CN117026214A - 导电载具及半导体加工设备 - Google Patents

导电载具及半导体加工设备 Download PDF

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Abstract

本发明属于光伏材料加工设备技术领域，公开了一种导电载具及半导体加工设备。该导电载具能够连接于射频电源，并使电池片处于射频电场中，包括载具本体和导电结构。该载具本体包括载片部和多组导电部，该载片部能够承托该电池片，多组导电部分别设置于载片部的周侧；该导电结构能够与射频电源电连接，多组该导电部分别电连接于该导电结构，多组该导电部中的一部分或全部能够对该载片部进行射频馈入。该导电载具能够实现多向射频馈入效果，进而提升射频电场的分布均匀性，提升镀膜效果。

Description

导电载具及半导体加工设备
技术领域
本发明涉及光伏材料加工设备技术领域，尤其涉及一种导电载具及半导体加工设备。
背景技术
半导体加工设备能够对光伏材料(如太阳能硅片)进行镀膜，镀膜的主要目的是提高太阳能电池片的光转换率，例如利用等离子体增强化学气相沉积方式对光伏材料如太阳能硅片进行镀膜，这道工序运用等离子体增强化学气相沉积技术，通过晶舟、射频电源以及适量的反应气体在硅片表面沉淀一层深蓝色氮化硅膜。
目前，半导体加工设备中应用到的晶舟仅一端连接于射频电源，当晶舟的长度尺寸较长时，上述射频馈入方式不利于射频电场在晶舟上的均匀分布，进而影响太阳能硅片的镀膜效果。
因此，亟需一种导电载具及半导体加工设备，以解决以上问题。
发明内容
根据本发明的一个方面，目的在于提供一种导电载具，该导电载具能够实现多向射频馈入效果，进而提升射频电场的分布均匀性，提升PECVD镀膜效果。
为达此目的，本发明采用以下技术方案：
导电载具，能够连接于射频电源，并使电池片处于射频电场中，包括：
载具本体，所述载具本体包括载片部和多组导电部，所述载片部能够承托所述电池片，多组所述导电部分别设置于所述载片部的周侧；
导电结构，所述导电结构能够与所述射频电源电连接，多组所述导电部分别电连接于所述导电结构，多组所述导电部中的一部分或全部能够对所述载片部进行射频馈入。
作为本发明提供的导电载具的可选方案，所述载片部包括多个正极载具片和多个负极载具片，所述正极载具片和所述负极载具片交替并间隔设置，相邻的所述正极载具片和所述负极载具片之间形成载片空间，所述载片空间用于放置所述电池片；
所述导电部包括正极导电杆和负极导电杆，所述正极导电杆和所述负极导电杆间隔设置于所述载片部的侧部，并分别电连接于所述导电结构，所述正极导电杆电连接于多个所述正极载具片，所述负极导电杆电连接于多个所述负极载具片。
作为本发明提供的导电载具的可选方案，所述载片部相对的两侧部均设置有多个所述正极导电杆和多个所述负极导电杆，同一侧的所述正极导电杆和所述负极导电杆交替设置。
作为本发明提供的导电载具的可选方案，所述正极导电杆贯穿并电连接于多个所述正极载具片，所述正极载具片对应于所述负极导电杆的位置设置第一避让槽，所述负极导电杆绝缘穿设于所述第一避让槽；
所述负极导电杆贯穿并电连接于多个所述负极载具片，所述负极载具片对应于所述正极导电杆的位置设置第二避让槽，所述正极导电杆绝缘穿设于所述第二避让槽。
作为本发明提供的导电载具的可选方案，所述正极导电杆包括第一导电件、连通导电件、底部绝缘套筒和绝缘底套；
所述第一导电件为多个，多个所述第一导电件依次连接，所述连通导电件连接于所述位于底部的所述第一导电件，所述底部绝缘套筒套设于所述连通导电件外，所述绝缘底套套设于所述正极导电杆的底部，并衔接于所述底部绝缘套筒。
作为本发明提供的导电载具的可选方案，所述导电结构包括正导电件、负导电件、正导电连接件和负导电连接件，所述正导电件和所述负导电件之间绝缘，所述正导电连接件连接于所述正导电件和所述正极导电杆，所述负导电连接件连接于所述负导电件和所述负极导电杆。
作为本发明提供的导电载具的可选方案，所述导电载具还包括支撑架，所述支撑架包括底板、顶架和多个绝缘支柱，所述载具本体绝缘设置于所述底板和所述顶架之间，多个所述绝缘支柱分别支撑于所述底板和所述顶架之间，所述导电结构绝缘设置于所述底板。
作为本发明提供的导电载具的可选方案，所述载具本体还包括隔板，所述隔板为两个，分别位于所述载具本体的顶端和底端，并分别间隔设置于所述顶架和所述底板，被配置为防止所述载具本体与所述顶架之间和与所述底板之间形成电场空间。
作为本发明提供的导电载具的可选方案，所述导电载具包括多个所述载具本体，多个所述载具本体分别电连接于所述导电结构。
根据本发明的另一个方面，目的在于提供一种半导体加工设备包括腔体和所述射频电源，还包括上述方案任一项所述的导电载具，所述载具本体设置于所述腔体中，所述导电结构电连接于所述射频电源。
本发明的有益效果：
本发明提供的导电载具能够连接于射频电源，并使电池片处于射频电场中，包括载具本体和导电结构。该载具本体包括载片部和多组导电部，该载片部能够承托该电池片，多组所述导电部分别设置于所述载片部的周侧；该导电结构电连接于该射频电源，多组该导电部分别电连接于该导电结构，多组该导电部中的一部分或全部能够对该载片部进行射频馈入。也就是说，通过多组分别设置在载片部的周侧的导电部，可以通过导电结构对载片部进行射频馈入，还能够通过导电部对载片部进行射频馈入，从而实现载片部的多向射频馈入，无需局限于馈入方向，利于射频电场在晶舟上的均匀分布，进而提升太阳能硅片的镀膜效果。
附图说明
图1是本发明实施例提供的导电载具的结构示意图；
图2是本发明实施例提供的载具本体的结构示意图；
图3是图2中结构标记为A的局部放大图；
图4是图2中结构标记为B的局部放大图；
图5是本发明实施例提供的载具本体绝缘柱的轴向剖视图；
图6是本发明实施例提供的正极导电杆的轴向剖视图；
图7是本发明实施例提供的支撑架和导电结构的结构示意图；
图8是图7中结构标记为C的局部放大图；
图9是图7中结构标记为D的局部放大图。
图中：
100、载具本体；110、正极载具片；120、负极载具片；130、正极导电杆；131、第一导电件；132、顶部绝缘螺钉；133、绝缘套筒；134、连通导电件；135、底部绝缘套筒；136、绝缘底套；140、负极导电杆；150、隔板；160、载具本体绝缘柱；161、第一绝缘块；162、第二绝缘块；163、绝缘连接螺钉；164、绝缘垫块；
200、导电结构；210、正导电件；220、负导电件；230、正导电连接件；250、绝缘隔套；260、绝缘套；
300、支撑架；310、底板；320、顶架；330、绝缘支柱；340、支撑脚。
具体实施方式
下面结合附图和实施例对本发明作进一步的详细说明。可以理解的是，此处所描述的具体实施例仅仅用于解释本发明，而非对本发明的限定。另外还需要说明的是，为了便于描述，附图中仅示出了与本发明相关的部分而非全部结构。
在本发明的描述中，除非另有明确的规定和限定，术语“相连”、“连接”、“固定”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或成一体；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通或两个元件的相互作用关系。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本发明中的具体含义。
在本发明中，除非另有明确的规定和限定，第一特征在第二特征之“上”或之“下”可以包括第一和第二特征直接接触，也可以包括第一和第二特征不是直接接触而是通过它们之间的另外的特征接触。而且，第一特征在第二特征“之上”、“上方”和“上面”包括第一特征在第二特征正上方和斜上方，或仅仅表示第一特征水平高度高于第二特征。第一特征在第二特征“之下”、“下方”和“下面”包括第一特征在第二特征正下方和斜下方，或仅仅表示第一特征水平高度小于第二特征。
在本实施例的描述中，术语“上”、“下”、“右”、“左”等方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述和简化操作，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本发明的限制。此外，术语“第一”、“第二”仅仅用于在描述上加以区分，并没有特殊的含义。
本实施例提供了一种导电载具及半导体加工设备。该半导体加工设备包括腔体和射频电源，还包括本实施例提供的导电载具。
图1示出本发明实施例提供的导电载具的结构示意图，参照图1，该导电载具能够连接于射频电源，并使电池片处于射频电场中。该导电载具包括载具本体100、导电结构200和支撑架300。该载具本体100绝缘设置于支撑架300中，该支撑架300设置于该腔体中，该导电结构200电连接于该射频电源。
在一实施例中，参照图1，该支撑架300包括底板310、顶架320和多个绝缘支柱330。该载具本体100绝缘设置于该底板310和该顶架320之间，多个该绝缘支柱330分别支撑于该底板310和该顶架320之间，以对底板310和该顶架320进行固定，并在支撑架300的长度方向上对载具本体100进行限位。该导电结构200绝缘设置于该底板310的一端部位置。
进一步地，该支撑架300还包括多个支撑脚340。多个支撑脚340呈矩形阵列布置，分别固定设置于该底板310的下方，以对该支撑架300形成支撑。
进一步地，该载具本体100包括载片部和多组导电部，该载片部能够承托该电池片，多组所述导电部分别设置于所述载片部的周侧。该导电结构200电连接于该射频电源，多组该导电部分别电连接于该导电结构200，多组该导电部中的一部分或全部能够对该载片部进行射频馈入。也就是说，通过多组分别设置在载片部的周侧的导电部，可以通过导电结构对载片部进行射频馈入，还能够通过导电部对载片部进行射频馈入，从而实现载片部的多向射频馈入，无需局限于馈入方向，利于射频电场在晶舟上的均匀分布，进而提升太阳能硅片的镀膜效果。
图2示出本发明实施例提供的载具本体的结构示意图；图3示出图2中结构标记为A的局部放大图；图4示出图2中结构标记为B的局部放大图。参照如2-图4，该载片部包括多个正极载具片110和多个负极载具片120。在一实施例中，该正极载具片110和该负极载具片120沿该载具本体100的高度方向交替并间隔设置，相邻的该正极载具片110和该负极载具片120之间形成载片空间，该载片空间用于放置该电池片。此时，能够通过水平插片的方式将电池片插设于载片空间。
可选地，在另一实施例中，该正极载具片110和该负极载具片120还可以沿该载具本体100的长度方向或宽度方向交替并间隔设置。相邻的该正极载具片110和该负极载具片120之间形成载片空间，此时，能够通过竖直插片的方式将电池片插设于载片空间中。
进一步地，该载具本体100还包括隔板150。该隔板150为两个，分别位于该载具本体100的顶端和底端，并分别间隔设置于该顶架320和该底板310，被配置为防止该载具本体100与该顶架320之间和与该底板310之间形成电场空间。
图5示出本发明实施例提供的载具本体绝缘柱的轴向剖视图，参照图2、图4和图5，该载具本体100还包括多个载具本体绝缘柱160。该载具本体绝缘柱160呈矩形阵列布置，分别沿该载具本体100的高度方向贯穿并固连于多个正极载具片110和多个负极载具片120，以保持相邻的正极载具片110和负极载具片120之间的绝缘，同时使上述两者保持相互平行间隔布置，进而保证载片空间的结构稳定性。
在一实施例中，该载具本体绝缘柱160包括多个沿载具本体100的高度方向连接布置的第一绝缘块161。该第一绝缘块161包括一体成型的外攻螺纹绝缘段和内螺纹绝缘段。该外螺纹绝缘段的直径小于内螺纹绝缘段的外径，且固定于内螺纹绝缘段的一端，内螺纹绝缘段背离外螺纹绝缘段的一端开设第一螺孔。一个第一绝缘块161的外螺纹绝缘段能够螺接于另一个第一绝缘块161的内螺纹绝缘段的第一螺孔中。按照上述方式，依次进行多个第一绝缘块161的连接。
进一步地，参照图4和图5，该载具本体绝缘柱160还包括第二绝缘块162和绝缘连接螺钉163。该第二绝缘块162连接于位于底部的第一绝缘块161，并位于支撑架300的底板310上方，该绝缘连接螺钉163自该底板310的下方贯穿该底板310的预设安装孔，并螺接于该第二绝缘块162，实现该载具本体绝缘柱160在底板310上的可靠连接。位于顶部的第一绝缘块161的外螺纹绝缘段自顶架320的下方穿出至顶架320的上方，并在顶架320的上方利用绝缘螺母对第一绝缘块161的外螺纹绝缘段进行固定，即可实现载具本体绝缘柱160在顶架320上的可靠连接。
进一步地，该载具本体绝缘柱160还包括绝缘垫块164。该绝缘垫块164穿设于第二绝缘块162位于底板310上方的一部分，夹设于隔板150和位于底部并与该隔板150相邻设置的正极载具片110或负极载具片120之间。
图6是本发明实施例提供的正极导电杆的轴向剖视图，参照图2、图3和图6，本实施例提供的导电部包括正极导电杆130和负极导电杆140，该正极导电杆130和该负极导电杆140间隔设置于该载片部的侧部，并分别电连接于该导电结构200，该正极导电杆130电连接于多个该正极载具片110，该负极导电杆140电连接于多个该负极载具片120。
在一实施例中，该载片部相对的两侧部均设置有多个该正极导电杆130和多个该负极导电杆140，同一侧的该正极导电杆130和该负极导电杆140交替设置，相对两侧部的其中一侧的正极导电杆130和对应于另一侧的负极导电杆140，以此方式提升多点射频馈入时，射频电场的均匀性。
进一步地，参照图3，该正极导电杆130贯穿并电连接于多个该正极载具片110；该负极导电杆140贯穿并电连接于多个该负极载具片120。该正极载具片110对应于该负极导电杆140的位置设置第一避让槽，该负极导电杆140绝缘穿设于该第一避让槽；同样地，该负极载具片120对应于该正极导电杆130的位置设置第二避让槽，该正极导电杆130绝缘穿设于该第二避让槽。
图7是本发明实施例提供的支撑架和导电结构的结构示意图，再为具体地，参照图6和图7，该正极导电杆130和负极导电杆140的结构相同，本实施例以正极导电杆130为例进行说明。
在一实施例中，该正极导电杆130包括多个第一导电件131。多个第一导电件131沿载具本体100的高度方向依次连接。该第一导电件131包括一体成型的外螺纹导电段和内螺纹导电段。该外螺纹导电段的直径小于内螺纹导电段的外径，且固定于内螺纹导电段的一端，内螺纹导电段背离外螺纹导电段的一端开设第二螺孔。一个第一导电件131的外螺纹导电段能够螺接于另一个第一导电件131的内螺纹导电段的第二螺孔中。按照上述方式，依次进行多个第一导电件131的连接。
进一步地，该正极导电杆130还包括顶部绝缘螺钉132和多个绝缘套筒133。该顶部绝缘螺钉132自顶端开口螺接于该顶部绝缘螺钉132中，位于顶部的第一导电件131的外螺纹导电段自底端开口螺接于该绝缘套筒133中。每相邻两个第一导电件131中，位于下方的第一导电件131的内螺纹导电段的上端面和位于上方的第一导电件131的内螺纹导电段的下端面之间留有安装间隙，该间隙的高度等于正极导电杆130的厚度，当该正极导电杆130贯穿多个正极载具片110时，正极导电杆130与安装间隙一一对应并插设于该安装间隙中，该正极载具片110能够接触于两个相邻的第一导电件131。通过上述设置实现多个正极载具片110之间的电连接。该顶部绝缘螺钉132能够连接于顶架顶架320，实现正极导电杆130与顶架320的可靠连接。
进一步地，该正极导电杆130还包括连通导电件134、底部绝缘套筒135、绝缘底套136。该连通导电件134的顶端螺接于位于底部的第一导电件131的第二螺孔中，且底部绝缘套筒135套设于该连通导电件134的外部，该连通导电件134和位于底部的第一导电件131之间同样设置有安装间隙，该安装间隙用于实现与导电结构200之间的电连接。该连通导电件134贯穿于底板310中，该底部绝缘套筒135用于使正极导电杆130和底板310之间形成绝缘。该绝缘底套136套设于该正极导电杆130的底部，并衔接于底部绝缘套筒135，用于对穿出底板310下方的连通导电件134进行绝缘。
图8是图7中结构标记为C的局部放大图。参照图7和图8，本实施例提供的该导电结构200包括正导电件210、负导电件220、正导电连接件230和负导电连接件，该正导电件210为多个，该负导电件220为多个，正导电件210和负导电件220交替并排设置，两者之间设置绝缘隔套250以进行绝缘。该正导电连接件230连接于该正导电件210和该正极导电杆130，该负导电连接件连接于该负导电件220和该负极导电杆140。
图9示出图7中结构标记为D的局部放大图，参照图7和图9，具体地，该正导电连接件230贴靠底板310的上端面，并规则弯折，延伸至对应的正极导电杆130。相同地，该负导电连接件贴靠底板310的上端面，并规则弯折，延伸至对应的负极导电杆140。该正导电连接件230对应于正极导电杆130的能够卡设在连通导电件134和位于底部的第一导电件131之间的安装间隙中，并接触连接于连通导电件134和位于底部的第一导电件131，实现正导电连接件230与正极导电杆130的电连接。该负导电连接件通过同样的连接方式与负极导电杆140进行电连接。
进一步地，该正导电连接件230和负导电连接件外部均包覆有绝缘套260，且该绝缘套260在对应与正极导电杆130或负极导电杆140的位置开设通孔，如图9所示，用于暴露该正导电连接件230或负导电连接件，便于正导电连接件230与正极导电杆130的连接，或负导电连接件与负极导电杆140的连接。
在一实施例中，继续参照图1，该导电载具包括多个该载具本体100，多个该载具本体100沿长度方向设置于支撑架300，分别电连接于该导电结构200，相邻两个载具本体100之间夹设有一组绝缘支柱330，以在支撑架300的长度方向上对多个载具本体100进行限位。也就是说，上述多个载具本体100之间呈并联方式与导电结构200进行连接。例如，上述载具本体为两个，两个载具本体之间呈并联方式与导电结构200进行连接，设有两组射频电源，则导电结构200包括四个导电件，相邻的正导电件210与负导电件220为一组导电结构，每组导电结构200分别对对应的载具本体的导电部进行射频馈入。上述方式有利于射频功率在多个载具本体100上的均匀分布，有利于提升多个载具本体100上的电池片的镀膜效果的均一性。
具体地，在本实施例中，一个载具本体100上设置有两个正极导电杆130和两个负极导电杆140。该载具本体100的宽度方向上的两侧分别定义为第一侧部和第二侧部，上述第一侧部和第二侧部分别设置有一个正极导电杆130和一个负极导电杆140。同一个载具本体100可以具有如下几种射频馈入方式：
(1)通过第一侧部的正极导电杆130和负极导电杆140进行射频馈入；
(2)通过第二侧部的正极导电杆130和负极导电杆140进行射频馈入；
(3)通过第一侧部的正极导电杆130和第二侧部的负极导电杆140进行射频馈入；
(4)通过第二侧部的正极导电杆130和第一侧部的负极导电杆140进行射频馈入；
(5)通过第一侧部的正极导电杆130和负极导电杆140，以及第二侧部的正极导电杆130和负极导电杆140同时进行射频馈入；
(6)通过导电结构200、第一侧部的正极导电杆130、第一侧部的负极导电杆140进行射频馈入。
在一实施例中，多个载具本体100之间可以呈串联方式与导电结构200进行连接，不同载具本体100的正极载具片110电连接，不同载具本体100的负极载具片120电连接，在底板310一端部位置的导电结构200只要设置一个正导电件210与一个负导电件220，该导电结构200与一个射频电源电连接。
也就是说，多个载具本体100还具有如下射频馈入方式：
通过一个载具本体100的一个正极导电杆130和一个负极导电杆140以实现多个载具本体100的射频馈入，并实现多个载具本体100的功率分配。
显然，本发明的上述实施例仅仅是为了清楚说明本发明所作的举例，而并非是对本发明的实施方式的限定。对于所属领域的普通技术人员来说，能够进行各种明显的变化、重新调整和替代而不会脱离本发明的保护范围。这里无需也无法对所有的实施方式予以穷举。凡在本发明的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等，均应包含在本发明权利要求的保护范围之内。

Claims (10)

1.导电载具，其特征在于，能够连接于射频电源，并使电池片处于射频电场中，所述导电载具包括：
载具本体(100)，所述载具本体(100)包括载片部和多组导电部，所述载片部能够承托所述电池片，多组所述导电部分别设置于所述载片部的周侧；
导电结构(200)，所述导电结构(200)能够与所述射频电源电连接，多组所述导电部分别电连接于所述导电结构(200)，多组所述导电部中至少一部分能够对所述载片部进行射频馈入。
2.根据权利要求1所述的导电载具，其特征在于，所述载片部包括多个正极载具片(110)和多个负极载具片(120)，所述正极载具片(110)和所述负极载具片(120)交替并间隔设置，相邻的所述正极载具片(110)和所述负极载具片(120)之间形成载片空间，所述载片空间用于放置所述电池片；
所述导电部包括正极导电杆(130)和负极导电杆(140)，所述正极导电杆(130)和所述负极导电杆(140)间隔设置于所述载片部的侧部，并分别电连接于所述导电结构(200)，所述正极导电杆(130)电连接于多个所述正极载具片(110)，所述负极导电杆(140)电连接于多个所述负极载具片(120)。
3.根据权利要求2所述的导电载具，其特征在于，所述载片部相对的两侧部均设置有多个所述正极导电杆(130)和多个所述负极导电杆(140)，同一侧的所述正极导电杆(130)和所述负极导电杆(140)交替设置。
4.根据权利要求2所述的导电载具，其特征在于，所述正极导电杆(130)贯穿并电连接于多个所述正极载具片(110)，所述正极载具片(110)对应于所述负极导电杆(140)的位置设置第一避让槽，所述负极导电杆(140)绝缘穿设于所述第一避让槽；
所述负极导电杆(140)贯穿并电连接于多个所述负极载具片(120)，所述负极载具片(120)对应于所述正极导电杆(130)的位置设置第二避让槽，所述正极导电杆(130)绝缘穿设于所述第二避让槽。
5.根据权利要求2所述的导电载具，其特征在于，所述正极导电杆(130)包括第一导电件(131)、连通导电件(134)、底部绝缘套筒(135)和绝缘底套(136)；
所述第一导电件(131)为多个，多个所述第一导电件(131)依次连接，所述连通导电件(134)连接于位于底部的所述第一导电件(131)，所述底部绝缘套筒套设于所述连通导电件(134)外，所述绝缘底套(136)套设于所述正极导电杆(130)的底部，并衔接于所述底部绝缘套筒(135)。
6.根据权利要求2所述的导电载具，其特征在于，所述导电结构(200)包括正导电件(210)、负导电件(220)、正导电连接件(230)和负导电连接件，所述正导电件(210)和所述负导电件(220)之间绝缘，所述正导电连接件(230)连接于所述正导电件(210)和所述正极导电杆(130)，所述负导电连接件连接于所述负导电件(220)和所述负极导电杆(140)。
7.根据权利要求1所述的导电载具，其特征在于，所述导电载具还包括支撑架(300)，所述支撑架(300)包括底板(310)、顶架(320)和多个绝缘支柱(330)，所述载具本体(100)绝缘设置于所述底板(310)和所述顶架(320)之间，多个所述绝缘支柱(330)分别支撑于所述底板(310)和所述顶架(320)之间，所述导电结构(200)绝缘设置于所述底板(310)。
8.根据权利要求7所述的导电载具，其特征在于，所述载具本体(100)还包括隔板(150)，所述隔板(150)为两个，分别位于所述载具本体(100)的顶端和底端，并分别间隔设置于所述顶架(320)和所述底板(310)，被配置为防止所述载具本体(100)与所述顶架(320)之间和与所述底板(310)之间形成电场空间。
9.根据权利要求1所述的导电载具，其特征在于，所述导电载具包括多个所述载具本体(100)，多个所述载具本体(100)分别电连接于所述导电结构(200)。
10.半导体加工设备，其特征在于，包括腔体和所述射频电源，还包括权利要求1-9任一项所述的导电载具，所述载具本体(100)设置于所述腔体中，所述导电结构(200)电连接于所述射频电源。
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Citations (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2014022239A (ja) * 2012-07-19 2014-02-03 Sanyo Electric Co Ltd 電池パック
CN103866282A (zh) * 2012-12-14 2014-06-18 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 Pecvd设备
CN109082649A (zh) * 2018-09-06 2018-12-25 深圳市捷佳伟创新能源装备股份有限公司 一种稳定镀膜的载片装置
CN111244228A (zh) * 2020-02-10 2020-06-05 深圳市拉普拉斯能源技术有限公司 一种用于半导体或光伏材料加工的装置
WO2021212807A1 (zh) * 2020-04-22 2021-10-28 宁夏隆基乐叶科技有限公司 一种载片器和镀膜系统
CN214830619U (zh) * 2021-01-20 2021-11-23 龙鳞(深圳)新材料科技有限公司 一种射频分控装置和真空镀膜设备
CN215404513U (zh) * 2021-04-09 2022-01-04 深圳市捷佳伟创新能源装备股份有限公司 电场装置及管式pecvd设备
CN215799888U (zh) * 2021-04-09 2022-02-11 深圳市捷佳伟创新能源装备股份有限公司 管式pecvd设备
CN217009145U (zh) * 2021-11-23 2022-07-19 泰州隆基乐叶光伏科技有限公司 一种石墨舟
CN115631987A (zh) * 2022-08-23 2023-01-20 江苏微导纳米科技股份有限公司 一种舟脚、载具和沉积设备

Patent Citations (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2014022239A (ja) * 2012-07-19 2014-02-03 Sanyo Electric Co Ltd 電池パック
CN103866282A (zh) * 2012-12-14 2014-06-18 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 Pecvd设备
CN109082649A (zh) * 2018-09-06 2018-12-25 深圳市捷佳伟创新能源装备股份有限公司 一种稳定镀膜的载片装置
CN111244228A (zh) * 2020-02-10 2020-06-05 深圳市拉普拉斯能源技术有限公司 一种用于半导体或光伏材料加工的装置
WO2021212807A1 (zh) * 2020-04-22 2021-10-28 宁夏隆基乐叶科技有限公司 一种载片器和镀膜系统
CN214830619U (zh) * 2021-01-20 2021-11-23 龙鳞(深圳)新材料科技有限公司 一种射频分控装置和真空镀膜设备
CN215404513U (zh) * 2021-04-09 2022-01-04 深圳市捷佳伟创新能源装备股份有限公司 电场装置及管式pecvd设备
CN215799888U (zh) * 2021-04-09 2022-02-11 深圳市捷佳伟创新能源装备股份有限公司 管式pecvd设备
CN217009145U (zh) * 2021-11-23 2022-07-19 泰州隆基乐叶光伏科技有限公司 一种石墨舟
CN115631987A (zh) * 2022-08-23 2023-01-20 江苏微导纳米科技股份有限公司 一种舟脚、载具和沉积设备

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