CN117318660A - 一种凹腔体结构光刻高基频晶片及其石英晶体谐振器制备方法 - Google Patents

一种凹腔体结构光刻高基频晶片及其石英晶体谐振器制备方法 Download PDF

Info

Publication number
CN117318660A
CN117318660A CN202311247451.0A CN202311247451A CN117318660A CN 117318660 A CN117318660 A CN 117318660A CN 202311247451 A CN202311247451 A CN 202311247451A CN 117318660 A CN117318660 A CN 117318660A
Authority
CN
China
Prior art keywords
wafer
frequency
quartz crystal
cavity
thickness
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN202311247451.0A
Other languages
English (en)
Inventor
叶国萍
辜批林
李�杰
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Zhejiang Huilong Chip Technology Co ltd
Original Assignee
Zhejiang Huilong Chip Technology Co ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Zhejiang Huilong Chip Technology Co ltd filed Critical Zhejiang Huilong Chip Technology Co ltd
Priority to CN202311247451.0A priority Critical patent/CN117318660A/zh
Publication of CN117318660A publication Critical patent/CN117318660A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/15—Constructional features of resonators consisting of piezoelectric or electrostrictive material
    • H03H9/17—Constructional features of resonators consisting of piezoelectric or electrostrictive material having a single resonator
    • H03H9/19—Constructional features of resonators consisting of piezoelectric or electrostrictive material having a single resonator consisting of quartz
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02002—Preparing wafers
    • H01L21/02005—Preparing bulk and homogeneous wafers
    • H01L21/02008—Multistep processes
    • H01L21/0201—Specific process step
    • H01L21/02019—Chemical etching
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/0405—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising semiconducting carbon, e.g. diamond, diamond-like carbon
    • H01L21/0425—Making electrodes
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H3/00—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators
    • H03H3/007—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks
    • H03H3/02—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks for the manufacture of piezoelectric or electrostrictive resonators or networks
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/02—Details
    • H03H9/125—Driving means, e.g. electrodes, coils

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Acoustics & Sound (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Piezo-Electric Or Mechanical Vibrators, Or Delay Or Filter Circuits (AREA)

Abstract

本发明涉及石英晶体谐振器领域，具体公开了一种凹腔体结构光刻高基频晶片及其石英晶体谐振器制备方法，所述凹腔体结构光刻高基频晶片的材质为石英，且其厚度为8μm‑30μm，所述凹腔体结构光刻高基频晶片呈长方形设置；本发明中通过Wafer晶片在离子溅射镀膜时在磁场较弱区设计遮蔽装置，使该区域溅射出的金离子，吸附在遮蔽装置上，而不会溅射到Wafer晶片上，从而达到Wafer晶片在行进过程中，始终在磁场较强区，直线接收溅射区域的金离子，使石英晶体频率片初始频率偏差可以控制在‑9000ppm～‑3000ppm，全距可以控制在6000ppm以内，使石英晶片经过腐蚀后，不仅表面平整度和频率大大提升，而且谐振电阻得到降低。

Description

一种凹腔体结构光刻高基频晶片及其石英晶体谐振器制备 方法
技术领域
本发明涉及石英晶体谐振器领域，尤其是一种凹腔体结构光刻高基频晶片及其石英晶体谐振器制备方法。
背景技术
目前市场上采用研磨工艺生产的石英晶体谐振器最高频率可以做到60MHz fund(基频)，而规模化生产的石英晶体谐振器为40MHz fund(基频)水平，随着通讯带宽要求的增加，人们不得不采用更高的频率来满足带宽的要求，因而催生了要求石英晶体谐振器的工作频率达到吉赫兹的谐振频率，将会为未来的通信设备带来更多带宽，随着5G/6G通信技术的发展，市场上对石英晶体谐振器的工作频率和信号输出速率要求越来越高，高基频石英晶片需求出现了井喷式的增长，开发出工作频率更高的石英晶体谐振器是电子领域科学家们孜孜以求的目标，因为频率越高，通信速度就越快。
石英晶体谐振器的核心关键部件为石英晶体频率片(简称石英晶片，而石英晶片的频率与厚度成反比，即频率越高，石英晶体频率片越薄，超薄的晶片，在后期加工使用过程中，容易受力破损，导致合格率降低。
为了提升高基频石英晶体谐振器的受力性能，通常是将较厚的石英晶片，进行切割、反复研磨、腐蚀等，制作出高基频石英晶体频率片，该工艺只能做到60MHz为最高频率，远远满足不了,市场对更高频率的需求，而因石英晶片经过腐蚀后，有表面平整度不高，谐振电阻偏大，寄生过多的缺点。
为此，我们提出一种凹腔体结构光刻高基频晶片及其石英晶体谐振器制备方法解决上述问题。
发明内容
本发明的目的在于提供一种凹腔体结构光刻高基频晶片及其石英晶体谐振器制备方法，以解决上述背景技术中提出的问题。
为实现上述目的，本发明提供如下技术方案：
一种凹腔体结构光刻高基频晶片，所述凹腔体结构光刻高基频晶片的材质为石英，且其厚度为8μm-30μm，所述凹腔体结构光刻高基频晶片呈长方形设置。
本发明还提供了石英晶体谐振器，包括所述的凹腔体结构光刻高基频晶片，以及基座、搭载平台、可伐环和上盖，所述可伐环固定连接在基座的顶端边缘，所述搭载平台固定连接在可伐环的内侧，所述凹腔体结构光刻高基频晶片固定安装在搭载平台的上表面，所述上盖固定连接在可伐环的顶部。
在进一步的实施例中，所述凹腔体结构光刻高基频晶片的上表面中部设有凹腔结构，所述凹腔结构的中部设有电极，所述电极的两侧分别设有上电极引线和下电极引线，所述凹腔体结构光刻高基频晶片的一端设有上副电极和下副电极；
所述上副电极、下副电极、上电极引线和下电极引线的厚度均为厚度6-3nm的金属覆盖膜，所述金属覆盖膜的材质为为金和铬；
所述上盖的厚度为0.06-0.08mm，所述上盖的组成包括以下质量百分比的组分：钴15-18％、镍26-30％，铁59-52％；
所述基座的厚度为0.4-0.7mm，所述基座的材质为50-53％的陶瓷，所述可伐环占重质量的19-25％，所述可伐环的组成包括以下质量百分比的组分：钴4-6％、镍4-6％，铁11-13％，所述金属化层占重质量的22-31％。
另外，本发明还提供了石英晶体谐振器的制备方法，包括以下步骤：
步骤一、研磨抛光：将切割好的Wafer晶片，通过打磨和抛光，使其厚度控制在一定的范围内；
步骤二、Wafer片镀膜：将步骤一中研磨抛光好的Wafer晶片，通过离子溅镀技术，覆盖上一层金属层，给与Wafer晶片上的石英晶体频率片一个初始频率；
步骤三、凹腔电极制作；
步骤四、裂片点胶；
步骤五、频率精调；
步骤六、封焊；
步骤七、老化测试。
在进一步的实施例中，所述步骤一中抛光研磨包括以下步骤：
A1、将晶棒切割成3寸Wafer晶片，切割角度为35°8′-35°29′，厚度控制在0.1-0.12mm；
A2、将A1切割成的晶片放置到研磨机治具中进行固定；
A3、将标准块放入到测厚仪中，并完成校准；
A4、将目标厚度输入到测试系统中；
A5、将配比好的研磨液抽入到研磨机中进行研磨,其中研磨液包括以下质量百分比的组分：20％～30％去离子水、直径为3～5μm的金刚石颗粒磨料，占比为30％～40％、增稠剂8％～15％、润滑剂5％～8％、有机溶剂为15％～30％，分散剂1％～7％；研磨时在研磨设备上设计了一个压力传感器，可快速捕捉研磨时力值大小反馈给动力机构，并将力值传输到监控设备，以达到实时控制的作用。系统软件自动计算研磨时间，使晶片厚度减薄至8μm～30μm，再进行抛光处理；
A6、切片；
A7、对研磨尺寸和平整度进行检测。
在进一步的实施例中，所述步骤二中离子溅镀包括以下步骤：
I、将步骤一研磨抛光完成的Wafer晶片，装入设计好的治具，做好定位；
II、将步骤I定位好的晶片送入镀膜设备的待烘烤区，烘烤完成后送入到待镀膜区，在镀膜开始前，输入溅射目标频率，开始抽真空至6.7×10-3pa后进行离子溅射镀膜，镀膜材质为铬靶和金靶；具体操作为待镀膜区第一个腔体两边各装有一块铬靶，第二个腔体两边各装有一块金靶，在镀膜开始前，输入溅射目标频率，开始抽真空，真空符合要求后，开始离子溅射镀膜；第一个腔体两边铬靶通电后，通常是利用氩气放电产生气体电离，其正离子在电磁场作用下高速轰击阴极靶体，击出阴极靶体原子或分子，飞向被镀Wafer晶片表面沉积成铬膜层，完成后Wafer晶片再送入到第二个腔体，同样的方式将金离子溅射覆盖到Wafer晶片表面，形成金膜层，即镀膜后，Wafer晶片表面第一层覆盖铬膜，第二层覆盖金膜，使Wafer晶片形成初始频率。
在进一步的实施例中，所述步骤三中凹腔电极制作包括以下步骤：
S1、光刻胶准备：将研磨好的Wafer晶片放置到涂胶旋转平台上，再将光刻胶注入到专用针管内，然后通过针管注射到Wafer晶片表面，随着旋转平台的运行，使光刻胶均匀分布在Wafer晶片表面，旋转平台转速设置：2000r/min，光刻胶涂膜量为0.6ml；
S2、烘烤：将步骤S1中涂膜光刻胶的Wafer晶片，放入烘烤设备，进行烘烤，烘烤温度为75-85℃，持续时间80-100s；
S3、对涂有光刻胶的Wafer晶片进行曝光和显影；
S4、湿法刻蚀：使用氢氟酸(HF)作为湿法刻蚀溶液，并添加氟化铵作为缓冲剂，氢氟酸与氟化铵的比例为60％：40％；刻蚀速率为100nm/min,最终形成凹腔，凹腔部位厚度为3-20μm，反应生成物脱离被刻蚀物质表面，并被真空系统抽出腔体；
S5、去除光刻胶：采用丙酮浸泡去除光刻胶。
在进一步的实施例中，所述步骤四中裂片点胶包括以下步骤：对完成凹腔电极制作的Wafer晶片，装到承载治具中，通过裂片设备，将Wafer晶片分裂成单片石英晶体频率片，再通过点胶设备，使用导电胶，将单片石英晶体频率片固定在基座腔体内，使石英晶体频率片与承载的基座形成回路，并放入最高温度为300℃的隧道炉烘烤，使导电胶固化。
在进一步的实施例中，所述步骤五中频率精调包括以下步骤：将步骤四裂片点胶完成烘烤固化的产品，放入频率精调治具中，通过离子刻蚀技术，将石英晶体频率片表面的金层，进行轰击刻蚀，刻蚀该过程在6.5×10-3Pa的真空环境下完成，频率精度达到±2ppm。
在进一步的实施例中，所述步骤六中封焊包括以下步骤：将步骤五完成频率精调的半成品，转入到封焊专用治具，并将该装有产品的治具，放入到真空烤箱进行烘烤，完成烘烤后，通过电极轮在产品四边进行滚焊放电，使上盖和完成频率精调的半成品焊接密封。
与现有技术相比，本发明的有益效果是：
本发明中通过设置基座、搭载平台、可伐环以及上盖，将使石英片安装于搭载平台并通过封焊专用治具将其置于真空烤箱内烘烤，接着通过电极轮在产品四边进行滚焊放电，使上盖和完成频率精调的半成品焊接密封从而保证石英晶片在使用过程中得到保护，避免其受力破损。
本发明中通过Wafer晶片在离子溅射镀膜时在磁场较弱区设计遮蔽装置，使该区域溅射出的金离子，吸附在遮蔽装置上，而不会溅射到Wafer晶片上，从而达到Wafer晶片在行进过程中，始终在磁场较强区，直线接收溅射区域的金离子，使石英晶体频率片初始频率偏差可以控制在-9000ppm～-3000ppm，全距可以控制在6000ppm以内，使石英晶片经过腐蚀后，不仅表面平整度和频率大大提升，而且谐振电阻得到降低。
附图说明
图1为本发明的石英晶体谐振器爆炸结构示意图；
图2为本发明的磁场较弱区设计遮蔽装置示意图；
图3为本发明的96Mhz镀金光刻高基频产品，高温老化前数据示意图；
图4为本发明的96Mhz镀金光刻高基频产品，125℃±5℃，老化1000小时，检测数据示意图；
图5为本发明的96Mhz镀金光刻高基频产品，经过125℃±5℃，老化1000小时，频率变化量控制在±3ppm以内，对比数据示意图；
图6为本发明的增加遮蔽装置前，溅射镀膜后的频率偏差范围测试数据一示意图；
图7为本发明的增加遮蔽装置前，溅射镀膜后的频率偏差范围测试数据二示意图；
图8为本发明的未增加遮蔽装置时，96Mhz光刻高基频镀膜后初始频率测试结果示意图；
图9为本发明的增加遮蔽装置后，96Mhz光刻高基频镀膜后初始频率测试结果示意图；
图10为本发明的未使用遮蔽装置时产品膜厚测试结果一示意图；
图11为本发明的未使用遮蔽装置时产品膜厚测试结果二示意图；
图12为本发明的使用遮蔽装置后产品膜厚测试结果一示意图；
图13为本发明的使用遮蔽装置后产品膜厚测试结果二示意图；
图14为本发明的经过凹腔电极制作工艺后，形成的Wafer晶片示意图；
图15为本发明的滚焊过程中的放电焊接工艺示意图。
图中：1、基座；2、可伐环；3、搭载平台；4、导电胶；5、凹腔体结构光刻高基频晶片；6、凹腔结构；7、电极；8、下电极引线；9、上电极引线；10、下副电极；11、上副电极；12、上盖。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
实施例1
本发明实施例中，一种凹腔体结构光刻高基频晶片，包括所述凹腔体结构光刻高基频晶片5的材质为石英，且其厚度为8μm，所述凹腔体结构光刻高基频晶片5呈长方形设置。
石英晶体谐振器，包括所述的凹腔体结构光刻高基频晶片5，以及基座1、搭载平台3、可伐环2和上盖12，所述可伐环2固定连接在基座1的顶端边缘，所述搭载平台3固定连接在可伐环2的内侧，所述凹腔体结构光刻高基频晶片5固定安装在搭载平台3的上表面，所述上盖12固定连接在可伐环2的顶部。
其中，所述凹腔体结构光刻高基频晶片5的上表面中部设有凹腔结构，所述凹腔结构6的中部设有电极7，所述电极7的两侧分别设有上电极引线9和下电极引线8，所述凹腔体结构光刻高基频晶片5的一端设有上副电极11和下副电极10；
所述上副电极11、下副电极10、上电极引线9和下电极引线8的厚度均为厚度3nm的金属覆盖膜，所述金属覆盖膜的材质为为金和铬；
所述上盖12的厚度为0.06mm，所述上盖12的组成包括以下质量百分比的组分：钴15％、镍26％，铁59％；
所述基座1的厚度为0.4mm，所述基座1的材质为50％的陶瓷，所述可伐环2占重质量的19％，所述可伐环2的组成包括以下质量百分比的组分：钴4％、镍4％，铁11％，所述金属化层占重质量的22％。
其中，石英晶体谐振器的制备方法，包括以下步骤：
步骤一、研磨抛光：将切割好的Wafer晶片，通过打磨和抛光，使其厚度控制在一定的范围内；
步骤二、Wafer片镀膜：将步骤一中研磨抛光好的Wafer晶片，通过离子溅镀技术，覆盖上一层金属层，给与Wafer晶片上的石英晶体频率片一个初始频率；
步骤三、凹腔电极制作；
步骤四、裂片点胶；
步骤五、频率精调；
步骤六、封焊；
步骤七、老化测试。
进一步的，所述步骤一中抛光研磨包括以下步骤：
A1、将晶棒切割成3寸Wafer晶片，切割角度为35°8′，厚度控制在0.1mm；
A2、将A1切割成的晶片放置到研磨机治具中进行固定；
A3、将标准块放入到测厚仪中，并完成校准；
A4、将目标厚度输入到测试系统中；
A5、将配比好的研磨液抽入到研磨机中进行研磨；其中研磨液包括以下质量百分比的组分：20％去离子水、直径为3μm的金刚石颗粒磨料，占比为30％、增稠剂15％、润滑剂5％、有机溶剂为30％，分散剂1％；研磨时在研磨设备上设计了一个压力传感器，可快速捕捉研磨时力值大小反馈给动力机构，并将力值传输到监控设备，以达到实时控制的作用，系统软件自动计算研磨时间，使晶片厚度减薄至8μm，再进行抛光处理；
A6、切片；
A7、对研磨尺寸和平整度进行检测。
进一步的，所述步骤二中离子溅镀包括以下步骤：
I、将步骤一研磨抛光完成的Wafer晶片，装入设计好的治具，做好定位；
II、将步骤I定位好的晶片送入镀膜设备的待烘烤区，烘烤完成后送入到待镀膜区，在镀膜开始前，输入溅射目标频率，开始抽真空至6.7×10-3pa后进行离子溅射镀膜，镀膜材质为铬靶和金靶；具体操作为待镀膜区第一个腔体两边各装有一块铬靶，第二个腔体两边各装有一块金靶，在镀膜开始前，输入溅射目标频率，开始抽真空，真空符合要求后，开始离子溅射镀膜；第一个腔体两边铬靶通电后，通常是利用氩气放电产生气体电离，其正离子在电磁场作用下高速轰击阴极靶体，击出阴极靶体原子或分子，飞向被镀Wafer晶片表面沉积成铬膜层，完成后Wafer晶片再送入到第二个腔体，同样的方式将金离子溅射覆盖到Wafer晶片表面，形成金膜层，即镀膜后，Wafer晶片表面第一层覆盖铬膜，第二层覆盖金膜，使Wafer晶片形成初始频率；
也可以通过在磁场较弱区设计遮蔽装置，使该区域溅射出的金离子，吸附在遮蔽装置上，而不会溅射到Wafer晶片上，从而达到Wafer晶片在行进过程中，始终在磁场较强区，直线接收溅射区域的金离子，从而使石英晶体频率片初始频率偏差只能控制在-9000ppm，全距可以控制在6000ppm以内；金靶表面粗糙不够光滑，直接与腔体内壁接触贴合，金靶不能做到100％接触贴合腔体内壁，现将金靶接触面用锡箔纸包裹吸附，再与腔体内壁接触贴合，可以增加金靶的接触面积，提高金靶轰击溅射有效性；增加产品表面镀层附着力，提升频率稳定性，降低老化频率变化量，石英晶体频率片的热膨胀系数为0.5×10-6K，金的热膨胀系数为14.2×10-6K，如果直接在Wafer晶片表面溅射一层金，两者热膨胀系数差异较大，使用该放置制作的高基频石英晶体谐振器，年老化率变化量为±3ppm左右，经过研究分析验证，先在Wafer晶片表面镀上一层铬层(因铬的热膨胀系数为6.2×10-6K，介于石英晶体频率片和金的热膨胀系数之间，起到桥梁斜街作用)，再镀上金层，高基频石英晶体谐振器，年老化率变化量可以达到±1ppm，提升了高基频石英晶体谐振器镀层附着力和频率稳定性，降低老化频率变化量。
其中，所述步骤三中凹腔电极制作包括以下步骤：
S1、光刻胶准备：将研磨好的Wafer晶片放置到涂胶旋转平台上，再将光刻胶注入到专用针管内，然后通过针管注射到Wafer晶片表面，随着旋转平台的运行，使光刻胶均匀分布在Wafer晶片表面，旋转平台转速设置：2000r/min，光刻胶涂膜量为0.6ml；
S2、烘烤：将步骤S1中涂膜光刻胶的Wafer晶片，放入烘烤设备，进行烘烤，烘烤温度为75℃，持续时间80s；
S3、对涂有光刻胶的Wafer晶片进行曝光和显影；
S4、湿法刻蚀：使用氢氟酸(HF)作为湿法刻蚀溶液，并添加氟化铵作为缓冲剂，氢氟酸与氟化铵的比例为60％：40％；刻蚀速率为100nm/min,最终形成凹腔，凹腔部位厚度为3μm，反应生成物脱离被刻蚀物质表面，并被真空系统抽出腔体；
S5、去除光刻胶：采用丙酮浸泡去除光刻胶。
其中，所述步骤四中裂片点胶包括以下步骤：对完成凹腔电极制作的Wafer晶片，装到承载治具中，通过裂片设备，将Wafer晶片分裂成单片石英晶体频率片，再通过点胶设备，使用导电胶4，将单片石英晶体频率片固定在基座腔体内，使石英晶体频率片与承载的基座1形成回路，并放入最高温度为300℃的隧道炉烘烤，使导电胶固化。
进一步的，所述步骤五中频率精调包括以下步骤：将步骤四裂片点胶完成烘烤固化的产品，放入频率精调治具中，通过离子刻蚀技术，将石英晶体频率片表面的金层，进行轰击刻蚀，刻蚀该过程在6.5×10-3Pa的真空环境下完成，频率精度达到±2ppm。
进一步的，所述步骤六中封焊包括以下步骤：将步骤五完成频率精调的半成品，转入到封焊专用治具，并将该装有产品的治具，放入到真空烤箱进行烘烤，完成烘烤后，通过电极轮在产品四边进行滚焊放电，使上盖和完成频率精调的半成品焊接密封。
实施例2
本发明实施例中，一种凹腔体结构光刻高基频晶片，包括所述凹腔体结构光刻高基频晶片5的材质为石英，且其厚度为19μm，所述凹腔体结构光刻高基频晶片5呈长方形设置。
石英晶体谐振器，包括所述的凹腔体结构光刻高基频晶片5，以及基座1、搭载平台3、可伐环2和上盖12，所述可伐环2固定连接在基座1的顶端边缘，所述搭载平台3固定连接在可伐环2的内侧，所述凹腔体结构光刻高基频晶片5固定安装在搭载平台3的上表面，所述上盖12固定连接在可伐环2的顶部。
其中，所述凹腔体结构光刻高基频晶片5的上表面中部设有凹腔结构，所述凹腔结构6的中部设有电极7，所述电极7的两侧分别设有上电极引线9和下电极引线8，所述凹腔体结构光刻高基频晶片5的一端设有上副电极11和下副电极10；
所述上副电极11、下副电极10、上电极引线9和下电极引线8的厚度均为厚度5nm的金属覆盖膜，所述金属覆盖膜的材质为为金和铬；
所述上盖12的厚度为0.07mm，所述上盖12的组成包括以下质量百分比的组分：钴16％、镍28％，铁56％；
所述基座1的厚度为0.5mm，所述基座1的材质为52％的陶瓷，所述可伐环2占重质量的22％，所述可伐环2的组成包括以下质量百分比的组分：钴5％、镍5％，铁12％，所述金属化层占重质量的27％。
其中，石英晶体谐振器的制备方法，包括以下步骤：
步骤一、研磨抛光：将切割好的Wafer晶片，通过打磨和抛光，使其厚度控制在一定的范围内；
步骤二、Wafer片镀膜：将步骤一中研磨抛光好的Wafer晶片，通过离子溅镀技术，覆盖上一层金属层，给与Wafer晶片上的石英晶体频率片一个初始频率；
步骤三、凹腔电极制作；
步骤四、裂片点胶；
步骤五、频率精调；
步骤六、封焊；
步骤七、老化测试。
进一步的，所述步骤一中抛光研磨包括以下步骤：
A1、将晶棒切割成3寸Wafer晶片，切割角度为35°19′，厚度控制在0.11mm；
A2、将A1切割成的晶片放置到研磨机治具中进行固定；
A3、将标准块放入到测厚仪中，并完成校准；
A4、将目标厚度输入到测试系统中；
A5、将配比好的研磨液抽入到研磨机中进行研磨；其中研磨液包括以下质量百分比的组分：25％去离子水、直径为4μm的金刚石颗粒磨料，占比为35％、增稠剂12％、润滑剂6％、有机溶剂为17％，分散剂4％；研磨时在研磨设备上设计了一个压力传感器，可快速捕捉研磨时力值大小反馈给动力机构，并将力值传输到监控设备，以达到实时控制的作用，系统软件自动计算研磨时间，使晶片厚度减薄至19μm，再进行抛光处理；
A6、切片；
A7、对研磨尺寸和平整度进行检测。
进一步的，所述步骤二中离子溅镀包括以下步骤：
I、将步骤一研磨抛光完成的Wafer晶片，装入设计好的治具，做好定位；
II、将步骤I定位好的晶片送入镀膜设备的待烘烤区，烘烤完成后送入到待镀膜区，在镀膜开始前，输入溅射目标频率，开始抽真空至6.7×10-3pa后进行离子溅射镀膜，镀膜材质为铬靶和金靶；具体操作为待镀膜区第一个腔体两边各装有一块铬靶，第二个腔体两边各装有一块金靶，在镀膜开始前，输入溅射目标频率，开始抽真空，真空符合要求后，开始离子溅射镀膜；第一个腔体两边铬靶通电后，通常是利用氩气放电产生气体电离，其正离子在电磁场作用下高速轰击阴极靶体，击出阴极靶体原子或分子，飞向被镀Wafer晶片表面沉积成铬膜层，完成后Wafer晶片再送入到第二个腔体，同样的方式将金离子溅射覆盖到Wafer晶片表面，形成金膜层，即镀膜后，Wafer晶片表面第一层覆盖铬膜，第二层覆盖金膜，使Wafer晶片形成初始频率；
也可以通过在磁场较弱区设计遮蔽装置，使该区域溅射出的金离子，吸附在遮蔽装置上，而不会溅射到Wafer晶片上，从而达到Wafer晶片在行进过程中，始终在磁场较强区，直线接收溅射区域的金离子，从而使石英晶体频率片初始频率偏差只能控制在-6000ppm，全距可以控制在6000ppm以内；金靶表面粗糙不够光滑，直接与腔体内壁接触贴合，金靶不能做到100％接触贴合腔体内壁，现将金靶接触面用锡箔纸包裹吸附，再与腔体内壁接触贴合，可以增加金靶的接触面积，提高金靶轰击溅射有效性；增加产品表面镀层附着力，提升频率稳定性，降低老化频率变化量，石英晶体频率片的热膨胀系数为0.5×10-6K，金的热膨胀系数为14.2×10-6K，如果直接在Wafer晶片表面溅射一层金，两者热膨胀系数差异较大，使用该放置制作的高基频石英晶体谐振器，年老化率变化量为±3ppm左右，经过研究分析验证，先在Wafer晶片表面镀上一层铬层(因铬的热膨胀系数为6.2×10-6K，介于石英晶体频率片和金的热膨胀系数之间，起到桥梁斜街作用)，再镀上金层，高基频石英晶体谐振器，年老化率变化量可以达到±1ppm，提升了高基频石英晶体谐振器镀层附着力和频率稳定性，降低老化频率变化量。
其中，所述步骤三中凹腔电极制作包括以下步骤：
S1、光刻胶准备：将研磨好的Wafer晶片放置到涂胶旋转平台上，再将光刻胶注入到专用针管内，然后通过针管注射到Wafer晶片表面，随着旋转平台的运行，使光刻胶均匀分布在Wafer晶片表面，旋转平台转速设置：2000r/min，光刻胶涂膜量为0.6ml；
S2、烘烤：将步骤S1中涂膜光刻胶的Wafer晶片，放入烘烤设备，进行烘烤，烘烤温度为80℃，持续时间90s；
S3、对涂有光刻胶的Wafer晶片进行曝光和显影；
S4、湿法刻蚀：使用氢氟酸(HF)作为湿法刻蚀溶液，并添加氟化铵作为缓冲剂，氢氟酸与氟化铵的比例为60％：40％；刻蚀速率为100nm/min,最终形成凹腔，凹腔部位厚度为12μm，反应生成物脱离被刻蚀物质表面，并被真空系统抽出腔体；
S5、去除光刻胶：采用丙酮浸泡去除光刻胶。
其中，所述步骤四中裂片点胶包括以下步骤：对完成凹腔电极制作的Wafer晶片，装到承载治具中，通过裂片设备，将Wafer晶片分裂成单片石英晶体频率片，再通过点胶设备，使用导电胶4，将单片石英晶体频率片固定在基座腔体内，使石英晶体频率片与承载的基座1形成回路，并放入最高温度为300℃的隧道炉烘烤，使导电胶固化。
进一步的，所述步骤五中频率精调包括以下步骤：将步骤四裂片点胶完成烘烤固化的产品，放入频率精调治具中，通过离子刻蚀技术，将石英晶体频率片表面的金层，进行轰击刻蚀，刻蚀该过程在6.5×10-3Pa的真空环境下完成，频率精度达到±2ppm。
进一步的，所述步骤六中封焊包括以下步骤：将步骤五完成频率精调的半成品，转入到封焊专用治具，并将该装有产品的治具，放入到真空烤箱进行烘烤，完成烘烤后，通过电极轮在产品四边进行滚焊放电，使上盖和完成频率精调的半成品焊接密封。
实施例3
本发明实施例中，一种凹腔体结构光刻高基频晶片，包括所述凹腔体结构光刻高基频晶片5的材质为石英，且其厚度为30μm，所述凹腔体结构光刻高基频晶片5呈长方形设置。
石英晶体谐振器，包括所述的凹腔体结构光刻高基频晶片5，以及基座1、搭载平台3、可伐环2和上盖12，所述可伐环2固定连接在基座1的顶端边缘，所述搭载平台3固定连接在可伐环2的内侧，所述凹腔体结构光刻高基频晶片5固定安装在搭载平台3的上表面，所述上盖12固定连接在可伐环2的顶部。
其中，所述凹腔体结构光刻高基频晶片5的上表面中部设有凹腔结构，所述凹腔结构6的中部设有电极7，所述电极7的两侧分别设有上电极引线9和下电极引线8，所述凹腔体结构光刻高基频晶片5的一端设有上副电极11和下副电极10；
所述上副电极11、下副电极10、上电极引线9和下电极引线8的厚度均为厚度6nm的金属覆盖膜，所述金属覆盖膜的材质为为金和铬；
所述上盖12的厚度为0.07mm，所述上盖12的组成包括以下质量百分比的组分：钴18％、镍30％，铁52％；
所述基座1的厚度为0.7mm，所述基座1的材质为53％的陶瓷，所述可伐环2占重质量的25％，所述可伐环2的组成包括以下质量百分比的组分：钴6％、镍6％，铁13％，所述金属化层占重质量的31％。
其中，石英晶体谐振器的制备方法，包括以下步骤：
步骤一、研磨抛光：将切割好的Wafer晶片，通过打磨和抛光，使其厚度控制在一定的范围内；
步骤二、Wafer片镀膜：将步骤一中研磨抛光好的Wafer晶片，通过离子溅镀技术，覆盖上一层金属层，给与Wafer晶片上的石英晶体频率片一个初始频率；
步骤三、凹腔电极制作；
步骤四、裂片点胶；
步骤五、频率精调；
步骤六、封焊；
步骤七、老化测试。
进一步的，所述步骤一中抛光研磨包括以下步骤：
A1、将晶棒切割成3寸Wafer晶片，切割角度为35°29′，厚度控制在0.12mm；
A2、将A1切割成的晶片放置到研磨机治具中进行固定；
A3、将标准块放入到测厚仪中，并完成校准；
A4、将目标厚度输入到测试系统中；
A5、将配比好的研磨液抽入到研磨机中进行研磨；其中研磨液包括以下质量百分比的组分：30％去离子水、直径为5μm的金刚石颗粒磨料，占比为40％、增稠剂8％、润滑剂8％、有机溶剂为15％，分散剂7％；研磨时在研磨设备上设计了一个压力传感器，可快速捕捉研磨时力值大小反馈给动力机构，并将力值传输到监控设备，以达到实时控制的作用，系统软件自动计算研磨时间，使晶片厚度减薄至30μm，再进行抛光处理；
A6、切片；
A7、对研磨尺寸和平整度进行检测。
进一步的，所述步骤二中离子溅镀包括以下步骤：
I、将步骤一研磨抛光完成的Wafer晶片，装入设计好的治具，做好定位；
II、将步骤I定位好的晶片送入镀膜设备的待烘烤区，烘烤完成后送入到待镀膜区，在镀膜开始前，输入溅射目标频率，开始抽真空至6.7×10-3pa后进行离子溅射镀膜，镀膜材质为铬靶和金靶；具体操作为待镀膜区第一个腔体两边各装有一块铬靶，第二个腔体两边各装有一块金靶，在镀膜开始前，输入溅射目标频率，开始抽真空，真空符合要求后，开始离子溅射镀膜；第一个腔体两边铬靶通电后，通常是利用氩气放电产生气体电离，其正离子在电磁场作用下高速轰击阴极靶体，击出阴极靶体原子或分子，飞向被镀Wafer晶片表面沉积成铬膜层，完成后Wafer晶片再送入到第二个腔体，同样的方式将金离子溅射覆盖到Wafer晶片表面，形成金膜层，即镀膜后，Wafer晶片表面第一层覆盖铬膜，第二层覆盖金膜，使Wafer晶片形成初始频率；
也可以通过在磁场较弱区设计遮蔽装置，使该区域溅射出的金离子，吸附在遮蔽装置上，而不会溅射到Wafer晶片上，从而达到Wafer晶片在行进过程中，始终在磁场较强区，直线接收溅射区域的金离子，从而使石英晶体频率片初始频率偏差只能控制在-3000ppm，全距可以控制在6000ppm以内；金靶表面粗糙不够光滑，直接与腔体内壁接触贴合，金靶不能做到100％接触贴合腔体内壁，现将金靶接触面用锡箔纸包裹吸附，再与腔体内壁接触贴合，可以增加金靶的接触面积，提高金靶轰击溅射有效性；增加产品表面镀层附着力，提升频率稳定性，降低老化频率变化量，石英晶体频率片的热膨胀系数为0.5×10-6K，金的热膨胀系数为14.2×10-6K，如果直接在Wafer晶片表面溅射一层金，两者热膨胀系数差异较大，使用该放置制作的高基频石英晶体谐振器，年老化率变化量为±3ppm左右，经过研究分析验证，先在Wafer晶片表面镀上一层铬层(因铬的热膨胀系数为6.2×10-6K，介于石英晶体频率片和金的热膨胀系数之间，起到桥梁斜街作用)，再镀上金层，高基频石英晶体谐振器，年老化率变化量可以达到±1ppm，提升了高基频石英晶体谐振器镀层附着力和频率稳定性，降低老化频率变化量。
其中，所述步骤三中凹腔电极制作包括以下步骤：
S1、光刻胶准备：将研磨好的Wafer晶片放置到涂胶旋转平台上，再将光刻胶注入到专用针管内，然后通过针管注射到Wafer晶片表面，随着旋转平台的运行，使光刻胶均匀分布在Wafer晶片表面，旋转平台转速设置：2000r/min，光刻胶涂膜量为0.6ml；
S2、烘烤：将步骤S1中涂膜光刻胶的Wafer晶片，放入烘烤设备，进行烘烤，烘烤温度为85℃，持续时间100s；
S3、对涂有光刻胶的Wafer晶片进行曝光和显影；
S4、湿法刻蚀：使用氢氟酸(HF)作为湿法刻蚀溶液，并添加氟化铵作为缓冲剂，氢氟酸与氟化铵的比例为60％：40％；刻蚀速率为100nm/min,最终形成凹腔，凹腔部位厚度为20μm，反应生成物脱离被刻蚀物质表面，并被真空系统抽出腔体；
S5、去除光刻胶：采用丙酮浸泡去除光刻胶。
其中，所述步骤四中裂片点胶包括以下步骤：对完成凹腔电极制作的Wafer晶片，装到承载治具中，通过裂片设备，将Wafer晶片分裂成单片石英晶体频率片，再通过点胶设备，使用导电胶4，将单片石英晶体频率片固定在基座腔体内，使石英晶体频率片与承载的基座1形成回路，并放入最高温度为300℃的隧道炉烘烤，使导电胶固化。
进一步的，所述步骤五中频率精调包括以下步骤：将步骤四裂片点胶完成烘烤固化的产品，放入频率精调治具中，通过离子刻蚀技术，将石英晶体频率片表面的金层，进行轰击刻蚀，刻蚀该过程在6.5×10-3Pa的真空环境下完成，频率精度达到±2ppm。
进一步的，所述步骤六中封焊包括以下步骤：将步骤五完成频率精调的半成品，转入到封焊专用治具，并将该装有产品的治具，放入到真空烤箱进行烘烤，完成烘烤后，通过电极轮在产品四边进行滚焊放电，使上盖和完成频率精调的半成品焊接密封。
实施例1-3验证数据如图3-图5所示。
同时滚焊作业过程中，会产生热量，目前散热问题没有得到很好的解决，导致工装治具工位数未有新的突破，而滚焊过程中，热量的产生，会对石英晶体谐振器的频率产生影响，原先频率精调后，石英晶体谐振器的输出频率可以控制在±2ppm，而经过加上盖滚焊密封作业，石英晶体谐振器的输出频率会放大为±10ppm，为了解决该问题，现有技术中大多是采用增大滚焊治具长度、宽度和治具内每隔定位槽之间的间距，来确保石英晶体谐振器滚焊过程中的热量散发，从而使滚焊后，石英晶体谐振器的频率能控制在±8ppm以内，但该方式也存在缺陷：滚焊时，滚焊轮走的行程比较长，滚焊效率低，然而热量传导与接触面积、传导介质有直接关系，本申请将滚焊电极轮直径从13mm变为15mm、17mm、18mm、19mm和20mm进行验证，结果如下表：
从以上表中可以看出，滚焊轮直径从13mm增加到18mm，对于封装后的频率影响最小，即频率集中度更好。
同时实施例1-3对封装机器上的滚焊机构进行了设计，设置了预压机构和波浪放电机构，并优化了滚焊过程中的放电焊接时机，使滚焊放电方式实现波浪放电模式，波峰和波谷持续转换，并让滚焊过程产生的热量，能快速得到散发，如图15所示，其中滚焊放电设计参数如下表：
增加遮蔽装置效果验证：
1、增加遮蔽装置前，溅射镀膜后的频率偏差范围测试数据:
96Mhz光刻高基频溅射镀膜后，初始频率偏差范围为-14721.67ppm～-7922.08ppm，实际全距为-6799.59ppm，如图6和图8所示。
2、增加遮蔽装置后，溅射镀膜后的频率偏差范围测试数据:
96Mhz光刻高基频溅射镀膜后，初始频率偏差范围为-8054.45ppm～-3934.70ppm，实际全距为-4199.75ppm，如图7和图9所示。
3、增加遮蔽装置前，溅射镀膜后Wafer晶片内不同位置的产品，表面膜厚偏差只能控制在±3％以内，膜厚偏差数据和图形如图10和图11所示。
4、增加遮蔽装置后，溅射镀膜后Wafer晶片内不同位置的产品，表面膜厚偏差只能控制在±1.5％以内，膜厚偏差数据和图形如图12和图13所示。
对于本领域技术人员而言，显然本发明不限于上述示范性实施例的细节，而且在不背离本发明的精神或基本特征的情况下，能够以其他的具体形式实现本发明。因此，无论从哪一点来看，均应将实施例看作是示范性的，而且是非限制性的，本发明的范围由所附权利要求而不是上述说明限定，因此旨在将落在权利要求的等同要件的含义和范围内的所有变化囊括在本发明内。不应将权利要求中的任何附图标记视为限制所涉及的权利要求。
此外，应当理解，虽然本说明书按照实施方式加以描述，但并非每个实施方式仅包含一个独立的技术方案，说明书的这种叙述方式仅仅是为清楚起见，本领域技术人员应当将说明书作为一个整体，各实施例中的技术方案也可以经适当组合，形成本领域技术人员可以理解的其他实施方式。

Claims (10)

1.一种凹腔体结构光刻高基频晶片，其特征在于，所述凹腔体结构光刻高基频晶片(5)的材质为石英，且其厚度为8μm-30μm，所述凹腔体结构光刻高基频晶片(5)呈长方形设置。
2.石英晶体谐振器，其特征在于，包括权利要求1所述的凹腔体结构光刻高基频晶片(5)，以及基座(1)、搭载平台(3)、可伐环(2)和上盖(12)，所述可伐环(2)固定连接在基座(1)的顶端边缘，所述搭载平台(3)固定连接在可伐环(2)的内侧，所述凹腔体结构光刻高基频晶片(5)固定安装在搭载平台(3)的上表面，所述上盖(12)固定连接在可伐环(2)的顶部。
3.根据权利要求2所述的石英晶体谐振器，其特征在于，所述凹腔体结构光刻高基频晶片(5)的上表面中部设有凹腔结构，所述凹腔结构(6)的中部设有电极(7)，所述电极(7)的两侧分别设有上电极引线(9)和下电极引线(8)，所述凹腔体结构光刻高基频晶片(5)的一端设有上副电极(11)和下副电极(10)；
所述上副电极(11)、下副电极(10)、上电极引线(9)和下电极引线(8)的厚度均为厚度3-6nm的金属覆盖膜，所述金属覆盖膜的材质为为金和铬；
所述上盖(12)的厚度为0.06-0.08mm，所述上盖(12)的组成包括以下质量百分比的组分：钴15-18％、镍26-30％，铁52-59％；
所述基座(1)的厚度为0.4-0.7mm，所述基座(1)的材质为50-53％的陶瓷，所述可伐环(2)占重质量的19-25％，所述可伐环(2)的组成包括以下质量百分比的组分：钴4-6％、镍4-6％，铁11-13％，所述金属化层占重质量的22-31％。
4.根据权利要求2-3任一项所述的石英晶体谐振器的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
步骤一、研磨抛光：将切割好的Wafer晶片，通过打磨和抛光，使其厚度控制在一定的范围内；
步骤二、Wafer片镀膜：将步骤一中研磨抛光好的Wafer晶片，通过离子溅镀技术，覆盖上一层金属层，给与Wafer晶片上的石英晶体频率片一个初始频率；
步骤三、凹腔电极制作；
步骤四、裂片点胶；
步骤五、频率精调；
步骤六、封焊；
步骤七、老化测试。
5.根据权利要求4所述的石英晶体谐振器的制备方法，其特征在于，所述步骤一中抛光研磨包括以下步骤：
A1、将晶棒切割成3寸Wafer晶片，切割角度为35°8′-35°29′，厚度控制在0.1-0.12mm；
A2、将A1切割成的晶片放置到研磨机治具中进行固定；
A3、将标准块放入到测厚仪中，并完成校准；
A4、将目标厚度输入到测试系统中；
A5、将配比好的研磨液抽入到研磨机中进行研磨；
A6、切片；
A7、对研磨尺寸和平整度进行检测。
6.根据权利要求4所述的石英晶体谐振器的制备方法，其特征在于，所述步骤二中离子溅镀包括以下步骤：
I、将步骤一研磨抛光完成的Wafer晶片，装入设计好的治具，做好定位；
II、将步骤I定位好的晶片送入镀膜设备的待烘烤区，烘烤完成后送入到待镀膜区，在镀膜开始前，输入溅射目标频率，开始抽真空至6.7×10-3pa后进行离子溅射镀膜，镀膜材质为铬靶和金靶。
7.根据权利要求4所述的石英晶体谐振器的制备方法，其特征在于，所述步骤三中凹腔电极制作包括以下步骤：
S1、光刻胶准备：将研磨好的Wafer晶片放置到涂胶旋转平台上，再将光刻胶注入到专用针管内，然后通过针管注射到Wafer晶片表面，随着旋转平台的运行，使光刻胶均匀分布在Wafer晶片表面，旋转平台转速设置：2000r/min，光刻胶涂膜量为0.6ml；
S2、烘烤：将步骤S1中涂膜光刻胶的Wafer晶片，放入烘烤设备，进行烘烤，烘烤温度为75-85℃，持续时间80-100s；
S3、对涂有光刻胶的Wafer晶片进行曝光和显影；
S4、湿法刻蚀：使用氢氟酸(HF)作为湿法刻蚀溶液，并添加氟化铵作为缓冲剂，氢氟酸与氟化铵的比例为60％：40％；刻蚀速率为100nm/min,最终形成凹腔，凹腔部位厚度为3-20μm，反应生成物脱离被刻蚀物质表面，并被真空系统抽出腔体；
S5、去除光刻胶：采用丙酮浸泡去除光刻胶。
8.根据权利要求4所述的石英晶体谐振器的制备方法，其特征在于，所述步骤四中裂片点胶包括以下步骤：对完成凹腔电极制作的Wafer晶片，装到承载治具中，通过裂片设备，将Wafer晶片分裂成单片石英晶体频率片，再通过点胶设备，使用导电胶(4)，将单片石英晶体频率片固定在基座腔体内，使石英晶体频率片与承载的基座(1)形成回路，并放入最高温度为300℃的隧道炉烘烤，使导电胶固化。
9.根据权利要求4所述的石英晶体谐振器的制备方法，其特征在于，所述步骤五中频率精调包括以下步骤：将步骤四裂片点胶完成烘烤固化的产品，放入频率精调治具中，通过离子刻蚀技术，将石英晶体频率片表面的金层，进行轰击刻蚀，刻蚀该过程在6.5×10-3Pa的真空环境下完成，频率精度达到±2ppm。
10.根据权利要求4所述的石英晶体谐振器的制备方法，其特征在于，所述步骤六中封焊包括以下步骤：将步骤五完成频率精调的半成品，转入到封焊专用治具，并将该装有产品的治具，放入到真空烤箱进行烘烤，完成烘烤后，通过电极轮在产品四边进行滚焊放电，使上盖和完成频率精调的半成品焊接密封。
CN202311247451.0A 2023-09-26 2023-09-26 一种凹腔体结构光刻高基频晶片及其石英晶体谐振器制备方法 Pending CN117318660A (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202311247451.0A CN117318660A (zh) 2023-09-26 2023-09-26 一种凹腔体结构光刻高基频晶片及其石英晶体谐振器制备方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202311247451.0A CN117318660A (zh) 2023-09-26 2023-09-26 一种凹腔体结构光刻高基频晶片及其石英晶体谐振器制备方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN117318660A true CN117318660A (zh) 2023-12-29

Family

ID=89259676

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202311247451.0A Pending CN117318660A (zh) 2023-09-26 2023-09-26 一种凹腔体结构光刻高基频晶片及其石英晶体谐振器制备方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN117318660A (zh)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN117811528A (zh) * 2024-01-05 2024-04-02 深圳市奥宇达电子有限公司 一种石英晶体谐振器制备方法

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20060244346A1 (en) * 2002-11-08 2006-11-02 Toyo Communication Equipment Co., Ltd. Piezoelectric substrate, piezoelectric resonating element and surface-mount piezoelectric oscillator
CN206412335U (zh) * 2016-12-29 2017-08-15 潮州三环（集团）股份有限公司 封装结构
CN208424324U (zh) * 2018-06-08 2019-01-22 合肥晶威特电子有限责任公司 一种石英谐振器
CN210380790U (zh) * 2019-08-30 2020-04-21 湖北泰晶电子科技股份有限公司 一种高基频石英晶片
CN114389557A (zh) * 2021-12-16 2022-04-22 廊坊中电熊猫晶体科技有限公司 一种高基频石英晶体谐振器的加工方法
CN115603696A (zh) * 2022-09-28 2023-01-13 泰晶科技股份有限公司（Cn） 一种石英谐振器晶片及制造方法
CN116346076A (zh) * 2021-12-22 2023-06-27 北京晨晶电子有限公司 晶体谐振器和晶体振荡器

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20060244346A1 (en) * 2002-11-08 2006-11-02 Toyo Communication Equipment Co., Ltd. Piezoelectric substrate, piezoelectric resonating element and surface-mount piezoelectric oscillator
CN206412335U (zh) * 2016-12-29 2017-08-15 潮州三环（集团）股份有限公司 封装结构
CN208424324U (zh) * 2018-06-08 2019-01-22 合肥晶威特电子有限责任公司 一种石英谐振器
CN210380790U (zh) * 2019-08-30 2020-04-21 湖北泰晶电子科技股份有限公司 一种高基频石英晶片
CN114389557A (zh) * 2021-12-16 2022-04-22 廊坊中电熊猫晶体科技有限公司 一种高基频石英晶体谐振器的加工方法
CN116346076A (zh) * 2021-12-22 2023-06-27 北京晨晶电子有限公司 晶体谐振器和晶体振荡器
CN115603696A (zh) * 2022-09-28 2023-01-13 泰晶科技股份有限公司（Cn） 一种石英谐振器晶片及制造方法

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN117811528A (zh) * 2024-01-05 2024-04-02 深圳市奥宇达电子有限公司 一种石英晶体谐振器制备方法

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN117318660A (zh) 一种凹腔体结构光刻高基频晶片及其石英晶体谐振器制备方法
US8766514B2 (en) Piezoelectric resonator element and piezoelectric resonator
JP3995987B2 (ja) 水晶振動子の製造方法
JP2001196883A (ja) 圧電共振素子の周波数調整方法
CN109474254B (zh) 一种声波器件及其制作方法
KR101069257B1 (ko) 섀도우 마스크의 사용을 최소화한 박막전지의 제조방법
JP3712035B2 (ja) 表面波装置の製造方法
US7213322B2 (en) Method for manufacturing surface acoustic wave device
CN107170679B (zh) 一种导电图形的制作方法、导电图形及显示基板
CN102088274A (zh) 一种高基频晶体谐振器的生产方法
CN110190827B (zh) 一种基于声表面波的离子束调频方法
Lee Fabrication of an array of surface mount device 32.768 kHz quartz tuning fork-type crystals: photolithography and selective etching of an array of quartz tuning fork resonators with subsequent photoresist spray coating
JP3911943B2 (ja) 圧電振動子及び圧電振動子の周波数調整方法
JPH0316409A (ja) 弾性表面波装置およびその製造方法
JP3823647B2 (ja) 圧電振動子と圧電振動片の周波数調整方法及び周波数調整用の加工装置
US6537622B2 (en) Method of prevention of particle pollution in a pre-clean chamber
JP3945103B2 (ja) 圧電振動子と圧電振動片の周波数調整方法及び周波数調整用の加工装置
CN111740009A (zh) 一种基于离子束增强腐蚀的压电晶圆表面处理方法
CN116705442B (zh) 一种贴片片式薄膜电阻网络及其制造方法
CN114640322B (zh) 一种调控fbar滤波器中心频率的方法
TWI852254B (zh) 一種類光柵結構金屬電極製造方法和電極
WO2023207053A1 (zh) 一种类光栅结构金属电极制造方法和电极
JP3227812B2 (ja) ドライエッチング方法
JP3879346B2 (ja) 圧電振動片の周波数調整方法及び周波数調整用の加工装置
JPS5839783A (ja) 反応性イオンエツチング装置

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination