CN118166337A - 用于固体源再填充的方法和设备 - Google Patents

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Abstract

本技术的各种实施例可提供容纳固体前体粉末和惰性液体的浆料的第一容器、接收浆料、蒸发惰性液体并第一次升华固体前体粉末以形成蒸气的第二容器、将蒸气再冷凝回固态并第二次升华固体前体以形成蒸气的第三容器以及接收来自第三容器的蒸气的反应室。

Description

用于固体源再填充的方法和设备
技术领域
本公开总体涉及用于半导体设备的装置。更具体地，本公开涉及用于固体源前体再填充的系统和设备。
背景技术
传统的半导体制造系统具有单个固体源容器，其在晶片处理期间将化学物质直接输送到反应室。直接向反应室提供化学物质的固体源容器位于反应室附近，并且可能受限于其能够容纳的固体前体的体积。当源容器中的前体耗尽时，必须让固体源容器冷却，然后才能将其取出并用满容器更换。等待容器冷却并更换的过程会导致系统停机。
其他系统可以提供远程定位的容器，该容器供应化学物质以再填充固体源容器。然而，在这种情况下，从远程定位的容器到固体源容器的运输线路必须被加热，这增加了系统的成本和复杂性。
发明内容
本技术的各种实施例可提供容纳固体前体粉末和惰性液体的浆料的第一容器、接收浆料、蒸发惰性液体并第一次升华固体前体粉末以形成蒸气的第二容器、将蒸气再冷凝回固态并第二次升华固体前体以形成蒸气的第三容器以及接收来自第三容器的蒸气的反应室。
根据一方面，一种设备包括：第一容器，其配置为容纳浆料并保持在第一温度，其中浆料包括固体前体粉末和惰性液体；第二容器，其通过第一导管与第一容器流体连接，并配置为：当第二容器处于第二温度时，通过第一导管接收浆料；并且在高于第二温度的第三温度下升华浆料以形成蒸气；经由第三导管连接到第二容器的真空源，其配置为将惰性流体蒸发出第二容器；第三容器，其经由第二导管连接到第二容器，第二导管配置为将蒸气从第二容器流动到第三容器，其中第三容器配置为在第四温度和第五温度下操作；以及通过第三导管连接到第三容器的反应器。
在上述设备的一实施例中，第一温度在20至25摄氏度的范围内，并且第一导管保持在第一温度。
在上述设备的一实施例中，第二温度大于第一温度；第四温度比第五温度低15-20摄氏度；第三温度比第四温度低15-20摄氏度。
在上述设备的一实施例中，第二和第三导管被加热到第三温度。
在上述设备的一实施例中，惰性液体可以包括全氟聚醚流体、卤化碳、四氯化碳或三氯乙烯。
在一实施例中，上述设备还包括与第二容器直接接触的加热元件，其中加热元件操作成将第二温度升高至第三温度。
在上述设备的一实施例中，第三容器包括升华器。
在上述设备的一实施例中，第二容器、第三容器和反应器位于第一位置，第一容器位于远离第一位置的第二位置。
在一实施例中，上述设备还包括与第二容器直接接触的冷却元件，其中冷却元件操作成将第三温度降低到第二温度。
在上述设备的一实施例中，固体前体粉末包括：过渡金属元素和卤化物配体，或者过渡金属元素和有机配体。
根据另一方面，一种用于再填充源容器的方法，包括：在第一温度下在第一容器中形成浆料，该浆料包括固体前体粉末和惰性液体；当第二容器处于第二温度时，使浆料从第一容器经由第一导管流到第二容器；从固体前体粉末中除去惰性液体包括蒸发惰性液体，同时将固体前体粉末留在第二容器中；形成固体前体粉末的第一蒸气包括在高于第二温度的第三温度下升华固体前体粉末；当第三容器处于第四温度时，使第一蒸气从第二容器经由第二导管流到第三容器；当第三容器处于第四温度时，在第三容器中将第一蒸气冷凝回固体前体粉末；在第三容器中由固体前体粉末形成第二蒸气包括在第五温度下升华固体前体粉末；以及通过第三导管将第二蒸气从第三容器流向反应器。
在上述方法的一实施例中，第一温度在20至25摄氏度的范围内。
在上述设备的一实施例中，第二温度大于第一温度；第四温度比第五温度低15-20摄氏度；第三温度比第四温度低15-20摄氏度。
根据又一方面，一种设备包括：第一容器，其配置为容纳溶液并保持在第一温度，其中溶液包括惰性溶剂和固体前体；第二容器，其通过第一导管与第一容器流体连接，并配置为通过第一导管接收溶液；加热元件，其配置为：将第二容器加热至高于第一温度的第二温度，以形成惰性溶剂的蒸发物；并且在高于第二温度的第三温度下升华固体前体以形成蒸气；真空源，其联接到第二容器并配置成排出蒸发物；第三容器，其经由第二导管连接到第二容器，第二导管配置为使蒸发物从第二容器流到第三容器；以及通过第三导管连接到第二容器的反应器。
在上述设备的一实施例中，第一温度在20至25摄氏度的范围内；并且第二温度低于第三温度。
在上述设备的一实施例中，惰性溶剂包括二氯甲烷、氯仿、甲苯或四氢呋喃中的一种。
在一实施例中，上述设备还包括联接到第三容器的冷却元件，该冷却元件配置成将第三容器冷却到低于第二温度的第三温度。
在又一实施例中，一种用于再填充源容器的方法，包括：在第一容器中形成溶液，该溶液包括固体前体粉末和惰性溶剂；将第一容器保持在第一温度；经由第一导管将溶液从第一容器流到第二容器；在第二容器内，从固体前体粉末中除去惰性溶剂包括将第二容器中的溶液加热至第二温度以蒸发惰性溶剂，并形成惰性溶剂的第一蒸气，同时将固体前体粉末留在第二容器中；在第二容器内，在第三温度下升华固体前体粉末，以在第二容器中形成固体前体粉末的第二蒸气；以及通过第三导管将蒸气从第二容器流向反应器。
在上述方法的一实施例中，第一温度在20至25摄氏度的范围内，第二温度高于第一温度且低于第三温度。
在一实施例中，上述方法还包括在第三容器中将第一蒸气冷凝回液体。
附图说明
当结合以下说明性附图考虑时，通过参考详细描述可以获得对本技术的更完整理解。在下面的附图中，相似的附图标记在所有附图中指代相似的元件和步骤。
图1代表性地示出了根据本技术的示例性实施例的系统；
图2代表性地示出了根据本技术的替代实施例的系统；
图3是根据本技术的实施例操作图1的系统的流程图；以及
图4是根据本技术的实施例操作图2的系统的流程图。
具体实施方式
本技术可以按照功能块部件和各种处理步骤来描述。这种功能块可以由配置成执行指定功能并实现各种结果的任意数量部件来实现。例如，本技术可以使用各种容器、反应室、管道、泵、阀和加热元件。
参考图1，示例性系统100可以包括第一容器105、第二容器110、第三容器115和反应室120。在本实施例中，第一容器105可以通过第一导管135连接到第二容器110。第二容器110可以通过第二导管140连接到第三容器115。第三容器115可以通过第四导管连接到反应室120。此外，系统100可以包括连接到第二容器110的第五导管150。
在示例性实施例中，第一容器105可以配置为包含或以其他方式容纳包括固体前体和惰性液体的浆料165。在各种实施例中，固体前体可以是粉末的形式。在浆料165的情况下，固体前体悬浮在惰性液体中，而不改变固体前体的化学性质。惰性液体可以包括全氟聚醚流体、卤化碳、四氯化碳或三氯乙烯。固体前体可以包括第2、13、14或15族元素和过渡金属卤化物或者第2、13、14或15族元素和过渡金属金属有机物，它们在室温(例如20-25摄氏度)下是固体并且熔点高于50摄氏度。在示例性实施例中，固体前体包括钼化合物，例如固体卤化钼(例如MoCl2或MoOCl4)。
可替代地，第一容器105可以配置为包含或以其他方式保存包含惰性溶剂和固体前体的溶液170。在溶液170的情况下，固体前体溶解在惰性溶剂中。惰性溶剂可以包括二氯甲烷、氯仿、甲苯或四氢呋喃。
在本实施例中，第一容器105可以由金属材料形成，例如不锈钢、哈氏合金、铝等。第一容器105可以保持在第一温度，例如约20-25摄氏度，使得浆料165或溶液170也保持在第一温度。
第一导管135可以配置为将浆料165或溶液170从第一容器105流向第二容器110。例如，系统100可以还包括沿着第一导管135的流动路径的泵、阀等，以实现期望的流量。此外，第一导管135可以保持在第一温度。
第二容器110可以配置为容纳或以其他方式包含浆料165或溶液170，并且可以由金属材料形成，例如不锈钢、哈氏合金、铝等。第二容器110可以配置为加热和冷却浆料165或溶液170。在一些情况下，第二容器110可以包括升华器。例如，系统100可以还包括加热元件160，例如加热套或加热装置，其中加热棒设置成嵌入在加热装置内，与第二容器110的外表面直接接触。可替代地，系统100可以包括加热元件，以向第二容器110提供间接热量，例如通过对流加热。
系统100可以还包括直接接触第二容器110的外表面的冷却元件，例如热电冷却模块或液体冷却管线。因此，第二容器110和第二容器110内的浆料165或溶液170可以在第二温度和第三温度之间变化，其中第三温度高于第二温度。此外，第二和第三温度大于第一温度。当浆料165或溶液170从第一容器105流向第二容器110时，第二容器110可被设定为第二温度。在升华期间，第二容器110可被设定为第三温度。
第二导管140可以配置为使蒸气从第二容器110流向第三容器115。例如，系统100可以还包括沿着第二导管140的流动路径的泵、阀等，以实现期望的流量。此外，第二导管135可被主动加热，并且可以在第二温度和第三温度之间变化。例如，第二导管135可以由任何合适的加热元件加热，例如加热套、印刷加热器、对流加热等。
在示例性实施例中，第四导管150可用于从浆料165中蒸发惰性液体或从溶液170中蒸发惰性溶剂。例如，在一些情况下，第四导管150也可以连接到真空源180。
第三容器115可以配置成将蒸气冷凝回固体形式并升华固体。因此，第三容器115可以在第四温度和第五温度之间变化。例如，第三容器115可以包括升华器。第三容器115可以在冷凝期间设定为第四温度，并且可以在升华期间设定为第五温度。第三容器115可以由金属材料形成，例如不锈钢、哈氏合金、铝等。
在示例性实施例中，反应室120可以配置用于处理衬底，例如晶片(未示出)。反应室120可以包括支撑晶片的基座(未示出)、处理区域(未示出)和喷淋头(未示出),该喷淋头位于处理区域和基座上方并配置为将化学物质输送到处理区域和晶片。
在本实施例中，第二温度高于第一温度，第二温度低于第三温度，第四温度比第五温度低15-20度，第三温度比第四温度低15-20度。此外，第五温度是大于第一温度、第二温度、第三温度和第四温度的处理温度，并且第五温度可以基于特定的固体前体。
在本实施例中，第二容器110、第三容器115和反应室120可以位于处理区域125内，使得第二容器110、第三容器115和反应室120都物理上彼此靠近或封闭在特定的工具或区域(即洁净室、半导体制造区域)内。然而，第一容器105可以位于远离处理区域125的非处理区域130中，例如物理上位于处理区域125下方的区域(即子制造区域)。
在替代实施例中，参考图2，示例性系统100可以包括第一容器105、第二容器110和反应室120。在本实施例中，第一容器105可以通过第一导管135连接到第二容器110。第二容器110可以通过第二导管140连接到反应室120。此外，第五导管150连接到第二容器110。
在示例性实施例中，第一容器105可以配置为包含或以其他方式容纳包括固体前体和惰性液体的浆料165。在各种实施例中，固体前体呈粉末形式。在浆料165的情况下，固体前体悬浮在惰性液体中，而不改变固体前体的化学性质。惰性液体可以包括全氟聚醚流体、卤化碳、四氯化碳或三氯乙烯。固体前体可以包括由第2、13、14或15族元素或过渡金属元素以及卤化物配体(例如氯化铪)形成的化合物。可替代地，固体前体可以由第2、13、14或15族元素或过渡金属元素和有机配体(例如三甲基铝)形成。在示例性实施例中，固体前体包括钼化合物，例如固体卤化钼(例如MoCl2或MoOCl4)。
可替代地，第一容器105可以配置为包含或以其他方式容纳包含惰性溶剂和固体前体的溶液170。在溶液170的情况下，固体前体溶解在惰性溶剂中。惰性溶剂可以包括二氯甲烷、氯仿、甲苯或四氢呋喃。
在本实施例中，第一容器105可以由金属材料形成，例如不锈钢、哈氏合金、铝等。第一容器105可以保持在第一温度，例如约20-25摄氏度，使得浆料165或溶液170也保持在第一温度。
第一导管135可以配置为将浆料165或溶液170从第一容器105流向第二容器110。例如，系统100可以还包括沿着第一导管135的流动路径的泵、阀等，以实现期望的流量。此外，第一导管135可以保持在第一温度。
第二容器110可以配置为容纳或以其他方式包含浆料165或溶液170，并且可以由金属材料形成，例如不锈钢、哈氏合金、铝等。第二容器110可以配置为加热和冷却浆料165或溶液170。在一些情况下，第二容器110可以包括升华器。例如，系统100可以还包括加热元件160，例如加热套或加热装置，其中加热棒设置成嵌入在加热装置内，与第二容器110的外表面直接接触。可替代地，系统100可以包括加热元件，以向第二容器110提供间接热量，例如通过对流加热。
系统100可还包括直接接触第二容器110的外表面的冷却元件，例如热电冷却模块或液体冷却管线。因此，第二容器110和第二容器110内的浆料165或溶液170可以在第二温度和第三温度之间变化，其中第三温度高于第二温度。此外，第二和第三温度大于第一温度。当浆料165或溶液170从第一容器105流向第二容器110时，第二容器110可被设定为第二温度。在升华过程中，第二容器110可被设定到第三温度。
在本实施例中，第二导管140可以配置为使蒸气从第二容器110流向反应室120。例如，系统100可以还包括沿着第二导管140的流动路径的泵、阀等，以实现期望的流量。此外，第二导管140可被主动加热，并且可以在第二温度和第三温度之间变化。例如，第二导管140可以由任何合适的加热元件加热，例如加热套、印刷加热器、对流加热等。
在本实施例中，第四导管150可用于从浆料165中蒸发惰性液体或从溶液170中蒸发惰性溶剂。例如，在一些情况下，第四导管150也可以连接到真空源180。
在示例性实施例中，反应室120可以配置用于处理衬底，例如晶片(未示出)。反应室120可以包括支撑晶片的基座(未示出)、处理区域(未示出)和喷淋头(未示出),该喷淋头位于处理区域和基座上方并配置为将化学物质输送到处理区域和晶片。
在本实施例中，第二温度大于第一温度，并且第二温度比第三温度低约15-20度。此外，第三温度是大于第一温度和第二温度的处理温度，并且可以基于特定的固体前体。
在本实施例中，第二容器110和反应室120可以位于处理区域125内，使得第二容器110和反应室120都物理上彼此靠近或封闭在特定的工具或区域(即洁净室、半导体制造区域)内。然而，第一容器105可以位于远离处理区域125的非处理区域130中，例如物理上位于处理区域125下方的区域(即子制造区域)。
在示例性操作中，参考图1和3，固体源再填充的方法300可包括在第一容器165中形成浆料165或溶液170(305)，并将第一容器105保持在第一温度。
方法300可以还包括例如经由第一导管135将浆料165或溶液170从第一容器105流到第二容器110(310)。在步骤310期间，例如通过操作加热元件160，将第二容器110设定到第二温度。此外，在步骤310期间，选择第二温度以防止在第二容器110中建立蒸气压(例如小于500毫托)并保持固体前体粉末处于悬浮状态。在步骤310期间，第一导管135可以保持在第一温度或者被加热到大于或等于第一温度的温度。例如，第一导管135可被加热到比第一温度高约10-15度的温度。
方法300可以还包括从浆料165或溶液170中除去液体部分(即惰性液体或惰性溶剂)，同时将固体前体留在第二容器110中(315)。这可以通过操作真空源180蒸发浆料165或溶液170的液体部分和/或加热第二容器110和浆料165或溶液170至第二温度和第三温度之间的温度来实现。可替代地，在步骤315期间，第二容器110可以保持在第二温度。
方法300可以还包括在第二容器110中形成固体前体的第一蒸气(320)。这可以通过在第三温度下升华第二容器110中的固体前体来实现。
方法300可以还包括例如经由第二导管140将第一蒸气从第二容器110流向第三容器115(325)。在步骤325期间，第二导管140可被加热到等于或大于第三温度的温度。例如，第二导管140可被加热到比第三温度高约10-15度的温度。在各种实施例中，第二导管145被加热到防止第一蒸气在第二导管140内部冷凝的温度。
方法300可以还包括在第三容器115中将第一蒸气冷凝回固体前体(330)。这可以通过在蒸气从第二容器110转移到第三容器115之前允许第三容器115冷却(或主动冷却)到第四温度来实现。第四温度低于第三温度。
方法300可以还包括在第三容器115中形成固体前体的第二蒸气(335)。这可以通过将第三容器115中的固体前体加热到第五温度来升华第三容器115中的固体前体来实现。
方法300可以还包括例如经由第三导管145将第二蒸气流到反应室120(340)。在步骤340期间，第三导管145可被加热到大于或等于第五温度的温度。例如，第三导管145可被加热到比第五温度高约10-15度的温度。在各种实施例中，第三导管145被加热到防止第二蒸气在第三导管145内部冷凝的温度。在本实施例中，第五温度可以大于或等于第三温度。
在替代操作中，参考图2和4，固体源再填充的方法400可包括在第一容器165中形成浆料165或溶液170(405)，并将第一容器105保持在第一温度。
方法400可以还包括例如经由第一导管135将浆料165或溶液170从第一容器105流到第二容器110(410)。在步骤310期间，例如通过操作加热元件160，将第二容器110设定到第二温度。此外，在步骤310期间，选择第二温度以防止在第二容器110中建立蒸气压(例如小于500毫托)并保持固体前体粉末处于悬浮状态。
方法400可以还包括从浆料165或溶液170中除去液体部分(即惰性液体或惰性溶剂)，同时将固体前体留在第二容器110中(415)。这可以通过操作真空源180蒸发浆料165或溶液170的液体部分和/或加热第二容器110和浆料165或溶液170至第二温度和第三温度之间的温度来实现。可替代地，在步骤415期间，第二容器110可以保持在第二温度。
方法400可以还包括在第二容器110中形成固体前体的蒸气(420)。这可以通过在第三温度下升华第二容器110中的固体前体来实现。
方法400可以还包括例如经由第二导管140将第一蒸气从第二容器110流向第三容器115(425)。在步骤425期间，第二导管140可被加热到大于或等于第三温度的温度。
在前面的描述中，已经参考特定的示例性实施例描述了该技术。所示出和描述的特定实施方式是对本技术及其最佳模式的说明，并不旨在以任何方式限制本技术的范围。实际上，为了简洁起见，该方法和系统的常规制造、连接、准备和其他功能方面可能没有详细描述。此外，各个图中所示的连接线旨在表示各个元件之间的示例性功能关系和/或步骤。在实际系统中可能存在许多替代的或附加的功能关系或物理连接。
已经参考特定的示例性实施例描述了该技术。然而，在不脱离本技术的范围的情况下，可以进行各种修改和改变。说明书和附图被认为是说明性的，而不是限制性的，并且所有这些修改都旨在包括在本技术的范围内。因此，本技术的范围应当由所描述的一般实施例及其法律等同物来确定，而不是仅仅由上述特定示例来确定。例如，在任何方法或过程实施例中叙述的步骤可以任何顺序执行，除非另外明确指定，并且不限于在特定示例中呈现的明确顺序。此外，在任何装置实施例中记载的部件和/或元件可以各种排列来组装或以其他方式可操作地配置，以产生与本技术基本相同的结果，并且因此不限于在特定示例中记载的特定配置。
上面已经针对特定实施例描述了益处、其他优点和问题的解决方案。然而，任何益处、优点、问题的解决方案或可能导致任何特定益处、优点或解决方案出现或变得更加显著的任何元素都不应被解释为关键的、必需的或必要的特征或部件。
术语“包括”、“包含”或其任何变体旨在指代非排他性的包含，使得包括一系列元素的过程、方法、物品、组合物或装置不仅包括所列举的那些元素，还可以包括未明确列出的或这种过程、方法、物品、组合物或装置固有的其他元素。除了那些没有具体叙述的之外，在本技术的实践中使用的上述结构、布置、应用、比例、元件、材料或部件的其他组合和/或修改可被改变或以其他方式特别适应特定的环境、制造规范、设计参数或其他操作要求，而不背离其一般原理。
上面已经参考示例性实施例描述了本技术。然而，在不脱离本技术的范围的情况下，可以对示例性实施例进行改变和修改。这些和其他变化或修改旨在包括在本技术的范围内，如在以下权利要求中表述。

Claims (17)

1.一种设备，包括：
第一容器，其配置为容纳浆料并保持在第一温度，其中浆料包括固体前体粉末和惰性液体；
第二容器，其经由第一导管流体连接到第一容器，并且配置为：
当第二容器处于第二温度时，通过第一导管接收浆料；并且
在高于第二温度的第三温度下升华浆料以形成蒸气；
经由第三导管连接到第二容器的真空源，其配置为将惰性流体蒸发出第二容器；
第三容器，其经由第二导管连接到第二容器，第二导管配置为将蒸气从第二容器流动到第三容器，其中第三容器配置为在第四温度和第五温度下操作；以及
经由第三导管连接到第三容器的反应器。
2.根据权利要求1所述的设备，其中，所述第一温度在20至25摄氏度的范围内，并且所述第一导管保持在所述第一温度。
3.根据权利要求1所述的设备，其中：
所述第二温度高于所述第一温度；
所述第四温度比所述第五温度低15-20摄氏度；并且
所述第三温度比第四温度低15-20摄氏度。
4.根据权利要求1所述的设备，其中，所述第二和第三导管被加热到所述第三温度。
5.根据权利要求1所述的设备，其中，所述惰性液体可以包括全氟聚醚流体、卤化碳、四氯化碳或三氯乙烯。
6.根据权利要求1所述的设备，还包括与所述第二容器直接接触的加热元件，其中加热元件操作成将所述第二温度升高至所述第三温度。
7.根据权利要求1所述的设备，其中，所述第三容器包括升华器。
8.根据权利要求1所述的设备，其中，所述第二容器、第三容器和反应器位于第一位置，所述第一容器位于远离第一位置的第二位置。
9.根据权利要求1所述的设备，还包括与所述第二容器直接接触的冷却元件，其中冷却元件操作成将所述第三温度降低至所述第二温度。
10.根据权利要求1所述的设备，其中，所述固体前体粉末包括：
过渡金属元素和卤化物配体，或者
过渡金属元素和有机配体。
11.一种用于再填充源容器的方法，包括：
在第一温度下在第一容器中形成浆料，该浆料包含固体前体粉末和惰性液体；
当第二容器处于第二温度时，使浆料从第一容器经由第一导管流到第二容器；
从固体前体粉末中除去惰性液体包括蒸发惰性液体，同时将固体前体粉末留在第二容器中；
形成固体前体粉末的第一蒸气包括在高于第二温度的第三温度下升华固体前体粉末；
当第三容器处于第四温度时，使第一蒸气从第二容器经由第二导管流到第三容器；
当第三容器处于第四温度时，在第三容器中将第一蒸气冷凝回固体前体粉末；
在第三容器中由固体前体粉末形成第二蒸气包括在第五温度下升华固体前体粉末；以及
经由第三导管将第二蒸气从第三容器流到反应器。
12.根据权利要求11所述的方法，其中，所述第一温度在20至25摄氏度的范围内。
13.根据权利要求11所述的方法，其中：
所述第二温度高于所述第一温度；
所述第四温度比所述第五温度低15-20摄氏度；以及
所述第三温度比第四温度低15-20摄氏度。
14.一种设备，包括：
第一容器，其配置为容纳溶液并保持在第一温度，其中溶液包含惰性溶剂和固体前体；
第二容器，其经由第一导管流体连接到第一容器，并配置为通过第一导管接收溶液；
加热元件，其配置为：
将第二容器加热至高于第一温度的第二温度，以形成惰性溶剂的蒸发物；并且
在高于第二温度的第三温度下升华固体前体以形成蒸气；
真空源，其联接到第二容器并配置成排出蒸发物；
第三容器，其经由第二导管连接到第二容器，第二导管配置为使蒸发物从第二容器流到第三容器；以及
经由第三导管连接到第二容器的反应器。
15.根据权利要求14所述的设备，其中：
所述第一温度在20至25摄氏度的范围内；并且
所述第二温度低于所述第三温度。
16.根据权利要求15所述的设备，其中，所述惰性溶剂包括二氯甲烷、氯仿、甲苯或四氢呋喃中的一种。
17.根据权利要求14所述的设备，还包括冷却元件，其联接到所述第三容器并且配置成将第三容器冷却到低于所述第二温度的第三温度。
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