CN118294492A - 一种半导体界面材料热退化测试方法及装置 - Google Patents

Abstract

本发明公开了一种半导体界面材料热退化测试方法及装置。该方法包括：获取被测半导体器件的第一暂态热阻曲线；根据第一暂态热阻曲线的稳态点确定矩形脉冲功率的加热时长；根据矩形脉冲功率对被测半导体器件进行加热，并在加热完成后对被测半导体器件进行冷却；根据被测半导体器件冷却过程中的温度变化计算被测半导体器件的第二暂态热阻曲线；根据第二暂态热阻曲线与标准暂态热阻曲线间的差异对被测半导体界面材料热退化状态进行评估。本发明实施例的测试方法无需对被测半导体器件所在的全部系统进行加热，仅对被测半导体器件进行加热即可，并且无需破坏半导体界面材料的界面材料，有利于实现界面材料的原位测试，提高界面材料的评估效率。

Description

一种半导体界面材料热退化测试方法及装置

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，尤其涉及一种半导体界面材料热退化测试方法及装置。

背景技术

半导体器件在实际应用时，要通过界面材料和散热装置进行散热以保证正常运行。器件内部的焊锡层、外部的硅脂等相似类型的界面材料，可能在生产过程中出现缺陷，或者可能在长时间工作之后发生退化，导致该部分的热阻增加，从而引起导热能力的下降。因此需要对生产、长时间工作等情况下界面材料异常时增加的热阻进行测试，评估其缺陷、老化状况。

在现有技术中，对半导体界面材料的测试需要在半导体晶圆正下方的散热器中打孔并埋入热电偶，然后对晶圆施加加热功率。在半导体器件的温度稳定后得到半导体界面材料的状态情况。

然而，此种方法需要破坏界面材料，无法实现原位测试，并且测试效率较差。

发明内容

本发明提供了一种半导体界面材料热退化测试方法及装置，以实现界面材料的原位测试，提高界面材料的评估效率。

根据本发明的一方面，提供了一种半导体界面材料热退化测试方法，该方法包括：

获取被测半导体器件的第一暂态热阻曲线；其中，所述第一暂态热阻曲线为具有界面材料的半导体器件自身的暂态热阻曲线；

根据所述第一暂态热阻曲线的稳态点确定矩形脉冲功率的加热时长；

根据所述矩形脉冲功率对所述被测半导体器件进行加热，并在加热完成后对所述被测半导体器件进行冷却；

根据所述被测半导体器件冷却过程中的温度变化计算所述被测半导体器件的第二暂态热阻曲线；其中，所述第二暂态热阻曲线为被测半导体器件在矩形脉冲功率下的暂态热阻曲线；

根据所述第二暂态热阻曲线与标准暂态热阻曲线间的差异对被测半导体界面材料热退化状态进行评估；其中，所述标准暂态热阻曲线为具有标准界面材料的半导体器件在矩形脉冲功率下的暂态热阻曲线。

可选地，所述根据所述第一暂态热阻曲线的稳态点确定矩形脉冲功率的加热时长的步骤包括：

确定所述第一暂态热阻曲线达到稳态点所需的稳态时长；

根据所述稳态时长确定所述矩形脉冲功率的加热时长。

可选地，所述矩形脉冲功率的加热时长大于所述稳态时长。

可选地，所述根据所述矩形脉冲功率对所述半导体器件进行加热的步骤包括：

控制所述被测半导体器件导通；

根据所述矩形脉冲功率对所述被测半导体器件施加加热电流；

获取所述被测半导体器件在加热时的导通压降；

根据所述导通压降对所述加热电流进行调整，以维持所述被测半导体器件的加热功率稳定。

可选地，所述根据所述矩形脉冲功率对所述半导体器件进行加热的步骤包括：

获取所述被测半导体器件的零温度系数点；

根据所述被测半导体器件在所述零温度系数点确定加热电流大小；

对所述被测半导体器件施加加热电流，以对所述被测半导体器件进行加热。

可选地，在根据所述矩形脉冲功率对所述被测半导体器件进行加热的步骤之前，还包括：

获取所述被测半导体器件在小电流下的饱和压降与温度关系；其中，在所述小电流下半导体器件的饱和压降与温度呈反比。

可选地，所述根据所述被测半导体器件冷却过程中的温度变化计算所述被测半导体器件的第二暂态热阻曲线的步骤包括：

获取冷却过程中所述被测半导体器件在小电流下的冷却压降；

根据所述冷却压降、所述饱和压降与温度关系计算所述被测半导体器件的冷却过程中的最高温度和温度变化过程；

根据所述最高温度、所述温度变化过程和暂态热阻曲线计算公式计算所述第二暂态热阻曲线。

根据本发明的另一方面，还提供了一种半导体界面材料热退化测试装置，该装置包括：

读取模块，所述读取模块用于获取被测半导体器件的第一暂态热阻曲线；

第一计算模块，所述第一计算模块用于根据所述第一暂态热阻曲线确定矩形脉冲功率的加热时长；

测试模块，所述测试模块用于根据所述矩形脉冲功率对所述被测半导体器件进行加热，并在加热完成后对所述被测半导体器件进行冷却；

第二计算模块，所述第二计算模块用于根据所述被测半导体器件冷却过程中的温度变化计算所述被测半导体器件的第二暂态热阻曲线；

评估模块，所述评估模块用于根据所述第二暂态热阻曲线与标准暂态热阻曲线间的差异对被测半导体界面材料热退化状态进行评估。

本发明实施例通过被测半导体器件的第一暂态热阻曲线确定矩形脉冲功率的加热时长，通过施加矩形脉冲功率对被测半导体器件进行加热，并测量被测半导体器件在冷却过程中的温度变化，得到被测半导体器件的第二暂态热阻曲线，通过被测半导体器件的第二暂态热阻曲线与标准暂态热阻曲线的对比对被测半导体器件的界面材料热退化状态进行评估。与现有技术相比，本发明实施例的测试方法无需对被测半导体器件所在的全部系统进行加热，仅对被测半导体器件进行加热即可，并且无需破坏半导体界面材料的界面材料，有利于实现界面材料的原位测试，提高界面材料的评估效率。

应当理解，本部分所描述的内容并非旨在标识本发明的实施例的关键或重要特征，也不用于限制本发明的范围。本发明的其它特征将通过以下的说明书而变得容易理解。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1是本发明实施例提供的一种半导体界面材料热退化测试方法的流程图；

图2是本发明实施例提供的一种半导体器件的第一暂态热阻曲线图；

图3是本发明实施例提供的一种矩形脉冲功率的示意图；

图4是本发明实施例提供的一种被测半导体器件加热的等效原理图；

图5是本发明实施例提供的一种界面材料的典型测试结果的曲线图；

图6是本发明实施例提供的另一种半导体界面材料热退化测试方法的流程图；

图7是本发明实施例提供的又一种半导体界面材料热退化测试方法的流程图；

图8是本发明实施例提供的又一种半导体界面材料热退化测试方法的流程图；

图9是本发明实施例提供的又一种半导体界面材料热退化测试方法的流程图。

具体实施方式

为了使本技术领域的人员更好地理解本发明方案，下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分的实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都应当属于本发明保护的范围。

需要说明的是，本发明的说明书和权利要求书及上述附图中的术语“第一”、“第二”等是用于区别类似的对象，而不必用于描述特定的顺序或先后次序。应该理解这样使用的数据在适当情况下可以互换，以便这里描述的本发明的实施例能够以除了在这里图示或描述的那些以外的顺序实施。此外，术语“包括”和“具有”以及他们的任何变形，意图在于覆盖不排他的包含，例如，包含了一系列步骤或单元的过程、方法、系统、产品或设备不必限于清楚地列出的那些步骤或单元，而是可包括没有清楚地列出的或对于这些过程、方法、产品或设备固有的其它步骤或单元。

本发明实施例提供了一种半导体界面材料热退化测试方法。该方法通过矩形脉冲功率对半导体器件进行加热，缩短半导体界面材料的加热时长，实现半导体界面材料的快速评估。图1是本发明实施例提供的一种半导体界面材料热退化测试方法的流程图。参照图1，该方法包括：

S110、获取被测半导体器件的第一暂态热阻曲线；其中，第一暂态热阻曲线为具有界面材料的半导体器件自身的暂态热阻曲线。

具体地，界面材料包括设置于半导体器件内部的内部界面材料和设置于半导体器件外部的外部界面材料。其中，内部界面材料是半导体器件组成的一部分；外部界面材料是设置于半导体器件外部，改善半导体器件与其他器件连结性能的材料。示例性地，内部界面材料可以为焊锡层，外部界面材料可以为硅脂。需要说明的是，被测半导体器件的第一暂态热阻曲线是被测半导体器件处于良好状态下的暂态热阻曲线，此时的被测半导体器件可以认为是全新的器件，其界面材料并未老化或退化。图2是本发明实施例提供的一种半导体器件的第一暂态热阻曲线图。示例性地，参照图2，第一暂态热阻曲线可以通过被测半导体器件的规格说明书获取。

S120、根据第一暂态热阻曲线的稳态点确定矩形脉冲功率的加热时长。

示例性地，在被测半导体器件的第一暂态热阻曲线中可以得到被测半导体器件的暂态热阻与时间的关系，根据该关系即可对矩形脉冲功率的加热时长进行确定。

矩形脉冲功率是指矩形脉冲在其持续期间内传输的功率。在对半导体器件进行加热时，需要对半导体器件持续加热，也就是说，矩形脉冲的持续时长即为矩形脉冲功率的加热时长。图3是本发明实施例提供的一种矩形脉冲功率的示意图。参照图3，矩形脉冲功率仅在加热时长内输出加热功率，并且矩形脉冲功率加热功率是连续的。

S130、根据矩形脉冲功率对被测半导体器件进行加热，并在加热完成后对被测半导体器件进行冷却。

示例性地，对被测半导体器件的加热可以通过对被测半导体器件施加持续的电流实现。图4是本发明实施例提供的一种被测半导体器件加热的等效原理图。参照图4，在对被测半导体器件进行加热时，对被测半导体器件门极施加电压，从而使被测半导体器件维持导通，并在被测半导体器件导通的基础上，对被测半导体器件施加小电流I_sense，使被测半导体器件处于饱和状态。对处于饱和状态的被测半导体器件施加加热电流I_load，从而对被测半导体器件进行加热。在加热过程中，矩形脉冲功率的大小由加热电流I_load和被测半导体器件的输出电压决定。其中，被测半导体器件的输出电压为被测半导体器件的集电极与发射极间的电压；在加热过程中小电流I_sense始终流过被测半导体器件，但小电流I_snese的幅值与加热电流I_load相比较小，因此，小电流I_sense的加热效果可以忽略不计。

S140、根据被测半导体器件冷却过程中的温度变化计算被测半导体器件的第二暂态热阻曲线；其中，第二暂态热阻曲线为被测半导体器件在矩形脉冲功率下的暂态热阻曲线。

具体地，被测半导体器件的热功率与被测半导体器件的输出电压有关。因此，被测半导体器件冷却过程中的温度变化可以通过被测半导体器件在冷却过程中的输出电压变化得到。

S150、根据第二暂态热阻曲线与标准暂态热阻曲线间的差异对被测半导体界面材料热退化状态进行评估；其中，标准暂态热阻曲线为具有标准界面材料的半导体器件在矩形脉冲功率下的暂态热阻曲线。

具体地，标准暂态热阻曲线表征了被测半导体器件在理性状态下的暂态热阻变化趋势。半导体器件的暂态热阻变化与界面材料的性能有关，因此，在第二暂态热阻曲线的基础上对比标准暂态热阻曲线即可得到界面材料的性能变化状况，从实现被测半导体界面材料热退化状态的评估。图5是本发明实施例提供的一种界面材料的典型测试结果的曲线图。示例性地，参照图5，以硅脂为界面材料为例，其中，标准件即为被测半导体器件，标准件上涂抹有硅脂材料。图中标注有硅脂退化真实暂态热阻曲线、硅脂退化矩形脉冲下暂态热阻曲线、标准件真实暂态热阻曲线、标准件矩形脉冲下暂态热阻曲线、矩形脉冲下热阻差值曲线和真实热阻差值曲线。其中，硅脂退化真实暂态热阻曲线与标准件真实暂态热阻曲线的差值即为真实热阻差值曲线；硅脂退化矩形脉冲下暂态热阻曲线与标准件矩形脉冲下暂态热阻曲线的差值即为矩形脉冲下热阻差值曲线。如图5所示，矩形脉冲下热阻差值和真实热阻差值实质为同一曲线，这也表明了本实施例所提供的测试方法的准确性。

本发明实施例通过被测半导体器件的第一暂态热阻曲线确定矩形脉冲功率的加热时长，通过施加矩形脉冲功率对被测半导体器件进行加热，并测量被测半导体器件在冷却过程中的温度变化，得到被测半导体器件的第二暂态热阻曲线，通过被测半导体器件的第二暂态热阻曲线与标准暂态热阻曲线的对比对被测半导体器件的界面材料热退化状态进行评估。与现有技术相比，本发明实施例的测试方法无需对被测半导体器件所在的全部系统进行加热，仅对被测半导体器件进行加热即可，并且无需破坏半导体界面材料的界面材料，有利于实现界面材料的原位测试，提高界面材料的评估效率。

图6是本发明实施例提供的另一种半导体界面材料热退化测试方法的流程图。在上述实施例的基础上，可选地，参照图6，根据第一暂态热阻曲线的稳态点确定矩形脉冲功率的加热时长的步骤包括：

S121、确定第一暂态热阻曲线达到稳态点所需的稳态时长。

示例性地，继续参照图2，第一暂态热阻曲线中的暂态热阻在2秒时暂态热阻不再变化，第一暂态热阻曲线达到稳态点所需的稳态时长即为2秒。

S122、根据稳态时长确定矩形脉冲功率的加热时长。

具体地，在测试时，被测半导体器件的外部界面材料的热容不进行考虑，因此，被测半导体器件的脉冲功率加热时长最短可以为第一暂态热阻曲线达到稳态所需的稳态时长。

在上述各实施例的基础上，可选地，矩形脉冲功率的加热时长大于稳态时长。

具体地，考虑到被测半导体器件测试时的不确定因素，矩形脉冲功率的加热时长需要大于第一暂态热阻曲线达到稳态所需的稳态时长。

图7是本发明实施例提供的又一种半导体界面材料热退化测试方法的流程图。在上述各实施例的基础上，可选地，参照图7，根据矩形脉冲功率对半导体器件进行加热的步骤包括：

S131、控制被测半导体器件导通。

示例性地，继续参照图4，对被测半导体器件的的门极施加电压，从而实现被测半导体器件的导通，在被测半导体器件导通后持续对被测半导体器件的门极施加电压，以维持被测半导体器件的导通。

S132、根据矩形脉冲功率对被测半导体器件施加加热电流。

示例性地，继续参照图4，加热电流可以由电流源提供，在实际应用时可以根据实际需求对电路进行具体扩充，本实施例对此不做限制。

S133、获取被测半导体器件在加热时的导通压降。

示例性地，被测半导体器件在加热时的导通压降可以通过在被测半导体器件的集电极和发射极并联电压传感器得到，在实际应用时可以根据实际需求确定获取被测半导体器件在加热时的导通压降的方式，本实施例对此不做限制。

S134、根据导通压降对加热电流进行调整，以维持被测半导体器件的加热功率稳定。

具体地，继续参照图4，矩形脉冲功率的大小由加热电流I_load和被测半导体器件的输出电压决定，由于被测半导体器件的输出电压会随着温度的变化而变化，因此，在加热过程中需要对被测半导体器件的输出电压进行实时监测，并实时调整加热电流I_load的大小，以维持被测半导体器件的加热功率稳定。

图8是本发明实施例提供的又一种半导体界面材料热退化测试方法的流程图。在上述各实施例的基础上，可选地，参照图8，根据矩形脉冲功率对半导体器件进行加热的步骤包括：

S135、获取被测半导体器件的零温度系数点。

具体地，半导体器件的零温度系数点是指半导体器件的电导率不随温度变化的点。

S136、根据被测半导体器件在零温度系数点确定加热电流大小。

具体地，在零温度系数点下的电流中，被测半导体器件的输出电压不随着温度的变化而变化，因此，将加热电流大小设置为零温度系数点下的电流大小即可维持被测半导体器件的加热功率稳定。

S137、对被测半导体器件施加加热电流，以对被测半导体器件进行加热。

示例性地，加热电流可以由电流源提供，在实际应用时可以根据实际需求对电路进行具体扩充，本实施例对此不做限制。

图9是本发明实施例提供的又一种半导体界面材料热退化测试方法的流程图。在上述各实施例的基础上，可选地，参照图9，在根据矩形脉冲功率对被测半导体器件进行加热的步骤之前，还包括：

S160、获取被测半导体器件在小电流下的饱和压降与温度关系；其中，在小电流下半导体器件的饱和压降与温度呈反比。

示例性地，继续参照图4，对被测半导体器件施加小电流I_sense，使被测半导体器件处于饱和状态，并对被测半导体器件的饱和压降和温度进行持续监测，从而得到被测半导体器件在小电流下的饱和压降与温度关系。需要说明的是，对被测半导体器件的饱和压降监测可以采用电压传感器，对被测半导体器件的温度监测可以采用温度传感器，在实际应用时可以根据实际需求对监测方式进行确定，本实施例对此不做限制。

在上述各实施例的基础上，可选地，继续参照图9，根据被测半导体器件冷却过程中的温度变化计算被测半导体器件的第二暂态热阻曲线的步骤包括：

S141、获取冷却过程中被测半导体器件在小电流下的冷却压降。

示例性地，对被测半导体器件在小电流下的冷却压降检测可以采用电压传感器，在实际应用时可以根据实际需求对检测方式进行确定，本实施例对此不做限制。

S142、根据冷却压降、饱和压降与温度关系计算被测半导体器件的冷却过程中的最高温度和温度变化过程。

示例性地，根据被测半导体器件在小电流下各个时间的冷却压降在饱和压降与温度关系中寻找相应的电压值，并根据该电压值所对应的温度，即可得到被测半导体器件的冷却过程中的最高温度和温度变化过程。

S143、根据最高温度、温度变化过程和暂态热阻曲线计算公式计算第二暂态热阻曲线。

具体地，暂态热阻曲线计算公式包括：

Rth(t)＝(T_j0-T_j(t))/P₀；

其中，Rth(t)为t时间下的暂态热阻；T_j0为被测半导体器件的冷却过程中的最高温度；T_j(t)为被测半导体器件的冷却过程中t时间下的温度；P₀为矩形脉冲功率。

本发明实施例还提供了一种半导体界面材料热退化测试装置。该装置其包括：读取模块、第一计算模块、测试模块、第二计算模块和评估模块。

读取模块用于获取被测半导体器件的第一暂态热阻曲线；第一计算模块用于根据第一暂态热阻曲线确定矩形脉冲功率的加热时长；测试模块用于根据矩形脉冲功率对被测半导体器件进行加热，并在加热完成后对被测半导体器件进行冷却；第二计算模块用于根据被测半导体器件冷却过程中的温度变化计算被测半导体器件的第二暂态热阻曲线；评估模块用于根据第二暂态热阻曲线与标准暂态热阻曲线间的差异对被测半导体界面材料热退化状态进行评估。

示例性地，读取模块可用于通过被测半导体器件的规格说明书获取第一暂态热阻曲线。第一计算模块用于根据第一暂态热阻曲线确定矩形脉冲功率的加热时长可用于确定第一暂态热阻曲线达到稳态所需的稳态时长，以及根据稳态时长确定矩形脉冲功率的加热时长。测试模块例如可以包括矩形脉冲功率发生器。第二计算模块用于获取冷却过程中被测半导体器件在小电流下的冷却压降、根据冷却压降、饱和压降与温度关系计算被测半导体器件的冷却过程中的最高温度和温度变化过程，以及根据最高温度、温度变化过程和暂态热阻曲线计算公式计算第二暂态热阻曲线。评估模块用于对比第二暂态热阻曲线与标准暂态热阻曲线，并计算二者间的差异，根据二者间的差异对被测半导体界面材料热退化状态进行评估。

应该理解，可以使用上面所示的各种形式的流程，重新排序、增加或删除步骤。例如，本发明中记载的各步骤可以并行地执行也可以顺序地执行也可以不同的次序执行，只要能够实现本发明的技术方案所期望的结果，本文在此不进行限制。

上述具体实施方式，并不构成对本发明保护范围的限制。本领域技术人员应该明白的是，根据设计要求和其他因素，可以进行各种修改、组合、子组合和替代。任何在本发明的精神和原则之内所作的修改、等同替换和改进等，均应包含在本发明保护范围之内。

Claims (8)

1.一种半导体界面材料热退化测试方法，其特征在于，包括：

获取被测半导体器件的第一暂态热阻曲线；其中，所述第一暂态热阻曲线为具有界面材料的半导体器件自身的暂态热阻曲线；

根据所述第一暂态热阻曲线的稳态点确定矩形脉冲功率的加热时长；

根据所述矩形脉冲功率对所述被测半导体器件进行加热，并在加热完成后对所述被测半导体器件进行冷却；

根据所述被测半导体器件冷却过程中的温度变化计算所述被测半导体器件的第二暂态热阻曲线；其中，所述第二暂态热阻曲线为被测半导体器件在矩形脉冲功率下的暂态热阻曲线；

根据所述第二暂态热阻曲线与标准暂态热阻曲线间的差异对被测半导体界面材料热退化状态进行评估；其中，所述标准暂态热阻曲线为具有标准界面材料的半导体器件在矩形脉冲功率下的暂态热阻曲线。

2.根据权利要求1所述的半导体界面材料热退化测试方法，其特征在于，所述根据所述第一暂态热阻曲线的稳态点确定矩形脉冲功率的加热时长的步骤包括：

确定所述第一暂态热阻曲线达到稳态点所需的稳态时长；

根据所述稳态时长确定所述矩形脉冲功率的加热时长。

3.根据权利要求2所述的半导体界面材料热退化测试方法，其特征在于，所述矩形脉冲功率的加热时长大于所述稳态时长。

4.根据权利要求1所述的半导体界面材料热退化测试方法，其特征在于，所述根据所述矩形脉冲功率对所述半导体器件进行加热的步骤包括：

控制所述被测半导体器件导通；

根据所述矩形脉冲功率对所述被测半导体器件施加加热电流；

获取所述被测半导体器件在加热时的导通压降；

根据所述导通压降对所述加热电流进行调整，以维持所述被测半导体器件的加热功率稳定。

5.根据权利要求1所述的半导体界面材料热退化测试方法，其特征在于，所述根据所述矩形脉冲功率对所述半导体器件进行加热的步骤包括：

获取所述被测半导体器件的零温度系数点；

根据所述被测半导体器件在所述零温度系数点确定加热电流大小；

对所述被测半导体器件施加加热电流，以对所述被测半导体器件进行加热。

6.根据权利要求1所述的半导体界面材料热退化测试方法，其特征在于，在根据所述矩形脉冲功率对所述被测半导体器件进行加热的步骤之前，还包括：

获取所述被测半导体器件在小电流下的饱和压降与温度关系；其中，在所述小电流下半导体器件的饱和压降与温度呈反比。

7.根据权利要求6所述的半导体界面材料热退化测试方法，其特征在于，所述根据所述被测半导体器件冷却过程中的温度变化计算所述被测半导体器件的第二暂态热阻曲线的步骤包括：

获取冷却过程中所述被测半导体器件在小电流下的冷却压降；

根据所述冷却压降、所述饱和压降与温度关系计算所述被测半导体器件的冷却过程中的最高温度和温度变化过程；

根据所述最高温度、所述温度变化过程和暂态热阻曲线计算公式计算所述第二暂态热阻曲线。

8.一种半导体界面材料热退化测试装置，其特征在于，包括：

读取模块，所述读取模块用于获取被测半导体器件的第一暂态热阻曲线；

第一计算模块，所述第一计算模块用于根据所述第一暂态热阻曲线确定矩形脉冲功率的加热时长；

测试模块，所述测试模块用于根据所述矩形脉冲功率对所述被测半导体器件进行加热，并在加热完成后对所述被测半导体器件进行冷却；

第二计算模块，所述第二计算模块用于根据所述被测半导体器件冷却过程中的温度变化计算所述被测半导体器件的第二暂态热阻曲线；

评估模块，所述评估模块用于根据所述第二暂态热阻曲线与标准暂态热阻曲线间的差异对被测半导体界面材料热退化状态进行评估。