CN117850617A - 显示装置 - Google Patents
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Abstract
一种显示装置包括第一输入传感器、第二输入传感器和显示面板。显示面板包括显示区域和与显示区域相邻的非显示区域。第一输入传感器设置在显示面板上并且与显示区域的第一区域至少部分地重叠。第二输入传感器设置在显示面板上并且与显示区域的第二区域至少部分地重叠。第一输入传感器包括:绝缘层;第一电极;第二电极,与第一电极交叉;第一迹线,电连接到第一电极;第二迹线,电连接到第一电极;以及第三迹线,电连接到第二电极。第一迹线或第二迹线构成主迹线,并且在显示区域的第一区域中,主迹线与显示区域的第一区域至少部分地重叠,与第一电极至少部分地重叠,并且不与第二电极重叠。
Description
技术领域
本公开涉及一种显示装置。更具体地,本公开涉及一种包括具有多个感测区域的输入传感器的显示装置。
背景技术
在诸如电视机、移动电话、平板计算机、导航装置和游戏机的多媒体装置中使用的各种显示装置正在被开发。诸如键盘、鼠标等的装置被用作用于这些多媒体装置的输入装置。此外,合并到显示装置中的输入传感器被用作用于多媒体装置的输入装置。
发明内容
一种显示装置包括显示面板,所述显示面板包括显示区域和与所述显示区域相邻的非显示区域。第一输入传感器设置在所述显示面板上并且与所述显示区域的第一区域至少部分地重叠。第二输入传感器设置在所述显示面板上并且与所述显示区域的第二区域至少部分地重叠。所述第一输入传感器包括:绝缘层;第一电极;第二电极,与所述第一电极交叉;第一迹线,电连接到所述第一电极;第二迹线,电连接到所述第一电极;以及第三迹线,电连接到所述第二电极。所述第一迹线或所述第二迹线是与所述显示区域的所述第一区域至少部分地重叠的主迹线。在所述显示区域的第一区域中,所述主迹线与所述第一电极至少部分地重叠并且不与所述第二电极重叠。
所述第一电极可以在所述显示区域中基本上在第一方向上延伸。所述第二电极可以包括在所述显示区域中基本上在与所述第一方向交叉的第二方向上延伸并且在所述第一方向上彼此间隔开的多个分隔电极。所述主迹线可以在所述显示区域中设置在所述多个分隔电极之间。
所述多个分隔电极中的每一个可以是单个整体单元,并且可以设置在所述绝缘层上。所述第一电极可以包括:多个感测图案,设置在所述绝缘层上并且在所述第一方向上布置;以及多个桥接图案,各自设置在所述绝缘层下方并且经由穿过所述绝缘层限定的接触孔连接所述多个感测图案之中的彼此相邻的感测图案。
所述主迹线可以设置在所述绝缘层下方。所述第一输入传感器还可以包括多个虚设电极。所述多个虚设电极和所述主迹线可以设置在同一层上,并且所述多个虚设电极可以与所述多个感测图案至少部分地重叠。
所述显示区域可以包括多个发光区域和设置在所述多个发光区域中的彼此相邻的发光区域之间的非发光区域。所述主迹线和所述多个虚设电极可以与所述非发光区域重叠。
所述多个分隔电极中的每一个可以被提供有穿过所述多个分隔电极中的每一个限定的多个开口。
所述多个分隔电极中的每一个可以包括限定所述多个开口的线组件,并且所述线组件可以包括在所述第一方向上延伸的第一线组件和在所述第二方向上延伸的第二线组件。
所述多个发光区域可以包括第一颜色发光区域、第二颜色发光区域和第三颜色发光区域。所述第一颜色发光区域、所述第二颜色发光区域和所述第三颜色发光区域可以限定单元发光区域。
所述单元发光区域可以包括:第一单元发光区域,在所述第一单元发光区域中,所述第一颜色发光区域和所述第二颜色发光区域设置在所述第三颜色发光区域的一侧处,并且所述第三颜色发光区域在所述第二方向上相对于所述第一颜色发光区域和所述第二颜色发光区域设置在下侧处;以及第二单元发光区域,在所述第二单元发光区域中,所述第一颜色发光区域和所述第二颜色发光区域设置在所述第三颜色发光区域的一侧处,并且所述第三颜色发光区域在所述第二方向上相对于所述第一颜色发光区域和所述第二颜色发光区域设置在上侧处。所述第一单元发光区域和所述第二单元发光区域在所述第一方向和所述第二方向上可以彼此交替布置,并且所述多个开口可以包括与所述第一颜色发光区域对应的第一开口、与所述第二颜色发光区域对应的第二开口以及与在所述第二方向上彼此相邻设置的所述第一单元发光区域的所述第三颜色发光区域和所述第二单元发光区域的所述第三颜色发光区域公共地对应的第三开口。
所述多个感测图案中的每一个可以包括在所述第一方向上延伸的第一线组件和在所述第二方向上延伸的第二线组件。所述多个虚设电极中的每一个可以包括在所述第一方向上延伸的第一线组件和在所述第二方向上延伸的第二线组件。所述多个感测图案的所述第一线组件可以与所述多个虚设电极的所述第一线组件至少部分地重叠。所述多个感测图案中的每一个的所述第一线组件可以具有比所述多个虚设电极中的每一个的所述第一线组件的宽度大的宽度。
所述第一电极可以包括在所述显示区域中基本上在所述第二方向上延伸并且在所述第一方向上彼此间隔开的多个感测图案。在所述显示区域中,所述主迹线可以与所述多个感测图案之中的至少一个感测图案至少部分地重叠,并且所述主迹线可以连接到所述多个感测图案之中的与所述主迹线至少部分地重叠的所述至少一个感测图案。
所述绝缘层可以在所述显示区域中设置在所述主迹线和所述多个分隔电极之间,并且所述主迹线可以经由穿过所述绝缘层限定的接触孔连接到所述多个感测图案之中的与所述主迹线至少部分地重叠的所述至少一个感测图案。
所述第一迹线可以在第一点处连接到所述第一电极。所述第二迹线可以在第二点处连接到所述第一电极。所述第三迹线可以在第三点处连接到所述第二电极。所述主迹线可以是所述第二迹线。所述第二点可以设置在所述显示区域的所述第一区域中。所述第一点和所述第三点中的每一者可以设置在所述非显示区域中或者设置为比所述第二点靠近所述非显示区域。
所述第二输入传感器可以与所述第一输入传感器具有相同的元件装配。
所述第一迹线可以在第一点处连接到所述第一电极。所述第二迹线可以在第二点处连接到所述第一电极。所述第三迹线可以在第三点处连接到所述第二电极。所述第一输入传感器还可以包括在第四点处连接到所述第二电极的第四迹线。所述第四点可以设置在所述非显示区域中或者设置为比所述第二点靠近所述非显示区域。
显示装置还可以包括第三输入传感器,所述第三输入传感器设置在所述显示面板上并且与限定在所述显示区域的所述第一区域和所述第二区域之间的第三区域至少部分地重叠。所述第三输入传感器可以包括:第一-第一电极,与所述第一电极对应;第二-第一电极,与所述第二电极对应并且与所述第一-第一电极交叉;第一-第一迹线,电连接到所述第一-第一电极;以及第二-第一迹线,电连接到所述第二-第一电极。所述第一-第一迹线可以与所述显示区域的所述第三区域至少部分地重叠,并且在所述显示区域的所述第三区域中,并且所述第一-第一迹线可以基本上在与所述第二-第一电极延伸的方向相同的方向上延伸。在所述显示区域的所述第三区域中,所述第一-第一迹线可以与所述第一-第一电极至少部分地重叠,并且可以不与所述第二-第一电极重叠。
显示装置还可以包括第三输入传感器,所述的第三输入传感器设置在所述显示面板上并且与限定在所述显示区域的所述第一区域和所述第二区域之间的第三区域至少部分地重叠。所述第三输入传感器可以包括:第一-第一电极,与所述第一电极对应;第二-第一电极,与所述第二电极对应并且与所述第一-第一电极交叉;第一-第一迹线,电连接到所述第一-第一电极;第二-第一迹线,电连接到所述第一-第一电极;以及第三-第一迹线,电连接到所述第二-第一电极。所述第二-第一迹线可以与所述显示区域的所述第三区域至少部分地重叠,并且在所述显示区域的所述第三区域中,所述第二-第一迹线基本上在与所述第二-第一电极延伸的方向相同的方向上延伸。在所述显示区域的所述第三区域中,所述第二-第一迹线可以与所述第一-第一电极至少部分地重叠,并且可以不与所述第二-第一电极重叠。
所述第一-第一迹线可以与所述显示区域的所述第一区域和所述第三区域至少部分地重叠,并且在所述显示区域的所述第一区域中,所述第一-第一迹线基本上在与所述第一-第一电极延伸的方向相同的方向上延伸。在所述显示区域的所述第一区域中,所述第一-第一迹线可以与所述第一电极和所述第二电极至少部分地重叠,并且在所述显示区域的所述第一区域中,所述第一-第一迹线和所述第一电极之间的重叠面积可以大于所述第一-第一迹线和所述第二电极之间的重叠面积。
所述第一输入传感器还可以包括第四迹线,所述第四迹线在与所述第三迹线连接到所述第二电极所在的点不同的点处连接到所述第二电极,并且所述第三输入传感器还可以包括第四-第一迹线,所述第四-第一迹线在与所述第三-第一迹线连接到所述第二-第一电极所在的点不同的点处连接到所述第二-第一电极。
所述第一迹线和所述第二迹线可以在所述非显示区域中的一个点处从焊盘连接线分支,并且所述焊盘连接线可以电连接到一个焊盘。
一种显示装置包括设置在第一区域中的第一电极。第二电极设置在所述第一区域中并且与所述第一电极交叉。第一迹线电连接到所述第一电极。第二迹线电连接到所述第一电极。第三迹线电连接到所述第二电极。第一-第一电极设置在与所述第一区域不同的第二区域中。第二-第一电极设置在所述第二区域中并且与所述第一-第一电极交叉。第一-第一迹线电连接到所述第一-第一电极。第二-第一迹线电连接到所述第一-第一电极。第三-第一迹线电连接到所述第二-第一电极。所述第一电极和所述第一-第一电极彼此分离。所述第一迹线不与所述第一区域重叠。所述第二迹线与所述第一区域至少部分地重叠。在所述第一区域中,所述第二迹线与所述第一电极至少部分地重叠并且不与所述第二电极重叠。所述第一-第一迹线不与所述第二区域重叠。所述第二-第一迹线与所述第二区域至少部分地重叠。在所述第二区域中,所述第二-第一迹线与所述第一-第一电极至少部分地重叠并且不与所述第二-第一电极重叠。
附图说明
当结合附图考虑时,通过参照以下详细描述,本公开的以上和其它方面将变得显而易见,在附图中:
图1是根据本公开的实施例的显示装置的透视图;
图2是根据本公开的实施例的显示装置的截面图;
图3是根据本公开的实施例的显示面板的平面图;
图4A至图4C是根据本公开的实施例的显示区域的放大平面图;
图5是沿着图4A的线I-I'截取的显示装置的截面图;
图6是根据本公开的实施例的输入传感器的平面图;
图7是根据本公开的实施例的输入传感器的等效电路图;
图8A和图8B是根据本公开的实施例的感测区域的放大平面图;
图8C是沿着图8A的线II-II'截取的输入传感器的截面图;
图9A是与图8B的第一区域对应的第二导电层的放大平面图;
图9B是与图8B的第一区域对应的第一导电层的放大平面图;
图10A是与图8B的第二区域对应的第二导电层的放大平面图;
图10B是与图8B的第二区域对应的第一导电层的放大平面图;
图11A是与图8B的第三区域对应的第二导电层的放大平面图;
图11B是与图8B的第三区域对应的第一导电层的放大平面图;并且
图12至图17是根据本公开的实施例的输入传感器的平面图。
具体实施方式
在本公开中,将理解的是,当元件或层(或者区域或部分)被称为“在”另一元件或层“上”、“连接到”或“耦接到”另一元件或层时,所述元件或层可以直接在所述另一元件或层上、直接连接到或直接耦接到所述另一元件或层,或者可以存在居间元件或居间层。
在整个说明书和附图中,同样的附图标记可以指代同样的元件。如本文中所使用的,术语“和/或”可以包括一个或多个相关所列项的任意组合和所有组合。
将理解的是,尽管本文中可以使用诸如第一、第二等的术语来描述各种元件,但是这些元件不应必然受这些术语限制。这些术语用于将一个元件与另一元件区分开。因此,在不脱离本公开的教导的情况下,下面讨论的第一元件可以被命名为第二元件。如本文中所使用的,除非上下文另外明确指出,否则单数形式“一个(者)”、“一种”和“所述(该)”也旨在包括复数形式。
为了便于说明,在本文中可以使用诸如“在……之下”、“在……下方”、“下”、“在……上方”和“上”等空间相对术语来描述如附图中所示的一个元件或特征与另一元件或特征的关系。
还将理解的是,当在本说明书中使用时,术语“包括”和/或“包含”说明存在所陈述的特征、整体、步骤、操作、元件和/或组件,但是不排除存在或附加一个或多个其它特征、整体、步骤、操作、元件、组件和/或它们的组。
如本文中所使用的,短语“传导的”被理解为表示“导电的”,并且短语“绝缘的”被理解为表示“电绝缘的”。类似地,除非上下文清楚地指示结构连接,否则短语“连接”被理解为表示“电连接”。
在下文中,将参照附图描述本公开的实施例。
图1是根据本公开的实施例的显示装置DD的透视图。如图1中所示,显示装置DD可以经由显示表面DD-IS显示图像。显示表面DD-IS可以基本平行于由第一方向轴DR1和第二方向轴DR2限定的平面。第三方向轴DR3可以指示显示表面DD-IS的法线方向(例如,显示装置DD的厚度方向)。
下面描述的每个构件或每个单元的前(或上)表面和后(或下)表面可以通过第三方向轴DR3彼此区分。然而,由第一方向轴DR1、第二方向轴DR2和第三方向轴DR3指示的方向仅是示例。下文中使用的第一方向DR1、第二方向DR2和第三方向DR3可以与第一方向轴DR1、第二方向轴DR2和第三方向轴DR3被赋予相同的附图标记,并且可以与第一方向轴DR1、第二方向轴DR2和第三方向轴DR3指示相同的方向。
在本公开的本实施例中,显示装置DD可以包括平坦的显示表面,然而,显示装置DD不应必然局限于此或由此限制。显示装置DD可以包括弯曲显示表面或三维显示表面。三维显示表面可以包括彼此面对不同方向的多个显示区域(例如,弯折的显示表面)。根据本实施例,显示装置DD可以是能够弯折而不遭受对其的损坏的柔性显示装置DD。柔性显示装置DD可以是能够折叠而不遭受对其的损坏的可折叠显示装置。
在本实施例中,可以应用于平板计算机的显示装置DD被示出为代表性示例。安装在主板上的各种电子模块、相机模块和电源模块可以与显示装置DD一起放置在支架/外壳上,以形成平板计算机。根据本公开,显示装置DD可以应用于诸如电视机和计算机监视器的大型电子产品以及诸如移动电话、车辆导航单元、游戏机和智能手表的中小型电子产品。
如图1中所示,显示表面DD-IS可以包括经由其显示图像的图像区域DD-DA和限定为与图像区域DD-DA相邻的边框区域DD-NDA。图像不经由边框区域DD-NDA显示。图1示出了作为图像的代表性示例的应用图标的图像。
如图1中所示,图像区域DD-DA可以具有基本上四边形形状。表述“基本上四边形形状”不仅可以表示数学上定义的四边形形状,还可以表示其中在顶点区域(或角部区域)中限定了曲线边界而非顶点的四边形形状的变型。
边框区域DD-NDA可以完全围绕图像区域DD-DA,然而,边框区域DD-NDA不应必然局限于此或由此限制。边框区域DD-NDA的形状可以改变。例如,边框区域DD-NDA可以仅限定在图像区域DD-DA的一侧处,或者可以限定在图像区域DD-DA的一些侧处,但不限定在图像区域DD-DA的全部侧处。
图2是根据本公开的实施例的显示装置DD的截面图。
显示装置DD可以包括显示模块DM和设置在显示模块DM上的窗WM。显示模块DM可以通过粘合剂层PSA与窗WM耦接。
显示模块DM可以包括显示面板100、输入传感器200和防反射层300。显示面板100可以包括基体层110、驱动元件层120、发光元件层130和封装层140。
驱动元件层120可以设置在基体层110的上表面上。基体层110可以是可弯折、可折叠或可卷曲到可感知程度而不破裂或另外遭受损坏的柔性基底。基体层110可以是玻璃基底、金属基底或聚合物基底,然而,基体层110不应必然局限于此或由此限制。根据实施例,基体层110可以是无机层、有机层或复合材料层。基体层110可以具有与显示面板100的形状基本上相同的形状。
基体层110可以具有多层结构。例如,基体层110可以包括第一合成树脂层、第二合成树脂层和设置在第一合成树脂层和第二合成树脂层之间的无机层。第一合成树脂层和第二合成树脂层中的每一者可以包括聚酰亚胺基树脂,然而,它不应必然特别局限于此。
驱动元件层120可以设置在基体层110上。驱动元件层120可以包括多个绝缘层、多个半导体图案、多个导电图案以及信号线。驱动元件层120可以包括用于驱动像素的驱动电路。
发光元件层130可以设置在驱动元件层120上。发光元件层130可以包括发光元件。例如,发光元件可以包括有机发光材料、无机发光材料、有机-无机发光材料、量子点、量子棒、微型发光二极管(LED)或纳米LED。
封装层140可以设置在发光元件层130上。封装层140可以保护发光元件层130(例如,发光元件)免受湿气、氧和诸如灰尘颗粒的异物的影响。封装层140可以包括至少一个封装无机层。封装层140可以包括其中第一封装无机层、封装有机层和第二封装无机层依次堆叠的堆叠结构。
输入传感器200可以直接设置在显示面板100上。输入传感器200可以通过电磁感应方法和/或电容方法来感测用户的输入(例如,触摸)。输入传感器200和显示面板100可以经由连续的工艺形成。如本文中使用的表述“组件A直接设置在组件B上”表示在组件A和组件B之间不存在居间元件。例如,在输入传感器200和显示面板100之间可以不设置单独的粘合剂层。
防反射层300可以降低相对于从窗WM上方入射到窗WM的外部光的反射率。根据本实施例,防反射层300可以包括延迟器和偏振器。延迟器可以是膜型或液晶涂覆型,并且可以包括λ/2延迟器(例如,半波片)和/或λ/4延迟器(例如,四分之一波片)。偏振器可以是膜型或液晶涂覆型。膜型延迟器和膜型偏振器可以包括拉伸的合成树脂膜,并且液晶涂覆型延迟器和液晶涂覆型偏振器可以包括以预定排列而排列的液晶。延迟器和偏振器还可以包括保护膜。延迟器和偏振器本身或保护膜可以限定为防反射层300的基体层。
防反射层300可以包括滤色器。滤色器可以以预定布置来布置。作为示例,可以通过考虑从包括在显示面板100中的像素发射的光的颜色来布置滤色器。防反射层300还可以包括与滤色器相邻的黑矩阵。包括滤色器的防反射层300可以直接设置在显示面板100上。
根据实施例,窗WM可以包括基体层和光阻挡图案。基体层可以包括玻璃基底和/或合成树脂膜。光阻挡图案可以与基体层部分地重叠。光阻挡图案可以设置在基体层的后表面上,并且光阻挡图案可以基本上限定显示装置DD的边框区域DD-NDA(参照图1)。其中未设置光阻挡图案的区域可以限定显示装置DD的图像区域DD-DA(参照图1)。
图3是根据本公开的实施例的显示面板100的平面图。
参照图3,显示面板100可以包括多个像素PX、扫描驱动器SDV、发光驱动器EDV、多条信号线以及多个焊盘PD。像素PX可以布置在显示区域100-DA中。设置在非显示区域100-NDA中的驱动芯片DIC可以包括数据驱动器。显示区域100-DA可以与图1的图像区域DD-DA对应,并且非显示区域100-NDA可以与图1的边框区域DD-NDA对应。在以下描述中,表述“区域/部分与另一区域/部分对应”表示“区域/部分与另一区域/部分地重叠”,但是该表述不应必然局限于表示“区域/部分与另一区域/部分具有相同的面积和/或相同的形状”。根据实施例,数据驱动器可以像扫描驱动器SDV和发光驱动器EDV一样集成到显示面板100中。
信号线可以包括多条扫描线SL1至SLm、多条数据线DL1至DLn、多条发光线EL1至ELm、第一控制线SL-C1和第二控制线SL-C2以及第一电源线PL1和第二电源线PL2。这里,“m”和“n”是等于或大于2的整数。
扫描线SL1至SLm可以在第一方向DR1上延伸,并且可以电连接到像素PX和扫描驱动器SDV。数据线DL1至DLn可以在第二方向DR2上延伸,并且可以电连接到像素PX和驱动芯片DIC。发光线EL1至ELm可以在第一方向DR1上延伸,并且可以电连接到像素PX和发光驱动器EDV。
第一电源线PL1可以接收第一电源供应电压,并且第二电源线PL2可以接收具有比第一电源供应电压的电压电平低的电压电平的第二电源供应电压。发光元件的第二电极(例如,阴极)可以连接到第二电源线PL2。
第一控制线SL-C1可以连接到扫描驱动器SDV,并且可以朝向显示面板100的下端延伸。第二控制线SL-C2可以连接到发光驱动器EDV,并且可以朝向显示面板100的下端延伸。焊盘PD可以设置在与显示面板100的下端相邻的非显示区域100-NDA中,并且可以比驱动芯片DIC靠近显示面板100的下端。焊盘PD可以连接到驱动芯片DIC和信号线中的一些。
扫描驱动器SDV可以产生多个扫描信号,并且扫描信号可以经由扫描线SL1至SLm施加到像素PX。驱动芯片DIC可以产生多个数据电压,并且数据电压可以经由数据线DL1至DLn施加到像素PX。发光驱动器EDV可以产生多个发光信号,并且发光信号可以经由发光线EL1至ELm施加到像素PX。像素PX可以响应于扫描信号而接收数据电压。像素PX可以响应于发光信号而发射具有与数据电压对应的亮度的光,以显示图像。
图4A至图4C是根据本公开的实施例的显示区域100-DA的放大平面图。
参照图4A,显示区域100-DA可以包括多个发光区域LA1、LA2和LA3以及与发光区域LA1、LA2和LA3相邻的非发光区域NLA。非发光区域NLA可以限定发光区域LA1、LA2和LA3之间的边界。
发光区域LA1、LA2和LA3可以一一对应地与图3的像素PX对应。像素PX中的每一个可以包括发光元件,并且发光区域LA1、LA2和LA3可以是从发光元件发射的光从其发出的区域。稍后将参照图5描述发光区域LA1、LA2和LA3与非发光区域NLA之间的布置关系。
发光区域LA1、LA2和LA3可以包括形成第一颜色光的第一发光区域LA1(或第一颜色光发射区域)、形成第二颜色光的第二发光区域LA2(或第二颜色光发射区域)和形成第三颜色光的第三发光区域LA3(或第三颜色光发射区域)。在本实施例中,第一颜色光可以是红光,第二颜色光可以是绿光,并且第三颜色光可以是蓝光。
第一发光区域LA1、第二发光区域LA2和第三发光区域LA3可以具有彼此不同的尺寸,然而,它们不应必然局限于此或由此限制。在本实施例中,第一发光区域LA1可以具有最小的尺寸,并且第三发光区域LA3可以具有最大的尺寸。
第一发光区域LA1、第二发光区域LA2和第三发光区域LA3可以限定一个单元发光区域UA。单元发光区域UA是重复用于在显示区域100-DA中限定发光区域的布置的单元。在本实施例中,单元发光区域UA可以包括第一单元发光区域UA1和第二单元发光区域UA2。
参照第一单元发光区域UA1和第二单元发光区域UA2,第一发光区域LA1和第二发光区域LA2可以在第一方向DR1上设置在第三发光区域LA3的一侧(例如,图4A中的左侧)处。第一单元发光区域UA1和第二单元发光区域UA2中的每一者的第二发光区域LA2可以设置在第一发光区域LA1的一侧(例如,图4A中的下侧)处。
第一单元发光区域UA1的第三发光区域LA3的在第二方向DR2上相对于第一发光区域LA1和第二发光区域LA2的位置可以不同于第二单元发光区域UA2的第三发光区域LA3的在第二方向DR2上相对于第一发光区域LA1和第二发光区域LA2的位置。第一单元发光区域UA1的第三发光区域LA3的在第二方向DR2上相对于第一发光区域LA1和第二发光区域LA2的位置可以位于下侧处。第二单元发光区域UA2的第三发光区域LA3的在第二方向DR2上相对于第一发光区域LA1和第二发光区域LA2的位置可以位于上侧处。第一单元发光区域UA1的第三发光区域LA3的在第二方向DR2上相对于第一发光区域LA1和第二发光区域LA2的偏移程度可以不同于第二单元发光区域UA2的第三发光区域LA3的在第二方向DR2上相对于第一发光区域LA1和第二发光区域LA2的偏移程度。在本实施例中,第二单元发光区域UA2的第三发光区域LA3可以进一步偏移。
第一单元发光区域UA1可以与第二单元发光区域UA2沿着第一方向DR1交替地布置在像素行PXR中。第一单元发光区域UA1可以与第二单元发光区域UA2沿着第二方向DR2交替地布置在像素列PXC中。由于第一单元发光区域UA1和第二单元发光区域UA2的布置,第一单元发光区域UA1的第三发光区域LA3和第二单元发光区域UA2的第三发光区域LA3可以以特定规则布置。第一单元发光区域UA1的第三发光区域LA3和与该第一单元发光区域UA1相邻的第二单元发光区域UA2的第三发光区域LA3可以以第一距离DT1彼此间隔开。以第一距离DT1彼此间隔开的第一单元发光区域UA1的第三发光区域LA3和第二单元发光区域UA2的第三发光区域LA3可以限定发光区域对LP。在每个像素列PXC中,发光区域对LP可以与另一发光区域对LP以第二距离DT2间隔开。第二距离DT2可以大于第一距离DT1。
发光区域对LP是由于在沉积工艺期间使用的掩模而形成的。设置在第一单元发光区域UA1的第三发光区域LA3中的发光元件和设置在第二单元发光区域UA2的第三发光区域LA3中的发光元件可以包括具有单个整体形式的发光层。例如,设置在第一单元发光区域UA1的第三发光区域LA3中的发光层和设置在第二单元发光区域UA2的第三发光区域LA3中的发光层可以彼此一体地提供,并且可以使用一个掩模来沉积。掩模可以被提供有限定为通过其与发光区域对LP对应的开口。掩模的开口之间的区域可以与掩模的阻挡区域对应。由于限定了与发光区域对LP对应的开口,因此可以减少开口的数量,并且可以确保设置在开口之间的掩模的阻挡区域的在第二方向DR2上的宽度。薄膜掩模可以用于确保薄膜掩模的阻挡区域的在第二方向DR2上的宽度,以在沉积工艺期间防止掩模的缺陷(例如,下垂)。
这可以通过比较图4B中所示的第三发光区域LA3之间的第三距离DT3来理解。参照图4B,设置在显示区域100-DA中的单元发光区域UA属于一种类型。像素列PXC中彼此相邻的单元发光区域UA的第三发光区域LA3之间的第三距离DT3可以小于图4A的第二距离DT2。通过用于形成图4B的第三发光区域LA3的掩模限定的开口的数量大于用于形成图4A的第三发光区域LA3的掩模的开口的数量,并且掩模的阻挡区域的宽度减小。
参照图4C,设置在显示区域100-DA中的单元发光区域UA0属于一种类型。单元发光区域UA0可以包括在第一方向DR1上彼此间隔开设置的第二发光区域LA2以及在第二方向DR2上彼此间隔开设置的第一发光区域LA1和第三发光区域LA3。单元发光区域UA0的四个发光区域LA1、LA2和LA3可以以菱形(例如,钻石形)形状布置。像素行PXR的单元发光区域UA0可以在第一方向DR1上布置。彼此相邻的像素行PXR的单元发光区域UA0可以沿着第一方向DR1彼此交错布置。彼此相邻的像素列PXC的单元发光区域UA0可以沿着第二方向DR2彼此交错布置。
图5是沿着图4A的线I-I'截取的显示装置DD的截面图。在图5中,显示装置DD的一些组件(例如,图2的防反射层300至窗WM)未被示出。
驱动发光元件LD的像素驱动电路PC可以包括多个像素驱动元件。像素驱动电路PC可以包括多个晶体管S-TFT和O-TFT以及电容器Cst。图5示出了作为晶体管的代表性示例的硅晶体管S-TFT和氧化物晶体管O-TFT。图5的像素驱动电路PC是示例,并且像素驱动电路PC的组件不应必然局限于此或由此限制。像素驱动电路PC可以仅包括硅晶体管S-TFT和氧化物晶体管O-TFT中的一种类型的晶体管。
参照图5,基体层110具有单层结构。基体层110可以包括诸如聚酰亚胺的合成树脂。基体层110可以通过在工作基底(或载体基底)上涂覆合成树脂层来形成。当经由后续工艺完成显示模块DM(参照图2)时,可以去除工作基底。
参照图5,屏障层10br可以设置在基体层110上。屏障层10br可以防止异物从外部进入其中。屏障层10br可以包括至少一个无机层。屏障层10br可以包括氧化硅层和氮化硅层。氧化硅层和氮化硅层中的每一者可以被提供为多个,并且氧化硅层和氮化硅层可以彼此交替堆叠。
屏障层10br可以包括下屏障层10br1和上屏障层10br2。第一屏蔽电极BMLa可以设置在下屏障层10br1和上屏障层10br2之间。第一屏蔽电极BMLa可以与硅晶体管S-TFT对应。第一屏蔽电极BMLa可以包括金属材料(例如,钼)。
第一屏蔽电极BMLa可以接收偏置电压。第一屏蔽电极BMLa可以接收第一电源供应电压。第一屏蔽电极BMLa可以防止由极化现象引起的电势对硅晶体管S-TFT产生影响。第一屏蔽电极BMLa可以防止外部光到达硅晶体管S-TFT。根据实施例,第一屏蔽电极BMLa可以是与其它电极或线隔离的浮置电极。
缓冲层10bf可以设置在屏障层10br上。缓冲层10bf可以防止金属原子或杂质从基体层110扩散到设置在缓冲层10bf上的第一半导体图案SC1。缓冲层10bf可以包括至少一个无机层。缓冲层10bf可以包括氧化硅层和氮化硅层。
第一半导体图案SC1可以设置在缓冲层10bf上。第一半导体图案SC1可以包括硅半导体。作为示例,硅半导体可以包括非晶硅或多晶硅。例如,第一半导体图案SC1可以包括低温多晶硅。
第一半导体图案SC1可以依据其是否被掺杂或者其被掺杂有N型掺杂剂还是P型掺杂剂而具有不同的电特性。第一半导体图案SC1可以包括具有相对高电导率的第一区和具有相对低电导率的第二区。第一区可以被掺杂有N型掺杂剂或P型掺杂剂。第二区可以是非掺杂区或者是以比第一区的浓度低的浓度被掺杂的区。硅晶体管S-TFT的源极区域SE1、沟道区域AC1(或有源区域)和漏极区域DE1可以由第一半导体图案SC1形成。在截面中,源极区域SE1和漏极区域DE1可以从沟道区域AC1在彼此相反的方向上延伸。
第一绝缘层10可以设置在缓冲层10bf上。第一绝缘层10可以覆盖第一半导体图案SC1。第一绝缘层10可以是无机层。第一绝缘层10可以具有氧化硅层的单层结构,然而,第一绝缘层10不应必然局限于此或由此限制。不仅第一绝缘层10,而且稍后描述的驱动元件层120的其它绝缘层可以具有单层或多层结构,并且可以包括氧化硅、氮化硅和氮氧化硅中的至少一种,然而,驱动元件层120的绝缘层不应必然局限于此或由此限制。
硅晶体管S-TFT的栅极GT1可以设置在第一绝缘层10上。栅极GT1可以是金属图案的一部分。栅极GT1可以与沟道区域AC1重叠。栅极GT1可以在对第一半导体图案SC1进行掺杂的工艺中用作掩模。电容器Cst的第一电极CE10可以设置在第一绝缘层10上。不同于图5中所示的显示装置DD,栅极GT1和第一电极CE10可以彼此一体地提供。
第二绝缘层20可以设置在第一绝缘层10上,并且可以覆盖栅极GT1。上电极可以进一步设置在第二绝缘层20上,并且可以与栅极GT1重叠。第二电极CE20可以设置在第二绝缘层20上,并且可以与第一电极CE10重叠。在平面图中,上电极可以与第二电极CE20一体地提供。
第二屏蔽电极BMLb可以设置在第二绝缘层20上。第二屏蔽电极BMLb可以与氧化物晶体管O-TFT对应。根据实施例,可以省略第二屏蔽电极BMLb。根据实施例,第一屏蔽电极BMLa可以延伸到氧化物晶体管O-TFT的下部,并且可以代替第二屏蔽电极BMLb。
第三绝缘层30可以设置在第二绝缘层20上。第二半导体图案SC2可以设置在第三绝缘层30上。第二半导体图案SC2可以包括氧化物晶体管O-TFT的沟道区域AC2。第二半导体图案SC2可以包括金属氧化物半导体。第二半导体图案SC2可以包括诸如氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化铟镓锌(IGZO)、氧化锌(ZnO)或氧化铟(In2O3)的透明导电氧化物(TCO)。
金属氧化物半导体可以包括依据透明导电氧化物是否被还原而彼此区分的多个区域SE2、AC2和DE2。其中透明导电氧化物被还原的区域(在下文中,被称为还原区域)的电导率大于其中透明导电氧化物未被还原的区域(在下文中,被称为非还原区域)的电导率。还原区域可以基本上用作晶体管的源极/漏极或信号线。非还原区域可以基本上与晶体管的半导体区域(或沟道)对应。第四绝缘层40可以设置在第三绝缘层30上。如图5中所示,第四绝缘层40可以覆盖第二半导体图案SC2。根据实施例,第四绝缘层40可以是与氧化物晶体管O-TFT的栅极GT2重叠并且暴露源极区域SE2和漏极区域DE2的绝缘图案。
氧化物晶体管O-TFT的栅极GT2可以设置在第四绝缘层40上。氧化物晶体管O-TFT的栅极GT2可以是金属图案的一部分。氧化物晶体管O-TFT的栅极GT2可以与沟道区域AC2重叠。第五绝缘层50可以设置在第四绝缘层40上,并且可以覆盖栅极GT2。第一绝缘层10至第五绝缘层50中的每一者可以是无机层。
第一连接图案CNP1和第二连接图案CNP2可以设置在第五绝缘层50上。第一连接图案CNP1和第二连接图案CNP2可以经由相同的工艺形成,并且因此,第一连接图案CNP1和第二连接图案CNP2可以包括相同的材料和相同的堆叠结构。第一连接图案CNP1可以经由穿过第一绝缘层10、第二绝缘层20、第三绝缘层30、第四绝缘层40和第五绝缘层50限定的第一像素接触孔PCH1连接到硅晶体管S-TFT的漏极区域DE1。第二连接图案CNP2可以经由穿过第四绝缘层40和第五绝缘层50限定的第二像素接触孔PCH2连接到氧化物晶体管O-TFT的源极区域SE2。第一连接图案CNP1和第二连接图案CNP2相对于硅晶体管S-TFT和氧化物晶体管O-TFT的连接关系不应必然局限于此或由此限制。
第六绝缘层60可以设置在第五绝缘层50上。第三连接图案CNP3可以设置在第六绝缘层60上。第三连接图案CNP3可以经由穿过第六绝缘层60限定的第三像素接触孔PCH3连接到第一连接图案CNP1。数据线DL可以设置在第六绝缘层60上。第七绝缘层70可以设置在第六绝缘层60上,并且可以覆盖第三连接图案CNP3和数据线DL。第三连接图案CNP3和数据线DL可以经由相同的工艺形成,并且因此,第三连接图案CNP3和数据线DL可以包括相同的材料和相同的堆叠结构。第六绝缘层60和第七绝缘层70中的每一者可以是有机层。
发光元件LD可以包括阳极AE(或第一电极)、发光层EL和阴极CE(或第二电极)。发光元件LD的阳极AE可以设置在第七绝缘层70上。阳极AE可以是(半)透射电极或反射电极。阳极AE可以具有ITO/Ag/ITO的堆叠结构。阳极AE和阴极CE的位置可以互换。
像素限定层PDL可以设置在第七绝缘层70上。像素限定层PDL可以是有机层。像素限定层PDL可以具有光吸收特性,并且可以具有黑颜色。作为示例,像素限定层PDL可以包括黑色着色剂。黑色着色剂可以包括黑色染料或黑色颜料。黑色着色剂可以包括诸如铬的金属材料或它的氧化物或者炭黑。像素限定层PDL可以与具有光阻挡特性的光阻挡图案对应。
像素限定层PDL可以覆盖阳极AE的一部分。作为示例,开口PDL-OP可以穿过像素限定层PDL限定,以暴露阳极AE的一部分。发光区域LA1可以限定为与开口PDL-OP对应。图5示出了与图4A的第一发光区域LA1对应的一个发光区域LA1。与图4A的第二发光区域LA2和第三发光区域LA3对应的截面可以和与图5的第一发光区域LA1的截面基本上相同。然而,第二发光区域LA2和第三发光区域LA3中的每一者的发光层EL可以包括与包括在第一发光区域LA1的发光层EL中的发光材料不同的材料。此外,参照图4A的发光区域对LP,像素限定层PDL可以设置在第一单元发光区域UA1的第三发光区域LA3和第二单元发光区域UA2的第三发光区域LA3之间。设置在第一单元发光区域UA1的第三发光区域LA3和第二单元发光区域UA2的第三发光区域LA3中的发光层EL可以设置在设置于第一单元发光区域UA1的第三发光区域LA3和第二单元发光区域UA2的第三发光区域LA3之间的像素限定层PDL上。
在本公开中,空穴控制层可以设置在阳极AE和发光层EL之间。空穴控制层可以包括空穴传输层,并且还可以包括空穴注入层。电子控制层可以设置在发光层EL和阴极CE之间。电子控制层可以包括电子传输层,并且还可以包括电子注入层。
封装层140可以覆盖发光元件LD。封装层140可以包括依次堆叠的封装无机层141、封装有机层142和封装无机层143,然而,形成封装层140的层不应必然局限于此或由此限制。封装无机层141和143可以包括氮化硅层、氮氧化硅层、氧化硅层、氧化钛层或氧化铝层。封装无机层141和143中的每一者可以具有多层结构。封装有机层142可以包括丙烯酸基有机层,然而,封装有机层142不应必然特别局限于此。
输入传感器200可以包括至少一个导电层(或至少一个传感器导电层)和至少一个绝缘层(或至少一个传感器绝缘层)。在本实施例中,输入传感器200可以包括第一绝缘层210(或第一传感器绝缘层)、第一导电层220(或第一传感器导电层)、第二绝缘层230(或第二传感器绝缘层)、第二导电层240(或第二传感器导电层)和第三绝缘层250(或第三传感器绝缘层)。图5示意性地示出了第一导电层220的导电线和第二导电层240的导电线。
第一绝缘层210可以直接设置在显示面板100上。第一绝缘层210可以是包括氮化硅、氮氧化硅和/或氧化硅的无机层。第一导电层220和第二导电层240中的每一者可以具有在第三方向DR3上堆叠的单层结构或多层结构。第一导电层220和第二导电层240可以包括限定网格形状的导电线。第一导电层220的导电线和第二导电层240的导电线可以经由穿过第二绝缘层230限定的接触孔彼此连接,或者可以依据于它们的位置而不彼此连接。
具有单层结构的第一导电层220和第二导电层240可以包括金属层或透明导电层。金属层可以包括钼、银、钛、铜、铝或它们的合金。透明导电层可以包括诸如氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化锌(ZnO)或氧化铟锌锡(ITZO)等的透明导电氧化物。此外,透明导电层可以包括诸如PEDOT的导电聚合物、金属纳米线或石墨烯等。
具有多层结构的第一导电层220和第二导电层240可以包括金属层。金属层可以具有钛/铝/钛的三层结构。具有多层结构的第一导电层220和第二导电层240可以包括至少一个金属层和至少一个透明导电层。第二绝缘层230可以设置在第一导电层220和第二导电层240之间。第三绝缘层250可以覆盖第二导电层240。根据实施例,可以省略第三绝缘层250。第二绝缘层230和第三绝缘层250可以包括无机层或有机层。
图6是根据本公开的实施例的输入传感器200的平面图,并且图7是根据本公开的实施例的输入传感器200的等效电路图。
输入传感器200可以包括感测区域200-SA和非感测区域200-NSA。感测区域200-SA可以与图3的显示区域100-DA对应,并且非感测区域200-NSA可以与图3的非显示区域100-NDA对应。根据实施例,感测区域200-SA和显示区域100-DA可以具有相同的尺寸,并且非感测区域200-NSA和非显示区域100-NDA可以具有相同的尺寸。
输入传感器200可以包括第一输入传感器201和第二输入传感器202。第一输入传感器201和第二输入传感器202可以分别设置在感测区域200-SA的第一感测区域200-SA1和第二感测区域200-SA2中。第一感测区域200-SA1可以与显示区域100-DA的第一区域重叠,并且第二感测区域200-SA2可以与显示区域100-DA的第二区域重叠。
第一输入传感器201和第二输入传感器202可以具有基本上彼此相同的结构。在本实施例中,作为代表性示例,第一输入传感器201和第二输入传感器202对称地布置在左侧和右侧,然而,第一输入传感器201和第二输入传感器202不应必然局限于此或由此限制。在下文中,对输入传感器200的描述将主要集中于第一输入传感器201。
第一输入传感器201可以包括第一感测电极E1(在下文中,被称为第一电极E1)和与第一感测电极E1相交的第二感测电极E2(在下文中,被称为第二电极E2)。由于多个输入传感器201和202设置在感测区域200-SA中,因此可以减小第一电极E1和第二电极E2中的至少一者的长度。这可以导致电极电阻的减小和输入传感器200的负载的减小。例如,当在第一方向DR1上延伸的一个第一感测电极E1公共地设置在第一感测区域200-SA1和第二感测区域200-SA2中时,第一感测电极E1的电阻可能显著增加。第一输入传感器201和第二输入传感器202可以彼此同步驱动或者彼此独立驱动。
第一电极E1可以被提供为多个,并且第二电极E2可以被提供为多个。第一电极E1可以基本上在第一方向DR1上延伸,并且可以在第二方向DR2上布置。表述“第一电极E1基本上在第一方向DR1上延伸”不仅表示第一电极E1在第一方向DR1上沿直线延伸,而且表示第一电极E1的一端和另一端在第一方向DR1上彼此间隔开设置。第二电极E2可以基本上在第二方向DR2上延伸,并且可以在第一方向DR1上布置。
可以对于第一电极E1与第二电极E2相交的每个相交区域限定感测单元SU。图6的第一感测区域200-SA1可以包括以矩阵形式布置的多个感测单元SU,然而,感测单元SU可以不必彼此相同。感测单元SU中的一些可以具有相对小的尺寸。例如,放置在感测区域200-SA的角部处的感测单元SU可以具有相对小的尺寸。这是因为显示区域100-DA和感测区域200-SA可以具有倒圆的角部。此外,光所经过的开口可以形成在特定感测区域200-SA中。
第一输入传感器201可以包括电连接到第一电极E1的第一迹线TL1、电连接到第一电极E1的第二迹线TL2和电连接到第二电极E2的第三迹线TL3。第一迹线TL1的一端可以在第一点P1处连接到第一电极E1,第二迹线TL2的一端可以在第二点P2处连接到第一电极E1,并且第三迹线TL3的一端可以在第三点P3处连接到第二电极E2。第一迹线TL1的另一端可以连接到第一焊盘PD1,第二迹线TL2的另一端可以连接到第二焊盘PD2,并且第三迹线TL3的另一端可以连接到第三焊盘PD3。第一焊盘PD1至第三焊盘PD3中的每一者可以是设置在与其上设置有迹线的至少一部分的层不同的层上的导电图案。
第一迹线TL1和第二迹线TL2可以连接到第一电极E1的不同的点,并且第一迹线TL1和第二迹线TL2中的每一者可以被提供为多条以与第一电极E1对应。第三迹线TL3可以被提供为多条以与第二电极E2对应。在下文中,其中两条迹线连接到一个电极(诸如第一电极E1)的结构可以被称为双路径结构。其中一条迹线连接到一个电极(诸如第二电极E2)的结构可以被称为单路径结构。
第一电极E1和第二电极E2中的一个电极可以接收驱动信号。电流可以经由限定在第一电极E1和第二电极E2之间的互电容器从第一电极E1和第二电极E2中的一个电极流到第一电极E1和第二电极E2中的另一电极。第一电极E1和第二电极E2中的仅一者可以接收驱动信号,然而,第一电极E1和第二电极E2不应必然局限于此或由此限制。根据实施例,第一电极E1可以在第一时段接收驱动信号,并且第二电极E2可以在第二时段接收驱动信号。在本实施例中,第一电极E1将被描述为接收驱动信号,然而,第二电极E2可以接收驱动信号。
图6示出了迹线TL1、TL2和TL3的相交区域LCA。第二迹线TL2和第三迹线TL3的相交区域LCA被示出为代表性示例。在相交区域LCA中,第二迹线TL2和第三迹线TL3中的一者可以包括桥接图案。桥接图案可以设置在与其上设置有第二迹线TL2和第三迹线TL3的层不同的层上,并且可以防止第二迹线TL2和第三迹线TL3短路。
图7示出了驱动电路DCC和感测电路SCC之间的第一输入传感器201的等效电路。将基于形成设置在图6中所示的第一输入传感器201的最上侧的第一电极E1和设置在图6中所示的第一输入传感器201的最右侧的第二电极E2之间的电流路径来描述等效电路。
驱动信号Sdr可以经由第一迹线TL1(参照图6)和第二迹线TL2(参照图6)施加到第一电极E1(参照图6)。与驱动信号Sdr对应的感测信号Sse可以经由第三迹线TL3输入到感测电路SCC。安装在电连接到第一焊盘PD1至第三焊盘PD3的电路板上的集成电路可以包括驱动电路DCC和感测电路SCC。
感测电路SCC可以包括感测通道222、模数转换器224(在下文中,被称为ADC 224)和处理器226。感测通道222可以提供在第二电极E2(参照图6)中的每一个中。感测通道222可以连接到相同的ADC 224。
在本实施例中,感测通道222可以包括诸如运算(OP)放大器的放大器AMP1。放大器AMP1的第一输入端子IN1(例如,OP放大器的反相输入端子)可以接收感测信号Sse。此外,放大器AMP1的第二输入端子IN2(例如,OP放大器的非反相输入端子)可以用作基准电势端子,并且可以接收诸如地(GND)电压的基准电压。电容器CC和复位开关SW可以彼此并联地连接在放大器AMP1的第一输入端子IN1和输出端子OUT1之间。
ADC 224可以将来自感测通道222的模拟信号转换成数字信号。处理器226可以处理来自ADC 224的转换后的信号(数字信号),并且可以根据信号处理结果来感测触摸输入。作为示例,处理器226可以综合分析经由感测通道222和ADC 224从第二电极E2(参照图6)输入到其的信号(放大和转换后的感测信号Sse),并且可以感测输入。处理器226可以由微处理器(MPU)实现。在这种情况下,感测电路SCC还可以包括驱动处理器226所需的存储器。根据实施例,处理器226可以由微控制器实现。
第一电阻器R-T1和第二电阻器R-E1可以串联连接在第一焊盘PD1和互电容器Cse之间。第一电阻器R-T1可以是第一迹线TL1的等效电阻器,并且第二电阻器R-E1可以是第一电极E1的等效电阻器。第一寄生电容器C-T1和第二寄生电容器C-E1可以连接在第一焊盘PD1和互电容器Cse之间。第一寄生电容器C-T1可以限定在第一迹线TL1和阴极CE(参照图5)之间,并且第二寄生电容器C-E1可以限定在第一电极E1和阴极CE之间。
第三电阻器R-T2可以形成在第二焊盘PD2和互电容器Cse之间,并且可以并联连接到第一电阻器R-T1。第三寄生电容器C-T2可以形成在第二焊盘PD2和互电容器Cse之间,并且可以并联连接到第一寄生电容器C-T1。第三电阻器R-T2可以是第二迹线TL2的等效电阻器,并且第三寄生电容器C-T2可以限定在第二迹线TL2和阴极CE之间。
此外,第四电阻器R-E2和第五电阻器R-T3可以串联连接在第三焊盘PD3和互电容器Cse之间。第四电阻器R-E2可以是第二电极E2的等效电阻器,并且第五电阻器R-T3可以是第三迹线TL3的等效电阻器。第四寄生电容器C-E2和第五寄生电容器C-T3可以连接在第三焊盘PD3和互电容器Cse之间。第四寄生电容器C-E2可以限定在第二电极E2和阴极CE之间,并且第五寄生电容器C-T3可以限定在第三迹线TL3和阴极CE之间。
驱动信号Sdr可以是交流信号(例如,正弦波信号)。由于双路径结构被应用于第一电极E1,因此图7中所示的等效电路的组合电阻可以降低。因此,可以改善输入传感器200(参照图6)的带宽特性,并且可以加宽交流信号的带宽。
再次参照图6,第一迹线TL1和第二迹线TL2中的至少一者可以与第一感测区域200-SA1重叠。在本实施例中,第二迹线TL2可以与第一感测区域200-SA1重叠。连接到第一电极E1的一端的第一迹线TL1可以不与第一感测区域200-SA1重叠。即使第一迹线TL1没有连接到第一电极E1的所述一端,第一电极E1连接到第一迹线TL1的第一点P1可以设置为比第一电极E1连接到第二迹线TL2的第二点P2靠近非感测区域200-NSA。第一点P1可以不与感测区域200-SA重叠,并且即使第一点P1与感测区域200-SA重叠,第一点P1也可以设置为相对靠近非感测区域200-NSA。然而,第二点P2可以仅与感测区域200-SA重叠,并且因此,在将第二点P2布置得较靠近非感测区域200-NSA上存在限制。出于相同的原因,第二电极E2和第三点P3也可以布置为比第二点P2靠近非感测区域200-NSA。
在感测区域200-SA中,第二迹线TL2可以与第一电极E1重叠,并且可以不与第二电极E2重叠。参照设置在第一输入传感器201的最右侧位置处的第二迹线TL2,第二迹线TL2可以在与第二电极E2在第一感测区域200-SA1中延伸的方向相同的方向(例如,第二方向DR2)上延伸。第二迹线TL2可以经由其中设置有第一电极E1的区域在第二方向DR2上延伸,并且这将在稍后进行描述。
图8A和图8B是根据本公开的实施例的感测区域200-SA的放大平面图,并且图8C是沿着图8A的线II-II'截取的输入传感器200的截面图。
图8A和图8B分别示出了图6的感测单元SU之中的其处一个第一电极E1与一个第二电极E2相交的第一感测单元SU1和其处另一第一电极E1与所述一个第二电极E2相交的第二感测单元SU2。除了第二迹线TL2连接到第一感测单元SU1中的一个第一电极E1之外,第一感测单元SU1和第二感测单元SU2可以具有基本上彼此相同的结构。当第二感测单元SU2与第二迹线TL2重叠时,如图6中所示,设置在第二感测单元SU2中的另一第一电极E1可以经由另一感测单元SU连接到对应的第二迹线TL2。
参照图8A和图8B,第二电极E2可以包括感测区域200-SA(参照图6)中的基本上在第二方向DR2上延伸并且在第一方向DR1上布置为彼此间隔开的多个分隔电极E2D1、E2D2和E2D3。图8A和图8B中示出了三个分隔电极E2D1、E2D2和E2D3作为代表性示例。在下文中,三个分隔电极E2D1、E2D2和E2D3可以分别被称为第一分隔电极E2D1、第二分隔电极E2D2和第三分隔电极E2D3以区分和说明三个分隔电极E2D1、E2D2和E2D3。
分隔电极E2D1、E2D2和E2D3中的每一者可以包括具有不同形状的两种类型的部分。具有相对大的尺寸的部分可以被称为感测部分E2P1,并且具有相对小的尺寸的部分可以被称为中间部分E2P2。感测部分E2P1和中间部分E2P2可以在第二方向DR2上彼此交替布置。感测部分E2P1可以与中间部分E2P2一体地提供。分隔电极E2D1、E2D2和E2D3可以由参照图5描述的第二导电层240形成。
第一电极E1可以包括感测图案E1D1和设置在与其上设置有感测图案E1D1的层不同的层上的桥接图案E1D2。感测图案E1D1可以在第一方向DR1上彼此间隔开,并且可以设置在分隔电极E2D1、E2D2和E2D3之间。感测图案E1D1中的每一个可以包括具有不同形状的两种类型的部分。具有相对大的尺寸的部分可以被称为感测部分E1P1,并且具有相对小的尺寸的部分可以被称为中间部分E1P2。包括三个感测部分E1P1和两个中间部分E1P2的感测图案E1D1被示出为示例。感测部分E1P1和中间部分E1P2可以在第二方向DR2上彼此交替布置。感测部分E1P1可以与中间部分E1P2一体地提供。感测图案E1D1的感测部分E1P1可以设置在分隔电极E2D1、E2D2和E2D3的中间部分E2P2之间。
图8A仅示出了第一电极E1的与第一感测单元SU1对应的部分,然而,参照图6和图8A,第一电极E1可以包括与在第一方向DR1上布置的感测单元SU对应的感测图案E1D1。
参照图6、图8A和图8B,第一感测单元SU1的感测图案E1D1和第二感测单元SU2的感测图案E1D1可以在第二方向DR2上彼此间隔开。将在第一方向DR1上设置为彼此相邻的两个感测图案E1D1连接的六个桥接图案E1D2被示出为代表性示例。桥接图案E1D2的形状和数量不应必然特别局限于此。
参照图8A和图8B,第二迹线TL2可以设置在第一分隔电极E2D1和第二分隔电极E2D2之间以及第二分隔电极E2D2和第三分隔电极E2D3之间。在平面图中,第二迹线TL2可以与感测图案E1D1中的至少一个重叠,并且可以不与第二电极E2重叠。因此,可以使第二电极E2和第二迹线TL2之间的信号干扰或寄生电容器的影响最小化。图8A和图8B示出了其中一个感测单元SU1或SU2与两条第二迹线TL2重叠的结构,然而,该结构不应必然局限于此或由此限制。与感测图案E1D1之中的一个感测图案重叠的一条第二迹线TL2可以与感测单元SU1或SU2对应。
参照图8A至图8C,第二迹线TL2可以连接到第一电极E1之中的对应的第一电极E1。第二迹线TL2可以经由穿过第二绝缘层230限定的接触孔TH-I连接到对应的第一电极E1。第三绝缘层250可以覆盖第一电极E1。图8A和图8B的感测图案E1D1和桥接图案E1D2也可以经由接触孔TH-I彼此连接。参照图8C,虚设电极DME和第二迹线TL2可以设置在同一层上,并且稍后将参照图10B描述虚设电极DME。
图9A是与图8B的第一区域A1对应的第二导电层240的放大平面图。图9B是与图8B的第一区域A1对应的第一导电层220的放大平面图。图10A是与图8B的第二区域B1对应的第二导电层240的放大平面图。图10B是与图8B的第二区域B1对应的第一导电层220的放大平面图。图11A是与图8B的第三区域C1对应的第二导电层240的放大平面图。图11B是与图8B的第三区域C1对应的第一导电层220的放大平面图。
在图9A至图11B中,第二导电层240与图5的第二导电层240对应,并且第一导电层220与图5的第一导电层220对应。图9A是由第二导电层240形成的感测部分E2P1的放大图。感测部分E2P1被示出为表示第二电极E2(参照图6)。在图9A至图11B中,示出了图4A中所示的显示区域100-DA。
参照图8B和图9A,多个开口EOP1、EOP2和EOP3可以穿过第二电极E2的感测部分E2P1限定。开口EOP1、EOP2和EOP3可以包括与第一发光区域LA1对应的第一开口EOP1、与第二发光区域LA2对应的第二开口EOP2以及与发光区域对LP对应的第三开口EOP3。第一发光区域LA1可以设置在第一开口EOP1内部,第二发光区域LA2可以设置在第二开口EOP2内部,并且发光区域对LP可以设置在第三开口EOP3内部。图4A中所示的第一单元发光区域UA1的第三发光区域LA3和第二单元发光区域UA2的第三发光区域LA3可以公共地设置在第三开口EOP3内部。
感测部分E2P1可以包括限定开口EOP1、EOP2和EOP3的多个线组件L1和L2。线组件L1和L2可以包括在第一方向DR1上延伸的第一线组件L1和在第二方向DR2上延伸的第二线组件L2。第一线组件L1中的每一个可以从一个第二线组件L2延伸到与所述一个第二线组件L2相邻的另一第二线组件L2。第一线组件L1可以设置在开口EOP1、EOP2和EOP3之中的在第二方向DR2上彼此相邻的两个开口EOP1、EOP2和EOP3之间,并且第一线组件L1可以包括依据它们在第二方向DR2上的宽度而彼此区分的多组线组件。
参照图9B,多个虚设电极DME可以设置在与图9A中所示的感测部分E2P1重叠的区域中。虚设电极DME可以以通过以预定规则切割(或分隔)图9A中所示的感测部分E2P1而获得的布置来布置。由于虚设电极DME与感测部分E2P1完全重叠,因此可以防止出现由于第一导电层220(参照图5)而导致的台阶差。
四个虚设电极DME可以布置在第一区域EOP1-A周围。第一区域EOP1-A可以与第一开口EOP1(参照图9A)对应。在第二方向DR2上彼此面对的两个切割区域(或分隔区域)可以布置在第一区域EOP1-A周围,并且在第一方向DR1上彼此面对的两个切割区域可以布置在第一区域EOP1-A周围。四个虚设电极DME可以布置在与第二开口EOP2(参照图9A)对应的第二区域EOP2-A周围。在第二方向DR2上彼此面对的两个切割区域可以布置在第二区域EOP2-A周围,并且在第一方向DR1上彼此面对的两个切割区域可以布置在第二区域EOP2-A周围。在第二方向DR2上彼此面对的两对切割区域可以布置在第三区域EOP3-A周围,并且在第一方向DR1上彼此面对的两个切割区域可以布置在第三区域EOP3-A周围。
参照图9A和图9B,感测部分E2P1可以具有比虚设电极DME的宽度大的宽度。感测部分E2P1的第一线组件L1可以具有比虚设电极DME的切割的第一线组件L10的宽度W10大的宽度W1,并且感测部分E2P1的第二线组件L2可以具有比虚设电极DME的切割的第二线组件L20的宽度W20大的宽度W2。因此,感测部分E2P1可以覆盖虚设电极DME。参照图9A和图9B,可以将彼此重叠的感测部分E2P1的第一线组件L1和虚设电极DME的第一线组件L10的宽度彼此比较。参照图8C,可以将第一电极E1(参照图6)的感测部分E1P1的宽度和虚设电极DME的宽度彼此比较。
参照图8B和图10A,第一电极E1的感测部分E1P1可以与图8B和图9A的第二电极E2的感测部分E2P1基本上相同。参照图10B,第二迹线TL2和虚设电极DME可以设置在与图10A的感测部分E1P1重叠的区域中。第二迹线TL2可以包括在第二方向DR2上延伸的第二线组件L200和设置在第二线组件L200之间的第一线组件L100。与图10A的第一开口EOP1对应的第一开口EOP10和与图10A的第二开口EOP2对应的第二开口EOP20可以通过第二迹线TL2限定。虚设电极DME可以设置在除了其中设置有第二迹线TL2的区域之外的区域中。当与图9B相比时,虚设电极DME中的一些可以彼此连接以限定第二迹线TL2。
参照图8B和图11A,示出了第一电极E1的感测部分E1P1和第二电极E2的感测部分E2P1之间的边界线BL。由于图9A中所示的第二导电层240的导电图案以预定规则被切割,因此可以限定第一电极E1的感测部分E1P1和第二电极E2的感测部分E2P1之间的边界区域。
参照图8B和图11B,虚设电极DME可以以预定规则布置,而无论第一电极E1的感测部分E1P1和第二电极E2的感测部分E2P1如何。虚设电极DME可以根据与参照图9B描述的规则相同的规则来布置。
图12至图17是根据本公开的实施例的输入传感器200的平面图。在图12至图17中,相同的附图标记指代图5至图11B中的相同的元件,并且因此,就本文中未详细描述的元件而言,可以认为该元件至少与本公开内别处描述的对应元件类似。
参照图12,第二电极E2也可以具有双路径结构。第四迹线TL4可以在第四点P4处连接到第二电极E2。第四迹线TL4可以与非感测区域200-NSA重叠,并且可以连接到第四焊盘PD4。第四焊盘PD4可以设置为与第一焊盘PD1相邻。第四点P4也可以比第二点P2靠近非感测区域200-NSA。第四点P4可以在第二方向DR2上位于与第三点P3相对的位置处。
参照图13,第一迹线TL1和第二迹线TL2可以在非感测区域200-NSA的一个点处从焊盘连接线PCL分支。因此,第一迹线TL1和第二迹线TL2可以经由焊盘连接线PCL电连接到第一焊盘PD1。可以从图13的输入传感器中省略图6的输入传感器200的第二焊盘PD2(参照图6)。
参照图14至图17,输入传感器200还可以包括设置在第一输入传感器201和第二输入传感器202之间的至少一个输入传感器。图14至图17示出了还包括第三输入传感器203和第四输入传感器204的输入传感器200作为代表性示例。第三输入传感器203和第四输入传感器204可以分别设置在感测区域200-SA的第三感测区域200-SA3和第四感测区域200-SA4中。第三输入传感器203和第四输入传感器204可以具有基本上相同的结构。在下文中,对输入传感器203和204的描述将集中于第三输入传感器203。
参照图14至图17的第一输入传感器201至第四输入传感器204,与图6和图12相比,示出了较少的感测电极,并且示出了较少的与感测电极对应的迹线。示出了第一输入传感器201至第四输入传感器204的彼此对应的第一电极E1和E1-1以及彼此对应的第二电极E2和E2-1。
参照图14,第三输入传感器203可以包括与第一输入传感器201的第一电极E1对应的第一电极E1-1(在下文中,被称为第一-第一电极E1-1)以及与第一输入传感器201的第二电极E2对应的第二电极E2-1(在下文中,被称为第二-第一电极E2-1)。第三输入传感器203可以包括与第一输入传感器201的第二迹线TL2对应的第二迹线TL2-1(在下文中,被称为第二-第一迹线TL2-1)、与第一输入传感器201的第三迹线TL3对应的第三迹线TL3-1(在下文中,被称为第三-第一迹线TL3-1)以及与第四迹线TL4对应的第四迹线TL4-1(在下文中,被称为第四-第一迹线TL4-1)。
分配不同的附图标记来区分和说明彼此对应的电极和彼此对应的迹线。第一输入传感器201的第一电极E1和第二电极E2可以与第三输入传感器203的第一-第一电极E1-1和第二-第一电极E2-1对应,并且可以与第三输入传感器203的第一-第一电极E1-1和第二-第一电极E2-1区分。此外,可以在本公开中使用第二输入传感器202的第一电极E1和第二电极E2或者第四输入传感器204的第一-第一电极E1-1和第二-第一电极E2-1来说明它们并且将它们与第一输入传感器201的第一电极E1和第二电极E2区分开。
第一输入传感器201的第一电极E1和第三输入传感器203的第一-第一电极E1-1可以具有单路径结构。第一输入传感器201的第二电极E2和第三输入传感器203的第二-第一电极E2-1可以具有双路径结构。当与图12相比时,从图14中的输入传感器200中省略了第一迹线TL1(参照图12)和第一焊盘PD1(参照图12)。如参照图6和图8A至图8C描述的第二迹线TL2,在第三感测区域200-SA3中,第二-第一迹线TL2-1可以与第一-第一电极E1-1重叠并且可以不与第二-第一电极E2-1重叠。
参照图15,第一输入传感器201的第一电极E1和第三输入传感器203的第一-第一电极E1-1可以具有双路径结构。第一输入传感器201的第二电极E2和第三输入传感器203的第二-第一电极E2-1可以具有单路径结构。当与图12相比时,从图15中的输入传感器中省略了第四迹线TL4(参照图12)和第四焊盘PD4(参照图12)。
如参照图6和图8A至图8C描述的第二迹线TL2,在第三感测区域200-SA3中,第二-第一迹线TL2-1可以与第一-第一电极E1-1重叠并且可以不与第二-第一电极E2-1重叠。第一-第一迹线TL1-1可以与第一感测区域200-SA1和第三感测区域200-SA3重叠。第一-第一迹线TL1-1可以与第一感测区域200-SA1和第三感测区域200-SA3中的第一电极E1和第一-第一电极E1-1在基本上相同的方向上延伸。
图16是图15的一个感测单元SU3(在下文中,被称为第三感测单元)的放大平面图。第三感测单元SU3可以与图6的感测单元SU基本相同,并且可以与参照图8A和图8B描述的第一感测单元SU1和第二感测单元SU2基本相同。
参照图16,第一-第一迹线TL1-1可以与第一电极E1和第二电极E2重叠。在第三感测单元SU3中,第一-第一迹线TL1-1和第一电极E1之间的重叠面积可以大于第一-第一迹线TL1-1和第二电极E2之间的重叠面积。第一-第一迹线TL1-1可以与分隔电极E2D1、E2D2和E2D3的中间部分E2P2以及感测图案E1D1的感测部分E1P1重叠。可以通过减小第一-第一迹线TL1-1和第二电极E2的重叠面积来减小第一-第一迹线TL1-1对第二电极E2的影响。
参照图17,第一输入传感器201的第一电极E1和第三输入传感器203的第一-第一电极E1-1可以具有双路径结构。第一输入传感器201的第二电极E2和第三输入传感器203的第二-第一电极E2-1可以具有双路径结构。
尽管已经描述了本公开的实施例,但是理解的是,本公开不应必然局限于这些实施例,而是本领域普通技术人员可以在本公开的精神和范围内做出各种改变和修改。
Claims (20)
1.一种显示装置,其中,所述显示装置包括:
显示面板,包括显示区域和与所述显示区域相邻的非显示区域;
第一输入传感器,设置在所述显示面板上并且与所述显示区域的第一区域至少部分地重叠;以及
第二输入传感器,设置在所述显示面板上并且与所述显示区域的第二区域至少部分地重叠,
其中,所述第一输入传感器包括:
绝缘层;
第一电极;
第二电极,与所述第一电极交叉;
第一迹线,电连接到所述第一电极;
第二迹线,电连接到所述第一电极;以及
第三迹线,电连接到所述第二电极,
其中,所述第一迹线或所述第二迹线构成主迹线并且与所述显示区域的所述第一区域至少部分地重叠,在所述显示区域的所述第一区域中,所述第一迹线或所述第二迹线与所述第一电极至少部分地重叠,并且不与所述第二电极重叠。
2.根据权利要求1所述的显示装置,其中,所述第一电极在所述显示区域中在第一方向上延伸,所述第二电极包括各自在所述显示区域中在与所述第一方向交叉的第二方向上延伸并且在所述第一方向上彼此间隔开的多个分隔电极,并且所述主迹线在所述显示区域中设置在所述多个分隔电极之间。
3.根据权利要求2所述的显示装置,其中,所述多个分隔电极中的每一个是单个整体单元并且设置在所述绝缘层上,并且
其中,所述第一电极包括:
多个感测图案,设置在所述绝缘层上并且在所述第一方向上布置;以及
多个桥接图案,各自设置在所述绝缘层下方并且经由穿过所述绝缘层限定的接触孔将所述多个感测图案中的彼此相邻的感测图案彼此连接。
4.根据权利要求3所述的显示装置,其中,所述主迹线设置在所述绝缘层下方,
其中,所述第一输入传感器还包括多个虚设电极,
其中,所述多个虚设电极和所述主迹线设置在同一层上,并且
其中,所述多个虚设电极与所述多个感测图案至少部分地重叠。
5.根据权利要求4所述的显示装置,其中,所述显示区域包括多个发光区域和设置在所述多个发光区域中的彼此相邻的发光区域之间的非发光区域,并且
其中,所述主迹线和所述多个虚设电极与所述非发光区域重叠。
6.根据权利要求5所述的显示装置,其中,所述多个分隔电极中的每一个包括穿过所述多个分隔电极中的所述每一个限定的多个开口。
7.根据权利要求6所述的显示装置,其中,所述多个分隔电极中的每一个包括限定所述多个开口的线组件,并且所述线组件包括在所述第一方向上延伸的第一线组件和在所述第二方向上延伸的第二线组件。
8.根据权利要求6所述的显示装置,其中,所述多个发光区域包括第一颜色发光区域、第二颜色发光区域和第三颜色发光区域,
其中,所述第一颜色发光区域、所述第二颜色发光区域和所述第三颜色发光区域限定单元发光区域,
其中,所述单元发光区域包括:
第一单元发光区域,在所述第一单元发光区域中,所述第一颜色发光区域和所述第二颜色发光区域设置在所述第三颜色发光区域的一侧处,并且所述第三颜色发光区域在所述第二方向上相对于所述第一颜色发光区域和所述第二颜色发光区域设置在下侧处;以及
第二单元发光区域,在所述第二单元发光区域中,所述第一颜色发光区域和所述第二颜色发光区域设置在所述第三颜色发光区域的所述一侧处,并且所述第三颜色发光区域在所述第二方向上相对于所述第一颜色发光区域和所述第二颜色发光区域设置在上侧处,
其中,所述第一单元发光区域和所述第二单元发光区域在所述第一方向和所述第二方向上彼此交替布置,并且
其中,所述多个开口包括与所述第一颜色发光区域对应的第一开口、与所述第二颜色发光区域对应的第二开口以及与在所述第二方向上彼此相邻设置的所述第一单元发光区域的所述第三颜色发光区域和所述第二单元发光区域的所述第三颜色发光区域公共地对应的第三开口。
9.根据权利要求4所述的显示装置,其中,所述多个感测图案中的每一个包括在所述第一方向上延伸的第一线组件和在所述第二方向上延伸的第二线组件,
其中,所述多个虚设电极中的每一个包括在所述第一方向上延伸的第一线组件和在所述第二方向上延伸的第二线组件,
其中,所述多个感测图案的所述第一线组件与所述多个虚设电极的所述第一线组件至少部分地重叠,并且
其中,所述多个感测图案中的每一个的所述第一线组件具有比所述多个虚设电极中的每一个的所述第一线组件的宽度大的宽度。
10.根据权利要求2所述的显示装置,其中,所述第一电极包括在所述显示区域中在所述第二方向上延伸并且在所述第一方向上彼此间隔开的多个感测图案,并且
其中,在所述显示区域中,所述主迹线与所述多个感测图案之中的至少一个感测图案至少部分地重叠,并且所述主迹线连接到所述多个感测图案之中的与所述主迹线至少部分地重叠的所述至少一个感测图案。
11.根据权利要求10所述的显示装置,其中,所述绝缘层在所述显示区域中设置在所述主迹线和所述多个分隔电极之间,并且
其中,所述主迹线经由穿过所述绝缘层限定的接触孔连接到所述多个感测图案之中的与所述主迹线至少部分地重叠的所述至少一个感测图案。
12.根据权利要求1所述的显示装置,其中,所述第一迹线在第一点处连接到所述第一电极,所述第二迹线在第二点处连接到所述第一电极,所述第三迹线在第三点处连接到所述第二电极,所述主迹线是所述第二迹线,所述第二点设置在所述显示区域的所述第一区域中,并且所述第一点和所述第三点中的每一者设置在所述非显示区域中或者设置为比所述第二点靠近所述非显示区域。
13.根据权利要求1所述的显示装置,其中,所述第二输入传感器与所述第一输入传感器具有相同的元件装配。
14.根据权利要求1所述的显示装置,其中,所述第一迹线在第一点处连接到所述第一电极,所述第二迹线在第二点处连接到所述第一电极,所述第三迹线在第三点处连接到所述第二电极,所述第一输入传感器还包括在第四点处连接到所述第二电极的第四迹线,并且所述第四点设置在所述非显示区域中或者设置为比所述第二点靠近所述非显示区域。
15.根据权利要求1所述的显示装置,其中,所述显示装置还包括第三输入传感器,所述第三输入传感器设置在所述显示面板上并且与限定在所述显示区域的所述第一区域和所述第二区域之间的第三区域至少部分地重叠,其中,所述第三输入传感器包括:
第一-第一电极,与所述第一电极对应;
第二-第一电极,与所述第二电极对应并且与所述第一-第一电极交叉;
第一-第一迹线,电连接到所述第一-第一电极;以及
第二-第一迹线,电连接到所述第二-第一电极,
其中,所述第一-第一迹线与所述显示区域的所述第三区域至少部分地重叠,并且在所述显示区域的所述第三区域中,所述第一-第一迹线在与所述第二-第一电极延伸的方向相同的方向上延伸,并且
其中,在所述显示区域的所述第三区域中,所述第一-第一迹线与所述第一-第一电极至少部分地重叠,并且不与所述第二-第一电极重叠。
16.根据权利要求1所述的显示装置,其中,所述显示装置还包括第三输入传感器,所述第三输入传感器设置在所述显示面板上并且与限定在所述显示区域的所述第一区域和所述第二区域之间的第三区域至少部分地重叠,
其中,所述第三输入传感器包括:
第一-第一电极,与所述第一电极对应;
第二-第一电极,与所述第二电极对应并且与所述第一-第一电极交叉;
第一-第一迹线,电连接到所述第一-第一电极;
第二-第一迹线,电连接到所述第一-第一电极;以及
第三-第一迹线,电连接到所述第二-第一电极,
其中,所述第二-第一迹线与所述显示区域的所述第三区域至少部分地重叠,并且在所述显示区域的所述第三区域中,所述第二-第一迹线在与所述第二-第一电极延伸的方向相同的方向上延伸,并且
其中,在所述显示区域的所述第三区域中,所述第二-第一迹线与所述第一-第一电极至少部分地重叠,并且不与所述第二-第一电极重叠。
17.根据权利要求16所述的显示装置,其中,所述第一-第一迹线与所述显示区域的所述第一区域和所述第三区域至少部分地重叠,并且在所述显示区域的所述第一区域中,所述第一-第一迹线在与所述第一-第一电极延伸的方向相同的方向上延伸,
其中,在所述显示区域的所述第一区域中,所述第一-第一迹线与所述第一电极和所述第二电极至少部分地重叠,并且在所述显示区域的所述第一区域中,所述第一-第一迹线和所述第一电极之间的重叠面积大于所述第一-第一迹线和所述第二电极之间的重叠面积。
18.根据权利要求17所述的显示装置,其中,所述第一输入传感器还包括第四迹线,所述第四迹线在与所述第三迹线连接到所述第二电极所在的点不同的点处连接到所述第二电极,并且
其中,所述第三输入传感器还包括第四-第一迹线,所述第四-第一迹线在与所述第三-第一迹线连接到所述第二-第一电极所在的点不同的点处连接到所述第二-第一电极。
19.根据权利要求1所述的显示装置,其中,所述第一迹线和所述第二迹线在所述非显示区域中的一个点处从焊盘连接线分支,并且所述焊盘连接线电连接到一个焊盘。
20.一种显示装置,其中,所述显示装置包括:
第一电极,设置在第一区域中;
第二电极,设置在所述第一区域中并且与所述第一电极交叉;
第一迹线,电连接到所述第一电极;
第二迹线,电连接到所述第一电极;
第三迹线,电连接到所述第二电极;
第一-第一电极,设置在与所述第一区域不同的第二区域中;
第二-第一电极,设置在所述第二区域中并且与所述第一-第一电极交叉;
第一-第一迹线,电连接到所述第一-第一电极;
第二-第一迹线,电连接到所述第一-第一电极;以及
第三-第一迹线,电连接到所述第二-第一电极,
其中,所述第一电极和所述第一-第一电极彼此分离,
其中,所述第一迹线不与所述第一区域重叠,
其中,所述第二迹线与所述第一区域至少部分地重叠,
其中,在所述第一区域中,所述第二迹线与所述第一电极至少部分地重叠并且不与所述第二电极重叠,
其中,所述第一-第一迹线不与所述第二区域重叠,
其中,所述第二-第一迹线与所述第二区域至少部分地重叠,并且
其中,在所述第二区域中,所述第二-第一迹线与所述第一-第一电极至少部分地重叠并且不与所述第二-第一电极重叠。
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