CN117209899B - 一种无功补偿电容用金属化膜及其制备方法 - Google Patents
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Abstract
本发明涉及电容器技术领域,具体为一种无功补偿电容用金属化膜及其制备方法;所述金属化膜由以下重量份原料制成:20~22份间规聚丙烯、8~10份N,N‑二甲基甲酰胺、2~4份4‑二甲氨基吡啶、8~12份抗氧化剂、12~14份改性硅粉、6~10份马来酸酐、4~6份过氧化二异丙苯、3~5份白油以及5~8份氢化苯乙烯‑丁二烯‑苯乙烯嵌段共聚物;本发明所提供的无功补偿电容用金属化膜,不仅能有效地提高增强金属化膜的机械性能,即增强金属化膜的抗拉伸强度及改善热收缩率;而且还具有优异的介电性能。
Description
技术领域
本发明涉及电容器技术领域,具体为一种无功补偿电容用金属化膜及其制备方法。
背景技术
随着经济的发展和人民生活水平的提高,大量的居住楼盘、高档商场、宾馆、办公楼等民用建筑在城市中拔地而起,使城市用电量快速增长。但是,在这些民用建筑场所内使用的多为单相电感性负荷,因其自身功率因数较低,在电网中滞后无功功率的比重较大。为保证降低电网中的无功功率,提高功率因数,保证有功功率的充分利用,提高系统的供电效率和电压质量,减少线路损耗,降低配电线路的成本,节约电能,通常在低压供配电系统中装设电容器。
金属化膜作为薄膜电容器的核心介质材料,对电容器的性能起到很大作用,目前常用的金属化膜有聚丙烯、聚酯等。金属化膜是电容器的心脏,因此电容器制造芯子材质必须具有能承受大电流冲击以及具有优异的机械性能的金属化膜作介质,才能保证电容器长期稳定地工作。
因此,本发明提供一种无功补偿电容用金属化膜及其制备方法,用于解决上述所提出的相关技术问题。
发明内容
本发明的目的在于提供一种无功补偿电容用金属化膜及其制备方法,本发明所提供的无功补偿电容用金属化膜,不仅能有效地提高增强金属化膜的机械性能,即增强金属化膜的抗拉伸强度及改善热收缩率;而且还具有优异的介电性能。
为实现上述目的,本发明提供如下技术方案:
本发明的第一方面:提供了一种无功补偿电容用金属化膜,所述金属化膜由以下重量份原料制成:20~22份间规聚丙烯、8~10份N,N-二甲基甲酰胺、2~4份4-二甲氨基吡啶、8~12份抗氧化剂、12~14份改性硅粉、6~10份马来酸酐、4~6份过氧化二异丙苯、3~5份白油以及5~8份氢化苯乙烯-丁二烯-苯乙烯嵌段共聚物。
本发明进一步的设置为:所述抗氧化剂由4,4'-硫代双(6-叔丁基间甲酚)和氧化石墨烯按质量比为12~14:1混合复配而成。
本发明进一步的设置为:所述改性硅粉的制备过程如下:
按0.04~0.06 g/mL的固液比碳化硅粉置于适量的无水乙醇中,超声分散60~90min,得到分散液;
按1:0.2~0.3的质量比将分散液滴加到0.25mol/L的硫酸亚铁胺溶液中,于540~550r/min的转动下搅拌4h,得到混合液;
将混合液用无水乙醇清洗4~5次,分离所需固体,将所需固体于干燥箱内干燥后粉碎,得到改性硅粉。
本发明进一步的设置为:所述粉碎是将干燥后的所需固体于300~320r/min的粉碎机中粉碎12~15min。
本发明的第二方面:还提供了一种无功补偿电容用金属化膜制备方法,包括以下步骤:
I、将N,N-二甲基甲酰胺和间规聚丙烯置于反应釜内,并将反应釜升温至200~210℃,然后加入抗氧化剂,于120~130r/min的条件下混合均匀,反应20~22min,得到混合物A;
II、将马来酸酐、过氧化二异丙苯、白油以和氢化苯乙烯-丁二烯-苯乙烯嵌段共聚物置于搅拌机中,在120℃、35~145r/min的条件下混合均匀,得到混合物B;
III、将混合物A降温至170℃后,加入混合物B、4-二甲氨基吡啶和改性硅粉,在20~35r/min的条件下混合均匀,反应30~40min,然后升温至270℃,再保温反应3h;
IV、反应结束后,将反应釜的温度降至80℃,然后出料,冷却切粒,得到基料;
V、将基料经挤出机平模口缝隙挤出、拉伸辊拉伸、冷却辊冷却后再经退火得到基膜,将基膜送入真空镀膜机,在基膜的电晕面进行真空蒸镀作业形成锌镀层,并在镀锌层表面再镀一层铝镀层并进行升温扩散处理得到金属化薄膜。
本发明进一步的设置为:在所述步骤IV中的将反应釜的温度降至80℃是指以50℃/min降温速率迅速将反应釜的温度降至80℃。
本发明进一步的设置为:在所述步骤V中的挤出机平模口缝隙挤出温度为220~230℃,拉伸辊拉伸的拉伸比为1:120~140倍,退火温度为102~104℃,退火时间为40~60min。
本发明进一步的设置为:在所述步骤V中的将基膜送入真空镀膜机前,还包括将基膜进行电晕放电处理,然后再进行时效处理。
与现有技术相比,本发明的有益效果是:
本发明所提供的无功补偿电容用金属化膜,以间规聚丙烯、N,N-二甲基甲酰胺、4-二甲氨基吡啶、抗氧化剂、改性硅粉、马来酸酐、过氧化二异丙苯、白油以及氢化苯乙烯-丁二烯-苯乙烯嵌段共聚物等为原料,通过制备基料,再将基料送入真空镀膜机,在基膜的电晕面进行真空蒸镀作业形成锌镀层,并在镀锌层表面再镀一层铝镀层并进行升温扩散处理得到金属化薄膜,所得到的金属化膜,不仅能有效地提高增强金属化膜的机械性能,即增强金属化膜的抗拉伸强度及改善热收缩率;而且还具有优异的介电性能。由此表明本发明提供的无功补偿电容用金属化膜及其制备方法,具有更广阔的市场前景,更适宜推广。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案,下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本发明金属化膜的介电常数的示意图;
图2为本发明金属化膜的体积电阻率的示意图。
具体实施方式
下面将对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例,本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其它实施例,都属于本发明保护的范围。
实施例一
本实施例提供了一种无功补偿电容用金属化膜,所述金属化膜由以下重量份原料制成:20份间规聚丙烯、8份N,N-二甲基甲酰胺、2份4-二甲氨基吡啶、8份抗氧化剂、12份改性硅粉、6份马来酸酐、4份过氧化二异丙苯、3份白油以及5份氢化苯乙烯-丁二烯-苯乙烯嵌段共聚物。
其中,所述抗氧化剂由4,4'-硫代双(6-叔丁基间甲酚)和氧化石墨烯按质量比为12:1混合复配而成。
所述改性硅粉的制备过程如下:
按0.04 g/mL的固液比碳化硅粉置于适量的无水乙醇中,超声分散60min,得到分散液;
按1:0.2的质量比将分散液滴加到0.25mol/L的硫酸亚铁胺溶液中,于540r/min的转动下搅拌4h,得到混合液;
将混合液用无水乙醇清洗4次,分离所需固体,将所需固体于干燥箱内干燥后粉碎,得到改性硅粉。
进一步的,所述粉碎是将干燥后的所需固体于300r/min的粉碎机中粉碎12min。
此外,本实施例还提供了一种无功补偿电容用金属化膜制备方法,包括以下步骤:
I、将N,N-二甲基甲酰胺和间规聚丙烯置于反应釜内,并将反应釜升温至200℃,然后加入抗氧化剂,于120r/min的条件下混合均匀,反应20min,得到混合物A。
II、将马来酸酐、过氧化二异丙苯、白油以和氢化苯乙烯-丁二烯-苯乙烯嵌段共聚物置于搅拌机中,在120℃、35r/min的条件下混合均匀,得到混合物B。
III、将混合物A降温至170℃后,加入混合物B、4-二甲氨基吡啶和改性硅粉,在20r/min的条件下混合均匀,反应30min,然后升温至270℃,再保温反应3h。
IV、反应结束后,将反应釜的温度降至80℃,然后出料,冷却切粒,得到基料。
其中,将反应釜的温度降至80℃是指以50℃/min降温速率迅速将反应釜的温度降至80℃。
V、将基料经挤出机平模口缝隙挤出、拉伸辊拉伸、冷却辊冷却后再经退火得到基膜,将基膜送入真空镀膜机,在基膜的电晕面进行真空蒸镀作业形成锌镀层,并在镀锌层表面再镀一层铝镀层并进行升温扩散处理得到金属化薄膜。
其中,挤出机平模口缝隙挤出温度为220℃,拉伸辊拉伸的拉伸比为1:120倍,退火温度为102℃,退火时间为40min。
将基膜送入真空镀膜机前,还包括将基膜进行电晕放电处理,然后再进行时效处理。
实施例二
本实施例提供了一种无功补偿电容用金属化膜,所述金属化膜由以下重量份原料制成:21份间规聚丙烯、9份N,N-二甲基甲酰胺、3份4-二甲氨基吡啶、10份抗氧化剂、13份改性硅粉、8份马来酸酐、5份过氧化二异丙苯、4份白油以及6份氢化苯乙烯-丁二烯-苯乙烯嵌段共聚物。
其中,所述抗氧化剂由4,4'-硫代双(6-叔丁基间甲酚)和氧化石墨烯按质量比为13:1混合复配而成。
所述改性硅粉的制备过程如下:
按0.05 g/mL的固液比碳化硅粉置于适量的无水乙醇中,超声分散75min,得到分散液;
按1:0.3的质量比将分散液滴加到0.25mol/L的硫酸亚铁胺溶液中,于545r/min的转动下搅拌4h,得到混合液;
将混合液用无水乙醇清洗5次,分离所需固体,将所需固体于干燥箱内干燥后粉碎,得到改性硅粉。
进一步的,所述粉碎是将干燥后的所需固体于310r/min的粉碎机中粉碎13min。
此外,本实施例还提供了一种无功补偿电容用金属化膜制备方法,包括以下步骤:
I、将N,N-二甲基甲酰胺和间规聚丙烯置于反应釜内,并将反应釜升温至205℃,然后加入抗氧化剂,于125r/min的条件下混合均匀,反应21min,得到混合物A。
II、将马来酸酐、过氧化二异丙苯、白油以和氢化苯乙烯-丁二烯-苯乙烯嵌段共聚物置于搅拌机中,在120℃、100r/min的条件下混合均匀,得到混合物B。
III、将混合物A降温至170℃后,加入混合物B、4-二甲氨基吡啶和改性硅粉,在25r/min的条件下混合均匀,反应35min,然后升温至270℃,再保温反应3h。
IV、反应结束后,将反应釜的温度降至80℃,然后出料,冷却切粒,得到基料。
其中,将反应釜的温度降至80℃是指以50℃/min降温速率迅速将反应釜的温度降至80℃。
V、将基料经挤出机平模口缝隙挤出、拉伸辊拉伸、冷却辊冷却后再经退火得到基膜,将基膜送入真空镀膜机,在基膜的电晕面进行真空蒸镀作业形成锌镀层,并在镀锌层表面再镀一层铝镀层并进行升温扩散处理得到金属化薄膜。
其中,挤出机平模口缝隙挤出温度为225℃,拉伸辊拉伸的拉伸比为1:130倍,退火温度为103℃,退火时间为50min。
将基膜送入真空镀膜机前,还包括将基膜进行电晕放电处理,然后再进行时效处理。
实施例三
本实施例提供了一种无功补偿电容用金属化膜,所述金属化膜由以下重量份原料制成:22份间规聚丙烯、10份N,N-二甲基甲酰胺、4份4-二甲氨基吡啶、12份抗氧化剂、14份改性硅粉、10份马来酸酐、6份过氧化二异丙苯、5份白油以及8份氢化苯乙烯-丁二烯-苯乙烯嵌段共聚物。
其中,所述抗氧化剂由4,4'-硫代双(6-叔丁基间甲酚)和氧化石墨烯按质量比为14:1混合复配而成。
所述改性硅粉的制备过程如下:
按0.06 g/mL的固液比碳化硅粉置于适量的无水乙醇中,超声分散60~90min,得到分散液;
按1:0.3的质量比将分散液滴加到0.25mol/L的硫酸亚铁胺溶液中,于550r/min的转动下搅拌4h,得到混合液;
将混合液用无水乙醇清洗5次,分离所需固体,将所需固体于干燥箱内干燥后粉碎,得到改性硅粉。
进一步的,所述粉碎是将干燥后的所需固体于320r/min的粉碎机中粉碎15min。
此外,本实施例还提供了一种无功补偿电容用金属化膜制备方法,包括以下步骤:
I、将N,N-二甲基甲酰胺和间规聚丙烯置于反应釜内,并将反应釜升温至210℃,然后加入抗氧化剂,于130r/min的条件下混合均匀,反应22min,得到混合物A。
II、将马来酸酐、过氧化二异丙苯、白油以和氢化苯乙烯-丁二烯-苯乙烯嵌段共聚物置于搅拌机中,在120℃、145r/min的条件下混合均匀,得到混合物B。
III、将混合物A降温至170℃后,加入混合物B、4-二甲氨基吡啶和改性硅粉,在35r/min的条件下混合均匀,反应40min,然后升温至270℃,再保温反应3h。
IV、反应结束后,将反应釜的温度降至80℃,然后出料,冷却切粒,得到基料。
其中,将反应釜的温度降至80℃是指以50℃/min降温速率迅速将反应釜的温度降至80℃。
V、将基料经挤出机平模口缝隙挤出、拉伸辊拉伸、冷却辊冷却后再经退火得到基膜,将基膜送入真空镀膜机,在基膜的电晕面进行真空蒸镀作业形成锌镀层,并在镀锌层表面再镀一层铝镀层并进行升温扩散处理得到金属化薄膜。
其中,挤出机平模口缝隙挤出温度为230℃,拉伸辊拉伸的拉伸比为1:140倍,退火温度为104℃,退火时间为60min。
将基膜送入真空镀膜机前,还包括将基膜进行电晕放电处理,然后再进行时效处理。
对比例一:本实施例所提供的无功补偿电容用金属化膜及其制备方法和实施例一大致相同,其主要区别在于:本实施例中抗氧化剂采用抗氧剂DSTP1-2。
对比例二:本实施例所提供的无功补偿电容用金属化膜及其制备方法和实施例一大致相同,其主要区别在于:本实施例中改性硅粉由碳化硅粉代替。
对比例三:本实施例所提供的无功补偿电容用金属化膜及其制备方法和实施例一大致相同,其主要区别在于:本实施例中不含马来酸酐;
对比例四:本实施例所提供的无功补偿电容用金属化膜及其制备方法和实施例一大致相同,其主要区别在于:在步骤III中直接加入混合物B、4-二甲氨基吡啶和改性硅粉到混合物A中反应3h。
效果测试
分别将通过本发明中实施例一~三制备的金属化膜记作实验例1~3;通过对比例一~四制备的金属化膜记作对比例1~4;然后分别对等量的各组金属化膜样品的性能进行检测。
测试试验1、机械性能试验及结果分析:
按照SJ/T10464-93的检测标准,对各组金属化膜样品的性能进行检测。
可知,实例1~3组的金属化膜具有显著的提升抗拉强度和降低热收缩率的效果,而且各实例组之间的差异并不明显。
为验证本添加剂各组分的作用,设置了对比例1~4的试验。
对比1组和实例1组的金属化膜主要区别在于抗氧化剂采用抗氧剂DSTP1-2。与实例1组相比发现,对比1组的抗拉强度降低了33MPa、热收缩率增加了1.28%。该结果表明抗氧化剂对增强金属化膜的抗拉伸强度及改善热收缩率方面具有一定作用。
对比2组和实例1组的金属化膜主要区别在于改性硅粉由碳化硅粉代替。与实例1组相比发现,对比2组的抗拉强度降低了44MPa、热收缩率增加了1.26%。该结果表明改性硅粉对增强金属化膜的抗拉伸强度及改善热收缩率方面起到重要作用。
对比3组和实例1组的金属化膜主要区别在于不含马来酸酐。与实例1组相比发现,对比3组的抗拉强度降低了21MPa、热收缩率增加了0.63%。该结果表明马来酸酐对增强金属化膜的抗拉伸强度及改善热收缩率方面起到作用。
对比4组和实例1组的金属化膜主要区别在于直接加入混合物B、4-二甲氨基吡啶和改性硅粉到混合物A中反应3h。与实例1组相比发现,对比4组的抗拉强度降低了62MPa、热收缩率增加了1.9%。该结果表明本发明的步骤中:将混合物A降温至170℃后,加入混合物B、4-二甲氨基吡啶和改性硅粉,在35r/min的条件下混合均匀,反应40min,然后升温至270℃,在保温反应3h,对增强金属化膜的抗拉伸强度及改善热收缩率方面起到重要作用。
测试试验2、介电性能试验及结果分析
按照GB/T13542.2-2009的检测标准,对各组金属化膜样品的性能进行检测。
由图1~图2可知,实例1~3组的金属化膜具有优异的介电性能,而且各实例组之间的差异并不明显。
为验证本添加剂各组分的作用,设置了对比例1~4的试验。
对比1组和实例1组的金属化膜主要区别在于抗氧化剂采用抗氧剂DSTP1-2。与实例1组相比发现,对比1组的介电常数降低了2.0ε、体积电阻率减少了0.2×1015Ω·m。该结果表明抗氧化剂对金属化膜的介电性能发挥重要作用。
对比2组和实例1组的金属化膜主要区别在于改性硅粉由碳化硅粉代替。与实例1组相比发现,对比2组的介电常数降低了0.1ε、体积电阻率减少了0.2×1015Ω·m。该结果表明改性硅粉对金属化膜的介电性能方面影响不大。
对比3组和实例1组的金属化膜主要区别在于不含马来酸酐。与实例1组相比发现,对比3组的介电常数降低了1.6ε、体积电阻率减少了2.1×1015Ω·m。该结果表明马来酸酐对金属化膜的介电性能发挥一定作用。
对比4组和实例1组的金属化膜主要区别在于不含马来酸酐。与实例1组相比发现,对比4组的介电常数降低了0.1ε、体积电阻率减少了0.2×1015Ω·m。该结果表明本发明的步骤中:将混合物A降温至170℃后,加入混合物B、4-二甲氨基吡啶和改性硅粉,在35r/min的条件下混合均匀,反应40min,然后升温至270℃,在保温反应3h,对金属化膜的介电性能方面影响不大。
由上述所述可知,本发明所提供的无功补偿电容用金属化膜的制备方法,所得到的金属化膜能有效地提高增强金属化膜的机械性能,即增强金属化膜的抗拉伸强度及改善热收缩率;而且还具有优异的介电性能。由此表明本发明提供的无功补偿电容用金属化膜及其制备方法,具有更广阔的市场前景,更适宜推广。
在本说明书的描述中,参考术语“一个实施例”、“示例”、“具体示例”等的描述意指结合该实施例或示例描述的具体特征、结构、材料或者特点包含于本发明的至少一个实施例或示例中。在本说明书中,对上述术语的示意性表述不一定指的是相同的实施例或示例。而且,描述的具体特征、结构、材料或者特点可以在任何的一个或多个实施例或示例中以合适的方式结合。
以上公开的本发明优选实施例只是用于帮助阐述本发明。优选实施例并没有详尽叙述所有的细节,也不限制该发明仅为所述的具体实施方式。显然,根据本说明书的内容,可作很多的修改和变化。本说明书选取并具体描述这些实施例,是为了更好地解释本发明的原理和实际应用,从而使所属技术领域技术人员能很好地理解和利用本发明。本发明仅受权利要求书及其全部范围和等效物的限制。
Claims (5)
1.一种无功补偿电容用金属化膜,其特征在于:所述金属化膜由以下重量份原料制成:20~22份间规聚丙烯、8~10份N,N-二甲基甲酰胺、2~4份4-二甲氨基吡啶、8~12份抗氧化剂、12~14份改性硅粉、6~10份马来酸酐、4~6份过氧化二异丙苯、3~5份白油以及5~8份氢化苯乙烯-丁二烯-苯乙烯嵌段共聚物;
所述抗氧化剂由4,4'-硫代双(6-叔丁基间甲酚)和氧化石墨烯按质量比为12~14:1混合复配而成;
所述改性硅粉的制备过程如下:
按0.04~0.06 g/mL的固液比碳化硅粉置于适量的无水乙醇中,超声分散60~90min,得到分散液;
按1:0.2~0.3的质量比将分散液滴加到0.25mol/L的硫酸亚铁胺溶液中,于540~550r/min的转动下搅拌4h,得到混合液;
将混合液用无水乙醇清洗4~5次,分离所需固体,将所需固体于干燥箱内干燥后粉碎,得到改性硅粉;
所述无功补偿电容用金属化膜的制备方法,包括以下步骤:
I、将N,N-二甲基甲酰胺和间规聚丙烯置于反应釜内,并将反应釜升温至200~210℃,然后加入抗氧化剂,于120~130r/min的条件下混合均匀,反应20~22min,得到混合物A;
II、将马来酸酐、过氧化二异丙苯、白油以和氢化苯乙烯-丁二烯-苯乙烯嵌段共聚物置于搅拌机中,在120℃、35~145r/min的条件下混合均匀,得到混合物B;
III、将混合物A降温至170℃后,加入混合物B、4-二甲氨基吡啶和改性硅粉,在20~35r/min的条件下混合均匀,反应30~40min,然后升温至270℃,再保温反应3h;
IV、反应结束后,将反应釜的温度降至80℃,然后出料,冷却切粒,得到基料;
V、将基料经挤出机平模口缝隙挤出、拉伸辊拉伸、冷却辊冷却后再经退火得到基膜,将基膜送入真空镀膜机,在基膜的电晕面进行真空蒸镀作业形成锌镀层,并在镀锌层表面再镀一层铝镀层并进行升温扩散处理得到金属化薄膜。
2.根据权利要求1中所述的一种无功补偿电容用金属化膜,其特征在于:所述粉碎是将干燥后的所需固体于300~320r/min的粉碎机中粉碎12~15min。
3.根据权利要求1中所述的一种无功补偿电容用金属化膜,其特征在于:在所述步骤IV中的将反应釜的温度降至80℃是指以50℃/min降温速率迅速将反应釜的温度降至80℃。
4.根据权利要求1中所述的一种无功补偿电容用金属化膜,其特征在于:在所述步骤V中的挤出机平模口缝隙挤出温度为220~230℃,拉伸辊拉伸的拉伸比为1:120~140倍,退火温度为102~104℃,退火时间为40~60min。
5.根据权利要求1中所述的一种无功补偿电容用金属化膜,其特征在于:在所述步骤V中的将基膜送入真空镀膜机前,还包括将基膜进行电晕放电处理,然后再进行时效处理。
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