包括在所述多层反射膜上的氧化硅层和在具有暴露的一个表面的氧化硅层上的氧化钛层。US2021124275也披露了极紫外光产生装置的示例性示意配置。
反射镜的保护层(例如包括氧化钛或诸如钌之类的替代材料)通常包括具有足以承受来自所述等离子体的高能氢离子的冲击的原子量的材料。因而，可以保护反射镜的表面。然而，通常由诸如玻璃之类的富含硅的材料所制成的反射镜的基板也暴露于氢等离子体并且可能受到负面影响。
这同样适用于所述光刻设备内的一些其它表面。例如，与常规光刻机器不同，用于EUV光刻的掩模或掩模版通常也是反射装置。所述掩模的反射表面可以被保护层覆盖，该保护层可以被称为表膜。与反射镜不同，所述掩模的所述保护层具有有限范围的合适材料，能够提供足够的EUV辐射透射。因此，所述层通常包括硅，或完全由硅制成。当所述保护层被暴露于氢等离子体时，如上文描述的，所述表膜层经受挥发性SiH4的形成和硅随时间的损失。所述保护层中硅的减少量改变了其EUV透射率，这可能导致剂量误差。而且，硅的去除限制了反射镜或掩模版的寿命。所形成的挥发性成分(诸如SiH4)可以分解且导致硅在反射镜上的不均匀沉积，从而降低反射及被投影在所述晶片上的所得到的图案的准确性。
US2003147058A1披露了反射X射线光学系统部件。所述部件在使用期间抑制它们的反射表面的污染(例如碳污染)。多层膜包括第一物质和第二物质的交替层，所述交替层被配置成赋予对入射X辐射(包括垂直入射辐射)的高反射率。所述多层膜包括期望被形成在所述多层膜的最上层上的保护层(由包括光催化材料的材料形成)。如果所述光学部件是掩模版，则经图案化的吸收体层覆盖所述多层膜的至少一部分。保护层可以在所述多层膜与所述吸收体层之间形成，或者以覆盖方式形成在所述吸收体层单元和所述多层膜的暴露部分之上。通过在含氧氛围中利用IR或可见光照射所述保护层来去除表层污染物。
US2006192158A1披露了一种用于防止包括多层系统的光学元件的表面上的污染物的方法，在其暴露于包括残留气体氛围的真空封闭系统中的信号波长的辐射期间，由此测量通过来自所述多层系统的辐射表面的光发射所产生的光电流。所述光电流被用于调节残余气体的气体成分。根据所述光电流的至少一个下限阈值和一个上限阈值来改变所述气体成分。本发明也涉及用于在曝光期间调节所述至少一个光学元件的表面上的污染的装置、和EUV光刻装置、以及用于清洁被碳污染的所述光学元件的表面的方法。根据US2006192158A1，当通过改变氧分压来改变所述残余气体氛围的成分时，氧化过程或碳沉积过程是有利的。通过添加氧气或含氧气体来改变所述氧分压。通过增加所述氧分压，平衡朝向氧化改变，这减少了含碳沉积物。
虽然US2006192158A1和US2003147058A1中所披露的方法通常工作良好，但是该方法去除了污染物。换句话说，在可以去除污染物之前，存在污染物。此外，US2006192158A1和US2003147058A1的方法不适于防止硅烷(SiH4)的形成和如上文描述的相关联问题。
本发明的至少一个方面的至少一个实施例的目的是消除或至少减轻现有技术的上述缺点中的至少一个。
发明内容
本公开提供了一种用于防止用于极紫外光(EUV)光刻的光学部件的材料的劣化的方法，所述方法包括以下步骤：
将晶片布置在晶片台上；
使用极紫外光源产生极紫外光；
经由至少一个反射装置将所述极紫外光朝向所述晶片反射，所述至少一个反射装置包括用于向所述极紫外光提供图案的掩模版装置；以及
通过提供含氧气体来稳定所述至少一个反射装置的材料。
在实施例中，所述含氧气体包括过氧化氢(H2O2)。
在实施例中，所述材料包括硅。
在实施例中，所述掩模版装置包括掩模版，所述掩模版设置有与所述掩模版平行布置的表膜，其中所述掩模版装置被布置在掩模版微环境中，稳定所述材料的步骤至少包括将所述含氧气体提供至所述掩模版微环境。
在实施例中，将所述含氧气体提供至所述掩模版微环境的步骤包括使所述含氧气体沿着所述表膜流动。
在实施例中，所述提供含氧气体的步骤包括：
提供含氢气体流；
将所述含氧气体添加至所述氢气流。
在实施例中，所述将所述含氧气体添加至所述氢气流的步骤包括：
提供所述含氧气体的源，所述源具有设置有隔膜的出口；
使所述含氢气体流与所述隔膜的外表面接触。
在实施例中，所述将所述含氧气体添加至所述氢气流的步骤包括以下步骤：
通过调整随所述隔膜的所述外表面而变的氢气的流量来控制被添加至所述氢气流的含氧气体的量。
根据另一方面，本公开提供了一种用于防止用于极紫外光(EUV)光刻的光学部件的材料的劣化的组件，所述组件包括：
布置在真空室中的用于反射所述极紫外光的至少一个光学部件；和
所述真空室，所述真空室具有适于将含氧气体提供到至少一个反射装置的用于气体的至少一个入口、和用于所述气体的出口。
在实施例中，所述至少一个反射装置包括用于向所述极紫外光提供图案的掩模版装置，所述掩模版装置包括掩模版，所述掩模版设置有与所述掩模版平行布置的表膜，和用于气体的至少一个入口，适于沿着所述表膜引导所述含氧气体流。
在实施例中，所述组件包括：
至少一个导管，所述至少一个导管将含氢气体的源连接到用于气体的所述至少一个入口；
所述含氧气体的源，所述含氧气体的源具有设置有隔膜的出口，所述隔膜的外表面暴露于所述至少一个导管。
根据又一方面，本公开提供了一种光刻系统，所述光刻系统适用于如上所述的方法或包括如上所述的组件。
附图说明
现在将参考随附的示意性附图仅通过举例的方式描述本发明的实施例，在附图中：
-图1示意性地描绘了根据本公开的包括光刻设备和辐射源的光刻系统的实施例；
-图2示意性地描绘了根据本公开的光刻设备的实施例；
-图3示意性地描绘了根据本公开的掩模版微环境的横截面；以及-图4示意性地描绘了用于提供含氧气体的气体流量控制方案。
具体实施方式
图1示出了包括辐射源SO和光刻设备LA的光刻系统。所述辐射源SO被配置成产生EUV辐射束B并且用于向所述光刻设备LA供应所述EUV辐射束B。所述光刻设备LA包括照射系统IL、被配置成支撑掩模组件MA的支撑结构MT、投影系统PS、以及被配置成支撑衬底W的衬底台WT。所述支撑结构MT和所述掩模组件MA可以被布置在专用容器中，该专用容器可以被称为掩模版微环境RME。RME可以分别经由开口70、72而被连接到照射系统IL和投影系统PS。
所述掩模组件MA可以包括图案形成装置80和表膜82。所述表膜可以被包括在被配置成支撑所述表膜的框架中。所述框架可以利用安装件而被安装在所述图案形成装置80上。所述表膜80可以与所述图案形成装置分离。例如，所述表膜可以包括吸收经电离粒子的材料的薄膜层。该材料可以是例如硅或含硅化合物。对于所述图案形成装置80和相关表膜82的技术细节的示例，参考例如US10466585B2或US2019025717A1。
所述照射系统IL被配置成在所述EUV辐射束B入射到所述图案形成装置MA上之前调节所述EUV辐射束B。此外，所述照射系统IL可以包括琢面场反射镜装置10和琢面光瞳反射镜装置11。所述琢面场反射镜装置10和琢面光瞳反射镜装置11一起为所述EUV辐射束B提供期望的横截面形状和期望的强度分布。除了所述琢面场反射镜装置10和琢面光瞳反射镜装置11以外，或代替所述琢面场反射镜装置10和琢面光瞳反射镜装置11，所述照射系统IL可以包括其它反射镜或装置。
在如此调节之后，所述EUV辐射束B与所述图案形成装置MA相互作用。由于这种相互作用，产生经图案化的EUV辐射束B'。所述投影系统PS被配置成将所述经图案化的EUV辐射束B'投影到所述衬底W上。为此，所述投影系统PS可以包括多个反射镜13、14，所述多个反射镜被配置成将所述经图案化的EUV辐射束B'投影到由所述衬底台WT保持的衬底W上。所述投影系统PS可以对所述经图案化的EUV辐射束B'施加缩小因子，因而形成具有比所述图案形成装置MA上的对应特征更小于的特征的图像。例如，应用4或8的缩小因子。虽然所述投影系统PS在图1中被图示为具有仅两个反射镜13、14，但是所述投影系统PS可以包括不同数目个反射镜(例如，六个或八个反射镜)。
所述衬底W可以包括先前形成的图案。在这种情况下，所述光刻设备LA使得由所述经图案化的EUV辐射束B'所形成的图像与先前在所述衬底W上所形成的图案对准。
可以在位于所述照射系统IL和/或所述投影系统PS中的所述辐射源SO中提供相对真空，即，处于远低于大气压的压力下的少量气体(例如氢气)。远低于大气压的所述压力可以大约5Pa。
图1中示出的辐射源SO例如是可以被称为激光产生等离子体(LPP)源的类型。激光系统1(其可以例如包括CO2激光器)被布置成经由激光束2将能量沉淀到燃料中，所述燃料诸如从例如燃料发射器3提供的锡(Sn)。虽然在下文描述中提到锡，但是可以使用任何合适的燃料。所述燃料可以燃料呈液体形式，并且可以例如是金属或合金。燃料发射器3可以包括喷嘴，所述喷嘴被配置成沿朝向等离子体形成区4的轨迹引导例如呈液滴形式的锡。所述激光束2在所述等离子体形成区4处被入射到锡上。激光能量沉积到锡中，在等离子体形成区4处产生锡等离子体7。在用所述等离子体的离子对电子进行去激发和重组期间，从所述等离子体7发射包括EUV辐射的辐射。
来自所述等离子体的EUV辐射由收集器5收集和聚焦。收集器5包括例如近正入射辐射收集器5(有时更通常地指的是正入射辐射收集器)。所述收集器5可以具有多层反射镜结构，所述多层反射镜结构被布置成反射EUV辐射(例如，具有诸如13.5nm的期望的波长的EUV辐射)。所述收集器5可以具有椭圆形配置，所述椭圆形配置具有两个焦点。所述焦点中的第一焦点可以位于所述等离子体形成区4处，并且所述焦点中的第二焦点可以位于中间焦点6处，如下文论述的。
所述激光系统1可以与所述辐射源SO空间上分开。在这种情况下，所述激光束2可以借助于束传递系统(未示出)从所述激光系统1传递到所述辐射源SO，所述束传递系统包括例如合适的定向反射镜和/或扩束器、和/或其它光学器件。所述激光系统1、所述辐射系统SO和所述束传递系统可以一起被认为是辐射系统。
由所述收集器5反射的辐射形成所述EUV辐射束B。所述EUV辐射束B被聚焦在中间焦点6处，以在呈现在所述等离子体形成区4处的所述等离子体的所述中间焦点6处形成图像。所述中间焦点6处的图像用作所述照射系统IL的虚拟辐射源。所述辐射源SO被布置成使得所述中间焦点6位于所述辐射源SO的封闭结构9中的开口8处或附近。
虽然图1将所述辐射源SO描绘为激光产生等离子体(LPP)源，但是任何合适的源(诸如放电产生等离子体(DPP)源、自由电子激光器(FEL)可以被用于产生EUV辐射。
当执行光刻曝光时，提供给衬底的辐射剂量是重要的考虑因素。由于EUV辐射的不想要的吸收，到达衬底W的辐射的剂量可以随时间变化。例如，光刻设备内的表面可以将一种或更多种化学品(例如硅烷)释放到光刻设备的内部环境中。所述化学物质的存在可以减少EUV辐射通过光刻设备的内部环境的透射，从而减少提供给衬底的辐射剂量。
在EUV扫描器的操作期间，在扫描器光学段中引入的氢气可以被电离，从而提供氢等离子体。在氢离子的冲击下，硅和富硅表面(包括氧化硅，诸如SiO2)具有形成挥发性SiH4并且因而从表面损失硅的趋势。在表膜80的情况下，这导致改变的表膜透射(并且因而导致剂量误差)，限制所述掩模版的寿命，并且可能在EUV反射镜上给出Si沉积。
在实践中，包含硅的任何表面通常被至少部分地氧化。结果，化学反应包括如下所指示的两个步骤。反应(1)预期是限速的：
(1) SiO2 + 4.H → Si + 2.H2O (g)
(2) Si + 4.H → SiH4 (g)
为了减轻EUV辐射的减少的透射，可以将气体引入到所述光刻设备。所述气体可以是含氧气体，例如包括氧气(O2)、水(H2O)和过氧化氢(H2O2)中的一种或更多种。所述光刻设备可以例如是极紫外(EUV)光刻设备。本公开的系统和方法使得能够向诸如光刻设备之类的设备提供受控量的气体。
一种精确控制待提供给所述光刻设备的相对少量的含氧气体的方法包括：将包括含氧气体(O2)的第一气体与一种或更多种其它气体混合。所述一种或更多种其它气体缺少含氧气体。在将气体混合物的受控流引入所述光刻设备之前，混合所述气体。例如，清洁干燥空气，CD A，(例如极度清洁干燥空气，XCDA)可以与诸如氮气(N2)或氢气(H2)之类的气体混合，以便将所述清洁干燥空气中的含氧气体的量稀释到较低浓度。所述气体混合物可以使得其包括适合用于光刻设备中的适当低浓度的含氧气体。
参考图1，所述光刻设备LA包括至少一个系统100以向设备LA的选定部分提供气体流。所述至少一个系统100包括用于提供含氧气体的流120的第一气体源110。所述系统100包括第二气体源112，用于提供由缺少氧气的气体(例如氮气或氢气)的第二气体流130。气体流120和130被合并并且混合以形成气态混合物160。
所述至少一个系统100可以包括例如一个或更多个合适的导管。参见图2的示例。可以在如图1中的一个或更多个反射镜处或附近提供该流，例如琢面场反射镜装置10和琢面光瞳反射镜装置11，或反射镜13、14。混合物160可以经由一个或更多个气体入口116、118、222(图1)而被引入。因而，气体的混合使得能够以合适的精度和稳定性在所述光刻设备的一个或更多个光学部件附近提供低分压的含氧气体。
所述光刻设备LA可以设置有一个或更多个出口224以吹扫气体。所述出口224可以经由相应的导管228而被连接到一个或更多个低压装置226。所述低压装置226可以包括泵、真空室以及过滤器和隔膜中的一个或更多个，以清洁从所述设备LA吹扫的气体。
所述出口224可以被定位在选择的部位处。对于本公开的系统和方法，至少一个出口224和相关排放导管228可以被连接到掩模版微环境RME。后者允许专门控制RME中的气体混合物，从而避免气体混合物与敏感光学段IL和PS的干扰。
如图1所例示的，替代地或额外地，至少一个出口224可以被连接到所述投影系统PS。RME和PS中的所述出口224允许相应的入口与出口之间的合适的压力差。这也允许所述掩模版微环境RME与所述投影系统PS之间的合适的压力差。
图2示出了至少一个气体流控制系统100的实施例的示例。所述系统100可以包括用以控制所述流120的第一质量流量控制器140。第二质量流量控制器150可以控制不含氧气的气体(通常为氢气)的流量130。可以设置压力计和/或压力控制器170以监测和/或控制所述气态混合物160的压力。所述气态混合物160可以在一个或更多个导管或分支180.1、180.2、180.3上被拆分开。第一导管180.1可以包括阀190并且可以被连接到收集器200。阀190可以被配置成控制气体混合物的通过第一分支180.1的流。收集器200可以被配置成接收在所述光刻设备的内部环境210中不需要的任何过量的气态混合物。
第二导管180.2和/或第三导管180.3可以包括质量流量控制器220、230和/或阀240、250。第二导管180.2和第三导管180.3可以被配置成将受控量的气态混合物160供应到所述光刻设备的内部环境210的不同部分。例如，第二分支180.2可以提供靠近于所述掩模版MA的气态混合物的流160。第三分支180.3可以提供靠近于所述衬底W的气态混合物的流160。
气体混合物160可以被分布在所述光刻设备内的一个或更多个期望部位之间。参见图1和图3的示意概略图。所述气体混合物可以经由一个或更多个气体入口116、118、222而被引入到所述光刻设备。含氧气体可以经由一个或更多个隔膜114提供，如图1中示出的。替代地或额外地，可以使用质量流量控制器来提供所述气体，如图2中例示的。
图3示出了另一实施例的示意性概略图，其示出了将第一气体源110和第二气体源112连接到所述光刻设备LA的各个段(诸如所述掩模版微环境RME、投影系统PS、和照射系统IL)的相应导管180.1、180.2。
大体上参考图4，在实施例中，至少一个入口116被连接到所述掩模版微环境。所述入口116可以包括其自身，其包括将气流连接到RME并且将所述气流朝向选择的目标区域(通常是所述掩模组件MA)引导的入口的多管。可以被称为Y形喷嘴或Qynoz的所述入口116沿所述掩模版80和所述表膜82引导所述混合物160。气流160的至少一部分将在所述掩模版80与所述表膜82之间流动。RME可以设置有允许从RME移除气体的至少一个出口117。
在实施例中，所述掩模版微环境RME可以被连接到锥形元件270。元件270可以具有连接到所述照射光学器件IL和所述投影系统PS的开口272。在实际实施例中，所述锥体270的所述开口272被连接到开口70、72，如图1中所示。
RME中相对于PS稍高的压力允许从RME朝向所述投影系统的气体流动，从而防止污染物到达所述掩模组件MA。RME和PS内的压力等级可以是的大约5Pa。总体上参考图4，在实际实施例中，RME中的入口116与出口117之间的压力差可以为大约0.05Pa至0.5Pa，从而允许沿掩模组件MA的气体流动。后者具有防止RME中的气体混合物与敏感的光学环境IL和PS干扰的优点。
在实际实施例中，本公开提出将痕量的过氧化氢(H2O2)添加到局部H2流中作为氧化成分。即使痕量的H2O2也将会移动上述反应(1)的平衡，以保持相应含硅组成的表面层被氧化。
在实际实施例中，不含氧的气体通常是氢气。例如，混合物160包含大于90摩尔％、或大于95摩尔％、大于99摩尔％、或大于99.9摩尔％的不含氧的气体。不含氧的气体通常是H2。混合物160通常具有相对低浓度的含氧气体。本文中相对低可以指大约5％或更低的百分比(摩尔％)，例如在0.01至1摩尔％的范围内。例如，混合物160可以包括范围为10至500ppm，例如10至250ppm，例如约10至100ppm的含氧气体。
H2O2是优选的氧化剂，例如优于O2和H2O，因为氧化对于顶表面层是自限制的。在操作中，H2O2分裂成2.OH，这导致OH的高表面覆盖率，以防止进一步的H2O2分子的吸附和低渗透。另一方面，H2O分裂成OH和H，并且因此提供较低的吸附位点保护，并且O2分裂成具有相对高渗透性的2.O。O2难以以痕量添加到氢气中，并且所得到的氢气和氧气的混合物具有安全问题，因为该混合物可能是爆炸性的。此外，O2和H2O不是(或小于)自限制于H2O2，因此具有氧化多于仅顶部表面层的趋势。本文的自限制涉及例如上式(1)和(2)，其中式(1)是自限制的，即式(1)的反应速率限制式(2)的反应速率。
在实施例中，经由隔膜114添加所述含氧气体，通常为H2O2。实际实施例的示例参见图1。氢气(H2)流经所述隔膜，其中另一侧上具备含有H2O2的溶剂(有关更多细节，请参见附件)。可以通过H2在所述隔膜上的流速和有效隔膜面积来精确地控制H2O2的剂量。这继而允许以足够但恒定的相对量(即相对于来自第二源112的第二气体)添加痕量的H2O2。H2O2的相应的量在上面例示。
所述隔膜可以包括合适的材料，例如全氟聚合物。使用经由隔膜的添加使得基于流体的H2O2源(在储器110中)能够在没有浪费的情况下提供稳定的H2O2流入H2流中。
适用于本公开的工业化过氧化氢膜溶液例如可从RASIRC[sandiego，CA，USA]获得，例如RASIRC的隔膜。
本发明的实施例提供以下优点：i)基于硅的表膜82随时间的稳定透射；ii)由于减少的表膜材料损失而导致的较长的表膜寿命；以及iii)减少了对反射镜的硅脱气风险。
虽然在本文中可以对光刻设备在IC制造中的使用进行具体参考，但是应理解，本文中描述的光刻设备可以具有其它应用。可能的其它应用包括集成光学系统的制造、用于磁畴存储器的引导和检测图案、平板显示器、液晶显示器(LCD)、薄膜磁头等。
虽然在本文中在光刻设备的情境下对本发明的实施例进行具体的参考，但是本发明的实施例可以用于其它设备。本发明的实施例可以形成掩模检查设备、量测设备或测量或处理诸如晶片(或其它衬底)或掩模(或其它图案形成装置)之类的物体的任何设备的一部分。这些设备通常可以被称为光刻工具。这种光刻工具可以使用真空条件或环境(非真空)条件。
虽然上文已经在光学光刻术的情境下对本发明的实施例的使用进行了具体的参考，但是将理解，在情境允许的情况下，本发明不限于光学光刻术并且可以在其它应用中使用，例如压印光刻术。
虽然上文已经描述了本发明的具体实施例，但是将理解，可以与所描述的不同的方式来实践本发明。上文的描述旨在是示例性的而非限制性的。因此，本领域的技术人员将明白，可以对如所描述的本发明进行修改，而在不脱离下文阐述的权利要求的范围。

Claims (14)

1.一种用于防止用于极紫外光(EUV)光刻的光学部件的材料的劣化的方法，所述方法包括以下步骤：
将晶片布置在晶片台上；
使用极紫外光源产生极紫外光；
经由至少一个反射装置将所述极紫外光朝向所述晶片反射，所述至少一个反射装置包括用于向所述极紫外光提供图案的掩模版装置；以及
通过提供含氧气体来稳定所述至少一个反射装置的材料。
2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述含氧气体包括过氧化氢(H2O2)。
3.根据权利要求1或2所述的方法，其中，所述材料包括硅。
4.根据权利要求1至3中的任一项所述的方法，其中，所述掩模版装置包括掩模版，所述掩模版设置有与所述掩模版平行布置的表膜，
其中，所述掩模版装置被布置在掩模版微环境中，稳定所述材料的步骤至少包括将所述含氧气体提供至所述掩模版微环境。
5.根据权利要求4所述的方法，其中，将所述含氧气体提供至所述掩模版微环境包括使所述含氧气体沿着所述表膜流动。
6.根据权利要求1至5中的任一项所述的方法，提供含氧气体的步骤包括：
提供含氢气体流；
将所述含氧气体添加至所述氢气流。
7.根据权利要求6所述的方法，所述将所述含氧气体添加至所述氢气流的步骤包括：
提供所述含氧气体的源，所述源具有设置有隔膜的出口；
使所述含氢气体流与所述隔膜的外表面接触。
8.根据权利要求7所述的方法，所述将所述含氧气体添加至所述氢气流的步骤包括以下步骤：
通过调整随所述隔膜的所述外表面而变的氢气的流量来控制被添加至所述氢气流的含氧气体的量。
9.一种用于防止用于极紫外光(EUV)光刻的光学部件的材料的劣化的组件，所述组件包括：
布置在真空室中的用于反射所述极紫外光的至少一个光学部件；和
所述真空室，所述真空室具有适于将含氧气体提供到至少一个反射装置的用于气体的至少一个入口、和用于所述气体的出口。
10.根据权利要求9所述的组件，其中，所述至少一个反射装置包括用于向所述极紫外光提供图案的掩模版装置，所述掩模版装置包括掩模版，所述掩模版设置有与所述掩模版平行布置的表膜，
用于气体的至少一个入口，适于沿着所述表膜引导所述含氧气体流。
11.根据权利要求9或10所述的系统，其中，所述含氧气体包括过氧化氢(H2O2)。
12.根据权利要求9、10或11所述的系统，其中，所述材料包括硅。
13.根据权利要求9至12中的任一项所述的系统，包括：
至少一个导管，所述至少一个导管将含氢气体的源连接到用于气体的所述至少一个入口；
所述含氧气体的源，所述含氧气体的源具有设置有隔膜的出口，所述隔膜的外表面暴露于所述至少一个导管。
14.一种光刻系统，所述光刻系统适用于权利要求1所述的方法或包括权利要求9所述的组件。
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