CN117021381A - 用于处理具有松弛正弯的碳化硅晶片的方法 - Google Patents

用于处理具有松弛正弯的碳化硅晶片的方法 Download PDF

Info

Publication number
CN117021381A
CN117021381A CN202311010709.5A CN202311010709A CN117021381A CN 117021381 A CN117021381 A CN 117021381A CN 202311010709 A CN202311010709 A CN 202311010709A CN 117021381 A CN117021381 A CN 117021381A
Authority
CN
China
Prior art keywords
wafer
sic
laser
sic wafer
crystalline material
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN202311010709.5A
Other languages
English (en)
Inventor
西蒙·布贝尔
马修·多诺弗里奥
约翰·埃德蒙
伊恩·柯里尔
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Wofu Semiconductor Co ltd
Original Assignee
Wofu Semiconductor Co ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Wofu Semiconductor Co ltd filed Critical Wofu Semiconductor Co ltd
Publication of CN117021381A publication Critical patent/CN117021381A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B28—WORKING CEMENT, CLAY, OR STONE
    • B28D—WORKING STONE OR STONE-LIKE MATERIALS
    • B28D5/00—Fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material; apparatus or devices therefor
    • B28D5/0005—Fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material; apparatus or devices therefor by breaking, e.g. dicing
    • B28D5/0011—Fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material; apparatus or devices therefor by breaking, e.g. dicing with preliminary treatment, e.g. weakening by scoring
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/02—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/12—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed
    • H01L29/16—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed including, apart from doping materials or other impurities, only elements of Group IV of the Periodic Table
    • H01L29/1608—Silicon carbide

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
  • Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
  • Laser Beam Processing (AREA)
  • Perforating, Stamping-Out Or Severing By Means Other Than Cutting (AREA)
  • Processing Of Stones Or Stones Resemblance Materials (AREA)

Abstract

本发明提供了用于处理具有松弛正弯的碳化硅晶片的方法。公开了碳化硅(SiC)晶片(8A)和相关方法，其包括配置以减少与由于重力或先前存在的结晶应力所造成的这些晶片(8A)的变形、弯曲或下垂有关的生产问题的故意或强加的晶片(8A)形状。故意或强加的晶片(8A)形状可以包括具有相对于其硅面的松弛正弯的SiC晶片(8A)。以这种方式，可以降低与SiC晶片(8A)，并且具体地大面积SiC晶片(8A)的变形、弯曲或下垂有关的影响。公开了用于提供具有松弛正弯的SiC晶片(8A)的相关方法，所述方法提供了减小的块状晶体材料(70、90、92A、92)的切割损失。这些方法可以包括SiC(6H)晶片(8A)与块状晶体材料(70、90、92A、92)的激光辅助分离。

Description

用于处理具有松弛正弯的碳化硅晶片的方法
本申请是申请日为2020年3月13日、发明名称为“用于处理具有松弛正弯的碳化硅晶片的方法”的中国专利申请号202080036469.4的分案申请。
相关申请
本申请主张2020年2月7日提交的美国专利申请序列号16/784,311和2019年5月17日提交的美国专利申请序列号16/415,721的权益，以上申请的公开内容以其全部内容作为参考并入本文。
技术领域
本公开涉及用于处理晶体材料的方法，并且更具体地涉及用于从块状晶体材料形成晶片的方法。
背景技术
多种微电子、光电子和微制造应用需要晶体材料薄层作为制造多种有用系统的起始结构。用于从晶体材料的大直径晶锭切下薄层(例如，晶片)的传统方法包括线锯的使用。线锯技术已应用于多种晶体材料，如硅(Si)、蓝宝石和碳化硅(SiC)。线锯工具包括通过一个或多个导辊的凹槽的特细钢丝(通常具有0.2mm或更少的直径)。存在两种切片法，即放松研磨切片和固定研磨切片。放松研磨切片包括浆液(通常是研磨剂在油中的混悬液)向高速运行的钢丝的应用，从而研磨剂在线与工件之间的滚动导致晶锭切割。不幸地，浆液的环境影响巨大。为了减少这种影响，可以在固定研磨切片法中使用用金刚石研磨剂固定的线，其仅需要水溶性冷却液(而不是浆液)。高效率平行切片允许在单一切片程序中生产大量晶片。图1显示了常规线锯工具1，其包括在辊4A-4C之间延伸的平行线截面3并且布置以同时将晶锭2锯成多个薄切片(例如，晶片8A、8G)，每个切片具有与晶锭2的端面6一般平行的面。在锯割过程期间，通过辊4A-4C支撑的线截面3可以在向下方向5上向晶锭2下方的支架7挤压。如果端面6平行于晶锭2的晶体c-面，并且线截面3锯穿与端面6平行的晶锭2，则每个所产生的晶片8A、8G将具有与晶体c-面平行的“同轴”端面6’。
还可能产生具有与晶体c-面不平行的端面的邻接(也称为偏切或“离轴”)晶片。具有4度偏切的邻接晶片(例如，SiC的邻接晶片)通常用作其它材料(例如，AlN及其它III族氮化物)的高质量外延生长的生长基材。可以通过在远离c-轴(例如，在邻接种晶材料上生长并且垂直于晶锭侧壁锯割晶锭)的方向上使晶锭生长，或者通过从同轴种晶材料起始生长晶锭并且以偏离垂直于晶锭侧壁的角度锯割晶锭来产生邻接晶片。
半导体材料的线锯包括多种限制。基于每次切割所除去的材料宽度的切割损失对锯切是固有的并且占据了半导体材料的显著损失。线锯切割对晶片施加了适当高的应力，从而导致产生了非零弯曲和翘曲特征。单个晶块(或晶锭)的处理时间是非常长的，并且如线破碎的事件可以提高处理时间并且导致不希望的材料损失。可以通过晶片切割面上的切削和开裂来降低晶片强度。在线锯处理结束时，必须对所产生的晶片清除掉碎片。
就具有高耐磨性(和与金刚石和氮化硼相当的硬度)的SiC来说，线锯可以需要大量时间和资源，借此导致了显著的生产成本。SiC基材使得能够制造所期望的功率电子、无线电频率和光电装置。将在多种不同晶体结构中存在的SiC称为多型，其中某些多型(例如，4H-SiC和6H-SiC)具有六方晶结构。
图2是晶面图的第一透视图，其显示了六方晶，如4H-SiC的坐标系，其中c-面((0001)面)，对应于外延晶体生长的[0001](垂直)方向)垂直于m-面(面)和a-面(面)两者，其中/>面垂直于/>方向并且/>面垂直于/>方向。图3是六方晶的晶面图的第二透视图，其显示了不平行于c-面的邻接面9，其中向量10(其垂直于邻接面9)以倾角β远离[0001]方向倾斜，其中倾角β向/>方向(轻微)倾斜。
图4A是晶片取向图的透视图，其显示了邻接晶片11A相对于c-面((0001)面)的取向，其中向量10A(其垂直于晶片面9A)以倾角β远离[0001]方向倾斜。这种倾角β等于跨过(0001)面和晶片面9A的投影12A之间的正交倾斜(或错误取向角)β。图4B是在从中限定邻接晶片11A的晶锭14A(例如，具有平行于(0001)面的端面6A的同轴晶锭)的部分上叠加的邻接晶片11A的简化横截面视图。图4B显示相对于(0001)面，邻接晶片11A的晶片面9A偏差倾角β。
图5是包括顶面26(例如，平行于(0001)面(c-面)且垂直于[0001]方向)和通过包括垂直于面且平行于/>方向的主平面28(具有长度LF)的一般圆形边缘27(具有直径D)所横向划定边界的示例性SiC晶片25的顶视图。SiC晶片可以包括未与c-面对准(例如，相对于c-面以斜角离轴)的外表面。
由于与制备和处理SiC有关的困难，因此相对于多种其它半导体材料的晶片，SiC装置晶片具有高成本。考虑到锯割过程和在锯割后晶片的后续磨去、研磨或磨光期间的材料损失，与所产生的晶片厚度相比，得自SiC的线锯的典型切割损失显著较高。考虑到线锯与装置制造问题，切片厚度比约350μm薄的晶片是不实际的。
为了设法解决与线锯有关的限制，已发展了从块状晶体除去半导体材料薄层的替代技术。包括从较大晶体除去碳化硅层的一种技术描述于Kim等人,“4H-SiC waferslicing by using femtosecond laser double pulses,”Optical Materials Express2450,7卷,7期(2017)。这种技术包括通过将激光脉冲在SiC上冲击来引起表面下损坏的激光-写入轨道(laser-written track)的形成，随后将所述晶体粘合至锁定夹具并施加张力以沿表面下损坏区实行断裂。使用激光削弱所述材料中的特定区域，随后使那些区域之间断裂来降低激光扫描时间。
Disco Corporation的美国专利No.9,925,619公开了涉及激光表面下损坏形成的另一种分离技术。通过在正向路径中移动SiC晶锭，标出激光焦点，然后在反向路径中移动晶锭，标出激光焦点等来形成激光表面下损坏线。激光表面下损坏的形成在晶锭内产生了平行于c-面延伸的内部裂缝，并且将超声波振动应用于晶锭以引入断裂。
Disco Corporation的美国专利No.10,155,323公开了涉及激光表面下损坏形成的类似分离技术。将脉冲激光光束提供给SiC晶锭以形成在进料方向具有80％的重叠率的分别具有17μm直径的多个连续的修饰部分，并且标记激光焦点，其中修饰部分形成步骤和标记步骤交替进行以产生其中将标记方向上彼此邻近的裂缝连接的分离层。此后，将超声波振动应用于晶锭以引入断裂。
在Siltectra GmbH的美国专利申请公开No.2018/0126484A1中公开了用于从块状晶体除去半导体材料薄层的另一种技术。用激光辐射冲击固态材料以产生挤离带或者多个部分挤离带，随后形成聚合物接受层(例如，PDMS)并冷却(任选地与高速旋转组合)以引起机械应力，所述机械应力引起固态材料薄层沿挤离带与材料的剩余部分分离。
用于在半导体材料中形成激光表面下损坏的工具在本领域中是已知的并且可商购自多个供应商，如Disco Corporation(Tokyo,Japan)。这些工具允许激光发射聚焦在晶体基材内部，并且允许激光相对于基材横向移动。典型激光损坏图案包括在晶体材料基材内一定深度，相对于彼此横向间隔的平行线的形成。可以调节参数，如聚焦深度、激光功率、平移速度等以赋予激光损坏，但是某些因素的调节包括了折中。提高激光功率往往会赋予可以提高断裂容易性的更大的表面下损坏(例如，通过降低完全断裂所需的应力)，但是更大的表面下损坏提高了沿通过断裂所暴露的表面的表面不规则性，从而可能需要其它处理来使这些表面对于后续加工足够光滑(例如，在电子装置中的掺入)。降低表面下激光损坏线之间的横向间隔还可以提高断裂容易性，但是激光损坏线之间的间隔的降低提高了基材和激光之间的平移行程数，借此降低了工具的生产能力。另外，基于位于特定垂直位置的横向或径向位置，和/或基于相对于其作为晶锭的一部分的原始生长位置的基材面的垂直位置，通过激光加工所获得的结果可以在基材内改变。
因此，本领域不断寻求解决与常规方法有关的问题的用于从基材分开或除去晶体材料的相对薄层的改善的方法。
发明内容
公开了碳化硅(SiC)晶片和相关方法，其包括配置以减少与由于重力或先前存在的结晶应力所造成的这些晶片的变形(deformation)、弯曲(bowing)或下垂(sagging)有关的生产问题的故意或强加的晶片形状(wafer shape)。在某些实施方式中，故意或强加的晶片形状可以包括从其硅面具有松弛正弯(relaxed positive bow)的SiC晶片。以这种方式，可以降低与SiC晶片，并且具体地大面积SiC晶片的变形、弯曲或下垂有关的影响。在某些实施方式中，公开了用于提供具有松弛正弯的SiC晶片的方法，该方法提供了减小的块状晶体材料的切割损失(kerf loss，切口损失)。这些方法可以包括SiC晶片与块状晶体材料的激光辅助分离。
在一个方面，晶体材料加工方法包括：提供包含SiC的块状晶体材料；和从块状晶体材料分离SiC晶片，使得SiC晶片从SiC晶片的硅面形成松弛正弯，并且与从块状晶体材料形成SiC晶片有关的切割损失小于250微米(μm)。在某些实施方式中，切割损失小于175μm；或者在包括100μm至250μm的范围内。在某些实施方式中，松弛正弯在大于0μm至50μm的范围内；或者在大于0μm至40μm的范围内；或者在大于0μm至15μm的范围内；或者在30μm至50μm的范围内；或者在8μm至16μm的范围内。在某些实施方式中，SiC晶片包含至少250；或者至少300；或者至少400；或者包括250至1020的范围内的直径与厚度的比。在某些实施方式中，SiC晶片包含n型导电SiC晶片；或者半绝缘SiC晶片；或者无意掺杂的SiC晶片。在某些实施方式中，SiC晶片的碳面包含对应于从硅面的松弛正弯的形状。在某些实施方式中，通过松弛正弯所限定的硅面的轮廓(profile，外形)不同于SiC晶片的碳面的轮廓。
在另一个方面，晶体材料加工方法包括：提供包含碳化硅(SiC)的块状晶体材料；在块状晶体材料内形成表面下激光损坏图案；沿表面下激光损坏图案从块状晶体材料分离SiC晶片，使得SiC晶片包含从SiC晶片的硅面的松弛正弯。在某些实施方式中，松弛正弯在大于0μm至50μm的范围内；或者在大于0μm至15μm的范围内；或者在包括30μm至50μm的范围内；或者在包括8μm至16μm的范围内。在某些实施方式中，形成表面下激光损坏图案包括在块状晶体材料上可变调节激光功率以形成表面下激光损坏图案的非线性轮廓，使得在分离后提供松弛正弯。在某些实施方式中，形成表面下激光损坏图案包括在块状晶体材料上可变调节激光焦点以形成表面下激光损坏图案的非线性轮廓，使得在分离后提供松弛正弯。在某些实施方式中，以径向掺杂轮廓布置块状晶体材料，使得在形成表面下激光损坏图案期间的激光吸收形成表面下激光损坏图案的非线性轮廓，这使得在分离后提供松弛正弯。在某些实施方式中，SiC晶片包含至少250；或者至少300；或者至少400；或者包括250至1020范围内的直径与厚度的比。在某些实施方式中，与从块状晶体材料形成SiC晶片有关的切割损失小于250微米(μm)。
在另一个方面，本文所描述的任何上述方面和/或多个单独的方面和特征可以出于其它优势组合。除非在本文中相反地说明，否则如本文所公开的任何多种特征与要素可以与一种或多种其它所公开的特征和要素组合。
本领域技术人员在结合附图阅读以下优选实施方案的详细说明后将理解本公开的范围并认识到它的其它方面。
附图说明
引入并构成本说明书的一部分的附图显示了本公开的一些方面，并且与描述一起用于解释本公开的原理。
图1包括提供通过常规线锯工具所接收并且进行线锯过程的晶锭(ingot)的透视图的第一幅图，和提供通过线锯过程所获得的多个晶片的透视图的第二幅图。
图2是显示六方晶如4H碳化硅(SiC)的坐标系的晶面图的第一透视图。
图3是六方晶的晶面图的第二透视图，其显示了与c-面不平行的邻接面。
图4A是晶片取向图的透视图，其显示了相对于c-面的邻接晶片的取向。
图4B是晶锭部分上方叠加的图4A的邻接晶片的简化截面视图。
图5是示例性SiC晶片的顶视图，其中叠加的箭头显示了晶体的取向方向。
图6A是晶体材料的同轴晶锭的侧视示意图。
图6B是图6A的晶锭旋转4度的侧视示意图，其具有晶锭的末端切割部分的叠加图案。
图6C是在除去末端部分以提供不垂直于c-方向的末端面后的晶锭的侧视示意图。
图7是可移动激光工具的透视示意图，可移动激光工具配置为将激光发射聚焦在晶体材料内部以形成表面下损坏。
图8A和8B提供了用于在晶体材料内形成表面下损坏的相对于晶体材料的示例性激光工具传播路径，其中图8B包括显示相对于晶体材料的六方晶结构的方向的表面下损坏线的取向的叠加的箭头。
图9是在断裂后但在平滑前，离轴(相对于c-轴)或邻接4H-SiC晶体的表面结构的透视示意图，其中断裂表面显示出阶梯和台阶。
图10A-10D分别是通过将激光发射聚焦至裸露基材中，通过载体所支撑的基材表面，通过载体和粘合层进入基材，和通过载体进入基材在晶体材料的基材中形成表面下激光损坏的截面示意图。
图11是包括在其中所形成的第一表面下激光损坏图案的块状晶体材料的截面示意图。
图12是在形成与第一表面下激光损坏图案叠合的第二表面下激光损坏图案后图11的块状晶体材料的截面示意图，其中第一和第二表面下激光损坏图案的重叠垂直程度。
图13是块状晶体材料部分的截面示意图，其显示了表面下激光损坏，其中叠加的短划线标识出了预期的切割损失材料区。
图14是块状晶体材料部分的截面示意图，其显示了弯曲表面下激光损坏，其中叠加的短划线标识出了预期的切割损失材料区。
图15是具有可变激光功率的激光发射的截面示意图，其聚焦在块状晶体材料部分上以形成表面下激光损坏的弯曲形状。
图16是具有可变高度调节的激光发射的截面示意图，其聚焦在块状晶体材料部分上以形成表面下激光损坏的弯曲形状。
图17是激光发射的截面示意图，其聚焦在块状晶体材料的可变掺杂部分上以形成表面下激光损坏的弯曲形状。
图18是种晶上SiC的块状晶体材料的侧截面示意图，其显示了沿其中央部分从种晶向上通过块状晶体材料的整个厚度延伸的圆柱形的更高掺杂区。
图19是沿截面部分来源于图18的块状晶体材料的SiC晶片的顶视示意图。
图20是种晶上SiC的块状晶体材料的侧截面示意图，其显示了沿其中央部分从种晶向上通过块状晶体材料的整个厚度延伸的截头圆锥形的更高掺杂区。
图21是种晶上SiC的块状晶体材料的侧截面示意图，其显示了在相对于种晶中心的非中心位置从种晶向上并且向上通过块状晶体材料的整个厚度延伸的截头圆锥形的更高掺杂区。
图22是根据本文所公开的实施方式具有从其硅面的松弛正弯和碳面的相应形状的SiC晶片的侧截面示意图。
图23是根据本文所公开的实施方式具有从其硅面的松弛正弯和一般平面碳面的SiC晶片的侧截面示意图。
图24A-24C是在定量松弛正弯同时修正重力影响的边缘支撑的测量期间SiC晶片的侧截面示意图。
图25是在定量松弛正弯的垂直取向测量期间SiC晶片的侧截面示意图。
图26是常规激光聚焦装置的侧截面示意图，激光聚焦装置通过透镜聚焦入射水平光束，在对应于透镜焦距的下游位置形成具有光束腰图案(光束腰图案具有最小宽度)的射出光束。
图27是在晶体材料内显示出光束腰的垂直取向的聚焦激光束的侧截面示意图，其显示了在相对于光束腰的不同垂直位置的分解阈值点。
具体实施方式
以下所描述的实施方式代表了使得本领域技术人员能够实践该实施方式并且显示实践该实施方式的最佳方式的必要信息。根据附图，通过阅读以下描述，本领域技术人员将理解本公开的概念并且将认识到本文中未具体提出的这些概念的应用。应理解这些概念和应用落在本公开以及所附权利要求的范围内。
将理解尽管可以在本文中使用术语第一、第二等来描述多种要素，但是这些要素不应受限于这些术语。这些术语仅用于将一种要素与另一种相区分。例如，在不背离本公开的范围的情况下，可以将第一要素称为第二要素，并且类似地，可以将第二要素称为第一要素。如本文所使用的，术语“和/或”包括一个或多个相关所列项目的任何和全部组合。
将理解当将要素如层、区域或基材称为位于另一要素“上”或延伸到另一要素“上”时，它可以直接位于或直接延伸到另一要素上，或者还可以存在中间要素。相反，当将要素称为“直接”位于或“直接”延伸到另一要素“上”时，则不存在中间要素。同样地，将理解当将要素如层、区域或基材称为位于另一要素“上方”或延伸到另一要素“上方”时，它可以直接位于或直接延伸到另一要素上方，或者还可以存在中间要素。相反，当将要素称为“直接”位于或“直接”延伸到另一要素“上方”时，则不存在中间要素。还将理解，当将要素称为“连接”或“结合”至另一要素时，它可以直接连接或结合至另一要素或者可以存在中间要素。相反，当将要素称为“直接连接”或“直接结合”至另一要素时，则不存在中间要素。
相对术语如“下方”或“上方”或“上”或“下”或“水平”或“垂直”在本文中可以用于描述一种要素、层或区域与另一种要素、层或区域的关系，如附图中所示。将理解，这些术语和以上所讨论的那些旨在涵盖除图中所示取向之外的装置的不同取向。
本文所使用的术语仅出于描述具体实施方式的目的，并且其不意欲限制本发明公开。除非上下文中明确指出，否则如本文所使用的，单数形式的“一种”，“一个”和“该”还旨在包括复数形式。还将理解当在本文中使用时，术语“包含(comprise)”、“包含(comprising)”、“包括(include)”和/或“包括(including)”指明了所表示的特征、整数、步骤、操作、要素和/或组件的存在，但是不排除一种或多种其它特征、整数、步骤、操作、要素、组件和/或其组的存在或添加。
除非另外定义，否则本文所使用的所有术语(包括技术和科学术语)具有与本发明公开所属领域的普通技术人员通常理解的含义相同的含义。还将理解本文所使用的术语应被解释为具有与它们在本说明书和相关领域的背景中的含义一致的含义，并且除非在本文中明确定义，否则将不会理解为理想化或过度正式的意义。
公开了碳化硅(SiC)晶片和相关方法，其包括配置以减少与由于重力或先前存在的结晶应力所造成的这些晶片的变形、弯曲或下垂有关的生产问题的故意或强加的晶片形状。在某些实施方式中，故意或强加的晶片形状可以包括具有从其硅面的松弛正弯的SiC晶片。以这种方式，可以降低与SiC晶片，并且具体地大面积SiC晶片的变形、弯曲或下垂有关的影响。在某些实施方式中，公开了用于提供具有松弛正弯的SiC晶片的方法，该方法提供了减小的块状晶体材料的切割损失。这些方法可以包括SiC晶片与块状晶体材料的激光辅助分离。
以这种方式，公开了提供具有故意或强加的形状的SiC晶片，同时还提供了与常规晶片分离和成形方法相比减小的切割损失的处理技术。
如本文所使用的，“基材”是指晶体材料，如单晶半导体材料，任选地包含晶锭或晶片。在某些实施方式中，基材可以具有足够的厚度(i)被表面处理(例如，重叠和抛光)，以支撑一个或多个半导体材料层的外延沉积，和任选地(ii)如果并且当与刚性载体分离时是无支持的。在某些实施方式中，基材可以具有一般的圆柱形或圆形性质，和/或可以具有至少约以下厚度中的一种或多种的厚度：200微米(μm)、300μm、350μm、500μm、750μm、1毫米(mm)、2mm、3mm、5mm、1厘米(cm)、2cm、5cm、10cm、20cm、30cm或更多。在某些实施方式中，基材可以包括可分成两个较薄晶片的较厚晶片。在某些实施方式中，基材可以是较厚基材的一部分或者可以是具有作为装置晶片的一部分与多个电气运行装置一起布置其上的一个或多个外延层(任选地与一个或多个金属触点结合)的晶片。根据本公开的方面，可以将该装置晶片分开以获得较薄的装置晶片和可以随后在其上形成一个或多个外延层(任选地与一个或多个金属触点结合)的第二较薄晶片。在某些实施方式中，基材可以包括150mm或更大，或者200mm或更大的直径。在某些实施方式中，基材可以包括直径为150mm、200mm或更大，并且厚度在100至1000μm的范围内，或者在100至800μm的范围内，或者在100至600μm的范围内，或者在150至500μm的范围内，或者在150至400μm的范围内，或者在200至500μm的范围内，或者处于任何其它厚度范围或者具有本文中所指明的任何其它厚度值的4H-SiC。在某些实施方式中，术语“基材”和“晶片”可以可互换地使用，因为晶片通常用作可以在其上形成半导体装置的基材。照此，基材或晶片可以是指已与较大或块状晶体材料或基材分离的无支持的晶体材料。
如本文所使用的，“切割损失”是指与由块状晶体材料形成单个晶片有关的材料损失的总量。切割损失可以基于从块状晶体材料除去的材料的总宽度或高度减去所产生的晶片的最终厚度。切割损失可能与晶片从块状晶体材料的分离过程有关并且可能与应用于晶片的后续加工步骤(包括一个或多个晶片表面的研磨或抛光)有关。
如本文所使用的，晶片的“正弯”一般是指从晶片的装置面向外成曲线、弯曲或翘曲的形状，例如，从装置面的凸形。还如本文所使用的，“松弛正弯”是指所建立的晶片的正弯，同时忽略由于重力所造成的晶片的任何弯曲。SiC晶片一般形成与碳面相对的硅面，其中在它们之间形成了晶片厚度。在许多半导体应用中，通常在SiC晶片的硅面上形成装置。当一个或多个硅面和碳面与参考面形成了表面偏离时发生晶片弯曲、翘曲等。照此，SiC晶片的正弯或松弛正弯一般是指从SiC晶片的硅面向外成曲线、弯曲或翘曲的形状，例如，从硅面的凸形。在某些实施方式中，碳面的形状可以对应于SiC晶片的硅面的正弯或松弛正弯。在其它实施方式中，仅硅面可以形成正弯或松弛正弯。
用于半导体应用的晶片可以经受用于在其上形成装置的多种不同的半导体装置制造技术。一种这种制造技术是形成装置结构的薄膜的外延生长，其包括化学气相淀积和金属有机化学气相淀积等。在外延生长期间，晶片通常支撑在生长室内的衬托器(susceptor)上。将室和衬托器加热至适合的温度，使得在生长室内在晶片上发生来自分解的来源气体的薄膜沉积。在生长期间，晶片可以支撑在衬托器的各个袋中。具体地，衬托器可以提供在袋内的边缘支撑构造，其中沿晶片外周通过多个点支撑晶片。这种构造提供了晶片中间部分和位于袋内的衬托器底面之间的分离。对于具有相对薄厚度(例如，800μm及更低)的较大直径的晶片(例如，在某些实施方式中，150mm或以上)，重力和/或多种操作条件可以在处理期间使晶片向衬托器口袋底面下垂或变形。以这种方式，晶片的下垂在晶片和衬托器之间形成了不同的距离，借此在沉积期间在晶片上产生可以促进薄膜在其上不均匀生长的不均匀的温度分布。另外，外延期间的其它温度相关步骤(包括清洁和升华步骤)还可能受晶片下垂的影响。
根据本文所公开的实施方式，提供了具有故意或强加的形状的SiC晶片和用于提供SiC晶片的相关方法，该形状配置为减少与可能由于重力或晶片内先前存在的结晶应力所发生的晶片的变形或下垂有关的生产问题。强加的形状可以包括具有从硅面的松弛正弯的SiC晶片。因此，对于外延生长应用，SiC晶片的硅面可以配置为初始远离衬托器弯曲，并且晶片的随后下垂可以定位硅面，从而在生长期间具有与衬托器匹配的更平面的构造，借此改善在其上生长的外延层的均匀性。在某些实施方式中，从块状晶体材料分离SiC晶片的方法包括在块状晶体材料内形成激光表面下损坏并随后沿激光表面下损坏从块状晶体材料分离SiC晶片。在某些实施方式中，通过所形成的激光表面下损坏区的形状至少部分确定所产生的SiC晶片的形状。例如，可以在块状晶体材料内以曲线方式提供激光表面下损坏，使得当分离时形成具有从硅面的松弛正弯的晶片。以这种方式，公开了提供具有故意或强加的形状的SiC晶片，同时提供与常规晶片分离和成形方法相比减小的切割损失的处理技术。
本文所公开的方法可以应用于多种晶体材料、单晶和多晶品种两者的基材或晶片。在某些实施方式中，本文所公开的方法可以使用立方、六边形和其它晶体结构，并且可以涉及具有同轴和离轴结晶取向的晶体材料。在某些实施方式中，本文所公开的方法可以应用于半导体材料和/或宽禁带材料。示例性材料包括但不限于Si、GaAs和金刚石(diamond)。在某些实施方式中，这些方法可以使用具有六方晶结构的单晶半导体材料，如4H-SiC、6H-SIC或III族氮化物材料(例如，GaN、AlN、InN、InGaN、AlGaN或AlInGaN)。在下文中所描述的多种示例性实施方式一般地提及了SiC或者具体地提及了4H-SiC，但是将理解可以使用其它适合的晶体材料。在多种SiC多型体(polytype)中，4H-SiC多型体由于其高导热率、宽禁带和各向同性电子迁移率而对于电力电子装置是特别有吸引力的。块状SiC可以同轴生长(即从其c-面无故意的角偏差，其适合于形成未掺杂或半绝缘材料)或者离轴生长(通常与生长轴如c-轴偏离非零角度，通常在0.5至10度的范围内(或其子范围如2至6度或者另一子范围)，如可以适合于形成N-掺杂的或高导电性材料)。本文所公开的实施方式可以适用于同轴和离轴晶体材料，以及掺杂和无意掺杂的结晶半导体材料。在某些实施方式中，晶体材料可以包括单晶材料。本文所公开的某些实施方式可以使用同轴4H-SiC或者具有1至10度或2至6度的范围内或者约4度的偏切的邻接(离轴)4H-SiC。
图6A、6B和6C示意性显示了可以通过本文所公开的方法使用的处于晶锭形式的同轴和离轴块状晶体材料。图6A是具有垂直于c-方向(即对于六方晶结构材料如4H-SiC的[0001]方向)的第一和第二端面16、17的晶体材料的同轴晶锭15的侧视示意图。图6B是图6A的晶锭15旋转4度的侧视示意图，其中叠加图案18(以短划线显示)用于切割和除去邻近端面16、17的晶锭15的末端部分。图6C是在除去末端部分以提供不垂直于c-方向的新的第一和第二端面16A、17A后，由图6B的晶锭15所形成的离轴晶锭15A的侧视示意图。如果将具有第一深度的激光发射提供通过晶锭15的端面16以形成表面下激光损坏，则将载体(未显示)连接至端面16，并且晶锭15沿表面下激光损坏断裂，然后可以形成同轴晶片。相反，如果将具有第一深度的激光发射提供通过离轴晶锭15A的端面16A以形成表面下激光损坏，则将载体(未显示)连接至端面16A，并且晶锭15A沿表面下激光损坏断裂，然后可以形成离轴晶片。
用于在晶体材料中形成激光表面下损坏的工具在本领域中是已知的并且可商购自多个供应商如Disco Corporation(Tokyo，Japan)。这些工具允许激光发射聚焦在晶体材料基材内部，并且使得激光能够相对于基材横向移动。本领域中的典型激光损坏图案包括在晶体基材内的一定深度处相对于彼此横向间隔的平行线的形成。可以调节参数如聚焦深度、激光功率、平移速度和表面下损坏线间隔以赋予激光损坏，但是某些因素的调节包括折中。提高激光功率易于赋予可能提高断裂容易性的更大的表面下损坏(例如，通过降低完全断裂所需的应力)，但是更大的表面下损坏提高了沿通过断裂所暴露的表面的表面不规则性，使得可能需要其它处理来使这些表面对于后续加工足够光滑(例如，在电子装置中掺入)，并且其它处理导致了其它切割损失。降低表面下激光损坏线之间的横向间隔还可以提高断裂容易性，但是激光损坏线之间的间隔的降低提高了基材和激光之间的平移行程数，借此降低了工具的生产能力。
图7是配置为将激光发射聚焦在晶体材料30内部以形成表面下损坏40的激光工具29的一个实例的透视示意图。晶体材料30包括上表面32和相对的下表面34，并且在上下表面32、34之间的晶体材料30的内部形成有表面下损坏40。通过透镜组件35将激光发射36聚焦以获得聚焦光束38，其中其焦点位于晶体材料30的内部。可以使这些激光发射36以任何适合的频率(通常在纳秒、皮秒或飞秒的范围内)和光束强度以低于晶体材料30禁带的波长脉冲，以使得激光发射36聚焦在其表面下方的目标深度。在焦点处，光束尺寸和短脉冲宽度导致产生足够高以导致形成表面下损坏的非常局部的吸收的能量密度。可以改变透镜组件35的一个或多个性质以将聚焦光束38的焦点调节至晶体材料30内所期望的深度。可以在透镜组件35和晶体材料30之间发生相对横向运动(例如，横移)以使得表面下损坏40在所期望的方向上传播，如通过短划线42示意性显示的。可以以多种图案重复这种横向运动，包括如下文中所描述的图案。
图8A和8B提供了用于在晶体材料内形成表面下损坏的相对于晶体材料的示例性激光工具传播路径。在某些实施方式中，可以将激光工具部分(例如，包括透镜组件)配置为移动的，而晶体材料是固定的；在其它实施方式中，激光工具部分可以保持固定，而晶体材料相对于工具部分是移动的。图8A显示了适合于在第一晶体材料45A内以横向间隔的平行线图案形成表面下损坏的反向y-方向线性扫描移动46。图8B显示了足以形成通过晶体材料45B分布的平行表面下激光损坏线的在第二晶体材料45B的整个表面上(及以外)的y方向线性扫描移动48(每次在y方向反向时，在x方向上轻微向前)。如所示的，激光损坏线垂直于沿晶体材料45B表面的晶体材料45B的六方晶结构的方向，并且其基本平行于晶体材料45B的表面。在某些实施方式中，其它表面下激光损坏线可以散布着平行的表面下激光损坏线。在其它实施方式中，可以提供表面下激光损坏线和散布的表面下激光损坏线的不同组合和图案。
可以将y方向上形成的激光线以及每次y方向反向后x方向上的单向前进对晶体材料的整个表面的覆盖称为激光损坏形成的单程。在某些实施方式中，可以以2、3、4、5、6、7或8程或任何其它适合的程数进行形成表面下损坏的晶体材料的激光加工。在较低的激光功率下提高程数可以降低切割损失。为了实现材料损失相对于过程速度的所期望的平衡，已发现在实施断裂步骤前，所期望的激光表面下损坏形成程数为2至5程或3至4程。
在某些实施方式中，相邻激光表面下损坏线(无论是在单程还是在多程中形成)之间的横向间隔可以在包括80至400μm，或者包括100至300μm或者包括125至250μm的范围内。相邻激光表面下损坏线之间的横向间隔影响激光加工时间，断裂容易性和(基于c-面取向或错误取向)有效激光损坏深度。
已观察到在晶体材料中形成表面下激光损坏线导致在材料内部形成从激光损坏线向外(例如，横向向外)传播的小裂缝。这些裂缝似乎基本或主要沿c-面延伸。这些裂缝的长度似乎在功能上与激光功率水平有关(其可以计算为脉冲频率乘以每次脉冲能量的乘积)。对于通过特定距离间隔开的相邻激光表面下损坏线，已观察到在形成这些激光表面下损坏线中提高激光功率倾向于提高裂缝在激光表面下损坏线之间连接或结合的能力，这是促进断裂容易性所期望的。
如果经受激光损坏形成的晶体材料包括离轴(即非c-面)取向(例如，在0.5-10度、1-5度的范围内或者另一种错误取向)，则这种错误取向可能影响所期望的激光损坏线间隔。
SiC基材可以包括未对准的表面，例如，相对于c-面以斜角离轴。离轴基材还可以称为邻接基材。在使这种基材断裂后，所断裂的表面可以包括阶梯和台阶(随后可以通过表面处理如研磨和抛光使其平滑)。图9是断裂后但在平滑前离轴4H-SiC晶体50(相对于c-轴基面56具有角度A)的表面结构的透视示意图。断裂表面相对于c-轴基面56显示出台阶52和阶梯54。对于4度离轴表面，对于250μm的阶梯宽度，台阶理论上具有约17μm的高度。对于具有表面下激光损坏的4H-SiC晶体，激光线之间的250μm间隔形成250μm宽的阶梯。在断裂后，对台阶表面进行研磨平滑、平面化和抛光以准备在其上外延生长一个或多个层。
当在晶体材料(例如，SiC)中形成表面下激光损坏时并且如果表面下激光损坏线远离垂直于基材平面取向(即不垂直于方向)，则这种激光损坏线以等价于离轴半导体材料的方式延伸通过多个台阶和阶梯。出于后续讨论的目的，术语“离轴激光表面下损坏线”将用于表示不垂直于/>方向的激光表面下损坏线。
在相邻表面下激光损坏线之间提供过大的间隔将抑制晶体材料的断裂。在相邻表面下激光损坏线之间提供过小的间隔倾向于降低台阶高度，但会增加垂直台阶数目，并且增加垂直台阶数目通常需要更大的分离作用力来完全断裂。
将相邻激光损坏线之间的间隔降低至过小的距离可以获得减少的回报并且显著提高处理时间和成本。SiC分解需要最小激光能量阈值。如果这种最小能量水平在两条间隔约100μm的激光线之间产生了连接的裂缝，则就降低切割损失而言，将激光线间隔降低至该阈值以下可能提供很少的益处。
通过断裂所暴露的晶体材料的表面粗糙度不仅可以影响后续处理如机器人真空(robot vacuum)，而且还会研磨车轮磨损，这是主要的消耗品费用。通过表面下激光损坏线的间隔和这种表面下损坏线相对于半导体材料晶体结构的取向两者影响粗糙度。降低表面下损坏线之间的间隙简单地降低了可能的台阶高度。提供离轴激光表面下损坏线倾向于使将存在于激光损坏区中的长平行台阶破碎，并且它还帮助减轻了来自c-面坡度或曲度的至少一些影响。当激光线垂直于基材平面时，平行于激光线沿c-面的切割面将从该平面向晶片相对的曲线末端延伸约150mm。c-面坡度或曲度的轻微偏差(这对于SiC基材是常见的)可以在断裂表面中产生显著变化，因为它将迫使平面随断裂传播而跳动。提供离轴激光表面下损坏线的缺陷在于这种表面下损坏线通常需要提高激光功率以在相邻激光线之间形成连接的裂缝。因此，在某些实施方式中，形成同轴表面下激光损坏线(垂直于主平面)和离轴激光表面下损坏线的组合在避免断裂表面中的过度变化而无需过度提高激光功率以在相邻激光线之间形成连接的裂缝之间提供良好的平衡。
在某些实施方式中，具有1064纳米(nm)波长的激光可以用于实施本文所公开的方法，其中本发明人在4H-SiC的处理中获得了经验。尽管在某些实施方式中可以使用广泛的脉冲频率，但是已成功使用了120千赫(kHz)至150kHz的脉冲频率。已在激光和要处理的基材之间成功使用了936毫米/秒(mm/s)的移动平台速度；然而，在某些实施方式中，通过适当调节激光频率以维持所期望的激光脉冲重叠可以使用更高或更低的移动平台速度。用于在掺杂的SiC材料中形成表面下激光损坏的平均激光功率范围在3瓦特(W)至8W的范围内，并且对于未掺杂的SiC材料在1W至4W的范围内。可以将激光脉冲能量计算为功率除以频率。可以使用3ns至4ns的激光脉冲宽度，尽管在其它实施方式中可以使用其它脉冲宽度。在某些实施方式中，可以使用0.3至0.8的范围内的激光透镜数值孔径(NA)。对于涉及SiC的处理的实施方式，考虑到从空气(～1)出发进入SiC(～2.6)的折射率变化，在要处理的SiC材料内部经历了折射角的显著变化，这使得激光镜头NA和像差修正对于实现所期望的结果是重要的。
在某些实施方式中，如本文所公开的半导体材料加工方法可以包括以下项目和/或步骤中的一些或全部。可以将第二载体晶片连接至晶体材料基材(例如，晶锭)的底侧。此后，可以对晶体材料基材的顶侧进行研磨或抛光，从而提供小于约5nm的平均表面粗糙度Ra以制备用于传输激光能量的表面。然后，可以在晶体材料基材内所期望的深度处造成激光损坏，其中激光损坏迹线的间隔和方向任选地取决于晶体材料基材的晶体取向。第一载体可以结合至晶体材料基材的顶侧。连接至第一载体的标识码或其它信息与来源于该晶体材料基材的晶片有关。作为另外一种选择，可以在分离前对晶片(而不是载体)应用激光打标以辅助晶片在制造期间和之后的可追踪性。然后，沿表面下激光损坏区分离或断裂晶体材料基材以提供结合至第一载体的半导体材料基材部分，并且晶体材料基材的剩余部分结合至第二载体。根据需要，将半导体材料基材的除去部分和半导体材料基材的剩余部分两者研磨平滑并清洁以除去残余的表面下激光损坏。可以将半导体材料基材的除去部分与载体分离。此后，可以使用半导体材料基材的剩余部分来重复该过程。
在某些实施方式中，可以在将基材结合至刚性载体前，在晶体材料基材中形成激光表面下损坏。在某些实施方式中，可以在表面下激光损坏形成之前将对具有所期望的波长的激光发射透明的刚性载体结合至晶体材料基材。在这种实施方式中，激光发射可以任选地传输通过刚性载体并进入晶体材料基材的内部。图10A-10D中显示了不同的载体-基材表面下激光形成构造。图10A是聚焦通过裸露基材62表面以在基材62内形成表面下激光损坏63的激光发射61的示意图，借此刚性载体可以在表面下激光损坏形成后固定至基材62。图10B是聚焦通过基材62表面以在基材62内形成表面下激光损坏63的激光发射61的示意图，其中先前已使用粘合剂64将基材62结合至刚性载体66。图10C是聚焦通过刚性载体66和粘合剂64以在先前结合至刚性载体66的基材62内形成表面下激光损坏63的激光发射61的示意图。在某些实施方式中，刚性载体66远端的基材62的表面可以包括一个或多个外延层和/或金属化层，其中基材62体现了表面下激光损坏63形成前运行的电气装置。图10D是聚焦通过刚性载体66进入基材62(无中间粘合层)以在先前结合(例如，通过阳极结合或者其它无粘合剂方式)至刚性载体66的基材62内形成表面下激光损坏63的激光发射61的示意图。
在某些实施方式中，可以在晶体材料基材内部形成在第一深度集中的初始表面下激光损坏，并且可以在基材内部形成在第二深度集中的其它表面下激光损坏，其中其它表面下激光损坏与初始表面下激光损坏基本叠合，并且其它表面下激光损坏的至少一部分的垂直程度与初始激光损坏的至少一部分的垂直程度重叠。再次说明，可以将配置为在不同深度赋予激光损坏的一个或多个后续行程(pass)添加在一个或多个先前的行程的上方以提供具有重叠垂直程度的表面下激光损坏。在某些实施方式中，可以在一个或多个先前表面下激光损坏形成步骤不完全的断裂前，实施对确定(例如，通过光学分析)起反应的重叠的表面下损坏的添加。可以结合本文中的任何其它方法步骤实施不同深度的重叠表面下激光损坏的形成，包括但不限于多个散布的表面下激光损坏图案的形成。
图11是包括相对于块状晶体材料70的第一表面74所形成的第一表面下激光损坏图案72的块状晶体材料70的截面示意图，其中通过激光76的聚焦发射产生第一表面下激光损坏图案72。通过多个激光损坏区72’形成第一表面下激光损坏图案72，每个激光损坏区具有保持在第一表面74和相对的第二表面80之间的块状晶体材料70内部的垂直程度(vertical extent，深度，垂直幅度)78。在某些实施方式中，块状晶体材料70包含块状SiC，其中第一表面74包含块状晶体材料70的碳面并且第二表面80包含块状晶体材料70的硅面。如所示的，可以以非线性形状形成第一表面下激光损坏图案72。具体地，以块状晶体材料70内的弯曲形状显示了第一表面下激光损坏图案72。以这种方式，当沿第一表面下激光损坏图案72分离块状晶体材料70时，将通过第一表面下激光损坏图案72至少部分限定所产生的SiC晶片的硅面的形状。例如，第一表面下激光损坏图案72的弯曲形状可以提供从所产生的SiC晶片的硅面的松弛正弯。
图12是在不同深度集中且与第一表面下激光损坏图案72叠合的第二表面下激光损坏图案82形成后图11的块状晶体材料70的截面示意图，其中在损坏重叠区86中，第二表面下激光损坏图案82的垂直程度84与第一表面下激光损坏图案72的垂直程度78重叠。在某些实施方式中，可以沿或通过损坏重叠区86实施块状晶体材料70的后续断裂以至少部分形成具有从硅面的松弛正弯的SiC晶片。在某些实施方式中，可以在分离后将其它生产步骤如研磨或抛光应用于第一表面74以提供所产生的SiC晶片，其中硅面和碳面两者包含类似的非线性形状。
在某些实施方式中，可以在基材中的不同深度形成表面下激光损坏线而不与其它(例如，先前形成的)表面下激光损坏线叠合和/或初始和后续激光损坏的垂直程度在性质上不重叠。在某些实施方式中，表面下激光损坏的散布图案可以包括激光线组，其中不同的组聚焦在相对于基材表面的不同深度。在某些实施方式中，在不同的激光线组间(例如，第一和第二组、第一至第三组、第一至第四组等中的至少两个不同的组)，在基材内部内的激光发射聚焦深度相差约2μm至约5μm的范围内的距离(即约2μm至约5μm)。在块状晶体材料内形成表面下激光损坏后，应用如本文所公开的断裂过程(例如，冷却CTE错配的载体、超声波能的应用和/或机械作用力的应用)，以使块状晶体材料沿表面下激光损坏区断裂，导致晶体材料部分与块状晶体材料的剩余部分分离。
图13是块状晶体材料92部分的截面示意图，其显示了表面下激光损坏94，其中叠加的短划线标识出预期的切割损失材料区104。预期的切割损失材料区104包括表面下激光损坏94、要从待与块状晶体材料92分离的晶体材料部分102(例如，SiC晶片)的下面或表面108(硅末端面)(例如通过研磨和抛光)机械除去的面料(plus material)106、要从块状晶体材料92A的剩余部分的表面90A(例如，碳末端面)(例如，通过研磨和抛光)机械除去的面料109。晶体材料部分102的下面或表面108与其第一面或表面90相对。在某些实施方式中，对于SiC，整个切割损失材料区104可以具有小于250μm的厚度。
图14是块状晶体材料92部分的截面示意图，其显示了弯曲表面下激光损坏94，其中叠加的短划线标识出了预期的切割损失材料区104。如所示的，以在整个块状晶体材料92上的非线性(例如，弯曲的)轮廓布置表面下激光损坏94，以提供在分离后具有松弛正弯的SiC晶片。分离后，可以使SiC晶片的一个或多个表面以及剩余的块状晶体材料92的表面进行抛光或研磨以除去与分离过程有关的损坏。在某些实施方式中，预期的切割损失材料区104可能类似于图13中所示的平面构造。照此，对于SiC，整个切割损失材料区104可以具有小于250μm的厚度。尽管对于每个从块状晶体材料分离的单个晶片SiC晶片的线锯通常需要至少约250μm的切割损失，但本文所公开的并且应用于SiC的激光和载体辅助分离方法可以实现小于250μm；或者小于175μm；或者在100至250μm的范围内；或者在80至250μm/晶片的范围内；或者在包括80至140μm/晶片的范围内的切割损失。具体地，对于具有强加形状的SiC晶片，常规方法通常包括线切割SiC材料的较厚部分，并随后利用研磨、抛光或其它机械材料除去方法形成所期望的形状。根据本文所公开的实施方式，可以通过由表面下激光损坏94的形状以及后续分离过程至少部分确定的强加形状将SiC晶片与块状晶体材料90分离，同时提供所期望的低切割损失。
根据本文所公开的实施方式，可以以多种方式在块状晶体材料内提供具有多种非线性轮廓或形状(包括弯曲)的表面下激光损坏。在某些实施方式中，可以在块状晶体材料上可变地施加用于形成表面下激光损坏的激光功率以形成弯曲表面下激光损坏。在其它实施方式中，可以在晶体材料上可变调节用于形成表面下激光损坏的激光的焦点或高度以形成弯曲表面下激光损坏。在其它实施方式中，可以通过改变块状晶体材料上的激光吸收的可变掺杂轮廓来形成块状晶体材料。具体地，可以形成在块状晶体材料中心一般高于在块状晶体材料外周的掺杂浓度。随着形成表面下激光损坏，由于掺杂浓度变化所造成的激光吸收差异可以形成弯曲表面下激光损坏。在某些实施方式中，方法可以包括可变激光功率、可变激光焦点或高度和块状晶体材料的可变掺杂轮廓的一种或多种组合，以形成成形的表面下激光损坏区。
图15是具有可变激光功率的聚焦在块状晶体材料92部分上以形成表面下激光损坏的弯曲形状110的激光辐射61的截面示意图。如所示的，激光辐射61在块状晶体材料92外周附近配置有第一激光功率P1并且在块状晶体材料92中心附近配置有第二激光功率P2。在某些实施方式中，第二激光功率P2配置为大于第一激光功率P1，借此在与第二激光功率P2叠合的块状晶体材料92的区域中形成更深的表面下激光损坏。尽管在图15中仅显示了两个激光功率P1、P2，但是在块状晶体材料92上可以提供任何数目的激光功率，以形成表面下激光损坏的弯曲形状110。基于激光工具、目标晶片厚度和块状晶体材料的材料性质，可以将平均激光功率配置为在2W至6W的范围内或者在包括3W至5.5W的范围内变化。在某些实施方式中，可以使用更高或更低的功率范围。另外，图15中显示了表面下激光损坏的弯曲形状110；然而，可以基于激光功率如何在块状晶体材料92上变化来形成表面下激光损坏的其它形状。
图16是具有可变高度调节的聚焦在块状晶体材料92部分上以形成表面下激光损坏的弯曲形状110的激光辐射61的截面示意图。如所示的，将激光辐射61配置为具有从块状晶体材料92外周附近的第一激光高度Z1向块状晶体材料92中心附近的第二激光高度Z2改变的高度(例如，激光焦点的“Z”位置)。在某些实施方式中，将第二激光高度Z2配置为在块状晶体材料92中提供比第一激光高度Z1更深的表面下激光损坏。可以通过相对于块状晶体材料92的表面和/或激光透镜内的光学元件调节激光焦点位置Z以将焦点移动至用于在块状晶体材料92中形成表面下激光损坏的目标深度来提供可变激光高度Z1、Z2。尽管在图16中显示了表面下激光损坏的弯曲形状110，但是可以基于激光高度或焦点如何在块状晶体材料92上改变来形成表面下激光损坏的其它形状。
图17是聚焦在块状晶体材料92的可变掺杂部分上以形成表面下激光损坏的弯曲形状110的激光辐射61的截面示意图。在块状晶体材料92的截面示意图下方提供简单的掺杂轮廓图。y轴代表块状晶体材料92内的相对掺杂浓度(ccn)，而x轴代表块状晶体材料92的侧向位置。如所示的，配置块状晶体材料92的掺杂以具有在块状晶体材料92中心附近较高且在块状晶体材料92外周附近较低的径向掺杂轮廓。因此，当激光辐射61沿块状晶体材料92通过时，激光辐射61可以显示出相对于块状晶体材料92内的水平位置改变的激光吸收水平，从而形成表面下激光损坏的弯曲形状110。可以在块状晶体材料92的晶体生长期间提供块状晶体材料92的可变掺杂轮廓。在某些实施方式中，块状晶体材料92布置有较高掺杂浓度的中心掺杂环。尽管在图17中显示了表面下激光损坏的弯曲形状110，但是可以基于如何在块状晶体材料92内布置掺杂轮廓来形成表面下激光损坏的其它形状。
图18-21显示了具有不同的掺杂轮廓的块状晶体材料的多种视图。图18是种晶112上的SiC的块状晶体材料92的侧截面示意图，其显示了从种晶112沿其中央部分向上通过块状晶体材料92的整个厚度延伸的圆柱形更高的掺杂区114。在某些实施方式中，通过沿块状晶体材料92外周布置的较低掺杂区116横向划定较高的掺杂区114。在某些实施方式中，较低的掺杂区116可以是有意掺杂的、无意掺杂的或未掺杂的。尽管图18将较高的掺杂区114的尺寸(例如，宽度或直径)在整个块状晶体材料92的厚度上显示为基本恒定，但是掺杂区的尺寸可以在块状晶体材料92内随垂直位置改变(例如，通常在更接近于种晶的宽度或直径上较大，而随着远离种晶的距离增加而变小)。另外，较高的掺杂区114内的掺杂幅度可以随块状晶体材料92内的垂直位置而改变。以短划线表示块状晶体材料92的薄截面部分118，并且其可以限定SiC晶片120，如图19所示。图19是沿截面部分118来源于图18的块状晶体材料92的SiC晶片120的顶示意图。如所示的，较高的掺杂区114在SiC晶片120的环形较低的掺杂区116的外周内形成环形。在这些实施方式中，可以沿图18的截面部分118提供可变表面下激光损坏区以提供具有如前所述的松弛正弯的SiC晶片120。
图20是种晶112上SiC的块状晶体材料92的侧截面示意图，其显示了从种晶112沿其中央部分向上通过块状晶体材料92的整个厚度延伸的截头圆锥形的更高掺杂区114。在某些实施方式中，如果将邻接(例如，处于与c-面不平行的角度的偏切(offcut))种晶用于块状晶体材料92的生长，则相对于图20中所示的构造，较高的掺杂区114的侧向位置和形状可以是不同的。例如，如果使用邻接种晶，则较高的掺杂区114可以在形状上比圆形更椭圆，和/或相对于块状晶体材料92中心横向偏移。图21是种晶112上SiC的块状晶体材料92的侧截面示意图，其显示了从种晶112在相对于种晶112中心的非中心位置向上并且通过块状晶体材料92的整个厚度向上延伸的截头圆锥形的更高掺杂区114。在图21中，种晶112可以包括邻接(例如，偏切)种晶并且当从上方观察时，较高的掺杂区114可以形成一般椭圆形。如通过图20和21的较高掺杂区114的不同形状所证实的，较高的掺杂区114和较低的掺杂区116的侧向尺寸可以基于块状晶体材料92内的垂直位置而改变。以这种方式，为了均匀产生具有相同松弛正弯的多个SiC晶片，用于形成表面下激光损坏区的激光条件(例如，焦点高度和激光功率中的一种或多种)可能需要改变以补偿较高和较低的掺杂区114、116的垂直变化。
图22是根据本文所公开的实施方式具有松弛正弯的SiC晶片122的侧截面示意图。SiC晶片122包括硅面124和相对的碳面126。如所示的，根据先前所描述的制造技术，形成了具有从硅面124的松弛正弯的SiC晶片122。值得注意地，形成了具有类似或平行的形状的弯的碳面126。在某些实施方式中，一个或多个激光表面下损坏和后续研磨或抛光的组合可以形成硅面124和碳面126的这些相应形状。通过短划线将理论平面晶片128叠加在SiC晶片122上。与无重力影响时的理论平面晶片128的硅面124’相比，可以通过硅面124的最高点(例如，图22的中心)的距离或偏差130定量硅面124的松弛正弯的量。以类似的方式，可以将碳面126的弯定量为与理论平面晶片128的碳面126’的距离或偏差。
图23是根据本文所公开的实施方式具有松弛正弯的SiC晶片132的侧截面示意图。SiC碳化物晶片132包括硅面124和相对的碳面126。如所示的，根据先前所描述的制造技术，形成了具有从硅面124的松弛正弯的SiC晶片132，同时形成了具有一般平面轮廓的碳面126。以这种方式，通过松弛正弯所限定的硅面124的轮廓不同于碳面126的轮廓，使得SiC晶片132包含从SiC晶片132的外周到SiC晶片132的较厚的中央部分的局部厚度偏差。在某些实施方式中，一个或多个激光表面下损坏和后续研磨或抛光的组合可以形成硅面124和碳面126的这些形状。如对于图22所描述的，与无重力影响时的理论平面晶片128的硅面124’相比，可以通过硅面124的最高点的距离或偏差130定量硅面124的松弛正弯的量。
根据本文所公开的实施方式，多种技术可以用于测量晶片的松弛正弯的量。这些技术包括修正重力引起的晶片变形或下垂的布置。如标题为“Test Method for MeasuringWarp on Silicon Wafers by Automated Non-Contact Scanning”的国际半导体设备与材料产业协会(SEMI)的标准MF1390中所描述的，使用一种这种测量技术通过比较第一晶片测量值与反转的第二晶片测量值来修正重力影响，使得两者之间的差异对应于重力影响。其它测量技术可见于标题为“Guide for Metrology for Measuring Thickness,TotalThickness Variation(TTV),Bow,Warp/Sori,and Flatness of Bonded Wafer Stacks)”的SEMI标准3D4-0915，该技术描述了水平和垂直支撑的晶片的多种重力补偿技术。在某些实施方式中，这些测量技术可以包括干涉测量法。在某些实施方式中，测量技术可以包括用于确定晶片的平整度或其缺乏的光学平面的使用。
图24A-24C是在定量松弛正弯同时修正重力影响的测量期间，图22的SiC晶片122的侧截面示意图。图24A是无重力影响的情况下形成从与碳面126相对的硅面124的松弛正弯的图22的SiC晶片122的侧截面示意图。在图24B中，将SiC晶片122布置在边缘支撑134上以用于晶片弯曲或翘曲的表征。在某些实施方式中，以与后续装置制造过程(包括SiC晶片122上薄膜的外延生长)期间可以如何支撑SiC晶片122的近似方式布置边缘支撑134。边缘支撑134可以包括任何数目的构造，包括三点支撑、四点支撑或者用于支撑的连续环。如所示的，当SiC晶片122布置在边缘支撑134上时，重力影响可以使SiC晶片122在从硅面124向碳面126的方向上变形、弯曲或下垂。值得注意地，通过重力影响，如图24A所示的松弛正弯可以形成硅面124的变平或甚至凸出的形状。如前所述，对于在外延装置生长期间提供改善的SiC晶片122的温度均匀性来说，这种构造可能是期望的。在图24C中，SiC晶片122翻转或反转，使得硅面124向下朝边缘支撑134取向而碳面126向上取向。如所示的，重力影响可以使SiC晶片122比图24B中所示的变形、弯曲或下垂更大的量。在这方面，晶片弯曲或翘曲表征测量可以采集自SiC晶片122的硅面124和碳面126两者并且相比较以补偿重力影响。例如，如果所测量的从硅面124下垂的量(例如，图24B)等于所测量的从碳面126下垂的量(例如，图24C)，则可以将SiC晶片122表征为一般平面的或不具有松弛正弯。因此，如果所测量的从硅面124下垂的量(例如，图24B)小于所测量的从碳面126下垂的量(例如，图24C)，则可以将SiC晶片122表征为具有可定量为两个测量值之间的差异的松弛正弯并且在测量期间对于重力影响进行了补偿。
图25是在定量松弛正弯的垂直取向的测量期间，图22的SiC晶片122的侧截面示意图。如所示的，将SiC晶片122垂直布置在光学平面136上用于表征。在平整度测量期间，用光138如单色光或白光等照射光学平面136和SiC晶片122，并且形成了用于相对于光学平面136定量SiC晶片122的平整度的干涉条纹。由于SiC晶片122在表征期间是垂直取向的，因此降低了重力影响。
在某些实施方式中，松弛正弯在大于0μm至50μm的范围内，或者在大于0μm至40μm的范围内，或者在大于0μm至25μm的范围内，或者在大于0μm至15μm的范围内，或者在大于0μm至10μm的范围内，或者在5μm至50μm的范围内。对于某些应用，大于50μm的松弛正弯可以导致在后续制造步骤如外延生长期间产生维持正弯的晶片，这可能对装置均匀性具有副作用。如前所述，如本文所公开的SiC晶片可以包括至少100mm、至少150mm、至少200mm或更大，或者在150mm至205mm的范围内的直径，和在100至1000μm的范围内的厚度。在某些实施方式中，SiC晶片包括至少250；或者至少300；或者至少400；或者250至1020的范围内的直径与厚度的比。在某些实例中，6英寸(152.4mm)的SiC晶片对于762的直径与厚度的比包括200μm(0.2mm)的厚度；或者对于435的直径与厚度的比包括350μm(0.35mm)的厚度(圆整)；或者对于305的直径与厚度的比包括500μm(0.5mm)的厚度(圆整)。在其它实例中，8英寸(203.2mm)的SiC晶片对于1016的直径与厚度的比包括200μm(0.2mm)的厚度；或者对于406的直径与厚度的比包括500μm(0.5mm)的厚度(圆整)；或者对于254的直径与厚度的比包括800μm(0.8mm)的厚度。根据以上所描述的实施方式，以上6英寸和8英寸SiC晶片实例中的每一个均可以布置有松弛正弯。在某些实施方式中，基于晶片直径和厚度尺寸，可以布置不同的松弛正弯的量。在一个实例中，厚度为350μm(0.35mm)的6英寸(152.4mm)SiC晶片可以包括8μm至16μm的范围内的松弛正弯以补偿下垂、翘曲或其它变形影响。对于相同晶片厚度，松弛正弯可以随着晶片直径的增加而增加。例如，厚度为350μm(0.35mm)的8英寸(203.2mm)SiC晶片可以包括30μm至50μm的范围内的松弛正弯以补偿下垂、翘曲或其它变形影响。对于相同晶片直径，松弛正弯可以随晶片厚度的增加而降低。例如，厚度为500μm(0.5mm)的8英寸(203.2mm)SiC晶片可以包括10μm至30μm的范围内的松弛正弯，并且厚度为800μm(0.8mm)的8英寸(203.2mm)SiC晶片可以包括4μm至12μm的范围内的松弛正弯以补偿下垂、翘曲或其它变形影响。在某些实施方式中，基于材料类型和/或材料尺寸(例如，厚度和直径)和/或可能存在的结晶应力，其它松弛正弯范围是可能的。在这方面，公开了具有松弛正弯的具有以上所描述的厚度的大面积SiC晶片，借此降低了与重力影响有关或来自具有这些尺寸的SiC晶片的先前存在的晶体应力的下垂、翘曲或其它变形影响。
如本文中先前所提及的，逐渐升高的激光功率水平可以是足以通过断裂使晶体材料分开的激光损坏的形成所必需的，其起始于种晶远端位置并且在逐渐接近种晶的截面位置获得晶片。当形成表面下损坏时，高激光功率在每个后续深度位置处的使用将导致不必要的材料损失，并且由于损坏深度和分解相对于激光束腰将达到的点两者的变化，还将显著提高晶片与晶片间的厚度传播。可以参考图26和27理解这种概念。
图26是常规激光聚焦设备的侧截面示意图，该设备通过透镜404在传播方向上聚焦水平入射光束400，在对应于透镜404的焦距f的位置406处形成具有最小宽度Wf的光束腰模式的出射光束402。在该位置406的下游，光束宽度变宽至更宽的区域408。图27是可以引导至晶体材料中并且显示出光束腰模式(在对应于透镜(未显示)焦距的位置406具有最小宽度)的垂直取向的聚焦激光束402的侧截面示意图，其中光束宽度随后变宽至更宽的区域408。当在块状晶体材料内引导聚焦的激光束402时，基于因素如激光功率、晶体材料的辐射吸收程度(其可能受掺杂剂和/或晶体缺陷的存在或不存在的影响，掺杂剂和/或晶体缺陷的存在或不存在可能随基材内的深度(和宽度)位置而改变)和取决于垂直位置的聚焦程度，晶体材料将在不同的阈值点(即深度)热分解。图27中显示了3个不同的分解阈值点410A-410C。
本文所公开的方法和装置允许通过对具有表面下激光损坏的晶体材料的上表面成像来检测未裂开的区域，分析一个或多个图像来识别指示晶体材料内未裂开的区域的存在的条件，并且响应所述分析(例如，一旦达到适合的条件)采取一种或多种措施来解决上述问题。这些措施可以包括在相同深度位置实施另外的激光行程和/或改变对于在后续深度位置产生表面下激光损坏所设置的指令。这些方法和设备帮助产生具有强加形状且没有不必要的材料损失的基材或晶片部分。
可以通过本公开的一个或多个实施方式获得的技术益处可以包括：与常规技术相比，具有从装置面的松弛正弯的晶片的形成和降低的晶体材料切割损失；降低的处理时间和提高的晶体材料晶片和所产生的装置的生产能力；和/或提高的从块状晶体材料分离的具有松弛正弯的薄晶片的可重复性。
本领域技术人员将认识到对本公开的优选实施方式的改善和修改。将认为所有这些改善和修改在本文所公开的概念和随后的权利要求的范围内。

Claims (24)

1.一种碳化硅(SiC)晶片，包括：
硅面和碳面；
至少200毫米(mm)的直径；以及
从所述硅面的松弛正弯。
2.根据权利要求1所述的SiC晶片，其中所述松弛正弯在大于0μm至50μm的范围内。
3.根据权利要求1所述的SiC晶片，其中所述松弛正弯在大于0μm至40μm的范围内。
4.根据权利要求1所述的SiC晶片，其中所述松弛正弯在大于0μm至15μm的范围内。
5.根据权利要求1所述的SiC晶片，其中所述松弛正弯在包括30μm至50μm的范围内。
6.根据权利要求1所述的SiC晶片，其中所述松弛正弯在包括8μm至16μm的范围内。
7.根据权利要求1所述的SiC晶片，其中SiC晶片包含n-型导电SiC晶片。
8.根据权利要求1所述的SiC晶片，其中SiC晶片包含半绝缘SiC晶片。
9.根据权利要求1所述的SiC晶片，其中SiC晶片包含无意掺杂的SiC晶片。
10.根据权利要求1所述的SiC晶片，其中SiC晶片的所述碳面包含对应于从所述硅面的松弛正弯的形状。
11.根据权利要求1所述的SiC晶片，其中通过所述松弛正弯所限定的硅面的轮廓不同于SiC晶片的所述碳面的轮廓。
12.根据权利要求1所述的SiC晶片，其中SiC晶片设置有小于250μm的切割损失。
13.根据权利要求1所述的SiC晶片，其中所述直径在200mm至205mm的范围内。
14.一种碳化硅(SiC)晶片，包括：
硅面和碳面；以及
从所述硅面的松弛正弯，其中所述松弛正弯设置有小于250μm的切割损失。
15.根据权利要求14所述的SiC晶片，其中所述切割损失小于175μm。
16.根据权利要求14所述的SiC晶片，其中所述切割损失在100μm至250μm的范围内。
17.根据权利要求14所述的SiC晶片，其中所述切割损失在80μm至140μm的范围内。
18.一种碳化硅(SiC)晶片，包括硅面、碳面、至少200mm的直径以及从所述硅面的松弛正弯，其中SiC晶片通过沿表面下激光损坏图案从SiC块状晶体材料分离所述SiC晶片的方法形成。
19.根据权利要求18所述的SiC晶片，其中所述松弛正弯在大于0μm至50μm的范围内。
20.根据权利要求18所述的SiC晶片，其中所述松弛正弯在包括30μm至50μm的范围内。
21.根据权利要求18所述的SiC晶片，其中所述SiC晶片的碳面包含对应于从所述硅面的松弛正弯的形状。
22.根据权利要求18所述的SiC晶片，其中通过所述松弛正弯所限定的硅面的轮廓不同于所述SiC晶片的所述碳面的轮廓。
23.根据权利要求18所述的SiC晶片，其中所述SiC晶片设置有小于250μm的切割损失。
24.根据权利要求18所述的SiC晶片，其中所述直径在200mm至205mm的范围内。
CN202311010709.5A 2019-05-17 2020-03-13 用于处理具有松弛正弯的碳化硅晶片的方法 Pending CN117021381A (zh)

Applications Claiming Priority (6)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US16/415,721 US10611052B1 (en) 2019-05-17 2019-05-17 Silicon carbide wafers with relaxed positive bow and related methods
US16/415,721 2019-05-17
US16/784,311 US11034056B2 (en) 2019-05-17 2020-02-07 Silicon carbide wafers with relaxed positive bow and related methods
US16/784,311 2020-02-07
PCT/US2020/022626 WO2020236246A1 (en) 2019-05-17 2020-03-13 Methods for processing silicon carbide wafers with relaxed positive bow
CN202080036469.4A CN113825602B (zh) 2019-05-17 2020-03-13 用于处理具有松弛正弯的碳化硅晶片的方法

Related Parent Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202080036469.4A Division CN113825602B (zh) 2019-05-17 2020-03-13 用于处理具有松弛正弯的碳化硅晶片的方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN117021381A true CN117021381A (zh) 2023-11-10

Family

ID=70056341

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202311010709.5A Pending CN117021381A (zh) 2019-05-17 2020-03-13 用于处理具有松弛正弯的碳化硅晶片的方法
CN202080036469.4A Active CN113825602B (zh) 2019-05-17 2020-03-13 用于处理具有松弛正弯的碳化硅晶片的方法

Family Applications After (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202080036469.4A Active CN113825602B (zh) 2019-05-17 2020-03-13 用于处理具有松弛正弯的碳化硅晶片的方法

Country Status (6)

Country Link
US (4) US10611052B1 (zh)
EP (2) EP4342648A1 (zh)
JP (2) JP7320130B2 (zh)
KR (1) KR20220009447A (zh)
CN (2) CN117021381A (zh)
WO (1) WO2020236246A1 (zh)

Families Citing this family (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9919972B2 (en) 2013-05-02 2018-03-20 Melior Innovations, Inc. Pressed and self sintered polymer derived SiC materials, applications and devices
DE102015000451A1 (de) * 2015-01-15 2016-07-21 Siltectra Gmbh Unebener Wafer und Verfahren zum Herstellen eines unebenen Wafers
JP7128067B2 (ja) * 2018-09-14 2022-08-30 株式会社ディスコ ウエーハの生成方法およびレーザー加工装置
US10562130B1 (en) 2018-12-29 2020-02-18 Cree, Inc. Laser-assisted method for parting crystalline material
US10576585B1 (en) 2018-12-29 2020-03-03 Cree, Inc. Laser-assisted method for parting crystalline material
US11024501B2 (en) 2018-12-29 2021-06-01 Cree, Inc. Carrier-assisted method for parting crystalline material along laser damage region
US10611052B1 (en) 2019-05-17 2020-04-07 Cree, Inc. Silicon carbide wafers with relaxed positive bow and related methods
JP2023508691A (ja) * 2019-12-27 2023-03-03 ウルフスピード インコーポレイテッド 大口径炭化ケイ素ウェハ
CN112548359B (zh) * 2020-11-30 2023-03-21 贵州大学 一种表面功能复合结构化单晶碳化硅的制备方法
EP4074870B1 (en) * 2021-04-14 2023-05-03 SiCrystal GmbH Monocrystalline sic substrates having an asymmetrical geometry and method of producing same
JP7258277B1 (ja) * 2022-05-31 2023-04-17 株式会社レゾナック ＳｉＣ基板及びＳｉＣエピタキシャルウェハ
CN115958709B (zh) * 2022-12-28 2023-06-20 宁波合盛新材料有限公司 碳化硅晶片的多线切割方法

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102257190A (zh) * 2009-04-15 2011-11-23 住友电气工业株式会社 衬底、具有薄膜的衬底、半导体器件和半导体器件的制造方法
WO2018192689A1 (de) * 2017-04-20 2018-10-25 Siltectra Gmbh Verfahren zur waferherstellung mit definiert ausgerichteten modifikationslinien

Family Cites Families (354)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3105623A (en) 1959-05-12 1963-10-01 Philips Corp Method of separating into pieces plates of brittle material
NL299821A (zh) 1962-10-31 1900-01-01
US3421208A (en) 1965-01-21 1969-01-14 Gen Electric Methods for separating electrically conductive and adjacent elements
JPS4837320B1 (zh) 1968-09-12 1973-11-10
JPS5025876B1 (zh) 1970-05-27 1975-08-27
JPS5037082B1 (zh) 1970-12-31 1975-11-29
JPS473983U (zh) 1971-01-27 1972-09-07
JPS5010857Y2 (zh) 1971-05-01 1975-04-04
US3743809A (en) 1971-06-09 1973-07-03 Park Ohio Industries Inc Method and apparatus for inductively heating valve seats
JPS5034456Y2 (zh) 1971-10-16 1975-10-07
JPS5227179Y2 (zh) 1972-09-08 1977-06-21
JPS5094994U (zh) 1973-12-26 1975-08-08
JPS5094337U (zh) 1973-12-29 1975-08-07
JPS5435846Y2 (zh) 1974-07-27 1979-10-30
US3970819A (en) 1974-11-25 1976-07-20 International Business Machines Corporation Backside laser dicing system
JPS5177992U (zh) 1974-12-17 1976-06-19
JPS5422335Y2 (zh) 1975-10-16 1979-08-04
JPS5519246Y2 (zh) 1975-11-19 1980-05-07
JPS5312761U (zh) 1976-07-15 1978-02-02
JPS5322418U (zh) 1976-08-03 1978-02-24
NL7609815A (nl) 1976-09-03 1978-03-07 Philips Nv Werkwijze voor het vervaardigen van een half- geleiderinrichting en halfgeleiderinrichting vervaardigd met behulp van de werkwijze.
JPS53134320A (en) 1977-04-28 1978-11-22 Sony Corp Noise rejecting circuit
JPS5451238U (zh) 1977-09-16 1979-04-09
JPS5468627U (zh) 1977-10-17 1979-05-16
JPS5738534Y2 (zh) 1978-12-28 1982-08-25
JPS5738532Y2 (zh) 1978-12-28 1982-08-25
JPS5620553U (zh) 1979-07-25 1981-02-23
JPS6014372Y2 (ja) 1979-11-02 1985-05-08 三雄 安生 ハイドロク−ラ
JPS5746540Y2 (zh) 1979-11-05 1982-10-13
JPS6240467Y2 (zh) 1980-10-20 1987-10-16
JPS5775312U (zh) 1980-10-24 1982-05-10
JPS5941980Y2 (ja) 1981-09-18 1984-12-05 株式会社備文 板付蒲鉾成型装置
JPS5863891U (ja) 1981-10-20 1983-04-28 富士電機株式会社 過電流保護回路
JPS5864988U (ja) 1981-10-28 1983-05-02 日本ジヤミソン株式会社 冷蔵庫出入口等の防熱用開閉装置
JPS5894754U (ja) 1981-12-16 1983-06-27 油谷重工株式会社 連続積込みロ−ダ
JPS595274U (ja) 1982-07-05 1984-01-13 日産自動車株式会社 ビン抜き工具
JPS5917862U (ja) 1982-07-23 1984-02-03 三洋電機株式会社 電圧低下検出回路
JPS59152581A (ja) 1983-02-18 1984-08-31 Fujitsu Ltd バブル装置の製造法
JPS6041925A (ja) 1984-07-09 1985-03-05 桜沢　初雄 熱交換器を内蔵した油揚げ装置
JPS6355540U (zh) 1986-09-29 1988-04-14
JPS6366486U (zh) 1986-10-18 1988-05-02
JPS6418927U (zh) 1987-07-24 1989-01-31
JPS6444207U (zh) 1987-09-11 1989-03-16
JPH0125572Y2 (zh) 1987-09-17 1989-07-31
JPH02179708A (ja) 1989-01-05 1990-07-12 Kawasaki Steel Corp 半導体ウエハの破折分離方法
JPH04116848A (ja) 1990-09-06 1992-04-17 Seiko Instr Inc 半導体装置の製造方法
US6958093B2 (en) 1994-01-27 2005-10-25 Cree, Inc. Free-standing (Al, Ga, In)N and parting method for forming same
US5631190A (en) 1994-10-07 1997-05-20 Cree Research, Inc. Method for producing high efficiency light-emitting diodes and resulting diode structures
US5597767A (en) 1995-01-06 1997-01-28 Texas Instruments Incorporated Separation of wafer into die with wafer-level processing
US5786560A (en) 1995-03-31 1998-07-28 Panasonic Technologies, Inc. 3-dimensional micromachining with femtosecond laser pulses
KR970008386A (ko) 1995-07-07 1997-02-24 하라 세이지 기판의 할단(割斷)방법 및 그 할단장치
JPH0929472A (ja) 1995-07-14 1997-02-04 Hitachi Ltd 割断方法、割断装置及びチップ材料
JPH11503880A (ja) 1996-02-09 1999-03-30 フィリップス エレクトロニクス ネムローゼ フェンノートシャップ 半導体材料のウエファに形成された半導体素子のレーザ分割方法
US5761111A (en) 1996-03-15 1998-06-02 President And Fellows Of Harvard College Method and apparatus providing 2-D/3-D optical information storage and retrieval in transparent materials
US6087617A (en) 1996-05-07 2000-07-11 Troitski; Igor Nikolaevich Computer graphics system for generating an image reproducible inside optically transparent material
IL127387A0 (en) 1998-12-03 1999-10-28 Universal Crystal Ltd Laser image formation in multiple transparent samples
IL127388A0 (en) 1998-12-03 1999-10-28 Universal Crystal Ltd Material processing applications of lasers using optical breakdown
US6555781B2 (en) 1999-05-10 2003-04-29 Nanyang Technological University Ultrashort pulsed laser micromachining/submicromachining using an acoustooptic scanning device with dispersion compensation
US6555447B2 (en) 1999-06-08 2003-04-29 Kulicke & Soffa Investments, Inc. Method for laser scribing of wafers
JP3761565B2 (ja) 2000-09-13 2006-03-29 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法
JP4128204B2 (ja) 2000-09-13 2008-07-30 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法
JP3867102B2 (ja) 2000-09-13 2007-01-10 浜松ホトニクス株式会社 半導体材料基板の切断方法
JP3867107B2 (ja) 2000-09-13 2007-01-10 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法
JP3935187B2 (ja) 2000-09-13 2007-06-20 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法
JP4964376B2 (ja) 2000-09-13 2012-06-27 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工装置及びレーザ加工方法
JP3408805B2 (ja) 2000-09-13 2003-05-19 浜松ホトニクス株式会社 切断起点領域形成方法及び加工対象物切断方法
JP3867101B2 (ja) 2000-09-13 2007-01-10 浜松ホトニクス株式会社 半導体材料基板の切断方法
JP3751970B2 (ja) 2000-09-13 2006-03-08 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工装置
JP3867109B2 (ja) 2000-09-13 2007-01-10 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法
JP3867108B2 (ja) 2000-09-13 2007-01-10 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工装置
JP4837320B2 (ja) 2000-09-13 2011-12-14 浜松ホトニクス株式会社 加工対象物切断方法
JP4664140B2 (ja) 2000-09-13 2011-04-06 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法
JP3935188B2 (ja) 2000-09-13 2007-06-20 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工装置
JP3626442B2 (ja) 2000-09-13 2005-03-09 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法
JP4762458B2 (ja) 2000-09-13 2011-08-31 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工装置
JP3867103B2 (ja) 2000-09-13 2007-01-10 浜松ホトニクス株式会社 半導体材料基板の切断方法
JP4659300B2 (ja) 2000-09-13 2011-03-30 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法及び半導体チップの製造方法
JP4095092B2 (ja) 2000-09-13 2008-06-04 浜松ホトニクス株式会社 半導体チップ
JP3867003B2 (ja) 2000-09-13 2007-01-10 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法
JP4142694B2 (ja) 2000-09-13 2008-09-03 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法
JP3867110B2 (ja) 2000-09-13 2007-01-10 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法
JP4663952B2 (ja) 2000-09-13 2011-04-06 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工装置及びレーザ加工方法
JP5025876B2 (ja) 2000-09-13 2012-09-12 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工装置
JP3761567B2 (ja) 2000-09-13 2006-03-29 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法
JP3876628B2 (ja) 2001-02-07 2007-02-07 株式会社デンソー 炭化珪素単結晶の製造方法および炭化珪素単結晶
JP4659301B2 (ja) 2001-09-12 2011-03-30 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法
JP4527098B2 (ja) 2002-03-12 2010-08-18 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法
JP4509719B2 (ja) 2002-03-12 2010-07-21 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法
JP3670267B2 (ja) 2002-03-12 2005-07-13 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法
TWI326626B (en) 2002-03-12 2010-07-01 Hamamatsu Photonics Kk Laser processing method
JP4409840B2 (ja) 2002-03-12 2010-02-03 浜松ホトニクス株式会社 加工対象物切断方法
JP4509720B2 (ja) 2002-03-12 2010-07-21 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法
JP3761566B2 (ja) 2002-03-12 2006-03-29 浜松ホトニクス株式会社 半導体チップの製造方法
JP3869850B2 (ja) 2002-03-12 2007-01-17 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法
JP3867104B2 (ja) 2002-03-12 2007-01-10 浜松ホトニクス株式会社 半導体基板の切断方法
JP4358502B2 (ja) 2002-03-12 2009-11-04 浜松ホトニクス株式会社 半導体基板の切断方法
JP3990711B2 (ja) 2002-03-12 2007-10-17 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工装置
CN101335235B (zh) 2002-03-12 2010-10-13 浜松光子学株式会社 基板的分割方法
JP4050534B2 (ja) 2002-03-12 2008-02-20 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法
JP3867105B2 (ja) 2002-03-12 2007-01-10 浜松ホトニクス株式会社 半導体基板の切断方法
JP4851060B2 (ja) 2002-03-12 2012-01-11 浜松ホトニクス株式会社 半導体レーザ素子の製造方法
JP3990710B2 (ja) 2002-03-12 2007-10-17 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法
JP4146863B2 (ja) 2002-03-12 2008-09-10 浜松ホトニクス株式会社 半導体基板の切断方法
JP3624909B2 (ja) 2002-03-12 2005-03-02 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法
JP3822626B2 (ja) 2002-03-12 2006-09-20 浜松ホトニクス株式会社 半導体基板の切断方法
JP3935186B2 (ja) 2002-03-12 2007-06-20 浜松ホトニクス株式会社 半導体基板の切断方法
KR100749972B1 (ko) 2002-03-12 2007-08-16 하마마츠 포토닉스 가부시키가이샤 가공 대상물 절단 방법
JP3867100B2 (ja) 2002-03-12 2007-01-10 浜松ホトニクス株式会社 半導体基板の切断方法
JP3935189B2 (ja) 2002-03-12 2007-06-20 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法
JP4463796B2 (ja) 2002-03-12 2010-05-19 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法
WO2003076118A1 (fr) 2002-03-12 2003-09-18 Hamamatsu Photonics K.K. Substrat semi-conducteur, puce a semi-conducteur et procede de fabrication d'un dispositif a semi-conducteur
US7601441B2 (en) 2002-06-24 2009-10-13 Cree, Inc. One hundred millimeter high purity semi-insulating single crystal silicon carbide wafer
TWI520269B (zh) 2002-12-03 2016-02-01 Hamamatsu Photonics Kk Cutting method of semiconductor substrate
JP4167094B2 (ja) 2003-03-10 2008-10-15 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法
FR2852250B1 (fr) 2003-03-11 2009-07-24 Jean Luc Jouvin Fourreau de protection pour canule, un ensemble d'injection comportant un tel fourreau et aiguille equipee d'un tel fourreau
AU2003220842A1 (en) 2003-03-12 2004-09-30 Hamamatsu Photonics K.K. Laser beam machining method
US8685838B2 (en) 2003-03-12 2014-04-01 Hamamatsu Photonics K.K. Laser beam machining method
JP4703983B2 (ja) 2003-07-18 2011-06-15 浜松ホトニクス株式会社 切断方法
EP2324950B1 (en) 2003-07-18 2013-11-06 Hamamatsu Photonics K.K. Semiconductor substrate to be cut with treated and minute cavity region, and method of cutting such substrate
US7052978B2 (en) 2003-08-28 2006-05-30 Intel Corporation Arrangements incorporating laser-induced cleaving
JP4440582B2 (ja) 2003-09-10 2010-03-24 浜松ホトニクス株式会社 半導体基板の切断方法
JP4563097B2 (ja) 2003-09-10 2010-10-13 浜松ホトニクス株式会社 半導体基板の切断方法
JP4601965B2 (ja) 2004-01-09 2010-12-22 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法及びレーザ加工装置
JP4598407B2 (ja) 2004-01-09 2010-12-15 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法及びレーザ加工装置
JP4509578B2 (ja) 2004-01-09 2010-07-21 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法及びレーザ加工装置
JP4584607B2 (ja) 2004-03-16 2010-11-24 浜松ホトニクス株式会社 加工対象物切断方法
US7202141B2 (en) * 2004-03-29 2007-04-10 J.P. Sercel Associates, Inc. Method of separating layers of material
JP4536407B2 (ja) 2004-03-30 2010-09-01 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法及び加工対象物
EP1742253B1 (en) 2004-03-30 2012-05-09 Hamamatsu Photonics K.K. Laser processing method
EP1748474B1 (en) 2004-03-30 2015-05-06 Hamamatsu Photonics K.K. Laser processing method
JP4634089B2 (ja) 2004-07-30 2011-02-16 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法
JP4732063B2 (ja) 2004-08-06 2011-07-27 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法
EP2230042B1 (en) 2004-08-06 2017-10-25 Hamamatsu Photonics K.K. Laser processing method
JP4754801B2 (ja) 2004-10-13 2011-08-24 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法
JP4781661B2 (ja) 2004-11-12 2011-09-28 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法
JP4917257B2 (ja) 2004-11-12 2012-04-18 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法
JP4198123B2 (ja) 2005-03-22 2008-12-17 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法
JP5364368B2 (ja) 2005-04-21 2013-12-11 エイオーネックス・テクノロジーズ・インコーポレイテッド 基板の製造方法
JP4776994B2 (ja) 2005-07-04 2011-09-21 浜松ホトニクス株式会社 加工対象物切断方法
JP4749799B2 (ja) 2005-08-12 2011-08-17 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法
KR100766727B1 (ko) 2005-08-19 2007-10-15 하마마츠 포토닉스 가부시키가이샤 레이저 가공 방법
EP1935007B1 (en) 2005-09-16 2023-02-22 Wolfspeed, Inc. Methods of processing semiconductor wafers having silicon carbide power devices thereon
JP4762653B2 (ja) 2005-09-16 2011-08-31 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法及びレーザ加工装置
JP4237745B2 (ja) 2005-11-18 2009-03-11 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法
JP4907965B2 (ja) 2005-11-25 2012-04-04 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法
JP4804911B2 (ja) 2005-12-22 2011-11-02 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工装置
JP4907984B2 (ja) 2005-12-27 2012-04-04 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法及び半導体チップ
JP4322881B2 (ja) 2006-03-14 2009-09-02 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法及びレーザ加工装置
US7547897B2 (en) 2006-05-26 2009-06-16 Cree, Inc. High-temperature ion implantation apparatus and methods of fabricating semiconductor devices using high-temperature ion implantation
JP5183892B2 (ja) 2006-07-03 2013-04-17 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法
US7897487B2 (en) 2006-07-03 2011-03-01 Hamamatsu Photonics K.K. Laser processing method and chip
JP5269356B2 (ja) 2006-07-03 2013-08-21 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法
US8980445B2 (en) 2006-07-06 2015-03-17 Cree, Inc. One hundred millimeter SiC crystal grown on off-axis seed
EP1901345A1 (en) 2006-08-30 2008-03-19 Siltronic AG Multilayered semiconductor wafer and process for manufacturing the same
US8993410B2 (en) 2006-09-08 2015-03-31 Silicon Genesis Corporation Substrate cleaving under controlled stress conditions
JP4954653B2 (ja) 2006-09-19 2012-06-20 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法
EP2065120B1 (en) 2006-09-19 2015-07-01 Hamamatsu Photonics K.K. Laser processing method
JP5322418B2 (ja) 2006-09-19 2013-10-23 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法及びレーザ加工装置
JP5037082B2 (ja) 2006-10-02 2012-09-26 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法及びレーザ加工装置
JP4964554B2 (ja) 2006-10-03 2012-07-04 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法
JP5132911B2 (ja) 2006-10-03 2013-01-30 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法
JP5117806B2 (ja) 2006-10-04 2013-01-16 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法及びレーザ加工装置
EP2070636B1 (en) 2006-10-04 2015-08-05 Hamamatsu Photonics K.K. Laser processing method
JP5177992B2 (ja) 2006-10-27 2013-04-10 浜松ホトニクス株式会社 加工対象物切断方法
JP5122161B2 (ja) 2007-03-07 2013-01-16 浜松ホトニクス株式会社 加工対象物切断方法
JP5197586B2 (ja) 2007-05-25 2013-05-15 浜松ホトニクス株式会社 切断用加工方法
JP5336054B2 (ja) 2007-07-18 2013-11-06 浜松ホトニクス株式会社 加工情報供給装置を備える加工情報供給システム
JP4402708B2 (ja) 2007-08-03 2010-01-20 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法、レーザ加工装置及びその製造方法
JP5312761B2 (ja) 2007-08-09 2013-10-09 浜松ホトニクス株式会社 切断用加工方法
JP5225639B2 (ja) 2007-09-06 2013-07-03 浜松ホトニクス株式会社 半導体レーザ素子の製造方法
JP5342772B2 (ja) 2007-10-12 2013-11-13 浜松ホトニクス株式会社 加工対象物切断方法
JP5449665B2 (ja) 2007-10-30 2014-03-19 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法
WO2009061353A2 (en) 2007-11-02 2009-05-14 President And Fellows Of Harvard College Production of free-standing solid state layers by thermal processing of substrates with a polymer
JP5094337B2 (ja) 2007-11-05 2012-12-12 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法
JP5054496B2 (ja) 2007-11-30 2012-10-24 浜松ホトニクス株式会社 加工対象物切断方法
JP5134928B2 (ja) 2007-11-30 2013-01-30 浜松ホトニクス株式会社 加工対象物研削方法
US20120000415A1 (en) 2010-06-18 2012-01-05 Soraa, Inc. Large Area Nitride Crystal and Method for Making It
JP5254761B2 (ja) 2008-11-28 2013-08-07 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工装置
CN102307699B (zh) 2009-02-09 2015-07-15 浜松光子学株式会社 加工对象物的切断方法
JP5446325B2 (ja) 2009-03-03 2014-03-19 豊田合成株式会社 レーザ加工方法および化合物半導体発光素子の製造方法
US8288220B2 (en) 2009-03-27 2012-10-16 Cree, Inc. Methods of forming semiconductor devices including epitaxial layers and related structures
CN102317030B (zh) 2009-04-07 2014-08-20 浜松光子学株式会社 激光加工装置以及激光加工方法
US8919412B2 (en) 2009-04-16 2014-12-30 Suss Microtec Lithography, Gmbh Apparatus for thermal-slide debonding of temporary bonded semiconductor wafers
JP5491761B2 (ja) 2009-04-20 2014-05-14 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工装置
JP5537081B2 (ja) 2009-07-28 2014-07-02 浜松ホトニクス株式会社 加工対象物切断方法
JP5476063B2 (ja) 2009-07-28 2014-04-23 浜松ホトニクス株式会社 加工対象物切断方法
JP5775265B2 (ja) 2009-08-03 2015-09-09 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法及び半導体装置の製造方法
JP5451238B2 (ja) 2009-08-03 2014-03-26 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法
CN102470484B (zh) 2009-08-11 2015-09-30 浜松光子学株式会社 激光加工装置及激光加工方法
JP5379604B2 (ja) 2009-08-21 2013-12-25 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法及びチップ
EP2476799B1 (en) 2009-09-09 2020-01-01 Mitsubishi Chemical Corporation Carbon fiber bundle and method for producing same
JP5148575B2 (ja) 2009-09-15 2013-02-20 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法、及び、レーザ加工装置
JP5410250B2 (ja) 2009-11-25 2014-02-05 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法及びレーザ加工装置
JP5479925B2 (ja) 2010-01-27 2014-04-23 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工システム
JP5479924B2 (ja) 2010-01-27 2014-04-23 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法
JP5670647B2 (ja) 2010-05-14 2015-02-18 浜松ホトニクス株式会社 加工対象物切断方法
US8950217B2 (en) 2010-05-14 2015-02-10 Hamamatsu Photonics K.K. Method of cutting object to be processed, method of cutting strengthened glass sheet and method of manufacturing strengthened glass member
JP5552373B2 (ja) 2010-06-02 2014-07-16 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法
DE102010030358B4 (de) 2010-06-22 2014-05-22 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verfahren zum Abtrennen einer Substratscheibe
JP5597052B2 (ja) 2010-07-21 2014-10-01 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法
JP5597051B2 (ja) 2010-07-21 2014-10-01 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法
US8722516B2 (en) 2010-09-28 2014-05-13 Hamamatsu Photonics K.K. Laser processing method and method for manufacturing light-emitting device
JP5771391B2 (ja) 2010-12-22 2015-08-26 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法
JP5775312B2 (ja) 2011-01-13 2015-09-09 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法
JP5670765B2 (ja) 2011-01-13 2015-02-18 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法
JP5670764B2 (ja) 2011-01-13 2015-02-18 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法
JP2012146876A (ja) 2011-01-13 2012-08-02 Hamamatsu Photonics Kk レーザ加工方法
JP5480169B2 (ja) 2011-01-13 2014-04-23 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法
JP2013042119A (ja) 2011-07-21 2013-02-28 Hamamatsu Photonics Kk 発光素子の製造方法
JP5140198B1 (ja) 2011-07-27 2013-02-06 東芝機械株式会社 レーザダイシング方法
JP5844089B2 (ja) 2011-08-24 2016-01-13 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法
JP5917862B2 (ja) 2011-08-30 2016-05-18 浜松ホトニクス株式会社 加工対象物切断方法
WO2013039162A1 (ja) 2011-09-16 2013-03-21 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法及びレーザ加工装置
JP2013063455A (ja) 2011-09-16 2013-04-11 Hamamatsu Photonics Kk レーザ加工方法
JP5894754B2 (ja) 2011-09-16 2016-03-30 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法
JP2013063454A (ja) 2011-09-16 2013-04-11 Hamamatsu Photonics Kk レーザ加工方法及びレーザ加工装置
JP5864988B2 (ja) 2011-09-30 2016-02-17 浜松ホトニクス株式会社 強化ガラス板切断方法
JP5930811B2 (ja) 2011-11-18 2016-06-08 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法及びレーザ加工装置
JP5255109B2 (ja) 2011-12-05 2013-08-07 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法、レーザ加工装置及びその製造方法
JP2013124206A (ja) * 2011-12-15 2013-06-24 Panasonic Corp ウエハ切断方法および装置
JP6076601B2 (ja) 2012-01-30 2017-02-08 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法、半導体デバイスの製造方法及びレーザ加工装置
JP5905274B2 (ja) 2012-01-30 2016-04-20 浜松ホトニクス株式会社 半導体デバイスの製造方法
JP6012185B2 (ja) 2012-01-30 2016-10-25 浜松ホトニクス株式会社 半導体デバイスの製造方法
JP5969214B2 (ja) 2012-01-30 2016-08-17 浜松ホトニクス株式会社 半導体デバイスの製造方法
JP6012186B2 (ja) 2012-01-31 2016-10-25 浜松ホトニクス株式会社 加工対象物切断方法
JP6050002B2 (ja) 2012-01-31 2016-12-21 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法
WO2013126927A2 (en) 2012-02-26 2013-08-29 Solexel, Inc. Systems and methods for laser splitting and device layer transfer
JP6009225B2 (ja) 2012-05-29 2016-10-19 浜松ホトニクス株式会社 強化ガラス板の切断方法
JP2014041924A (ja) 2012-08-22 2014-03-06 Hamamatsu Photonics Kk 加工対象物切断方法
JP2014041925A (ja) 2012-08-22 2014-03-06 Hamamatsu Photonics Kk 加工対象物切断方法
JP2014041926A (ja) 2012-08-22 2014-03-06 Hamamatsu Photonics Kk 加工対象物切断方法
JP2014041927A (ja) 2012-08-22 2014-03-06 Hamamatsu Photonics Kk 加工対象物切断方法
FR2995447B1 (fr) 2012-09-07 2014-09-05 Soitec Silicon On Insulator Procede de separation d'au moins deux substrats selon une interface choisie
US8946731B2 (en) 2012-09-24 2015-02-03 International Business Machines Corporation OLED display with spalled semiconductor driving circuitry and other integrated functions
WO2014113503A1 (en) 2013-01-16 2014-07-24 QMAT, Inc. Techniques for forming optoelectronic devices
JP6030470B2 (ja) 2013-02-14 2016-11-24 株式会社熊谷組 トンネル施工方法
JP5923799B2 (ja) 2013-02-14 2016-05-25 新日鐵住金株式会社 光伝播機能を備えた建造物骨組み要素からなる建造物
JP2014156689A (ja) 2013-02-14 2014-08-28 Kumagai Gumi Co Ltd 管
DE112014001710T5 (de) 2013-03-27 2015-12-17 Hamamatsu Photonics K.K. Laserbearbeitungsvorrichtung und Laserbearbeitungsverfahren
WO2014156688A1 (ja) 2013-03-27 2014-10-02 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工装置及びレーザ加工方法
JP6272302B2 (ja) 2013-03-27 2018-01-31 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工装置及びレーザ加工方法
JP6272300B2 (ja) 2013-03-27 2018-01-31 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工装置及びレーザ加工方法
JP6059059B2 (ja) 2013-03-28 2017-01-11 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法
DE102013007672A1 (de) 2013-05-03 2014-11-06 Siltectra Gmbh Verfahren und Vorrichtung zur Waferherstellung mit vordefinierter Bruchauslösestelle
JP6163035B2 (ja) 2013-07-18 2017-07-12 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工装置
US9768259B2 (en) 2013-07-26 2017-09-19 Cree, Inc. Controlled ion implantation into silicon carbide using channeling and devices fabricated using controlled ion implantation into silicon carbide using channeling
JP5620553B2 (ja) 2013-08-01 2014-11-05 浜松ホトニクス株式会社 加工情報供給装置
EP3042459A1 (en) 2013-09-06 2016-07-13 Danmarks Tekniske Universitet All-optical orthogonal frequency division multiplexing (ofdm) demultiplexer
US10793971B2 (en) * 2013-09-06 2020-10-06 Gtat Corporation Method and apparatus for producing bulk silicon carbide using a silicon carbide seed
DE102013016669A1 (de) 2013-10-08 2015-04-09 Siltectra Gmbh Kombiniertes Herstellungsverfahren zum Abtrennen mehrerer dünner Festkörperschichten von einem dicken Festkörper
US20150158117A1 (en) * 2013-12-05 2015-06-11 David Callejo Muñoz System and method for obtaining laminae made of a material having known optical transparency characteristics
US9219049B2 (en) 2013-12-13 2015-12-22 Infineon Technologies Ag Compound structure and method for forming a compound structure
DE102015000449A1 (de) 2015-01-15 2016-07-21 Siltectra Gmbh Festkörperteilung mittels Stoffumwandlung
JP6353683B2 (ja) 2014-04-04 2018-07-04 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工装置及びレーザ加工方法
JP6258787B2 (ja) 2014-05-29 2018-01-10 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工装置及びレーザ加工方法
JP6272145B2 (ja) 2014-05-29 2018-01-31 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工装置及びレーザ加工方法
JP5931124B2 (ja) 2014-06-01 2016-06-08 株式会社シーエンジ 立体網状構造体、立体網状構造体製造方法及び立体網状構造体製造装置
JP5863891B2 (ja) 2014-07-01 2016-02-17 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工装置、レーザ加工装置の制御方法、レーザ装置の制御方法、及び、レーザ装置の調整方法
US9757815B2 (en) 2014-07-21 2017-09-12 Rofin-Sinar Technologies Inc. Method and apparatus for performing laser curved filamentation within transparent materials
JP6327519B2 (ja) 2014-07-30 2018-05-23 日立金属株式会社 炭化珪素単結晶基板の加工方法、及び治具付き炭化珪素単結晶基板
JP6483974B2 (ja) 2014-07-31 2019-03-13 浜松ホトニクス株式会社 加工対象物切断方法
JP6390898B2 (ja) 2014-08-22 2018-09-19 アイシン精機株式会社 基板の製造方法、加工対象物の切断方法、及び、レーザ加工装置
JP6506520B2 (ja) 2014-09-16 2019-04-24 株式会社ディスコ ＳｉＣのスライス方法
JP6328534B2 (ja) 2014-09-30 2018-05-23 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置および基板処理方法
WO2016059449A1 (en) * 2014-10-13 2016-04-21 Evana Technologies, Uab Method of laser processing for substrate cleaving or dicing through forming "spike-like" shaped damage structures
EP3223994B1 (de) 2014-11-27 2023-04-26 Siltectra GmbH Laserbasiertes trennverfahren
KR20230145246A (ko) 2014-11-27 2023-10-17 실텍트라 게엠베하 재료의 전환을 이용한 고체의 분할
JP6399913B2 (ja) 2014-12-04 2018-10-03 株式会社ディスコ ウエーハの生成方法
JP6358941B2 (ja) 2014-12-04 2018-07-18 株式会社ディスコ ウエーハの生成方法
JP6355540B2 (ja) 2014-12-04 2018-07-11 株式会社ディスコ ウエーハの生成方法
JP6366485B2 (ja) 2014-12-04 2018-08-01 株式会社ディスコ ウエーハの生成方法
JP6366486B2 (ja) 2014-12-04 2018-08-01 株式会社ディスコ ウエーハの生成方法
JP6418927B2 (ja) 2014-12-04 2018-11-07 株式会社ディスコ ウエーハの生成方法
JP6399914B2 (ja) 2014-12-04 2018-10-03 株式会社ディスコ ウエーハの生成方法
JP6358940B2 (ja) 2014-12-04 2018-07-18 株式会社ディスコ ウエーハの生成方法
US20160189954A1 (en) 2014-12-31 2016-06-30 Cree, Inc. Methods of performing semiconductor growth using reusable carrier substrates and related carrier substrates
JP6391471B2 (ja) 2015-01-06 2018-09-19 株式会社ディスコ ウエーハの生成方法
JP6395613B2 (ja) 2015-01-06 2018-09-26 株式会社ディスコ ウエーハの生成方法
JP6395632B2 (ja) 2015-02-09 2018-09-26 株式会社ディスコ ウエーハの生成方法
JP6395633B2 (ja) 2015-02-09 2018-09-26 株式会社ディスコ ウエーハの生成方法
JP6395634B2 (ja) 2015-02-09 2018-09-26 株式会社ディスコ ウエーハの生成方法
JP6444207B2 (ja) 2015-02-17 2018-12-26 株式会社ディスコ 六方晶単結晶基板の検査方法及び検査装置
JP6425606B2 (ja) 2015-04-06 2018-11-21 株式会社ディスコ ウエーハの生成方法
JP6429715B2 (ja) 2015-04-06 2018-11-28 株式会社ディスコ ウエーハの生成方法
JP6494382B2 (ja) 2015-04-06 2019-04-03 株式会社ディスコ ウエーハの生成方法
DE102015006971A1 (de) 2015-04-09 2016-10-13 Siltectra Gmbh Verfahren zum verlustarmen Herstellen von Mehrkomponentenwafern
JP6456228B2 (ja) 2015-04-15 2019-01-23 株式会社ディスコ 薄板の分離方法
JP6444249B2 (ja) 2015-04-15 2018-12-26 株式会社ディスコ ウエーハの生成方法
JP6472333B2 (ja) 2015-06-02 2019-02-20 株式会社ディスコ ウエーハの生成方法
JP6482389B2 (ja) 2015-06-02 2019-03-13 株式会社ディスコ ウエーハの生成方法
JP6478821B2 (ja) 2015-06-05 2019-03-06 株式会社ディスコ ウエーハの生成方法
JP6552898B2 (ja) 2015-07-13 2019-07-31 株式会社ディスコ 多結晶ＳｉＣウエーハの生成方法
JP6494457B2 (ja) 2015-07-16 2019-04-03 株式会社ディスコ ウエーハの生成方法
JP6482423B2 (ja) 2015-07-16 2019-03-13 株式会社ディスコ ウエーハの生成方法
JP6482425B2 (ja) 2015-07-21 2019-03-13 株式会社ディスコ ウエーハの薄化方法
JP6472347B2 (ja) 2015-07-21 2019-02-20 株式会社ディスコ ウエーハの薄化方法
DE102015112649B4 (de) 2015-07-31 2021-02-04 Infineon Technologies Ag Verfahren zum bilden eines halbleiterbauelements und halbleiterbauelement
JP6486239B2 (ja) 2015-08-18 2019-03-20 株式会社ディスコ ウエーハの加工方法
JP6486240B2 (ja) 2015-08-18 2019-03-20 株式会社ディスコ ウエーハの加工方法
JP6633326B2 (ja) 2015-09-15 2020-01-22 株式会社ディスコ 窒化ガリウム基板の生成方法
JP6562819B2 (ja) 2015-11-12 2019-08-21 株式会社ディスコ ＳｉＣ基板の分離方法
CN105436710B (zh) * 2015-12-30 2019-03-05 大族激光科技产业集团股份有限公司 一种硅晶圆的激光剥离方法
JP6654435B2 (ja) 2016-01-07 2020-02-26 株式会社ディスコ ウエーハ生成方法
JP6602207B2 (ja) 2016-01-07 2019-11-06 株式会社ディスコ ＳｉＣウエーハの生成方法
JP6604891B2 (ja) 2016-04-06 2019-11-13 株式会社ディスコ ウエーハの生成方法
JP6690983B2 (ja) 2016-04-11 2020-04-28 株式会社ディスコ ウエーハ生成方法及び実第２のオリエンテーションフラット検出方法
JP6669594B2 (ja) 2016-06-02 2020-03-18 株式会社ディスコ ウエーハ生成方法
JP6678522B2 (ja) 2016-06-10 2020-04-08 株式会社ディスコ ウエーハ生成方法及び剥離装置
JP6698468B2 (ja) 2016-08-10 2020-05-27 株式会社ディスコ ウエーハ生成方法
JP6723877B2 (ja) 2016-08-29 2020-07-15 株式会社ディスコ ウエーハ生成方法
JP6773506B2 (ja) 2016-09-29 2020-10-21 株式会社ディスコ ウエーハ生成方法
JP2018093046A (ja) 2016-12-02 2018-06-14 株式会社ディスコ ウエーハ生成方法
JP6773539B2 (ja) 2016-12-06 2020-10-21 株式会社ディスコ ウエーハ生成方法
US10577720B2 (en) 2017-01-04 2020-03-03 Cree, Inc. Stabilized, high-doped silicon carbide
EP3352199B1 (en) * 2017-01-23 2021-07-14 IMEC vzw Iii-n based substrate for power electronic devices and method for manufacturing same
JP6831253B2 (ja) 2017-01-27 2021-02-17 株式会社ディスコ レーザー加工装置
JP6781639B2 (ja) 2017-01-31 2020-11-04 株式会社ディスコ ウエーハ生成方法
JP6858587B2 (ja) 2017-02-16 2021-04-14 株式会社ディスコ ウエーハ生成方法
JP6858586B2 (ja) 2017-02-16 2021-04-14 株式会社ディスコ ウエーハ生成方法
JP6797481B2 (ja) 2017-03-01 2020-12-09 株式会社ディスコ 半導体インゴットの検査方法、検査装置及びレーザー加工装置
JP6935224B2 (ja) 2017-04-25 2021-09-15 株式会社ディスコ ウエーハの生成方法
JP6923877B2 (ja) 2017-04-26 2021-08-25 国立大学法人埼玉大学 基板製造方法
CN107170668B (zh) 2017-06-01 2020-06-05 镓特半导体科技（上海）有限公司 一种自支撑氮化镓制备方法
JP6904793B2 (ja) 2017-06-08 2021-07-21 株式会社ディスコ ウエーハ生成装置
JP6994852B2 (ja) 2017-06-30 2022-01-14 株式会社ディスコ レーザー加工装置及びレーザー加工方法
JP6976745B2 (ja) 2017-06-30 2021-12-08 株式会社ディスコ ウエーハ生成装置
JP6946153B2 (ja) 2017-11-16 2021-10-06 株式会社ディスコ ウエーハの生成方法およびウエーハ生成装置
JP6974133B2 (ja) 2017-11-22 2021-12-01 株式会社ディスコ ＳｉＣインゴットの成型方法
JP6976828B2 (ja) 2017-11-24 2021-12-08 株式会社ディスコ 剥離装置
JP7034683B2 (ja) 2017-11-29 2022-03-14 株式会社ディスコ 剥離装置
JP6959120B2 (ja) 2017-12-05 2021-11-02 株式会社ディスコ 剥離装置
JP7009194B2 (ja) 2017-12-12 2022-01-25 株式会社ディスコ ウエーハ生成装置および搬送トレー
JP7009224B2 (ja) 2018-01-16 2022-01-25 株式会社ディスコ 平坦化方法
JP7123583B2 (ja) 2018-03-14 2022-08-23 株式会社ディスコ ウエーハの生成方法およびウエーハの生成装置
JP7027215B2 (ja) 2018-03-27 2022-03-01 株式会社ディスコ ウエーハの生成方法およびウエーハの生成装置
JP7073172B2 (ja) 2018-04-03 2022-05-23 株式会社ディスコ ウエーハの生成方法
US10896815B2 (en) 2018-05-22 2021-01-19 Semiconductor Components Industries, Llc Semiconductor substrate singulation systems and related methods
JP7137992B2 (ja) 2018-08-02 2022-09-15 株式会社ディスコ 加工装置及び剥離装置
JP7235456B2 (ja) 2018-08-14 2023-03-08 株式会社ディスコ 半導体基板の加工方法
JP7106217B2 (ja) 2018-08-22 2022-07-26 株式会社ディスコ ファセット領域の検出方法及び検出装置
JP7187215B2 (ja) 2018-08-28 2022-12-12 株式会社ディスコ ＳｉＣ基板の加工方法
JP7201367B2 (ja) 2018-08-29 2023-01-10 株式会社ディスコ ＳｉＣ基板の加工方法
JP7128067B2 (ja) 2018-09-14 2022-08-30 株式会社ディスコ ウエーハの生成方法およびレーザー加工装置
JP7164396B2 (ja) 2018-10-29 2022-11-01 株式会社ディスコ ウエーハ生成装置
JP7229729B2 (ja) 2018-11-08 2023-02-28 株式会社ディスコ Ｆａｃｅｔ領域の検出方法および検出装置ならびにウエーハの生成方法およびレーザー加工装置
JP7166893B2 (ja) 2018-11-21 2022-11-08 株式会社ディスコ ウエーハの生成方法
JP7285636B2 (ja) 2018-12-06 2023-06-02 株式会社ディスコ 板状物の加工方法
US10562130B1 (en) 2018-12-29 2020-02-18 Cree, Inc. Laser-assisted method for parting crystalline material
US10576585B1 (en) 2018-12-29 2020-03-03 Cree, Inc. Laser-assisted method for parting crystalline material
US11024501B2 (en) 2018-12-29 2021-06-01 Cree, Inc. Carrier-assisted method for parting crystalline material along laser damage region
US10867797B2 (en) 2019-02-07 2020-12-15 Cree, Inc. Methods and apparatuses related to shaping wafers fabricated by ion implantation
JP7308652B2 (ja) 2019-04-26 2023-07-14 株式会社ディスコ デバイスチップの製造方法
US10611052B1 (en) 2019-05-17 2020-04-07 Cree, Inc. Silicon carbide wafers with relaxed positive bow and related methods
JP7321022B2 (ja) 2019-07-29 2023-08-04 株式会社ディスコ レーザー加工装置およびレーザー加工方法

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102257190A (zh) * 2009-04-15 2011-11-23 住友电气工业株式会社 衬底、具有薄膜的衬底、半导体器件和半导体器件的制造方法
WO2018192689A1 (de) * 2017-04-20 2018-10-25 Siltectra Gmbh Verfahren zur waferherstellung mit definiert ausgerichteten modifikationslinien

Also Published As

Publication number Publication date
KR20220009447A (ko) 2022-01-24
JP7320130B2 (ja) 2023-08-02
US20230241803A1 (en) 2023-08-03
CN113825602B (zh) 2023-08-01
EP3969239B1 (en) 2023-12-20
US12070875B2 (en) 2024-08-27
US10611052B1 (en) 2020-04-07
US11654596B2 (en) 2023-05-23
EP3969239A1 (en) 2022-03-23
CN113825602A (zh) 2021-12-21
JP2022532962A (ja) 2022-07-20
US20210170632A1 (en) 2021-06-10
EP4342648A1 (en) 2024-03-27
US11034056B2 (en) 2021-06-15
JP2023134793A (ja) 2023-09-27
US20200361121A1 (en) 2020-11-19
WO2020236246A1 (en) 2020-11-26

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN113825602B (zh) 用于处理具有松弛正弯的碳化硅晶片的方法
US11826846B2 (en) Laser-assisted method for parting crystalline material
JP7315677B2 (ja) 結晶材料を切り分けるためのレーザ・アシスト法
JP2009061462A (ja) 基板の製造方法および基板
JP2023512525A (ja) 炭化ケイ素結晶材料の転位分布
JP5569167B2 (ja) Ｉｉｉ族窒化物単結晶基板の製造方法
CN115555743A (zh) 金刚石基板制造方法

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination