CN117579007A - 一种超宽带超宽动态范围放大衰减多功能芯片 - Google Patents

Abstract

本发明公开了一种超宽带超宽动态范围放大衰减多功能芯片，属于集成电路设计技术领域，其集成了开关切换网络、超宽带共源共栅放大网络、超宽带衰减直通网络、PD和有源偏置网络、并行驱动网络和功率检测网络。本发明采用两级负反馈共源共栅放大器结构，实现超宽带、高增益、高平坦度、低功耗、低噪声的特性，采用开关切换网络、超宽带衰减直通网络、PD和有源偏置网络在超宽工作频带上实现超宽动态范围，并进一步降低功耗的特性。并行驱动网络和功率检测网络简化了加电和提高了使用便捷性。本发明具有放大衰减切换工作、工作频带宽、动态范围超宽、衰减精度高、增益高、增益平坦度高，功耗低、集成度高等优点。

Description

一种超宽带超宽动态范围放大衰减多功能芯片

技术领域

本发明属于集成电路技术领域，具体涉及一种超宽带超宽动态范围放大衰减多功能芯片。

背景技术

随着相控阵技术在现代无线通信、雷达与电子对抗系统中的广泛应用，对系统的成本、面积、功耗提出了越来越高的要求。传统分立器件组成的系统，存在电路面积大、成本高、一致性差、装配复杂等诸多问题，多功能芯片可将多个功能子系统一体化集成，大大提高电子系统的集成度、效率和降低成本。

放大衰减多功能芯片可以在一颗芯片上完成信号的放大以及增益大小控制，实现较大的动态范围。但随着现代无线通信、雷达与电子对抗系统快速发展和不断换代升级，电子系统需要在更宽的工作频带上实现更宽的动态范围，对放大衰减多功能芯片性能、集成度、可靠性等各方面提出了更高的要求，目前传统放大衰减多功能芯片存在工作带宽不够宽、动态范围不够宽、控制精度不够高、增益不够高、功耗偏大、控制加电复杂、缺乏功率检测等诸多问题。

发明内容

针对现有技术中的上述不足，本发明提供的超宽带超宽动态范围放大衰减多功能芯片解决了上述问题，具有工作频带宽、动态范围超宽、衰减精度高、增益高、功耗低、集成度高等优点。

为了达到上述发明目的，本发明采用的技术方案为：一种超宽带超宽动态范围放大衰减多功能芯片，包括PD和有源偏置网络、超宽带共源共栅放大网络、开关切换网络、并行驱动网络、功率检测网络以及超宽带衰减直通网络；

所述开关切换网络的第一输入端作为多功能芯片的射频输入端，所述开关切换网络的第一输出端与所述超宽带共源共栅放大网络的第一输入端连接，所述超宽带共源共栅放大网络的输出端与所述开关切换网络的第二输入端连接，所述开关切换网络的第二输出端与所述超宽带衰减直通网络的第一输入端连接，所述超宽带衰减直通网络的第一输出端与所述功率检测网络的输入端连接，所述功率检测网络的输出端与Pdet端口电压连接，所述超宽带衰减直通网络的第二输出端作为多功能芯片的射频输出端；

所述PD和有源偏置网络与所述超宽带共源共栅放大网络的第二输入端和第三输入端连接，所述并行驱动网络与所述超宽带衰减直通网络连接。

进一步地，所述开关切换网络包括微带线TL10和微带线TL11；

所述微带线TL11的一端和微带线TL10的一端相互连接并作为所述开关切换网络的第一输入端；

所述微带线TL10的另一端与场效应管Ms1的源极连接，所述场效应管Ms1的栅极与控制电压V1连接，所述场效应管Ms1的漏极分别与微带线TL9的一端、场效应管Ms2的漏极、场效应管Ms3的漏极连接，所述场效应管Ms2的源极和场效应管Ms3的源极均接地，所述场效应管Ms2和场效应管Ms3的栅极均与控制电压V2连接，所述微带线TL9的另一端作为所述开关切换网络的第一输出端；

所述微带线TL11的另一端与场效应管Ms4的源极连接，所述场效应管Ms4的栅极与控制电压V2连接，所述场效应管Ms4的漏极分别与微带线TL21的一端、场效应管Ms5的漏极、场效应管Ms6的漏极连接，所述场效应管Ms5的源极和场效应管Ms6的源极均接地，所述场效应管Ms5和场效应管Ms6的栅极均与控制电压V1连接；

所述微带线TL21的另一端分别与场效应管Ms12的漏极、场效应管Ms11的漏极以及场效应管Ms10的漏极连接，所述场效应管Ms12的栅极和场效应管Ms11的栅极均与控制电压V1连接，所述场效应管Ms11的源极和场效应管Ms12的源极均接地，所述场效应管Ms10的栅极与控制电压V2连接，所述场效应管Ms10的源极与微带线TL13的一端连接，所述微带线TL13的另一端与所述微带线TL14的一端连接，并作为所述开关切换网络的第二输出端；

所述微带线TL14的另一端与场效应管Ms7的源极连接，所述场效应管Ms7的栅极与控制电压V1连接，所述场效应管Ms7的漏极分别与微带线TL15的一端、场效应管Ms8的漏极和场效应管Ms9的漏极连接，所述场效应管Ms8的源极和场效应管Ms9的源极均接地，所述场效应管Ms8的栅极和场效应管Ms9的栅极均与控制电压V2连接，所述微带线TL15的另一端作为所述开关切换网络的第二输入端。

上述进一步方案的有益效果为：

本发明通过的开关切换网络切换芯片的工作状态，在需要高增益时切换至超宽带共源共栅放大网络，信号通过放大网络放大，不需要高增益时直接从直通通路进入衰减网络，开关切换实现了超宽动态范围。开关切换网络的单刀双掷开关采用一串两并结构，在宽工作频带上实现低插损和高隔离的性能。

进一步地，超宽带共源共栅放大网络包括电容C1；

所述电容C1的一端作为所述超宽带共源共栅放大网络的第一输入端，所述电容C1的另一端分别与接地电容C2和微带线TL1的一端连接，所述微带线TL1的另一端分别与电阻R1的一端和微带线TL2的一端连接，所述电阻R1的另一端作为所述超宽带共源共栅放大网络的第二输入端；

所述微带线TL2的另一端分别与开关管M1的栅极和电阻R2的一端连接，所述开关管M1的源极接地，所述开关管M1的漏极与开关管M2的源极连接，所述开关管M2的栅极与电阻R3的一端和电阻R4的一端连接，所述电阻R3的另一端与接地电容C5连接，所述电阻R4的另一端分别与接地电阻R5和电阻R6的一端连接，所述电阻R6的另一端作为所述超宽带共源共栅放大网络的第三输入端；

所述开关管M2的漏极分别与电容C3的一端、微带线TL3的一端以及微带线TL4的一端连接，所述电容C3的另一端通过电感L1与电阻R2的另一端连接，所述微带线TL3的另一端与电感L3的一端连接，所述电感L3的另一端分别与电感L4的一端和电阻R7一端连接，所述电感L4的另一端分别与电阻R7的另一端、电阻R6的另一端、接地电容C6、电阻R8的一端以及电源电压VDD连接，所述电阻R8的另一端与接地电容C5连接；

所述微带线TL4的另一端与电容C4的一端连接，所述电容C4的另一端分别与接地电感L2和微带线TL5的一端连接，所述微带线TL5的另一端分别与电阻R9的一端和微带线TL6的一端连接，所述电阻R9的另一端与电阻R1的另一端连接；

所述微带线TL6的另一端分别与开关管M3的栅极和电阻R10的一端连接，所述开关管M3的源极接地，所述开关管M3的漏极与开关管M4的源极连接，所述开关管M4的栅极分别与电阻R11的一端和电阻R12的一端连接，所述电阻R11的另一端与接地电容C5连接，所述电阻R12的另一端分别与接地电阻R13和电阻R14的一端连接，所述电阻R14的另一端分别与电感L7的一端、电阻R15的一端、电阻R16的一端、接地电容C10以及电源电压VDD连接，所述电阻R16的另一端与接地电容C9连接，所述电感L7的另一端分别与电阻R15的另一端和电感L6的一端连接，所述电感L6的另一端与微带线TL8的一端连接，所述微带线TL8的另一端分别与开关管M4的源极、电容C7的一端以及微带线TL7的一端连接，所述电容C7的另一端通过电感L5与电阻R10的另一端连接，所述微带线TL7的另一端与电容C8的一端连接，所述电容C8的另一端作为所述超宽带共源共栅放大网络的输出端。

上述进一步方案的有益效果为：

本发明采用两级共源共栅放大器加并联负反馈结构组成超宽带共源共栅放大网络，实现超宽带、高增益、高平坦度、低功耗、低噪声的特性；每级放大器输出匹配漏极电感采用两级电感串联，其中末级电感与R并联，以消除电感谐振点，拓展低频带宽，实现超宽带工作；共源共栅第二级放大器栅极并联RC抑制电路，增加放大器网络稳定性；电源馈电端口采用并联C和串联RC到地电路，主要实现对电源高低频不稳定信号进行抑制。

进一步地，所述PD和有源偏置网络包括开关管M5和开关管M6；

所述开关管M5的栅极分别与超宽带共源共栅放大网络的第二输入端、开关管M5的漏极和电阻R18的一端连接，所述开关管M5的源极与接地电阻R17连接，所述电阻R18的另一端与开关管M6的源极连接，所述开关管M6的栅极分别与开关管M6的漏极和电阻R19的一端连接，所述电阻R19的另一端分别与超宽带共源共栅放大网络的第三输入端和电阻R20的一端连接，所述电阻R20的另一端与开关管M7的漏极连接，所述开关管M7的源极接地，所述开关管M7的栅极与电阻R21的一端连接，所述电阻R21的另一端分别与接地电阻R22和电阻R23的一端连接，所述电阻R23的另一端与高低电平切换电压PD连接。

上述进一步方案的有益效果为：

本发明在超宽带共源共栅放大网络的基础上，通过结合PD和有源偏置网络实现放大器的关断，在超宽工作频带上实现超宽动态范围的同时，进一步降低功耗的特性，晶体管有源偏置可以改善工艺波动及温度波动对芯片射频性能的影响，提高电路稳定性；其中，PD控制电路通过电压控制超宽带共源共栅放大网络的上下电，在信号未通过放大网络时不给放大网络供电，进一步降低芯片的功耗；有源偏置网络，降低芯片对工艺的敏感度以及减小温度对芯片性能的影响，同时大大简化了外围供电电路。

进一步地，所述超宽带衰减直通网络包括微带线TL16和级联的衰减单元；

所述微带线TL16的一端作为所述超宽带衰减直通网络的第一输入端，所述微带线TL16的另一端分别与微带线TL17的一端和级联的衰减单元的输入端连接；

所述微带线TL17的另一端与开关管Ma1的漏极连接，所述开关管Ma1的源极与接地电阻Ra1连接，所述开关管Ma1的栅极与电阻Ra2的一端连接，所述电阻Ra2的另一端与并行驱动网络中与之对应的第一驱动单元连接；

每个所述衰减单元均与并行驱动网络中与之对应的第二驱动单元连接；

所述级联的衰减单元的输出端分别与电阻Ra10的一端、电容Ca1的一端和电阻Ra9的一端连接，所述电阻Ra10的另一端与接地电感La1连接，所述电容Ca1的另一端分别与电阻Ra9的另一端、电阻Ra11的一端和电容Ca2的一端连接，所述电阻Ra11的另一端与接地电感La2连接，所述电容Ca2的另一端和微带线TL21的一端连接，并作为所述超宽带衰减直通网络的第一输出端，所述微带线TL21的另一端作为所述超宽带衰减直通网络的第二输出端。

进一步地，在级联的衰减单元中，每个所述衰减单元包括微带线TL18；

所述微带线TL18的一端作为所述衰减单元的输入端，所述微带线TL18的另一端分别与微带线TL9的一端、开关管Ma2的漏极和电阻Ra7的一端连接，所述微带线TL9的另一端与开关管Ma4的源极连接，所述开关管Ma4的漏极与微带线TL20的一端连接，所述微带线TL20的另一端分别与电阻Ra7的另一端和开关管Ma3的漏极连接，并作为所述衰减单元的输出端，所述开关管Ma4的栅极与电阻Ra8的一端连接，所述电阻Ra8的另一端与并行驱动网络中与之对应第二驱动单元连接；

所述开关管Ma2的源极与接地电阻Ra4连接，所述开关管Ma3的源极与接地电阻R5连接，所述开关管Ma2的栅极与电阻Ra3的一端连接，所述开关管Ma3的栅极与电阻Ra6的一端连接，所述电阻Ra3的另一端和电阻Ra6的另一端相互连接，并与并行驱动网络中与之对应第二驱动单元连接。

上述进一步方案的有益效果为：

本发明采用的超宽带衰减直通网络，通过小衰减量采用T型结构，大衰减量采用∏型结构，多个衰减单元级联实现了增益的超宽动态范围，并且实现了高衰减精度。同时在该网路中加入了宽带均衡器结构，使得整个网络在超宽带具有增益平坦度高的特性。

进一步地，所述第一驱动单元包括二极管D5；

所述二极管D5的正极与高低电平控制电压Vctr1连接，所述二极管D5的负极、二极管D4、二极管D3、二极管D2以及二极管D1的正极依次连接，所述二极管D1的负极与电阻Rb1的一端连接，所述电阻Rb1的另一端分别与电阻Rb2的一端和开关管Mb2的栅极连接，所述开关管Mb2的源极分别与电阻Rb4的一端和开关管Mb6的栅极连接，所述开关管Mb6的漏极与电阻Rb4的另一端连接，所述开关管Mb6的源极接地；

所述电阻Rb2的另一端分别与开关管Mb1的漏极和电阻Rb3的一端连接，所述开关管Mb1的栅极分别与开关管Mb2的源极、开关管Mb3的栅极以及开关管Mb4的栅极连接，所述开关管Mb1的源极与开关管Mb3的漏极连接，所述开关管Mb3的源极分别与电阻Rb5的一端、开关管Mb7的栅极以及超宽带衰减直通网络中与之对应的电阻Ra2的一端连接，所述电阻Rb5的另一端与开关管Mb7的漏极连接，所述开关管Mb7的源极接地；

所述电阻Rb3的另一端分别与开关管Mb4的漏极、开关管Mb5的漏极以及工作负电压Vs连接，所述开关管Mb4的源极分别与电阻Rb6的一端、开关管Mb8的栅极连以及开关管Mb5的栅极连接，所述电阻Rb6的另一端与开关管Mb8的漏极连接，所述开关管Mb8的源极接地，所述开关管Mb5的源极分别与电阻Rb7的一端和开关管Mb9的栅极连接，所述电阻Rb7的另一端与开关管Mb9的漏极连接，所述开关管Mb9的源极接地。

进一步地，所述第二驱动单元包括二极管D10；

所述二极管D10的正极与高低电平控制电压Vctr2连接，所述二极管D10的负极依次与二极管D9、二极管D8、二极管D7和二极管D6的正极连接，所述二极管D6的负极与电阻Rb12的一端连接，所述电阻Rb12的另一端分别与开关管Mb11的栅极和电阻Rb13的一端连接；

所述开关管Mb11的漏极与工作负电压Vs连接，所述开关管Mb11的源极分别与开关管Mb12的栅极、电阻Rb8的一端和开关管Mb15的栅极连接，所述电阻Rb8的另一端与开关管Mb15的漏极连接，所述开关管Mb15的源极接地；

所述电阻Rb13的另一端分别与开关管Mb10的漏极和电阻Rb4的一端连接，所述开关管Mb10的栅极分别与开关管Mb12的栅极和开关管Mb13的栅极连接，所述开关管Mb10的源极与开关管Mb12的漏极连接，所述开关管Mb12的源极分别与电阻Rb9的一端、开关管Mb16的栅极以及超宽带衰减直通网络中衰减单元中与之对应的电阻Ra6的另一端连接，所述电阻Ra9的另一端与开关管Mb16漏极连接，所述开关管Mb16的源极接地；

所述电阻Rb14的另一端分别与开关管Mb13的漏极、开关管Mb14的漏极和工作负电压Vs连接，所述开关管Mb13源极分别与开关管Mb14的栅极、电阻Rb10的一端和开关管Mb17的栅极连接，所述电阻Rb10的另一端与开关管Mb17的漏极连接，所述开关管Mb17的源极接地；

所述开关管Mb14的源极分别与电阻Rb11的一端、开关管Mb18的栅极以及超宽带衰减直通网络中衰减单元中与之对应的电阻Ra8的另一端连接，所述电阻Rb11的另一端与开关管Mb18的漏极连接，所述开关管Mb18的源极接地。

上述进一步方案的有益效果为：

本发明采用的并行驱动网络通过逻辑管和电阻的门运算单元，实现控制信号的并行输出能力，通过Vctr1和Vctr2控制高低电平实现衰减状态的切换，适用各种TTL\LVTTL信号，解决传统衰减器控制端口多、加电复杂的问题。其中Vs为并行驱动网络的工作负电压。

进一步地，所述功率检测网络包括二极管D15和电阻Rp2；

所述二极管D15的正极作为所述功率检测网络的输入端，并与电阻Rp2的一端连接；

所述二极管D15的负极依次与二极管D14、二极管D13、二极管D12和二极管D11的正极连接，所述二极管D11的负极与分别与Pdet端口电压、接地电阻Rp1接地电容Cp1和电阻Rp2的另一端连接，并作为所述功率检测网络的输出端。

上述进一步方案的有益效果为：

本发明采用的功率检测网络，输出功率通过二极管整流滤波后得到输出电压，可以通过Pdet端口电压得到芯片输出功率，大大提高了芯片使用便捷性。

本发明的有益效果为：

（1）本发明采用两级共源共栅放大器加并联负反馈结构组成超宽带共源共栅放大网络，实现超宽带、高增益、高平坦度、低功耗、低噪声的特性。

（2）本发明中开关切换网络采用一串两并开关结构，具有低插损高隔离特性，超宽带衰减直通网络采用两种不同衰减器结构多个级联，可实现超宽动态范围、高衰减精度。

（3）本发明中通过结合PD和有源偏置网络实现放大器的关断，在超宽工作频带上实现超宽动态范围的同时，进一步降低功耗的特性，晶体管有源偏置可以改善工艺波动及温度波动对芯片射频性能的影响，提高电路稳定性。

（4）本发明采用的超宽带衰减直通网络，通过小衰减量采用T型结构，大衰减量采用∏型结构，多个衰减单元级联实现了增益的超宽动态范围，并且实现了高衰减精度。同时在该网路中加入了宽带均衡器结构，使得整个网络在超宽带具有增益平坦度高的特性。

（5）本发明中通过并行驱动网络简化了加电，通过功率检测网络可直接检测电路输出功率大小，提高了使用便捷性。

附图说明

图1为本发明提供的超宽带超宽动态范围放大衰减多功能芯片结构框图。

图2为本发明提供的超宽带超宽动态范围放大衰减多功能芯片第一部分电路原理图。

图3为本发明提供的超宽带超宽动态范围放大衰减多功能芯片第二部分电路原理图。

具体实施方式

下面对本发明的具体实施方式进行描述，以便于本技术领域的技术人员理解本发明，但应该清楚，本发明不限于具体实施方式的范围，对本技术领域的普通技术人员来讲，只要各种变化在所附的权利要求限定和确定的本发明的精神和范围内，这些变化是显而易见的，一切利用本发明构思的发明创造均在保护之列。

本发明实施例提供了一种超宽带超宽动态范围放大衰减多功能芯片，如图1所示，包括PD和有源偏置网络、超宽带共源共栅放大网络、开关切换网络、并行驱动网络、功率检测网络以及超宽带衰减直通网络；

所述开关切换网络的第一输入端作为多功能芯片的射频输入端，所述开关切换网络的第一输出端与所述超宽带共源共栅放大网络的第一输入端连接，所述超宽带共源共栅放大网络的输出端与所述开关切换网络的第二输入端连接，所述开关切换网络的第二输出端与所述超宽带衰减直通网络的第一输入端连接，所述超宽带衰减直通网络的第一输出端与所述功率检测网络的输入端连接，所述功率检测网络的输出端与Pdet端口电压连接，所述超宽带衰减直通网络的第二输出端作为多功能芯片的射频输出端；

所述PD和有源偏置网络与所述超宽带共源共栅放大网络的第二输入端和第三输入端连接，所述并行驱动网络与所述超宽带衰减直通网络连接。

如图2所示，本实施例中的开关切换网络包括微带线TL10和微带线TL11；

所述微带线TL11的一端和微带线TL10的一端相互连接并作为所述开关切换网络的第一输入端；

所述微带线TL10的另一端与场效应管Ms1的源极连接，所述场效应管Ms1的栅极与控制电压V1连接，所述场效应管Ms1的漏极分别与微带线TL9的一端、场效应管Ms2的漏极、场效应管Ms3的漏极连接，所述场效应管Ms2的源极和场效应管Ms3的源极均接地，所述场效应管Ms2和场效应管Ms3的栅极均与控制电压V2连接，所述微带线TL9的另一端作为所述开关切换网络的第一输出端；

所述微带线TL11的另一端与场效应管Ms4的源极连接，所述场效应管Ms4的栅极与控制电压V2连接，所述场效应管Ms4的漏极分别与微带线TL21的一端、场效应管Ms5的漏极、场效应管Ms6的漏极连接，所述场效应管Ms5的源极和场效应管Ms6的源极均接地，所述场效应管Ms5和场效应管Ms6的栅极均与控制电压V1连接；

所述微带线TL21的另一端分别与场效应管Ms12的漏极、场效应管Ms11的漏极以及场效应管Ms10的漏极连接，所述场效应管Ms12的栅极和场效应管Ms11的栅极均与控制电压V1连接，所述场效应管Ms11的源极和场效应管Ms12的源极均接地，所述场效应管Ms10的栅极与控制电压V2连接，所述场效应管Ms10的源极与微带线TL13的一端连接，所述微带线TL13的另一端与所述微带线TL14的一端连接，并作为所述开关切换网络的第二输出端（对应于图2中的A点）；

所述微带线TL14的另一端与场效应管Ms7的源极连接，所述场效应管Ms7的栅极与控制电压V1连接，所述场效应管Ms7的漏极分别与微带线TL15的一端、场效应管Ms8的漏极和场效应管Ms9的漏极连接，所述场效应管Ms8的源极和场效应管Ms9的源极均接地，所述场效应管Ms8的栅极和场效应管Ms9的栅极均与控制电压V2连接，所述微带线TL15的另一端作为所述开关切换网络的第二输入端。

如图2所示，本实施例中的超宽带共源共栅放大网络包括电容C1；

所述电容C1的一端作为所述超宽带共源共栅放大网络的第一输入端，所述电容C1的另一端分别与接地电容C2和微带线TL1的一端连接，所述微带线TL1的另一端分别与电阻R1的一端和微带线TL2的一端连接，所述电阻R1的另一端作为所述超宽带共源共栅放大网络的第二输入端；

所述微带线TL2的另一端分别与开关管M1的栅极和电阻R2的一端连接，所述开关管M1的源极接地，所述开关管M1的漏极与开关管M2的源极连接，所述开关管M2的栅极与电阻R3的一端和电阻R4的一端连接，所述电阻R3的另一端与接地电容C5连接，所述电阻R4的另一端分别与接地电阻R5和电阻R6的一端连接，所述电阻R6的另一端作为所述超宽带共源共栅放大网络的第三输入端；

所述开关管M2的漏极分别与电容C3的一端、微带线TL3的一端以及微带线TL4的一端连接，所述电容C3的另一端通过电感L1与电阻R2的另一端连接，所述微带线TL3的另一端与电感L3的一端连接，所述电感L3的另一端分别与电感L4的一端和电阻R7一端连接，所述电感L4的另一端分别与电阻R7的另一端、电阻R6的另一端、接地电容C6、电阻R8的一端以及电源电压VDD连接，所述电阻R8的另一端与接地电容C5连接；

所述微带线TL4的另一端与电容C4的一端连接，所述电容C4的另一端分别与接地电感L2和微带线TL5的一端连接，所述微带线TL5的另一端分别与电阻R9的一端和微带线TL6的一端连接，所述电阻R9的另一端与电阻R1的另一端连接；

所述微带线TL6的另一端分别与开关管M3的栅极和电阻R10的一端连接，所述开关管M3的源极接地，所述开关管M3的漏极与开关管M4的源极连接，所述开关管M4的栅极分别与电阻R11的一端和电阻R12的一端连接，所述电阻R11的另一端与接地电容C5连接，所述电阻R12的另一端分别与接地电阻R13和电阻R14的一端连接，所述电阻R14的另一端分别与电感L7的一端、电阻R15的一端、电阻R16的一端、接地电容C10以及电源电压VDD连接，所述电阻R16的另一端与接地电容C9连接，所述电感L7的另一端分别与电阻R15的另一端和电感L6的一端连接，所述电感L6的另一端与微带线TL8的一端连接，所述微带线TL8的另一端分别与开关管M4的源极、电容C7的一端以及微带线TL7的一端连接，所述电容C7的另一端通过电感L5与电阻R10的另一端连接，所述微带线TL7的另一端与电容C8的一端连接，所述电容C8的另一端作为所述超宽带共源共栅放大网络的输出端。

如图2所示，本实施例中的PD和有源偏置网络包括开关管M5和开关管M6；

所述开关管M5的栅极分别与超宽带共源共栅放大网络的第二输入端、开关管M5的漏极和电阻R18的一端连接，所述开关管M5的源极与接地电阻R17连接，所述电阻R18的另一端与开关管M6的源极连接，所述开关管M6的栅极分别与开关管M6的漏极和电阻R19的一端连接，所述电阻R19的另一端分别与超宽带共源共栅放大网络的第三输入端和电阻R20的一端连接，所述电阻R20的另一端与开关管M7的漏极连接，所述开关管M7的源极接地，所述开关管M7的栅极与电阻R21的一端连接，所述电阻R21的另一端分别与接地电阻R22和电阻R23的一端连接，所述电阻R23的另一端与高低电平切换电压PD连接。

如图3所示，本实施例中的超宽带衰减直通网络包括微带线TL16和级联的衰减单元；

所述微带线TL16的一端作为所述超宽带衰减直通网络的第一输入端（对应于图3中的B点），所述微带线TL16的另一端分别与微带线TL17的一端和级联的衰减单元的输入端连接；

所述微带线TL17的另一端与开关管Ma1的漏极连接，所述开关管Ma1的源极与接地电阻Ra1连接，所述开关管Ma1的栅极与电阻Ra2的一端连接，所述电阻Ra2的另一端与并行驱动网络中与之对应的第一驱动单元连接；

每个所述衰减单元均与并行驱动网络中与之对应的第二驱动单元连接；

所述级联的衰减单元的输出端分别与电阻Ra10的一端、电容Ca1的一端和电阻Ra9的一端连接，所述电阻Ra10的另一端与接地电感La1连接，所述电容Ca1的另一端分别与电阻Ra9的另一端、电阻Ra11的一端和电容Ca2的一端连接，所述电阻Ra11的另一端与接地电感La2连接，所述电容Ca2的另一端和微带线TL21的一端连接，并作为所述超宽带衰减直通网络的第一输出端，所述微带线TL21的另一端作为所述超宽带衰减直通网络的第二输出端。

如图3所示，本实施例中，在级联的衰减单元中，每个所述衰减单元包括微带线TL18；

所述微带线TL18的一端作为所述衰减单元的输入端，所述微带线TL18的另一端分别与微带线TL9的一端、开关管Ma2的漏极和电阻Ra7的一端连接，所述微带线TL9的另一端与开关管Ma4的源极连接，所述开关管Ma4的漏极与微带线TL20的一端连接，所述微带线TL20的另一端分别与电阻Ra7的另一端和开关管Ma3的漏极连接，并作为所述衰减单元的输出端，所述开关管Ma4的栅极与电阻Ra8的一端连接，所述电阻Ra8的另一端与并行驱动网络中与之对应第二驱动单元连接；

所述开关管Ma2的源极与接地电阻Ra4连接，所述开关管Ma3的源极与接地电阻R5连接，所述开关管Ma2的栅极与电阻Ra3的一端连接，所述开关管Ma3的栅极与电阻Ra6的一端连接，所述电阻Ra3的另一端和电阻Ra6的另一端相互连接，并与并行驱动网络中与之对应第二驱动单元连接。

如图3所示，本实施例中的第一驱动单元包括二极管D5；

所述二极管D5的正极与高低电平控制电压Vctr1连接，所述二极管D5的负极、二极管D4、二极管D3、二极管D2以及二极管D1的正极依次连接，所述二极管D1的负极与电阻Rb1的一端连接，所述电阻Rb1的另一端分别与电阻Rb2的一端和开关管Mb2的栅极连接，所述开关管Mb2的源极分别与电阻Rb4的一端和开关管Mb6的栅极连接，所述开关管Mb6的漏极与电阻Rb4的另一端连接，所述开关管Mb6的源极接地；

所述电阻Rb2的另一端分别与开关管Mb1的漏极和电阻Rb3的一端连接，所述开关管Mb1的栅极分别与开关管Mb2的源极、开关管Mb3的栅极以及开关管Mb4的栅极连接，所述开关管Mb1的源极与开关管Mb3的漏极连接，所述开关管Mb3的源极分别与电阻Rb5的一端、开关管Mb7的栅极以及超宽带衰减直通网络中与之对应的电阻Ra2的一端连接，所述电阻Rb5的另一端与开关管Mb7的漏极连接，所述开关管Mb7的源极接地；

所述电阻Rb3的另一端分别与开关管Mb4的漏极、开关管Mb5的漏极以及工作负电压Vs连接，所述开关管Mb4的源极分别与电阻Rb6的一端、开关管Mb8的栅极连以及开关管Mb5的栅极连接，所述电阻Rb6的另一端与开关管Mb8的漏极连接，所述开关管Mb8的源极接地，所述开关管Mb5的源极分别与电阻Rb7的一端和开关管Mb9的栅极连接，所述电阻Rb7的另一端与开关管Mb9的漏极连接，所述开关管Mb9的源极接地。

如图3所示，本实施例中的第二驱动单元包括二极管D10；

所述二极管D10的正极与高低电平控制电压Vctr2连接，所述二极管D10的负极依次与二极管D9、二极管D8、二极管D7和二极管D6的正极连接，所述二极管D6的负极与电阻Rb12的一端连接，所述电阻Rb12的另一端分别与开关管Mb11的栅极和电阻Rb13的一端连接；

所述开关管Mb11的漏极与工作负电压Vs连接，所述开关管Mb11的源极分别与开关管Mb12的栅极、电阻Rb8的一端和开关管Mb15的栅极连接，所述电阻Rb8的另一端与开关管Mb15的漏极连接，所述开关管Mb15的源极接地；

所述电阻Rb13的另一端分别与开关管Mb10的漏极和电阻Rb4的一端连接，所述开关管Mb10的栅极分别与开关管Mb12的栅极和开关管Mb13的栅极连接，所述开关管Mb10的源极与开关管Mb12的漏极连接，所述开关管Mb12的源极分别与电阻Rb9的一端、开关管Mb16的栅极以及超宽带衰减直通网络中衰减单元中与之对应的电阻Ra6的另一端连接，所述电阻Ra9的另一端与开关管Mb16漏极连接，所述开关管Mb16的源极接地；

所述电阻Rb14的另一端分别与开关管Mb13的漏极、开关管Mb14的漏极和工作负电压Vs连接，所述开关管Mb13源极分别与开关管Mb14的栅极、电阻Rb10的一端和开关管Mb17的栅极连接，所述电阻Rb10的另一端与开关管Mb17的漏极连接，所述开关管Mb17的源极接地；

所述开关管Mb14的源极分别与电阻Rb11的一端、开关管Mb18的栅极以及超宽带衰减直通网络中衰减单元中与之对应的电阻Ra8的另一端连接，所述电阻Rb11的另一端与开关管Mb18的漏极连接，所述开关管Mb18的源极接地。

如图3所示，本实施例中的功率检测网络包括二极管D15和电阻Rp2；

所述二极管D15的正极作为所述功率检测网络的输入端，并与电阻Rp2的一端连接；

所述二极管D15的负极依次与二极管D14、二极管D13、二极管D12和二极管D11的正极连接，所述二极管D11的负极与分别与Pdet端口电压、接地电阻Rp1接地电容Cp1和电阻Rp2的另一端连接，并作为所述功率检测网络的输出端。

在本发明实施例中，结合图1-图3内容对上述超宽带超宽动态范围放大衰减多功能芯片的工作原理及过程进行说明：

射频输入信号通过输入端RFin进入开关切换网络，开关切换网络通过两个单刀双掷开关切换决定信号是否经过超宽带共源共栅放大网络，若不经过放大网络信号直接进入超宽带衰减直通网络经过衰减变化后从RFout输出；若信号经过放大网络，PD和有源偏置网络为放大网络提供偏置电压，然后信号回到开关切换网络再进入超宽带衰减直通网络，经过衰减变化后从RFout输出. 并行驱动网络为衰减网络提供控制信号，功率检测网络将输出功率转化为电压信号输出。

开关切换网络采用了两个单刀双掷开关实现芯片工作状态切换，选择两个开关之间的两条通路，一条通路是上方的超宽带共源共栅放大网络，另一条通路是下方的TL21直通传输线。当需要高增益时切换至超宽带共源共栅放大网络，信号通过放大网络放大后再进入衰减网络，不需要高增益时直接从直通传输线进入衰减网络，开关切换实现了超宽动态范围。单刀双掷开关采用一串两并结构，在宽工作频带上实现低插损和高隔离的性能。上方的放大通路串管Ms1、Ms7控制电压为V1，并管Ms2、Ms3、Ms8、Ms9控制电压为V2；下方的直通通路串管Ms4、Ms10控制电压为V2，并管Ms5、Ms6、Ms11、Ms12控制电压为V2。

超宽带共源共栅放大网络采用两级共源共栅放大器加并联RLC负反馈结构组成，实现超宽带、高增益、高平坦度、低功耗、低噪声的特性；M1、M2构成第一级共源共栅放大器，M3、M4构成第二级共源共栅放大器，每级放大器输出匹配漏极电感采用两级电感串联，其中末级电感与R并联，以消除电感谐振点，拓展低频带宽，实现超宽带工作；共源共栅第二级放大器栅极并联RC抑制电路，增加放大器网络稳定性；电源馈电端口采用并联C和串联RC到地电路，主要实现对电源高低频不稳定信号进行抑制。电容C1、C2和传输线TL1、TL2实现输入阻抗匹配，传输线TL3、TL4、TL5、TL6、电容C4、电感L2、L3、L4实现级间阻抗匹配，传输线TL7、TL8、电容C8、电感L6、L7实现输出阻抗匹配。

在PD和有源偏置网络中，其中PD控制电路通过电压控制晶体管M7的通断，从而实现超宽带共源共栅放大网络的上下电，在信号未通过放大网络时不给放大网络供电，进一步降低芯片的功耗；有源偏置网为晶体管的栅极供电实现了电压自偏，降低芯片对工艺的敏感度以及减小温度对芯片性能的影响，同时大大简化了外围供电电路。

在超宽带衰减直通网络中，通过小衰减量采用T型结构，大衰减量采用∏型结构，多个衰减单元级联实现了增益的超宽动态范围，并且实现了高衰减精度。T型衰减器结构由传输线TL17、并管Ma1、电阻Ra1组成，控制电压由并行驱动网络提供。∏型衰减器结构由传输线TL19、TL20、串管Ma4、并管Ma2、并管Ma3、电阻Ra4、Ra5组成，控制电压由并行驱动网络提供。同时在该网路中加入了宽带均衡器结构，使得整个网络在超宽带具有增益平坦度高的特性。

在并行驱动网络中，通过逻辑管和电阻的门运算单元，实现控制信号的并行输出能力，通过Vctr1和Vctr2控制高低电平实现衰减状态的切换，适用各种TTL\LVTTL信号，解决传统衰减器控制端口多、加电复杂的问题。其中Vs为并行驱动网络的工作负电压。

在功率检测网络中，二极管D11~D15为检波二极管， Rp1和Cp1并联到底为低频滤波网络，芯片输出功率通过二极管整流滤波后得到输出电压，可以通过Pdet端口电压得到芯片输出功率，大大提高了芯片使用便捷性。

在本发明的描述中，术语“第一”、“第二”、“第三”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或隐含指明的技术特征的数量。因此，限定由“第一”、“第二”、“第三”的特征可以明示或隐含地包括一个或者更多个该特征。

本发明中应用了具体实施例对本发明的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本发明的方法及其核心思想；同时，对于本领域的一般技术人员，依据本发明的思想，在具体实施方式及应用范围上均会有改变之处，综上所述，本说明书内容不应理解为对本发明的限制。

本领域的普通技术人员将会意识到，这里所述的实施例是为了帮助读者理解本发明的原理，应被理解为本发明的保护范围并不局限于这样的特别陈述和实施例。本领域的普通技术人员可以根据本发明公开的这些技术启示做出各种不脱离本发明实质的其它各种具体变形和组合，这些变形和组合仍然在本发明的保护范围内。

Claims (9)

1.一种超宽带超宽动态范围放大衰减多功能芯片，其特征在于，包括PD和有源偏置网络、超宽带共源共栅放大网络、开关切换网络、并行驱动网络、功率检测网络以及超宽带衰减直通网络；

所述开关切换网络的第一输入端作为多功能芯片的射频输入端，所述开关切换网络的第一输出端与所述超宽带共源共栅放大网络的第一输入端连接，所述超宽带共源共栅放大网络的输出端与所述开关切换网络的第二输入端连接，所述开关切换网络的第二输出端与所述超宽带衰减直通网络的第一输入端连接，所述超宽带衰减直通网络的第一输出端与所述功率检测网络的输入端连接，所述功率检测网络的输出端与Pdet端口电压连接，所述超宽带衰减直通网络的第二输出端作为多功能芯片的射频输出端；

所述PD和有源偏置网络与所述超宽带共源共栅放大网络的第二输入端和第三输入端连接，所述并行驱动网络与所述超宽带衰减直通网络连接。

2.根据权利要求1所述的超宽带超宽动态范围放大衰减多功能芯片，其特征在于，所述开关切换网络包括微带线TL10和微带线TL11；

所述微带线TL11的一端和微带线TL10的一端相互连接并作为所述开关切换网络的第一输入端；

所述微带线TL10的另一端与场效应管Ms1的源极连接，所述场效应管Ms1的栅极与控制电压V1连接，所述场效应管Ms1的漏极分别与微带线TL9的一端、场效应管Ms2的漏极、场效应管Ms3的漏极连接，所述场效应管Ms2的源极和场效应管Ms3的源极均接地，所述场效应管Ms2和场效应管Ms3的栅极均与控制电压V2连接，所述微带线TL9的另一端作为所述开关切换网络的第一输出端；

所述微带线TL11的另一端与场效应管Ms4的源极连接，所述场效应管Ms4的栅极与控制电压V2连接，所述场效应管Ms4的漏极分别与微带线TL21的一端、场效应管Ms5的漏极、场效应管Ms6的漏极连接，所述场效应管Ms5的源极和场效应管Ms6的源极均接地，所述场效应管Ms5和场效应管Ms6的栅极均与控制电压V1连接；

所述微带线TL21的另一端分别与场效应管Ms12的漏极、场效应管Ms11的漏极以及场效应管Ms10的漏极连接，所述场效应管Ms12的栅极和场效应管Ms11的栅极均与控制电压V1连接，所述场效应管Ms11的源极和场效应管Ms12的源极均接地，所述场效应管Ms10的栅极与控制电压V2连接，所述场效应管Ms10的源极与微带线TL13的一端连接，所述微带线TL13的另一端与所述微带线TL14的一端连接，并作为所述开关切换网络的第二输出端；

所述微带线TL14的另一端与场效应管Ms7的源极连接，所述场效应管Ms7的栅极与控制电压V1连接，所述场效应管Ms7的漏极分别与微带线TL15的一端、场效应管Ms8的漏极和场效应管Ms9的漏极连接，所述场效应管Ms8的源极和场效应管Ms9的源极均接地，所述场效应管Ms8的栅极和场效应管Ms9的栅极均与控制电压V2连接，所述微带线TL15的另一端作为所述开关切换网络的第二输入端。

3.根据权利要求1所述的超宽带超宽动态范围放大衰减多功能芯片，其特征在于，所述超宽带共源共栅放大网络包括电容C1；

所述电容C1的一端作为所述超宽带共源共栅放大网络的第一输入端，所述电容C1的另一端分别与接地电容C2和微带线TL1的一端连接，所述微带线TL1的另一端分别与电阻R1的一端和微带线TL2的一端连接，所述电阻R1的另一端作为所述超宽带共源共栅放大网络的第二输入端；

所述微带线TL2的另一端分别与开关管M1的栅极和电阻R2的一端连接，所述开关管M1的源极接地，所述开关管M1的漏极与开关管M2的源极连接，所述开关管M2的栅极与电阻R3的一端和电阻R4的一端连接，所述电阻R3的另一端与接地电容C5连接，所述电阻R4的另一端分别与接地电阻R5和电阻R6的一端连接，所述电阻R6的另一端作为所述超宽带共源共栅放大网络的第三输入端；

所述开关管M2的漏极分别与电容C3的一端、微带线TL3的一端以及微带线TL4的一端连接，所述电容C3的另一端通过电感L1与电阻R2的另一端连接，所述微带线TL3的另一端与电感L3的一端连接，所述电感L3的另一端分别与电感L4的一端和电阻R7一端连接，所述电感L4的另一端分别与电阻R7的另一端、电阻R6的另一端、接地电容C6、电阻R8的一端以及电源电压VDD连接，所述电阻R8的另一端与接地电容C5连接；

所述微带线TL4的另一端与电容C4的一端连接，所述电容C4的另一端分别与接地电感L2和微带线TL5的一端连接，所述微带线TL5的另一端分别与电阻R9的一端和微带线TL6的一端连接，所述电阻R9的另一端与电阻R1的另一端连接；

所述微带线TL6的另一端分别与开关管M3的栅极和电阻R10的一端连接，所述开关管M3的源极接地，所述开关管M3的漏极与开关管M4的源极连接，所述开关管M4的栅极分别与电阻R11的一端和电阻R12的一端连接，所述电阻R11的另一端与接地电容C5连接，所述电阻R12的另一端分别与接地电阻R13和电阻R14的一端连接，所述电阻R14的另一端分别与电感L7的一端、电阻R15的一端、电阻R16的一端、接地电容C10以及电源电压VDD连接，所述电阻R16的另一端与接地电容C9连接，所述电感L7的另一端分别与电阻R15的另一端和电感L6的一端连接，所述电感L6的另一端与微带线TL8的一端连接，所述微带线TL8的另一端分别与开关管M4的源极、电容C7的一端以及微带线TL7的一端连接，所述电容C7的另一端通过电感L5与电阻R10的另一端连接，所述微带线TL7的另一端与电容C8的一端连接，所述电容C8的另一端作为所述超宽带共源共栅放大网络的输出端。

4.根据权利要求3所述的超宽带超宽动态范围放大衰减多功能芯片，其特征在于，所述PD和有源偏置网络包括开关管M5和开关管M6；

所述开关管M5的栅极分别与超宽带共源共栅放大网络的第二输入端、开关管M5的漏极和电阻R18的一端连接，所述开关管M5的源极与接地电阻R17连接，所述电阻R18的另一端与开关管M6的源极连接，所述开关管M6的栅极分别与开关管M6的漏极和电阻R19的一端连接，所述电阻R19的另一端分别与超宽带共源共栅放大网络的第三输入端和电阻R20的一端连接，所述电阻R20的另一端与开关管M7的漏极连接，所述开关管M7的源极接地，所述开关管M7的栅极与电阻R21的一端连接，所述电阻R21的另一端分别与接地电阻R22和电阻R23的一端连接，所述电阻R23的另一端与高低电平切换电压PD连接。

5.根据权利要求1所述的超宽带超宽动态范围放大衰减多功能芯片，其特征在于，所述超宽带衰减直通网络包括微带线TL16和级联的衰减单元；

所述微带线TL16的一端作为所述超宽带衰减直通网络的第一输入端，所述微带线TL16的另一端分别与微带线TL17的一端和级联的衰减单元的输入端连接；

所述微带线TL17的另一端与开关管Ma1的漏极连接，所述开关管Ma1的源极与接地电阻Ra1连接，所述开关管Ma1的栅极与电阻Ra2的一端连接，所述电阻Ra2的另一端与并行驱动网络中与之对应的第一驱动单元连接；

每个所述衰减单元均与并行驱动网络中与之对应的第二驱动单元连接；

所述级联的衰减单元的输出端分别与电阻Ra10的一端、电容Ca1的一端和电阻Ra9的一端连接，所述电阻Ra10的另一端与接地电感La1连接，所述电容Ca1的另一端分别与电阻Ra9的另一端、电阻Ra11的一端和电容Ca2的一端连接，所述电阻Ra11的另一端与接地电感La2连接，所述电容Ca2的另一端和微带线TL21的一端连接，并作为所述超宽带衰减直通网络的第一输出端，所述微带线TL21的另一端作为所述超宽带衰减直通网络的第二输出端。

6.根据权利要求5所述的超宽带超宽动态范围放大衰减多功能芯片，其特征在于，在级联的衰减单元中，每个所述衰减单元包括微带线TL18；

所述微带线TL18的一端作为所述衰减单元的输入端，所述微带线TL18的另一端分别与微带线TL9的一端、开关管Ma2的漏极和电阻Ra7的一端连接，所述微带线TL9的另一端与开关管Ma4的源极连接，所述开关管Ma4的漏极与微带线TL20的一端连接，所述微带线TL20的另一端分别与电阻Ra7的另一端和开关管Ma3的漏极连接，并作为所述衰减单元的输出端，所述开关管Ma4的栅极与电阻Ra8的一端连接，所述电阻Ra8的另一端与并行驱动网络中与之对应第二驱动单元连接；

所述开关管Ma2的源极与接地电阻Ra4连接，所述开关管Ma3的源极与接地电阻R5连接，所述开关管Ma2的栅极与电阻Ra3的一端连接，所述开关管Ma3的栅极与电阻Ra6的一端连接，所述电阻Ra3的另一端和电阻Ra6的另一端相互连接，并与并行驱动网络中与之对应第二驱动单元连接。

7.根据权利要求6所述的超宽带超宽动态范围放大衰减多功能芯片，其特征在于，所述第一驱动单元包括二极管D5；

所述二极管D5的正极与高低电平控制电压Vctr1连接，所述二极管D5的负极、二极管D4、二极管D3、二极管D2以及二极管D1的正极依次连接，所述二极管D1的负极与电阻Rb1的一端连接，所述电阻Rb1的另一端分别与电阻Rb2的一端和开关管Mb2的栅极连接，所述开关管Mb2的源极分别与电阻Rb4的一端和开关管Mb6的栅极连接，所述开关管Mb6的漏极与电阻Rb4的另一端连接，所述开关管Mb6的源极接地；

所述电阻Rb2的另一端分别与开关管Mb1的漏极和电阻Rb3的一端连接，所述开关管Mb1的栅极分别与开关管Mb2的源极、开关管Mb3的栅极以及开关管Mb4的栅极连接，所述开关管Mb1的源极与开关管Mb3的漏极连接，所述开关管Mb3的源极分别与电阻Rb5的一端、开关管Mb7的栅极以及超宽带衰减直通网络中与之对应的电阻Ra2的一端连接，所述电阻Rb5的另一端与开关管Mb7的漏极连接，所述开关管Mb7的源极接地；

所述电阻Rb3的另一端分别与开关管Mb4的漏极、开关管Mb5的漏极以及工作负电压Vs连接，所述开关管Mb4的源极分别与电阻Rb6的一端、开关管Mb8的栅极连以及开关管Mb5的栅极连接，所述电阻Rb6的另一端与开关管Mb8的漏极连接，所述开关管Mb8的源极接地，所述开关管Mb5的源极分别与电阻Rb7的一端和开关管Mb9的栅极连接，所述电阻Rb7的另一端与开关管Mb9的漏极连接，所述开关管Mb9的源极接地。

8.根据权利要求6所述的超宽带超宽动态范围放大衰减多功能芯片，其特征在于，所述第二驱动单元包括二极管D10；

所述二极管D10的正极与高低电平控制电压Vctr2连接，所述二极管D10的负极依次与二极管D9、二极管D8、二极管D7和二极管D6的正极连接，所述二极管D6的负极与电阻Rb12的一端连接，所述电阻Rb12的另一端分别与开关管Mb11的栅极和电阻Rb13的一端连接；

所述开关管Mb11的漏极与工作负电压Vs连接，所述开关管Mb11的源极分别与开关管Mb12的栅极、电阻Rb8的一端和开关管Mb15的栅极连接，所述电阻Rb8的另一端与开关管Mb15的漏极连接，所述开关管Mb15的源极接地；

所述电阻Rb13的另一端分别与开关管Mb10的漏极和电阻Rb4的一端连接，所述开关管Mb10的栅极分别与开关管Mb12的栅极和开关管Mb13的栅极连接，所述开关管Mb10的源极与开关管Mb12的漏极连接，所述开关管Mb12的源极分别与电阻Rb9的一端、开关管Mb16的栅极以及超宽带衰减直通网络中衰减单元中与之对应的电阻Ra6的另一端连接，所述电阻Ra9的另一端与开关管Mb16漏极连接，所述开关管Mb16的源极接地；

所述电阻Rb14的另一端分别与开关管Mb13的漏极、开关管Mb14的漏极和工作负电压Vs连接，所述开关管Mb13源极分别与开关管Mb14的栅极、电阻Rb10的一端和开关管Mb17的栅极连接，所述电阻Rb10的另一端与开关管Mb17的漏极连接，所述开关管Mb17的源极接地；

所述开关管Mb14的源极分别与电阻Rb11的一端、开关管Mb18的栅极以及超宽带衰减直通网络中衰减单元中与之对应的电阻Ra8的另一端连接，所述电阻Rb11的另一端与开关管Mb18的漏极连接，所述开关管Mb18的源极接地。

9.根据权利要求6所述的超宽带超宽动态范围放大衰减多功能芯片，其特征在于，所述功率检测网络包括二极管D15和电阻Rp2；

所述二极管D15的正极作为所述功率检测网络的输入端，并与电阻Rp2的一端连接；

所述二极管D15的负极依次与二极管D14、二极管D13、二极管D12和二极管D11的正极连接，所述二极管D11的负极与分别与Pdet端口电压、接地电阻Rp1接地电容Cp1和电阻Rp2的另一端连接，并作为所述功率检测网络的输出端。