CN117374060A - 一种MIP显示模组的生产方法和micro mini LED显示屏 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种MIP显示模组的生产方法和micromini LED显示屏，MIP显示模组的生产方法包括以下步骤：在玻璃承载板的顶面覆盖离型层，在离型层的顶面覆透光的热固化胶；向热固化胶的顶面巨量转移LED发光芯片；MIP显示模组的每一个像素单元包括一个红色LED发光芯片、一个绿色LED发光芯片和一个蓝色LED发光芯片；对玻璃承载板上的热固化胶加热固化；在热固化胶和LED发光芯片上覆盖第一封装树脂层，在第一封装树脂层的顶面上，制作模组电极电路层；将玻璃承载板与整板的封装体剥离后，对整板的封装体进行切割，得到多个MIP显示模组封装体。本发明用玻璃作为巨转的承载板，平整度好、不易变形，可以充分发挥巨转工艺的优势，MIP显示模组生产的废品率低。
Description
[技术领域]
本发明涉及micro mini LED，尤其涉及一种MIP显示模组的生产方法和micromini LED显示屏。
[背景技术]
Micro LED巨量转移是一种LED显示屏的生产方法。它通过将微小的LED芯片大规模地转移到显示屏基板上，形成高密度、高亮度的显示效果。MIP(Micro LED巨量转移)的质量问题，主要存在以下几个方面：
1.转移精度：在巨量转移过程中，将Micro LED芯片准确地转移到目标区域是一项挑战。精度不足可能导致芯片排列不整齐，影响显示效果。
2.转移效率：当前的MIP工艺尚不能保证100％的成功转移，部分芯片可能在转移过程中损坏或丢失。降低转移效率会增加生产成本和废品率。
3.均匀性：Micro LED巨量转移过程中，不同区域的芯片密度和发光性能可能存在差异，导致显示均匀性不佳。
[发明内容]
本发明要解决的技术问题是提供一种废品率较低的MIP显示模组的生产方法
本发明另一个要解决的技术问题是提供一种质量好的micro mini LED显示屏。
为了解决上述技术问题，本发明采用的技术方案是，一种MIP显示模组的生产方法，包括以下步骤：
101)在玻璃承载板的顶面覆盖离型层，在离型层的顶面覆透光的热固化胶；
102)向热固化胶的顶面巨量转移LED发光芯片；LED发光芯片包括红色LED发光芯片、绿色LED发光芯片和蓝色LED发光芯片，MIP显示模组的每一个像素单元包括一个红色LED发光芯片、一个绿色LED发光芯片和一个蓝色LED发光芯片；
103)对玻璃承载板上的热固化胶加热固化；
104)在热固化胶和LED发光芯片上覆盖第一封装树脂层，所述的LED发光芯片是倒装LED发光芯片，在第一封装树脂层的顶面上，制作模组电极电路层；模组电极电路层包括相互独立的、与MIP显示模组对应的模组电路；模组电极电路层包括至少一层线路层，模组电极电路层的顶面线路层包括MIP显示模组的复数个电极，LED发光芯片的电极与模组电极电路层的底面线路层的线路连接；
105)将玻璃承载板与整板的封装体剥离后，对整板的封装体进行切割，得到多个MIP显示模组封装体。
以上所述的MIP显示模组的生产方法，所述的像素单元包括多通道LED驱动控制芯片，在步骤103之前，包括向热固化胶的顶面转移多通道LED驱动控制芯片的步骤；在步骤104中，多通道LED驱动控制芯片与模组电极电路层的底面线路层的线路连接。
以上所述的MIP显示模组的生产方法，在步骤104中包括底面线路层制作步骤：
301)在第一封装树脂层的顶面上对应于所有LED发光芯片的焊盘开立孔；302)对第一封装树脂层的顶面、包括所述的立孔，金属化处理后镀铜，形成第一镀铜层；
303)通过蚀刻去除第一镀铜层上不需要的部分，形成多个相互独立的、MIP显示模组的第一线路层，即底面线路层；
304)在步骤104中包括顶面阻焊层的制作步骤：在顶面线路层的顶面覆盖绝缘阻焊层，绝缘阻焊层包括与MIP显示模组电极对应的窗口；在模组电极电路层只有一层线路层的情况下，第一线路层同时也是顶面线路层。
以上所述的MIP显示模组的生产方法，模组电极电路层多于一层线路层的情况下，包括以下步骤：
401)在MIP显示模组的下层线路层准备与上层线路层连通的部位制作第一铜柱；
402)在下层的封装树脂层、下层的线路层和第一铜柱上覆盖上层的封装树脂层；
403)研磨上层的封装树脂层的顶面，使第一铜柱的顶面露出；
404)在上层的封装树脂层的顶面、包括第一铜柱的顶面，金属化后镀铜，形成第二镀铜层；
405)通过蚀刻去除第二镀铜层上不需要的部分，形成复数个相互独立的、MIP显示模组的第二线路层。
以上所述的MIP显示模组的生产方法，步骤401包括以下步骤：
501)对下层的封装树脂层的顶面和MIP显示模组的下层的线路的顶面层进行金属化处理，形成金属化薄铜层，使所有MIP显示模组的下层的线路层之间电连通；
502)在金属化薄铜层上覆膜，在膜上开出所有与第一铜柱位置对应的通孔；
503)在通孔中电镀形成所有的第一铜柱；
504)褪膜后，去除金属化薄铜层无关的部分，保留下层的线路层和第一铜柱。
以上所述的MIP显示模组的生产方法，模组电极电路层多于一层线路层的情况下，包括以下步骤：
601)在第下层线路层面上覆第二树脂层；
602)在MIP显示模组的下层线路层准备与上层线路层连通的部位开第二立孔；
603)对第二封装树脂层的顶面、包括所述的第二立孔，金属化处理后镀铜，形成第二镀铜层；
604)通过蚀刻去除第二镀铜层上不需要的部分，形成复数个相互独立的、MIP显示模组的第二线路层；即顶面线路层。
以上所述的MIP显示模组的生产方法，步骤105切割得到的MIP显示模组封装体为N合一MIP显示模组，N合一MIP显示模组包括N1×M1个像素单元，N1和M1分别为正整数。
以上所述的MIP显示模组的生产方法，步骤105切割得到的MIP显示模组封装体为MIP显示模组矩阵，MIP显示模组矩阵为包括N2×M2个单像素单元的MIP显示模组，N2和M2分别为正整数。
以上所述的MIP显示模组的生产方法，包括MIP显示模组封装体的分选步骤：对所有MIP显示模组的发光效果检测在步骤104之后、步骤105之前进行，或在步骤105对整板的封装体切割后进行；对MIP显示模组封装体的分选在步骤105对整板的封装体切割后进行。
一种micro mini LED显示屏，包括封装胶层、多个按矩阵布置的像素单元和透明的屏板，包括透明的粘接胶层和N3×M3个经过分选的、权利要求1所述的MIP显示模组封装体，N3和M3为正整数，N3+M3大于2；N3×M3个所述MIP显示模组封装体底部的发光面通过粘接胶层粘接在屏板的顶面上，N3×M3个所述MIP显示模组封装体按N3×M3的矩阵布置；所述的封装胶层覆盖在所述的粘接胶层和N3×M3个所述的MIP显示模组封装体上。
以上所述的micro mini LED显示屏，所述的MIP显示模组封装体为M合一MIP显示模组，M合一MIP显示模组包括按N4×M4矩阵布置的像素单元，N4和M4为正整数，N4+M4大于2。
以上所述的micro mini LED显示屏，所述的MIP显示模组封装体为MIP显示模组矩阵，MIP显示模组矩阵为按N5×M5矩阵布置的单像素单元的MIP显示模组，N5和M5为正整数，N5+M5大于2。
以上所述的micro mini LED显示屏，所述的MIP显示模组封装体为MIP显示模组矩阵，MIP显示模组矩阵为按N6×M6矩阵布置的MIP显示模组，N6和M6为正整数；N6+M6大于2；所述的MIP模组包括多个像素单元，所述的像素单元包括所述的LED发光芯片和多通道LED驱动控制芯片，LED发光芯片和多通道LED驱动控制芯片与MIP显示模组的模组电极电路层的底面线路层的线路连接
以上所述的micro mini LED显示屏，包括驱动电路，驱动电路包括驱动芯片和驱动电路板，驱动电路板布置在封装胶层的顶面上，MIP显示模组封装体的电极分别通过驱动电路板的RDL电路与驱动芯片连接。
本发明MIP显示模组的生产方法采用玻璃作为巨转的承载板，玻璃承载板的平整度好、不易变形，可以充分发挥巨转工艺的优势，MIP显示模组生产的废品率低。
本发明采用经过分选的MIP显示模组的封装体组合成显示屏，可以克服现有技术中转移精度低、废品率高、显示均匀性差的缺点，micro mini LED显示屏的质量高，显示效果好。
[附图说明]
下面结合附图和具体实施方式对本发明作进一步详细的说明。
图1是本发明实施例1单像素MIP显示模组生产方法步骤1的示意图。
图2是本发明实施例1单像素MIP显示模组生产方法步骤2的示意图。
图3是本发明实施例1单像素MIP显示模组生产方法步骤3-1的示意图。
图4是本发明实施例1单像素MIP显示模组生产方法步骤3-2的示意图。
图5是本发明实施例1单像素MIP显示模组生产方法步骤3-3的示意图。
图6是本发明实施例1单像素MIP显示模组生产方法步骤3-3的示意图。
图7是本发明实施例1单像素MIP显示模组生产方法步骤3-4的示意图。
图8是本发明实施例1单像素MIP显示模组生产方法步骤3-5的示意图。
图9是本发明实施例1单像素MIP显示模组生产方法步骤5的示意图。
图10是本发明实施例2单像素MIP显示模组生产方法步骤4-1的示意图。
图11是本发明实施例2单像素MIP显示模组生产方法步骤4-2的示意图。
图12是本发明实施例2单像素MIP显示模组生产方法步骤4-3的示意图。
图13是本发明实施例2单像素MIP显示模组生产方法步骤4-4的示意图。
图14是本发明实施例2单像素MIP显示模组生产方法步骤5的示意图。
图15是本发明实施例2单像素MIP显示模组生产方法步骤6的示意图。
图16是本发明实施例2单像素MIP显示模组生产方法步骤7的示意图。
图17是本发明实施例2单像素MIP显示模组生产方法步骤8的示意图。
图18是本发明实施例2单像素MIP显示模组生产方法步骤9的示意图。
图19是本发明实施例2单像素MIP显示模组生产方法步骤11的示意图。
图20是本发明实施例3单像素MIP显示模组生产方法步骤4的示意图。
图21是本发明实施例3单像素MIP显示模组生产方法步骤5的示意图。
图22是本发明实施例3单像素MIP显示模组生产方法步骤6的示意图。
图23是本发明实施例3单像素MIP显示模组生产方法步骤7的示意图。
图24是本发明实施例4的4合一MIP显示模组的示意图。
图25是本发明实施例4的9合一MIP显示模组的示意图。
图26是本发明实施例4的16合一MIP显示模组的示意图。
图27是本发明实施例5三通道低压LED灯串恒流驱动控制芯片与LED发光芯片连接关系的示意图。
图28是本发明实施例7micro mini LED显示屏的剖面结构示意图。
图29是本发明实施例7micro mini LED显示屏的MIP显示模组封装体按矩阵排列的示意图。
[具体实施方式]
本发明实施例1单像素MIP显示模组的生产方法，如图1至图9所示，包括以下步骤(图1至图9因图幅所限，仅展示了局部的单像素结构制作的工艺示意图，实际工艺过程按N×M单像素结构的矩阵制作，N和M均为正整数)：
1)如图1所示，在玻璃承载板1的顶面覆盖离型层(离型油)2，在离型层2的顶面覆透光的热固化胶3；
2)如图2所示，向热固化胶3的顶面巨量转移LED发光芯片4，然后对玻璃承载板1上的热固化胶3加热固化；LED发光芯片4是倒装芯片，LED发光芯片4有三种，包括红色LED发光芯片、绿色LED发光芯片和蓝色LED发光芯片，MIP显示模组的每一个像素单元包括一个红色LED发光芯片、一个绿色LED发光芯片和一个蓝色LED发光芯片；
3)如图3所示，在热固化胶3和LED发光芯片4上覆盖第一封装树脂层5，再在第一封装树脂层5的顶面上，制作模组电极的电路层，包括以下步骤:
3-1)如图3所示，在第一封装树脂层5的顶面上对应于所有LED发光芯片4的电极41开立孔51；
3-2)如图4所示，对第一封装树脂层5的顶面、包括所述的立孔51，金属化处理后镀铜，形成第一镀铜层6；
3-3)在第一镀铜层6的顶面印感光膜7，如图5所示；然后对感光膜7曝光、显影，如图6所示；
3-4)如图7所示，通过蚀刻去除第一镀铜层6上不需要的部分，褪感光膜7，完成第一线路层，第一线路层包括多个相互独立的、单像素MIP显示模组的第一线路，本实施例的模组电极电路层为单线路层，第一线路层既是底面线路层，也是顶面线路层，作为顶面的线路包括单像素MIP显示模组的4个电极41，作为底面的线路与LED发光芯片4的电极41连接；
3-5)如图8所示，在第一线路层(顶面线路层)电极61的外表面镀镍金，形成电镀的镍金层8；
4)在顶面线路层的顶面覆盖绝缘阻焊层(图中未示出)，绝缘阻焊层包括与MIP显示模组电极对应的窗口；
5)如图9所示，将玻璃承载板1与整板的封装体剥离后，对整板的封装体进行切割，得到多个MIP显示模组封装体；切割得到的MIP显示模组封装体为MIP显示模组矩阵，MIP显示模组矩阵为包括N2×M2个单像素单元的MIP显示模组，N2和M2分别为正整数；其中，作为特例，N2＝M2＝1，切割得到的MIP显示模组封装体为单像素的LED三色灯珠。
本发明实施例2单像素MIP显示模组的生产方法，如图1至图7和图10至图19所示，包括以下步骤(因附图的图幅所限，仅展示了局部的单像素结构制作的工艺示意图，实际工艺过程按单像素结构M×N的矩阵制作)：
本发明实施例2单像素MIP显示模组的生产方法的步骤1至步骤3与实施例1的步骤1至步骤3的3-4相同.然后，先在单像素MIP显示模组的第一线路层的基础上，制作模组电极电路层的第二线路层，包括以下步骤:
4)在MIP显示模组的第一线路层(下层线路层)准备与上层线路层连通的部位制作第一铜柱19，包括步骤401至步骤404:
4-1)如图10所示，在第一封装树脂层5的顶面和MIP显示模组第一线路层的顶面进行金属化处理，形成金属化薄铜层9，使所有MIP显示模组的第一线路层的各独立的第一线路之间电连通，以便进行电镀；
4-2)如图11所示，在金属化薄铜层9上覆膜17，在膜17上开出所有与第一铜柱19位置对应的通孔18；
4-3)如图12所示，在通孔18中电镀形成所有的第一铜柱19；
4-4)如图13所示，膜17褪膜后，去除金属化薄铜层9无关的部分，保留第一线路层(下层)的线路层和第一铜柱19。
5)如图14所示，在第一封装树脂层5、第一线路层和第一铜柱19上覆盖第二封装树脂层11；
6)如图15所示，研磨第二封装树脂层11的顶面，使第一铜柱19的顶面露出；
7)如图16所示，在第二封装树脂层11的顶面、包括第一铜柱19的顶面，金属化后镀铜，形成第二镀铜层12；
8)如图17所示，在第二镀铜层12的顶面印感光膜，然后曝光、显影；通过蚀刻去除第二镀铜层12上不需要的部分，得到第二线路层(顶面线路层)；
9)如图18所示，在第二线路层(顶面线路层)电极13的外表面镀镍金，形成镍金层8。
第二线路层包括多个相互独立的、单像素MIP显示模组的第二线路，本实施例的模组电极电路层为双线路层，第一线路层是底面线路层，第二线路层是顶面线路层，第二线路层的顶面线路包括单像素MIP显示模组的4个电极，第一线路层的底面线路与LED发光芯片4的电极41连接。
10)在第二线路层(顶面线路层)的顶面覆盖绝缘阻焊层，绝缘阻焊层包括与MIP显示模组电极对应的窗口；
11)如图19所示，将玻璃承载板1与整板的封装体剥离；然后对整板的封装体进行切割，得到多个MIP显示模组封装体。切割得到的MIP显示模组封装体为MIP显示模组矩阵，MIP显示模组矩阵为包括N2×M2个单像素单元的MIP显示模组，N2和M2分别为正整数；其中，作为特例，N2＝M2＝1，切割得到的MIP显示模组封装体为单像素的LED三色灯珠。
本发明实施例3单像素MIP显示模组的生产方法的步骤1至步骤3与实施例1的步骤1至步骤3的3-4相同，在单像素MIP显示模组的第一线路层的基础上，制作模组电极电路层的第二线路层，包括以下步骤:
4)如图20所示，在第一封装树脂层5的顶面和MIP显示模组第一线路层的顶面上覆第二封装树脂层11:
5)如图21所示，在MIP显示模组的第一线路层(下层线路层)准备与上层线路层连通的部位开立孔14，露出第一线路层的顶面；
6)如图22所示，在第二封装树脂层11的顶面、包括所述的立孔14，进行金属化处理后镀铜，形成第二镀铜层12；
7)如图23所示，在第二镀铜层12的顶面印感光膜，然后对感光膜曝光、显影；通过蚀刻去除第二镀铜层12上不需要的部分，得到第二线路层；如图18所示，如图18所示，在第二线路层(顶面线路层)电极13的外表面镀镍金，形成镍金层8。
第二线路层包括多个相互独立的、单像素MIP显示模组的第二线路，本实施例的模组电极电路层为双线路层，第一线路层是底面线路层，第二线路层是顶面线路层，第二线路层的顶面线路包括单像素MIP显示模组的4个电极13，第一线路层的底面线路与LED发光芯片4的电极41连接。
本发明实施例3单像素MIP显示模组的生产方法的后续步骤与实施例2的步骤10、步骤11相同。
本发明实施例4为N合一MIP显示模组生产方法，N合一MIP显示模组包括N1×M1个像素单元，N1和M1分别为正整数，N合一MIP显示模组生产方法的步骤与以上实施例1至3的步骤基本相同，其区别主要包括以下两点：
1)N合一MIP显示模组包括N1×M1个像素单元，模组电路的顶面线路包括与N合一MIP显示模组对应的多个电极，模组电路的底面线路要与N1×M1个像素单元的LED发光芯片的电极连接，模组电路的线路结构比较复杂，虽然也可以采用一层线路层的结构，但较多采用两层线路层或多层线路层的结构。
2)切割得到的MIP显示模组封装体为N合一MIP显示模组，N合一MIP显示模组为N1×M1个像素单元30的矩阵结构。如图24所示，当N1＝M1＝2时，N＝4，切割得到的MIP显示模组封装体为4合一MIP显示模组。如图25所示，当N1＝M1＝3时，N＝9，切割得到的MIP显示模组封装体为9合一MIP显示模组。如图26所示，当N1＝M1＝4时，N＝16，切割得到的MIP显示模组封装体为16合一MIP显示模组。
本发明实施例5为包含三通道低压LED灯串恒流驱动控制芯片的MIP显示模组生产方法，可以应用于本发明的实施例1至4中。在本发明的实施例1至4中，每一个像素单元包括一个三通道低压LED灯串恒流驱动控制芯片。在本发明的实施例1至4对玻璃承载板1上的热固化胶3加热固化之前，包括向热固化胶3的顶面转移三通道低压LED灯串恒流驱动控制芯片的步骤，在后续的步骤中，三通道低压LED灯串恒流驱动控制芯片与模组电路的底面线路连接。在一个像素单元中，三通道低压LED灯串恒流驱动控制芯片U1与三个LED发光芯片4的连接关系如图27所示。
本发明实施例6为发明的实施例的MIP显示模组生产方法1至5中的MIP显示模组封装体的检测分选步骤：对所有MIP显示模组的发光效果检测可以在将玻璃承载板1与整板的封装体剥离之前进行，也可以在对整板的封装体切割后进行；对MIP显示模组封装体的分选在对整板的封装体切割后进行。
本发明实施例7micro mini LED显示屏的结构如图28和图29所示，包括N3×M3个经过分选的、MIP显示模组的封装体40、封装胶层33、透明的屏板31、透明的粘接胶层32和驱动电路。
其中，N3和M3为正整数，N3+M3大于2。
MIP显示模组的封装体40可以选用以上实施例1至5中任何一种，例如，所述的MIP显示模组封装体可以是M合一MIP显示模组，M合一MIP显示模组包括按N4×M4矩阵布置的像素单元，N4和M4为正整数，N4+M4大于2；所述的MIP显示模组封装体可以是MIP显示模组矩阵，MIP显示模组矩阵为按N5×M5矩阵布置的单像素单元的MIP显示模组，N5和M5为正整数，N5+M5大于2；所述的MIP显示模组封装体可以是MIP显示模组矩阵，MIP显示模组矩阵为按N6×M6矩阵布置的MIP显示模组，N6和M6为正整数；N6+M6大于2；所述的MIP模组可以包括多个像素单元，所述的像素单元包括所述的LED发光芯片和三通道低压LED灯串恒流驱动控制芯片，LED发光芯片和三通道低压LED灯串恒流驱动控制芯片与MIP显示模组的模组电极电路层的底面线路层的线路连接。
在本实施例的图28和图29中，N3＝14、M3＝8，MIP显示模组封装体40为9合一MIP显示模组，包括9个按3×3矩阵布置的像素单元。MIP显示模组封装体40底部的发光面通过粘接胶层32粘接在屏板31的顶面上，112个9合一的MIP显示模组封装体40排列成14×8的矩阵，封装胶层33覆盖在在粘接胶层32和所有的MIP显示模组封装体40上。
驱动电路包括驱动芯片34和驱动电路板35，驱动电路板35布置在封装胶层33的顶面上，MIP显示模组封装体40的电极分别通过驱动电路板35的RDL电路与驱动芯片34连接，实现每一个芯片的电极都能够有效地被驱动芯片34驱动,驱动电路板35包括接口36,接口36与外部控制电路连接。
本发明以上实施例的MIP显示模组生产方法具有以下有益效果：
1)玻璃的硬度高、刚性好，膨胀系数小，用玻璃作为巨转的承载板：平整度好、不易变形，可以充分发挥巨转工艺的优势，得到快速且位置稳定的芯片分布，MIP显示模组生产的废品率低；
2)玻璃承载板的尺寸稳定性能优越，在后续工艺处理过程中，尺寸的稳定性好，便于使用RDL工艺开孔直连芯片的焊盘；RDL工艺开孔直连芯片的焊盘，避免了锡焊工艺的各种困难，包括锡膏二次回熔、钢网印锡膏、丝印对位，涨缩锡量等问题，批量生产工艺质量稳定，效率高，成本低。
3)用玻璃做承载板，玻璃并不进入封装体，不需要使用减薄的玻璃，厚度高的玻璃不易翘曲，成本低，玻璃承载板的尺寸稳定性好。封装后的MIP显示模组厚度较小。
本发明以上实施例的micro mini LED显示屏采用经过分选的MIP显示模组的封装体组合成显示屏，可以克服现有技术中转移精度低、废品率高、显示均匀性差的缺点，显示屏的质量高，显示效果好。
Claims (14)
1.一种MIP显示模组的生产方法，其特征在于，包括以下步骤：
101)在玻璃承载板的顶面覆盖离型层，在离型层的顶面覆透光的热固化胶；
102)向热固化胶的顶面巨量转移LED发光芯片；LED发光芯片包括红色LED发光芯片、绿色LED发光芯片和蓝色LED发光芯片，MIP显示模组的每一个像素单元包括一个红色LED发光芯片、一个绿色LED发光芯片和一个蓝色LED发光芯片；
103)对玻璃承载板上的热固化胶加热固化；
104)在热固化胶和LED发光芯片上覆盖第一封装树脂层，所述的LED发光芯片是倒装LED发光芯片，在第一封装树脂层的顶面上，制作模组电极电路层；模组电极电路层包括相互独立的、与MIP显示模组对应的模组电路；模组电极电路层包括至少一层线路层，模组电极电路层的顶面线路层包括与MIP显示模组对应的复数个电极，LED发光芯片的电极与模组电极电路层的底面线路层的线路连接；
105)将玻璃承载板与整板的封装体剥离后，对整板的封装体进行切割，得到多个MIP显示模组封装体。
2.根据权利要求1所述的MIP显示模组的生产方法，其特征在于，所述的像素单元包括多通道LED驱动控制芯片，在步骤103之前，包括向热固化胶的顶面转移多通道LED驱动控制芯片的步骤；在步骤104中，多通道LED驱动控制芯片与模组电极电路层的底面线路层的线路连接。
3.根据权利要求1所述的MIP显示模组的生产方法，其特征在于，在步骤104中包括底面线路层制作步骤：
301)在第一封装树脂层的顶面上对应于所有LED发光芯片的焊盘开立孔；
302)对第一封装树脂层的顶面、包括所述的立孔，金属化处理后镀铜，形成第一镀铜层；
303)通过蚀刻去除第一镀铜层上不需要的部分，形成第一线路层，即底面线路层，第一线路层包括多个相互独立的、MIP显示模组的第一线路；
304)在步骤104中包括顶面阻焊层的制作步骤：在顶面线路层的顶面覆盖绝缘阻焊层，绝缘阻焊层包括与MIP显示模组电极对应的窗口；在模组电极电路层只有一层线路层的情况下，第一线路层同时也是顶面线路层。
4.根据权利要求3所述的MIP显示模组的生产方法，其特征在于，模组电极电路层多于一层线路层的情况下，包括以下步骤：
401)在MIP显示模组的下层线路层准备与上层线路层连通的部位制作第一铜柱；
402)在下层的封装树脂层、下层的线路层和第一铜柱上覆盖上层的封装树脂层；
403)研磨上层的封装树脂层的顶面，使第一铜柱的顶面露出；
404)在上层的封装树脂层的顶面、包括第一铜柱的顶面，金属化后镀铜，形成第二镀铜层；
405)通过蚀刻去除第二镀铜层上不需要的部分，形成第二线路层，第二线路层包括多个相互独立的、MIP显示模组的第二线路。
5.根据权利要求4所述的MIP显示模组的生产方法，其特征在于，步骤401包括以下步骤：
501)对下层的封装树脂层的顶面和MIP显示模组的下层的线路的顶面层进行金属化处理，形成金属化薄铜层，使所有MIP显示模组的下层的线路之间电连通；
502)在金属化薄铜层上覆膜，在膜上开出所有与第一铜柱位置对应的通孔；
503)在通孔中电镀形成所有的第一铜柱；
504)褪膜后，去除金属化薄铜层无关的部分，保留下层的线路层和第一铜柱。
6.根据权利要求3所述的MIP显示模组的生产方法，其特征在于，模组电极电路层多于一层线路层的情况下，包括以下步骤：
601)在第下层线路层面上覆第二树脂层；
602)在MIP显示模组的下层线路层准备与上层线路层连通的部位开第二立孔；
603)对第二封装树脂层的顶面、包括所述的第二立孔，金属化处理后镀铜，形成第二镀铜层；
604)通过蚀刻去除第二镀铜层上不需要的部分，形成复数个相互独立的、MIP显示模组的第二线路层；即顶面线路层。
7.根据权利要求1所述的MIP显示模组的生产方法，其特征在于，步骤105切割得到的MIP显示模组封装体为N合一MIP显示模组，N合一MIP显示模组包括N1×M1个像素单元，N1和M1分别为正整数。
8.根据权利要求1所述的MIP显示模组的生产方法，其特征在于，步骤105切割得到的MIP显示模组封装体为MIP显示模组矩阵，MIP显示模组矩阵为包括N2×M2个单像素单元的MIP显示模组，N2和M2分别为正整数。
9.根据权利要求1所述的MIP显示模组的生产方法，其特征在于，包括MIP显示模组封装体的分选步骤：对所有MIP显示模组的发光效果检测在步骤104之后、步骤105之前进行，或在步骤105对整板的封装体切割后进行；对MIP显示模组封装体的分选在步骤105对整板的封装体切割后进行。
10.一种micro mini LED显示屏，包括封装胶层、多个按矩阵布置的像素单元和透明的屏板，其特征在于，包括透明的粘接胶层和N3×M3个经过分选的、权利要求1所述的MIP显示模组封装体，N3和M3为正整数，N3+M3大于2；N3×M3个所述MIP显示模组封装体底部的发光面通过粘接胶层粘接在屏板的顶面上，N3×M3个所述MIP显示模组封装体按N3×M3的矩阵布置；所述的封装胶层覆盖在所述的粘接胶层和N3×M3个所述的M IP显示模组封装体上。
11.根据权利要求10所述的micro mini LED显示屏，其特征在于，所述的MIP显示模组封装体为M合一MIP显示模组，M合一MIP显示模组包括按N4×M4矩阵布置的像素单元，N4和M4为正整数，N4+M4大于2。
12.根据权利要求10所述的micro mini LED显示屏，其特征在于，所述的MIP显示模组封装体为MIP显示模组矩阵，MIP显示模组矩阵为按N5×M5矩阵布置的单像素单元的MIP显示模组，N5和M5为正整数，N5+M5大于2。
13.根据权利要求10所述的micro mini LED显示屏，其特征在于，所述的MIP显示模组封装体为MIP显示模组矩阵，MIP显示模组矩阵为按N6×M6矩阵布置的MIP显示模组，N6和M6为正整数；N6+M6大于2；所述的MIP模组包括多个像素单元，所述的像素单元包括所述的LED发光芯片和多通道LED驱动控制芯片，LED发光芯片和多通道LED驱动控制芯片与MIP显示模组的模组电极电路层的底面线路层的线路连接。
14.根据权利要求10所述的micro mini LED显示屏，其特征在于，包括驱动电路，驱动电路包括驱动芯片和驱动电路板，驱动电路板布置在封装胶层的顶面上，MIP显示模组封装体的电极分别通过驱动电路板的RDL电路与驱动芯片连接。
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