CN116896945A - 显示装置 - Google Patents

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line
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disposed
transistor
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金相羽
李大荣
金炫植
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Samsung Display Co Ltd
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Abstract

本公开的实施例提供一种显示装置，所述显示装置包括：第一像素，包括第一像素驱动电路和第一发光元件；第二像素，包括第二像素驱动电路和第二发光元件；传感器，包括传感器驱动电路和光检测元件；第一数据线，在第一方向上延伸，并且电连接到所述第一像素；第二数据线，在所述第一方向上延伸，并且电连接到所述第二像素；以及读出线，在所述第一方向上延伸，并且电连接到所述传感器。所述读出线与所述第一数据线和所述第二数据线中的至少一者设置在不同的层上。

Description

显示装置
相关申请的交叉引用
本专利申请要求于2022年4月1日在韩国知识产权局提交的第10-2022-0041283号韩国专利申请的优先权，该韩国专利申请的内容通过引用全部包含于此。
技术领域
本公开的实施例涉及一种能够进行生物特征信息识别的显示装置。
背景技术
显示装置提供能够与用户进行有机通信的各种功能(诸如通过显示图像向用户提供信息或感测用户的输入)。近来的显示装置可以检测用户的生物特征信息。用于生物特征信息识别的方法包括检测电极之间形成的电容的变化的电容方法、使用光学传感器检测入射光的光学方法、以及使用压电材料感测振动的超声方法。
发明内容
本公开的实施例提供了一种具有提高的用于生物特征信息识别的传感器的感测性能的显示装置。
本发明构思的实施例提供了一种显示装置，所述显示装置包括：第一像素，包括第一像素驱动电路和第一发光元件；第二像素，包括第二像素驱动电路和第二发光元件；传感器，包括传感器驱动电路和光检测元件；第一数据线，在第一方向上延伸，并且电连接到第一像素；第二数据线，在第一方向上延伸，并且电连接到第二像素；以及读出线，在第一方向上延伸，并且电连接到传感器。读出线设置在与第一数据线和第二数据线中的至少一者不同的层上。
在实施例中，第一像素驱动电路、传感器驱动电路和第二像素驱动电路可以布置在与第一方向交叉的第二方向上。
在实施例中，第一数据线和第二数据线可以设置在同一层上，并且读出线可以与第一数据线和第二数据线设置在不同的层上。
在实施例中，第一数据线和读出线可以设置在同一层上，并且第二数据线可以与第一数据线和读出线设置在不同的层上。
在实施例中，当在平面图中观察时，读出线可以设置在第一数据线与第二数据线之间。
在实施例中，当在平面图中观察时，第一数据线与读出线之间的距离可以大于第二数据线与读出线之间的距离。
在实施例中，当在平面图中观察时，第一数据线与读出线之间的距离可以等于第二数据线与读出线之间的距离。
在实施例中，显示装置还可以包括设置在第二数据线与读出线之间的有机层。
在实施例中，第一像素是绿色像素，并且第二像素可以是蓝色像素或红色像素。
在实施例中，传感器驱动电路可以包括：复位晶体管，包括接收复位电压的第一电极、连接到第一感测节点的第二电极、以及接收复位控制信号的第三电极；放大晶体管，包括接收感测驱动电压的第一电极、连接到第二感测节点的第二电极、以及连接到第一感测节点的第三电极；以及输出晶体管，包括连接到第二感测节点的第一电极、连接到读出线的第二电极、以及接收输出控制信号的第三电极。
在实施例中，复位晶体管可以是氧化物半导体晶体管。
在实施例中，第一像素驱动电路可以包括：第一晶体管，连接在接收第一驱动电压的第一驱动电压线与第一发光元件之间；第二晶体管，连接在第一数据线与第一晶体管的第一电极之间；第三晶体管，连接在第一晶体管的第二电极与第一节点之间，并且接收第一扫描信号；第四晶体管，连接在接收第一初始化电压的第一初始化电压线与第一节点之间，并且接收第二扫描信号；以及第五晶体管，连接在接收第二初始化电压的第二初始化电压线与第一发光元件的阳极之间，并且接收第三扫描信号。
在实施例中，第三晶体管和第四晶体管中的每一者可以是氧化物半导体晶体管。
在实施例中，所述显示装置还可以包括在与第一方向交叉的第二方向上延伸的多条扫描线。多条扫描线可以包括连接到第一像素和第二像素的初始化扫描线、补偿扫描线、写入扫描线和黑色扫描线。
在本发明构思的实施例中，一种显示装置包括：基体层；以及像素层，设置在基体层上。像素层包括多个像素、多个传感器、电连接到多个像素的多条扫描线、电连接到多个像素的多条数据线、以及电连接到多个传感器的多条读出线。多条读出线与多条数据线中的至少一些数据线设置在不同的层上。
在实施例中，多条读出线可以包括读出线，并且多条数据线可以包括第一数据线和第二数据线。当在平面图中观察时，读出线可以设置在第一数据线与第二数据线之间，并且第一数据线与读出线之间的距离可以大于或等于第二数据线与读出线之间的距离。
在实施例中，第一数据线和第二数据线可以设置在同一层上，并且读出线可以与第一数据线和第二数据线设置在不同的层上。
在实施例中，第一数据线和读出线可以设置在同一层上，并且第二数据线可以与第一数据线和读出线设置在不同的层上。
在实施例中，显示装置还可以包括设置在第二数据线与读出线之间的有机层。
在实施例中，多个像素可以包括多个绿色像素、多个红色像素和多个蓝色像素。多个绿色像素可以连接到第一数据线，并且多个红色像素和多个蓝色像素可以连接到第二数据线。
附图说明
图1是根据本发明构思的实施例的显示装置的透视图。
图2是根据本发明构思的实施例的显示装置的截面图。
图3是根据实施例的显示装置的框图。
图4A是根据实施例的显示面板的一部分区域的放大平面图。
图4B是根据实施例的显示面板的一部分区域的放大平面图。
图5是根据本发明构思的实施例的显示面板的配置的平面图。
图6是根据本发明构思的实施例的像素和传感器的等效电路图。
图7是根据实施例的显示面板的截面图。
图8A和图8B是根据本发明构思的实施例的显示面板的发光元件和第一光检测元件的截面图。
图9是根据本发明构思的实施例的像素驱动电路和传感器驱动电路的一层的平面图。
图10是根据本发明构思的实施例的像素驱动电路和传感器驱动电路的一层的平面图。
图11是根据本发明构思的实施例的像素驱动电路和传感器驱动电路的一层的平面图。
图12是根据本发明构思的实施例的像素驱动电路和传感器驱动电路的一层的平面图；
图13是根据本发明构思的实施例的像素驱动电路和传感器驱动电路的一层的平面图。
图14是根据本发明构思的实施例的像素驱动电路和传感器驱动电路的一层的平面图；
图15是根据本发明构思的实施例的像素驱动电路和传感器驱动电路的一层的平面图。
图16A是根据本发明构思的实施例的像素驱动电路和传感器驱动电路的一层的平面图。
图16B是根据本发明构思的实施例的像素驱动电路和传感器驱动电路的一层的平面图。
图17A是根据本发明构思的另一实施例的像素驱动电路和传感器驱动电路的一层的平面图。
图17B是根据本发明构思的另一实施例的像素驱动电路和传感器驱动电路的一层的平面图。
图18是根据本发明构思的实施例的显示面板的部分配置的平面图。
图19是根据本发明构思的另一实施例的显示面板的部分配置的平面图。
具体实施方式
在本说明书中，当组件(例如，元件、区域、层或部分等)被称为“在”另一组件“上”、“连接到”或“耦接到”另一组件时，这表示所述组件可以直接在所述另一组件上/直接连接到所述另一组件/直接耦接到所述另一组件，或者第三组件可以布置在它们之间。
同样的附图标记可以表示同样的元件。将理解的是，在附图中，对于本公开的至少一个实施例，组件的相对厚度、比例、角度和尺寸旨在按比例绘制，然而，可以在本公开的范围内对这些特性进行改变，并且本发明构思不必限于所示的特征。表述“和/或”包括相关组件能够定义的一种或多种组合。
将理解的是，本文中使用术语“第一”和“第二”来描述各种组件，但是这些组件不应受这些术语限制。上述术语仅用于将一个组件与另一组件区分开。例如，在不脱离本发明构思的范围的情况下，第一组件可以被称为第二组件，并且反之亦然。除非另有说明，否则单数形式的术语可以包括复数形式。
此外，诸如“在……下方”、“下侧”、“在……上”和“上侧”的术语用于描述附图中所示的组件的关系。术语被描述为基于附图中所示的方向的相对概念。
在本发明构思的各种实施例中，术语“包括”、“包含”、“含有”或“具有”说明特征、区域、固定数量、步骤、工艺、元件和/或组件，但不排除其他特征、区域、固定数量、步骤、工艺、元件和/或组件。
除非另外定义，否则本文中使用的所有术语(包括技术术语和科学术语)具有与本发明构思所属领域的普通技术人员通常理解的含义相同的含义。此外，除非这里明确地定义，否则术语(诸如在通用词典中定义的术语)应被解释为具有与相关技术的背景中的含义一致的含义，并且不应以过于理想化或过于形式化的意义进行解释。
在下文中，将参照附图描述本发明构思的实施例。
图1是根据本发明构思的实施例的显示装置DD的透视图。图2是根据本发明构思的实施例的显示装置DD的截面图。
参考图1和图2，在实施例中，根据电信号激活显示装置DD。例如，显示装置DD可以是移动电话、平板计算机、汽车导航系统、游戏控制台和可穿戴装置中的一种，但是不限于此。图1示出了显示装置DD是移动电话。
显示装置DD的上表面是显示表面IS，并且与由第一方向DR1和与第一方向DR1交叉的第二方向DR2限定的平面平行。由显示装置DD生成的图像IM通过显示表面IS向用户显示。在下文中，基本垂直于由第一方向DR1和第二方向DR2限定的平面的方向被限定为第三方向DR3。在本说明书中，“当在平面图中观察时”的含义表示从第三方向DR3观察的状态。
显示表面IS被分为透射区域TA和边框区域BZA。透射区域TA是显示图像IM的区域。用户通过透射区域TA识别图像IM。在实施例中，透射区域TA具有带有倒圆顶点的矩形形状。然而，实施例不必限于此，并且在其他实施例中，透射区域TA具有各种其他形状。
边框区域BZA与透射区域TA相邻。边框区域BZA具有预定的颜色。边框区域BZA围绕透射区域TA。因此，透射区域TA的形状基本由边框区域BZA限定。然而，实施例不必限于此，并且在其他实施例中，边框区域BZA仅与透射区域TA的一侧相邻，或者被省略。
显示装置DD可以感测外部施加的输入。外部施加的输入可以是从显示装置DD的外部接收的各种类型的输入中的一种。例如，外部施加的输入可以包括接近显示装置DD或与显示装置DD间隔预定距离(诸如悬停)、以及作为通过身体的一部分(诸如用户的手US_F)的接触的外部输入。此外，外部输入可以具有诸如力、压力、温度、光等的各种形式。外部输入可以由单独的装置(诸如有源笔或数字转换器笔)提供。
显示装置DD可以从外部施加的输入中检测用户的生物特征信息。可以检测用户的生物特征信息的生物特征信息检测区域提供在显示装置DD的显示表面IS上。生物特征信息检测区域可以提供在透射区域TA的整个区域中，或者可以提供在透射区域TA的一部分区域中。图1示出了整个透射区域TA用作生物特征信息检测区域，但是本发明构思的实施例不必限于此，并且在其他实施例中，生物特征信息检测区域提供在透射区域TA的一部分中。
显示装置DD的外部由窗WM和外壳EDC构成。例如，窗WM和外壳EDC彼此耦接，并且在外壳EDC中容纳显示装置DD的其他组件(诸如显示模块DM)。
窗WM的前表面形成显示装置DD的显示表面IS。窗WM包括光学透明绝缘材料。例如，窗WM包括玻璃或塑料。窗WM可以具有多层结构或单层结构。例如，窗WM包括利用粘合剂接合的多个塑料膜或者利用粘合剂接合的玻璃基底和塑料膜。
外壳EDC包括高刚性材料。例如，外壳EDC包括由玻璃、塑料或金属制成的多个框架和/或多个板或者它们的组合。外壳EDC稳定地保护容纳在内部空间中的显示装置DD的组件免受外部冲击的影响。此外，为显示装置DD的整体操作供应电力的电池模块可以设置在显示模块DM与外壳EDC之间。
显示模块DM包括显示面板DP、输入检测层ISL和防反射层CFL。
显示面板DP是实质上生成图像IM的组件。显示面板DP是发光显示面板，并且例如，显示面板DP是有机发光显示面板、无机发光显示面板、有机-无机发光显示面板、量子点显示面板、微型发光二极管(LED)显示面板和纳米LED显示面板中的一种。在下文中，显示面板DP被描述为有机发光显示面板。
显示面板DP包括基体层BL、像素层PXL和封装层TFE。根据本发明构思的显示面板DP是柔性显示面板。然而，本发明构思的实施例不必限于此。例如，在其他实施例中，显示面板DP是可折叠显示面板或可以围绕折叠轴折叠的刚性显示面板。
基体层BL包括合成树脂层。合成树脂层是聚酰亚胺树脂层，但是它的材料不必限于此。此外，基体层BL可以包括玻璃基底、金属基底或有机/无机复合材料基底。
像素层PXL设置在基体层BL上。像素层PXL包括电路层DP_CL和元件层DP_ED。电路层DP_CL设置在基体层BL与元件层DP_ED之间。
电路层DP_CL包括至少一个绝缘层和电路元件。在下文中，电路层DP_CL中的绝缘层被称为中间绝缘层。中间绝缘层包括至少一个中间无机层和至少一个中间有机层。电路元件包括显示图像IM的多个像素中的每一者中的像素驱动电路和识别外部信息的多个传感器中的每一者中的传感器驱动电路。外部信息可以是生物特征信息。例如，传感器是指纹识别传感器、接近传感器和虹膜识别传感器等中的一种。此外，传感器可以是以光学方式识别生物特征信息的光学传感器。电路层DP_CL还包括连接到像素驱动电路和/或传感器驱动电路的信号线。
元件层DP_ED包括多个像素中的每一者中的发光元件和多个传感器中的每一者中的光检测元件。例如，光检测元件是光电二极管。光检测元件是感测被用户的指纹反射的光或响应于被用户的指纹反射的光的传感器。稍后将参照图7、图8A和图8B详细描述电路层DP_CL和元件层DP_ED。
封装层TFE封装元件层DP_ED。封装层TFE包括至少一个有机层和至少一个无机层。无机层包括无机材料，并且保护元件层DP_ED免受湿气/氧的影响。无机层是氮化硅层、氮氧化硅层、氧化硅层、氧化钛层和氧化铝层中的一种，但是实施例不必限于此。有机层包括有机材料，并且保护元件层DP_ED免受诸如灰尘颗粒的异物的影响。
输入检测层ISL形成在显示面板DP上。输入检测层ISL直接设置在封装层TFE上。根据本发明构思的实施例，输入检测层ISL通过连续工艺形成在显示面板DP上。也就是说，当输入检测层ISL直接设置在显示面板DP上时，粘合剂膜未设置在输入检测层ISL与封装层TFE之间。可替代地，在实施例中，粘合剂膜设置在输入检测层ISL与显示面板DP之间。例如，输入检测层ISL不与显示面板DP通过连续工艺来制造，而是在通过与显示面板DP的工艺不同的工艺来制造之后，输入检测层ISL通过粘合剂膜固定到显示面板DP的上表面。
输入检测层ISL检测诸如用户的触摸的外部输入，将检测到的外部输入变为预定的输入信号，并且将输入信号提供到显示面板DP。输入检测层ISL包括检测外部输入的多个检测电极。检测电极以电容方式检测外部输入。显示面板DP从输入检测层ISL接收输入信号，并且生成与输入信号对应的图像IM。
防反射层CFL设置在输入检测层ISL之上。防反射层CFL减少入射在显示装置DD上的外部光的反射率。防反射层CFL通过连续工艺形成在输入检测层ISL上，但是本发明构思的实施例不必限于此。例如，在实施例中，防反射层CFL设置在显示面板DP与输入检测层ISL之间。防反射层CFL包括滤色器。滤色器具有预定的排列。例如，考虑到显示面板DP中的像素的发射颜色来排列滤色器。此外，防反射层CFL还包括与滤色器相邻的黑色矩阵。
根据实施例的显示装置DD还包括粘合剂层AL。窗WM通过粘合剂层AL附接到防反射层CFL。粘合剂层AL包括光学透明粘合剂(OCA)、光学透明树脂(OCR)和压敏粘合剂(PSA)中的一种。
图3是根据实施例的显示装置DD的框图。
参考图3，在实施例中，显示装置DD包括显示面板DP、面板驱动器和驱动控制器100。例如，面板驱动器包括数据驱动器200、扫描驱动器300、发射驱动器350、电压生成器400和读出电路500。
驱动控制器100接收图像信号RGB和控制信号CTRL。驱动控制器100通过转换图像信号RGB的数据格式以符合数据驱动器200的接口的规格来生成图像数据信号DATA。驱动控制器100输出第一控制信号SCS、第二控制信号ECS、第三控制信号DCS和第四控制信号RCS。
数据驱动器200从驱动控制器100接收第三控制信号DCS和图像数据信号DATA。数据驱动器200将图像数据信号DATA转换为数据信号，并且将数据信号输出到将稍后描述的多条数据线DL1至DLm(例如，数据线DL1、DL2、……、DLm)。数据信号是与图像数据信号DATA的灰度值对应的模拟电压。
扫描驱动器300从驱动控制器100接收第一控制信号SCS。扫描驱动器300响应于第一控制信号SCS将扫描信号输出到扫描线。
电压生成器400生成操作显示面板DP的电压。在实施例中，电压生成器400生成第一驱动电压ELVDD、第二驱动电压ELVSS、第一初始化电压VINT1、第二初始化电压VINT2和复位电压Vrst。
显示面板DP包括与透射区域TA(参见图1)对应的显示区域DA和与边框区域BZA(参见图1)对应的非显示区域NDA。
显示面板DP包括设置在显示区域DA中的多个像素PX和设置在显示区域DA中的多个传感器FX。例如，多个传感器FX中的每一者设置在两个相邻的像素PX之间。多个像素PX和多个传感器FX在第一方向DR1和第二方向DR2上交替地设置。然而，本发明构思的实施例不必限于此。例如，在一些实施例中，两个或更多个像素PX在第一方向DR1上设置在彼此相邻的两个传感器FX之间，并且/或者两个或更多个像素PX在第二方向DR2上设置在彼此相邻的两个传感器FX之间。
显示面板DP还包括初始化扫描线SIL1至SILn、补偿扫描线SCL1至SCLn、写入扫描线SWL1至SWLn、黑色扫描线SBL1至SBLn、发射控制线EML1至EMLn、数据线DL1至DLm以及读出线RL1至RLh(例如，读出线RL1、RL2、……、RLh)。n、m和h中的每一者是2或更大的正整数。
初始化扫描线SIL1至SILn、补偿扫描线SCL1至SCLn、写入扫描线SWL1至SWLn、黑色扫描线SBL1至SBLn和发射控制线EML1至EMLn在第二方向DR2上延伸。初始化扫描线SIL1至SILn、补偿扫描线SCL1至SCLn、写入扫描线SWL1至SWLn、黑色扫描线SBL1至SBLn和发射控制线EML1至EMLn在第一方向DR1上彼此间隔开。数据线DL1至DLm和读出线RL1至RLh在第一方向DR1上延伸，并且在第二方向DR2上彼此间隔开。
多个像素PX分别电连接到初始化扫描线SIL1至SILn、补偿扫描线SCL1至SCLn、写入扫描线SWL1至SWLn、黑色扫描线SBL1至SBLn、发射控制线EML1至EMLn和数据线DL1至DLm。例如，多个像素PX中的每一者电连接到四条扫描线。然而，连接到每个像素PX的扫描线的数量不必限于此，并且在其他实施例中可以改变。
多个传感器FX分别电连接到写入扫描线SWL1至SWLn和读出线RL1至RLh。一个传感器FX电连接到一条扫描线。然而，本发明构思的实施例不必限于此。在一些实施例中，连接到每个传感器FX的扫描线的数量改变。例如，读出线RL1至RLh的数量可以对应于数据线DL1至DLm的数量的1/2，或者读出线RL1至RLh的数量可以对应于数据线DL1至DLm的数量的1/4或1/8。
扫描驱动器300设置在显示面板DP的非显示区域NDA中。然而，本发明构思的实施例不必限于此。例如，在实施例中，扫描驱动器300的至少一部分设置在显示区域DA中。
扫描驱动器300从驱动控制器100接收第一控制信号SCS。扫描驱动器300响应于第一控制信号SCS将初始化扫描信号输出到初始化扫描线SIL1至SILn，并且将补偿扫描信号输出到补偿扫描线SCL1至SCLn。此外，扫描驱动器300响应于第一控制信号SCS将写入扫描信号输出到写入扫描线SWL1至SWLn，并且将黑色扫描信号输出到黑色扫描线SBL1至SBLn。然而，本发明构思的实施例不必限于此。例如，在实施例中，扫描驱动器300包括第一扫描驱动器和第二扫描驱动器。第一扫描驱动器输出初始化扫描信号和补偿扫描信号，并且第二扫描驱动器输出写入扫描信号和黑色扫描号。
发射驱动器350设置在显示面板DP的非显示区域NDA中。发射驱动器350从驱动控制器100接收第二控制信号ECS。发射驱动器350响应于第二控制信号ECS将发射控制信号输出到发射控制线EML1至EMLn。然而，本发明构思的实施例不必限于此。例如，在实施例中，扫描驱动器300连接到发射控制线EML1至EMLn。例如，省略发射驱动器350，并且扫描驱动器300将发射控制信号输出到发射控制线EML1至EMLn。
读出电路500设置在显示面板DP的非显示区域NDA中。读出电路500从驱动控制器100接收第四控制信号RCS。读出电路500响应于第四控制信号RCS而从读出线RL1至RLh接收检测信号。读出电路500处理从读出线RL1至RLh接收的检测信号，并将处理后的检测信号S_FS提供到驱动控制器100。驱动控制器100基于检测信号S_FS来识别生物特征信息。
图4A是根据实施例的显示面板DP的一部分区域的放大平面图。
参考图4A，在实施例中，显示面板DP包括多个像素PXR、PXG1、PXG2和PXB以及多个传感器FX。
多个像素PXR、PXG1、PXG2和PXB被分组成多个参考像素单元RPU。例如，每个参考像素单元RPU包括两个第一像素PXG1和PXG2(下文中被称为第一绿色像素和第二绿色像素)、第二像素PXR(下文中被称为红色像素)和第三像素PXB(下文中被称为蓝色像素)。然而，包括在每个参考像素单元RPU中的像素的数量不必限于此。例如，在一些实施例中，每个参考像素单元RPU包括诸如第一绿色像素PXG1或第二绿色像素PXG2、红色像素PXR和蓝色像素PXB的三个像素。
第一绿色像素PXG1和第二绿色像素PXG2包括第一发光元件ED_G1和ED_G2(下文中分别被称为第一绿色发光元件和第二绿色发光元件)，红色像素PXR包括第二发光元件ED_R(下文中被称为红色发光元件)，并且蓝色像素PXB包括第三发光元件ED_B(下文中被称为蓝色发光元件)。例如，第一绿色发光元件ED_G1和第二绿色发光元件ED_G2中的每一者输出第一颜色光(诸如绿色光)，红色发光元件ED_R输出不同于第一颜色光的第二颜色光(诸如红色光)，并且蓝色发光元件ED_B输出不同于第一颜色光和第二颜色光的第三颜色光(诸如蓝色光)。从第一绿色发光元件ED_G1输出的绿色光与从第二绿色发光元件ED_G2输出的绿色光具有相同的波长带。
红色发光元件ED_R和蓝色发光元件ED_B在第一方向DR1和第二方向DR2上交替且重复地设置。第一绿色发光元件ED_G1和第二绿色发光元件ED_G2在第一方向DR1和第二方向DR2上交替且重复地设置。第一绿色发光元件ED_G1和第二绿色发光元件ED_G2在第一方向DR1和第二方向DR2上与红色发光元件ED_R和蓝色发光元件ED_B设置在不同的行和不同的列中。
红色发光元件ED_R具有比第一绿色发光元件ED_G1和第二绿色发光元件ED_G2的尺寸大的尺寸。此外，蓝色发光元件ED_B具有大于或等于红色发光元件ED_R的尺寸的尺寸。然而，发光元件ED_R、ED_G1、ED_G2和ED_B中的每一者的尺寸不必限于此，并且在其他实施例中可以进行各种修改。例如，在本发明构思的实施例中，发光元件ED_R、ED_G1、ED_G2和ED_B具有相同的尺寸。
第一绿色发光元件ED_G1电连接到第一绿色像素驱动电路G1_PD。例如，第一绿色发光元件ED_G1包括第一绿色阳极G1_AE和第一绿色发光层G1_EL，并且第一绿色阳极G1_AE通过接触孔连接到第一绿色像素驱动电路G1_PD。第二绿色发光元件ED_G2电连接到第二绿色像素驱动电路G2_PD。例如，第二绿色发光元件ED_G2包括第二绿色阳极G2_AE和第二绿色发光层G2_EL，并且第二绿色阳极G2_AE通过接触孔连接到第二绿色像素驱动电路G2_PD。
第一绿色发光层G1_EL和第二绿色发光层G2_EL具有相同的尺寸。第一绿色发光层G1_EL和第二绿色发光层G2_EL具有相同或不同的形状。例如，第一绿色发光层G1_EL和第二绿色发光层G2_EL在平面图中具有不同的形状。第一绿色阳极G1_AE和第二绿色阳极G2_AE具有不同的尺寸和不同的形状。
红色发光元件ED_R电连接到红色像素驱动电路R_PD。例如，红色发光元件ED_R包括红色阳极R_AE和红色发光层R_EL，并且红色阳极R_AE通过接触孔连接到红色像素驱动电路R_PD。蓝色发光元件ED_B电连接到蓝色像素驱动电路B_PD。例如，蓝色发光元件ED_B包括蓝色阳极B_AE和蓝色发光层B_EL，并且蓝色阳极B_AE通过接触孔连接到蓝色像素驱动电路B_PD。
传感器FX中的每一者包括光检测单元LSU和传感器驱动电路O_SD。光检测单元LSU包括至少一个光检测元件。例如，光检测单元LSU包括k个光检测元件，并且k个光检测元件中的一个连接到传感器驱动电路O_SD。例如，k是2或更大的正整数。图4A示出了k为2的情况。当k为2时，光检测单元LSU包括两个光检测元件(下文中被称为第一光检测元件OPD1和第二光检测元件OPD2)。例如，第一光检测元件OPD1和第二光检测元件OPD2设置在一个参考像素单元RPU中。然而，设置在每个参考像素单元RPU中的光检测元件的数量不必限于此。例如，在实施例中，在每个参考像素单元RPU中设置一个光检测元件。
第一光检测元件OPD1和第二光检测元件OPD2中的每一者在第二方向DR2上设置在红色发光元件ED_R与蓝色发光元件ED_B之间。第一光检测元件OPD1和第二光检测元件OPD2中的每一者在第一方向DR1上与第一绿色发光元件ED_G1或第二绿色发光元件ED_G2相邻。在第一参考像素单元行中，第一光检测元件OPD1和第一绿色发光元件ED_G1在第一方向DR1上彼此相邻，并且第二光检测元件OPD2和第二绿色发光元件ED_G2在第一方向DR1上彼此相邻。在第二参考像素单元行中，第一光检测元件OPD1和第二绿色发光元件ED_G2在第一方向DR1上彼此相邻，并且第二光检测元件OPD2和第一绿色发光元件ED_G1在第一方向DR1上彼此相邻。例如，第一光检测元件OPD1和第二光检测元件OPD2中的每一者在第一方向DR1上设置在彼此相邻的第一绿色发光元件ED_G1与第二绿色发光元件ED_G2之间。
传感器驱动电路O_SD连接到第一光检测元件OPD1和第二光检测元件OPD2中的一个(诸如第一光检测元件OPD1)。传感器驱动电路O_SD在第一方向DR1上与红色像素驱动电路R_PD和蓝色像素驱动电路B_PD具有相同的长度。传感器驱动电路O_SD在平面图中与第一光检测元件OPD1和第二光检测元件OPD2中的一个(诸如，第一光检测元件OPD1)重叠。传感器驱动电路O_SD在平面图中与第一绿色发光元件ED_G1和第二绿色发光元件ED_G2中的一个(诸如，第一绿色发光元件ED_G1)重叠。
第一光检测元件OPD1包括第一阳极O_AE1和第一光电转换层O_RL1，并且第二光检测元件OPD2包括第二阳极O_AE2和第二光电转换层O_RL2。第一阳极O_AE1通过接触孔直接连接到传感器驱动电路O_SD。
传感器FX中的每一者还包括使第一光检测元件OPD1和第二光检测元件OPD2彼此电连接的路由线RW。路由线RW电连接到第一阳极O_AE1和第二阳极O_AE2。例如，路由线RW与第一阳极O_AE1和第二阳极O_AE2一体形成。路由线RW可以被称为路由布线RW或路由线部分RW。
路由线RW、第一阳极O_AE1和第二阳极O_AE2与阳极R_AE、G1_AE、G2_AE和B_AE设置在同一层上。例如，路由线RW、第一阳极O_AE1和第二阳极O_AE2包括与阳极R_AE、G1_AE、G2_AE和B_AE的材料相同的材料，并且通过同一工艺形成。
第一光检测元件OPD1和第二光检测元件OPD2通过路由线RW并联连接到传感器驱动电路O_SD。因此，第一光检测元件OPD1和第二光检测元件OPD2可以通过传感器驱动电路O_SD同时导通或同时截止。
图4B是根据示例实施例的显示面板DP的一部分区域的放大平面图。
如图4B中所示，在实施例中，当k为4时，光检测单元LSUa可以包括四个光检测元件(下文中被称为第一光检测元件OPD1、第二光检测元件OPD2、第三光检测元件OPD3和第四光检测元件OPD4)。第一光检测元件OPD1、第二光检测元件OPD2、第三光检测元件OPD3和第四光检测元件OPD4中的一个(诸如，第三光检测元件OPD3)连接到传感器驱动电路O_SDa。
传感器FX中的每一者还包括电连接第一光检测元件OPD1、第二光检测元件OPD2、第三光检测元件OPD3和第四光检测元件OPD4的三条路由线(下文中被称为第一路由线RW1、第二路由线RW2和第三路由线RW3)。第一路由线RW1电连接在第一方向DR1上相邻的两个光检测元件(诸如，第一光检测元件OPD1和第三光检测元件OPD3)。第二路由线RW2电连接在第二方向DR2上相邻的两个光检测元件(诸如，第一光检测元件OPD1和第二光检测元件OPD2)。第三路由线RW3电连接在第二方向DR2上相邻的两个光检测元件(诸如，第三光检测元件OPD3和第四光检测元件OPD4)。
第一光检测元件OPD1包括第一阳极O_AE1和第一光电转换层O_RL1，第二光检测元件OPD2包括第二阳极O_AE2和第二光电转换层O_RL2，第三光检测元件OPD3包括第三阳极O_AE3和第三光电转换层O_RL3，并且第四光检测元件OPD4包括第四阳极O_AE4和第四光电转换层O_RL4。第三阳极O_AE3通过接触孔直接连接到传感器驱动电路O_SDa。传感器驱动电路O_SDa具有在第一方向DR1上大于红色像素驱动电路R_PD和蓝色像素驱动电路B_PD的长度的长度。因此，传感器驱动电路O_SDa在平面图中与第一光检测元件OPD1至第四光检测元件OPD4中的两个(诸如，第一光检测元件OPD1和第三光检测元件OPD3)或者第一绿色发光元件ED_G1和第二绿色发光元件ED_G2重叠。
第一路由线RW1电连接到第一阳极O_AE1和第三阳极O_AE3，第二路由线RW2电连接到第一阳极O_AE1和第二阳极O_AE2，并且第三路由线RW3电连接到第三阳极O_AE3和第四阳极O_AE4。例如，第一路由线RW1至第三路由线RW3与第一阳极O_AE1至第四阳极O_AE4一体形成。
第一路由线RW1、第二路由线RW2和第三路由线RW3以及第一阳极O_AE1至第四阳极O_AE4与阳极R_AE、G1_AE、G2_AE和B_AE设置在同一层上。例如，第一路由线RW1、第二路由线RW2和第三路由线RW3以及第一阳极O_AE1至第四阳极O_AE4包括与阳极R_AE、G1_AE、G2_AE和B_AE的材料相同的材料，并且通过同一工艺形成。
第一光检测元件OPD1、第二光检测元件OPD2、第三光检测元件OPD3和第四光检测元件OPD4通过第一路由线RW1、第二路由线RW2和第三路由线RW3并联连接到传感器驱动电路O_SDa。因此，第一光检测元件OPD1、第二光检测元件OPD2、第三光检测元件OPD3和第四光检测元件OPD4可以通过传感器驱动电路O_SDa同时导通或同时截止。
参考图4A和图4B，在实施例中，传感器驱动电路O_SD和O_SDa各自包括多个晶体管。例如，传感器驱动电路O_SD和O_SDa以及像素驱动电路R_PD、G1_PD、G2_PD和B_PD通过同一工艺同时形成。此外，扫描驱动器300(参见图3)包括通过与传感器驱动电路O_SD和O_SDa以及像素驱动电路R_PD、G1_PD、G2_PD和B_PD的工艺相同的工艺形成的晶体管。
图5是根据本发明构思的实施例的显示面板DP(参见图4A和图4B)的配置的平面图。
参考图5，在实施例中，作为示例，示出了第一数据线DL-G、第二数据线DL-RB、读出线RL、连接到第一数据线DL-G的第一像素PXG1和PXG2、连接到第二数据线DL-RB的第二像素PXR和第三像素PXB、以及连接到读出线RL的传感器FX。
读出线RL设置在第一数据线DL-G与第二数据线DL-RB之间，并且第一数据线DL-G和第二数据线DL-RB、以及读出线RL各自在第一方向DR1上延伸。
读出线RL与第一数据线DL-G和第二数据线DL-RB中的至少一者设置在不同的层上。例如，减少或消除了其中读出线RL耦合到相邻数据线(诸如第二数据线DL-RB)的现象。因此，减少了由施加到第二数据线DL-RB的电压在提供到读出线RL的检测信号中产生的噪声。结果，提高了指纹感测灵敏度和指纹感测准确度。
图6是根据本发明构思的实施例的像素PXR和传感器FX的等效电路图。
图6示出了像素PX(参考图3)中的一个(诸如，红色像素PXR)的等效电路图。由于多个像素PX中的每一者具有相同的电路结构，因此在红色像素PXR的电路结构的描述中，将省略其余像素的详细描述。此外，图6示出了图3中所示的传感器FX中的一个的等效电路图。由于多个传感器FX中的每一者具有相同的电路结构，因此在描述传感器FX的电路结构的描述中，将省略其余传感器的详细描述。
参考图3和图6，在实施例中，红色像素PXR连接到第i数据线DLi、第j初始化扫描线SILj、第j补偿扫描线SCLj、第j写入扫描线SWLj、第j黑色扫描线SBLj和第j发射控制线EMLj，其中，i是小于或等于m的正整数，并且j是小于或等于n的正整数。
红色像素PXR包括红色发光元件ED_R和红色像素驱动电路R_PD。红色发光元件ED_R是发光二极管。例如，红色发光元件ED_R是包括有机发光层的有机发光二极管。
红色像素驱动电路R_PD包括第一晶体管T1、第二晶体管T2、第三晶体管T3、第四晶体管T4和第五晶体管T5、第一发射控制晶体管ET1和第二发射控制晶体管ET2、以及一个电容器Cst。
第一晶体管T1、第二晶体管T2、第三晶体管T3、第四晶体管T4和第五晶体管T5、以及第一发射控制晶体管ET1和第二发射控制晶体管ET2中的至少一者包括低温多晶硅(LTPS)半导体层。第一晶体管T1、第二晶体管T2、第三晶体管T3、第四晶体管T4和第五晶体管T5、以及第一发射控制晶体管ET1和第二发射控制晶体管ET2中的至少一者可以是具有氧化物半导体层的晶体管。例如，第三晶体管T3和第四晶体管T4是氧化物半导体晶体管，并且第一晶体管T1、第二晶体管T2和第五晶体管T5、以及第一发射控制晶体管ET1和第二发射控制晶体管ET2是LTPS晶体管。
例如，第一晶体管T1直接影响显示装置DD(参见图1)的亮度。当第一晶体管T1包括由可靠性高的多晶硅制成的半导体层时，可以实现高分辨率的显示装置。另一方面，由于氧化物半导体具有高载流子迁移率和低泄漏电流，因此即使驱动时间长，电压降也不大。例如，甚至在低频驱动期间，由于因电压降引起的图像的颜色变化不大，因此低频驱动是可能的。因此，通过将连接到第一晶体管T1的驱动栅电极的第三晶体管T3和第四晶体管T4中的至少一者配置为氧化物半导体，防止了流到驱动栅电极的泄露电流并且减少了功耗。
第一晶体管T1、第二晶体管T2、第三晶体管T3、第四晶体管T4和第五晶体管T5以及第一发射控制晶体管ET1和第二发射控制晶体管ET2中的一些是P型晶体管，并且其余晶体管是N型晶体管。例如，第一晶体管T1、第二晶体管T2和第五晶体管T5以及第一发射控制晶体管ET1和第二发射控制晶体管ET2是P型晶体管，并且第三晶体管T3和第四晶体管T4是N型晶体管。
红色像素驱动电路R_PD的配置不必限于图6中所示的实施例，并且在其他实施例中可以修改红色像素驱动电路R_PD的配置。例如，第一晶体管T1、第二晶体管T2、第三晶体管T3、第四晶体管T4和第五晶体管T5以及第一发射控制晶体管ET1和第二发射控制晶体管ET2中的全部可以是P型晶体管或N型晶体管。
第j初始化扫描线SILj、第j补偿扫描线SCLj、第j写入扫描线SWLj、第j黑色扫描线SBLj和第j发射控制线EMLj分别将第j初始化扫描信号SIj、第j补偿扫描信号SCj、第j写入扫描信号SWj、第j黑色扫描号SBj和第j发光控制信号EMj传输到红色像素PXR。第i数据线DLi将第i数据信号Di传输到红色像素PXR。第i数据信号Di具有与输入到显示装置DD(参见图3)的图像信号RGB对应的电压电平。
第一驱动电压线VL1和第二驱动电压线VL2分别将第一驱动电压ELVDD和第二驱动电压ELVSS传输到红色像素PXR。此外，第一初始化电压线VL3和第二初始化电压线VL4分别将第一初始化电压VINT1和第二初始化电压VINT2传输到红色像素PXR。
第一晶体管T1连接在接收第一驱动电压ELVDD的第一驱动电压线VL1与红色发光元件ED_R之间。第一晶体管T1包括通过第一发射控制晶体管ET1连接到第一驱动电压线VL1的第一电极、通过第二发射控制晶体管ET2连接到红色发光元件ED_R的红色阳极R_AE(参见图4A)的第二电极、以及连接到电容器Cst的一端(诸如，第一节点N1)的第三电极(诸如，驱动栅电极)。第一晶体管T1根据第二晶体管T2的开关操作从第i数据线DLi接收第i数据信号Di，并且将驱动电流Id供应到红色发光元件ED_R。
第二晶体管T2连接在第i数据线DLi与第一晶体管T1的第一电极之间。第二晶体管T2包括连接到第i数据线DLi的第一电极、连接到第一晶体管T1的第一电极的第二电极、以及连接到第j写入扫描线SWLj的第三电极(诸如，栅电极)。第二晶体管T2由通过第j写入扫描线SWLj接收的写入扫描信号SWj而导通，并且将从第i数据线DLi传输的第i数据信号Di传输到第一晶体管T1的第一电极。
第三晶体管T3连接在第一晶体管T1的第二电极与第一节点N1之间。第三晶体管T3包括连接到第一晶体管T1的第三电极的第一电极、连接到第一晶体管T1的第二电极的第二电极、以及连接到第j补偿扫描线SCLj的第三电极(诸如，栅电极)。第三晶体管T3由通过第j补偿扫描线SCLj接收的第j补偿扫描信号SCj而导通，并且通过使第一晶体管T1的第三电极和第二电极彼此连接来二极管式连接第一晶体管T1。
第四晶体管T4连接在接收第一初始化电压VINT1的第一初始化电压线VL3与第一节点N1之间。第四晶体管T4包括连接到第一初始化电压线VL3的第一电极、连接到第一节点N1的第二电极、以及连接到第j初始化扫描线SILj的第三电极(诸如，栅电极)。第四晶体管T4由通过第j初始化扫描线SILj接收的第j初始化扫描信号SIj而导通。导通的第四晶体管T4将第一初始化电压VINT1传输到第一节点N1，以对第一节点N1和第一晶体管T1的第三电极的电位进行初始化。
第一发射控制晶体管ET1包括连接到第一驱动电压线VL1的第一电极、连接到第一晶体管T1的第一电极的第二电极、以及连接到第j发射控制线EMLj的第三电极(诸如，栅电极)。
第二发射控制晶体管ET2包括连接到第一晶体管T1的第二电极的第一电极、连接到红色发光元件ED_R的红色阳极R_AE(参见图4A)的第二电极以及连接到第j发射控制线EMLj的第三电极(诸如，栅电极)。
第一发射控制晶体管ET1和第二发射控制晶体管ET2由通过第j发射控制线EMLj接收的第j发射控制信号EMj而同时导通。通过导通的第一发射控制晶体管ET1接收的第一驱动电压ELVDD通过二极管式连接的第一晶体管T1进行补偿，并且然后将补偿的第一驱动电压ELVDD传输到红色发光元件ED_R。
第五晶体管T5包括连接到接收第二初始化电压VINT2的第二初始化电压线VL4的第一电极、连接到第二发射控制晶体管ET2的第二电极的第二电极、以及连接到黑色扫描线SBLj的第三电极(诸如，栅电极)。第二初始化电压VINT2具有等于或小于第一初始化电压VINT1的电压电平的电压电平。例如，第一初始化电压VINT1和第二初始化电压VINT2中的每一者具有大约-3.5V的电压电平。
如上所述，电容器Cst的一端连接到第一晶体管T1的第三电极，并且电容器Cst的另一端连接到第一驱动电压线VL1。红色发光元件ED_R的阴极连接到接收第二驱动电压ELVSS的第二驱动电压线VL2。第二驱动电压ELVSS具有比第一驱动电压ELVDD的电压电平低的电压电平。例如，第一驱动电压ELVDD为大约4.6V，并且第二驱动电压ELVSS为大约-2.5V。
传感器FX连接到第d读出线RLd(其中，d是小于或等于h的正整数)、第j写入扫描线SWLj和复位控制线RCL。
传感器FX包括光检测单元LSU和传感器驱动电路O_SD。光检测单元LSU包括彼此并联连接的k个光检测元件。当k为2时，第一光检测元件OPD1和第二光检测元件OPD2彼此并联连接。第一光检测元件OPD1和第二光检测元件OPD2中的每一者是光电二极管。例如，第一光检测元件OPD1和第二光检测元件OPD2中的每一者是包括有机材料作为光电转换层的有机光电二极管。第一光检测元件OPD1的第一阳极O_AE1(参见图4A)和第二光检测元件OPD2的第二阳极O_AE2(参见图4A)连接到第一感测节点SN1，并且第一光检测元件OPD1的第一阴极和第二光检测元件OPD2的第二阴极连接到传输第二驱动电压ELVSS的第二驱动电压线VL2。当k为4时，第一光检测元件OPD1(参见图4B)至第四光检测元件OPD4(参见图4B)彼此并联连接。
传感器驱动电路O_SD包括三个晶体管ST1、ST2和ST3。三个晶体管ST1、ST2和ST3分别是复位晶体管ST1、放大晶体管ST2和输出晶体管ST3。复位晶体管ST1、放大晶体管ST2和输出晶体管ST3中的至少一者是氧化物半导体晶体管。例如，复位晶体管ST1是氧化物半导体晶体管，并且放大晶体管ST2和输出晶体管ST3是LTPS晶体管。然而，本发明构思的实施例不必限于此，并且在实施例中，至少复位晶体管ST1和输出晶体管ST3是氧化物半导体晶体管，并且放大晶体管ST2是LTPS晶体管。
此外，复位晶体管ST1、放大晶体管ST2和输出晶体管ST3中的一些是P型晶体管，并且其余晶体管是N型晶体管。例如，放大晶体管ST2和输出晶体管ST3是P型晶体管，并且复位晶体管ST1是N型晶体管。然而，本发明构思的实施例不必限于此，并且在一些实施例中，复位晶体管ST1、放大晶体管ST2和输出晶体管ST3中的全部是N型晶体管或P型晶体管。
根据本发明构思的实施例的传感器驱动电路O_SD的电路配置不必限于图6中所示的电路配置，并且在其他实施例中，修改了传感器驱动电路O_SD的配置。
复位晶体管ST1包括连接到第三初始化电压线VL5以接收复位电压Vrst的第一电极、连接到第一感测节点SN1的第二电极、以及通过复位控制线RCL接收复位控制信号RST的第三电极。响应于通过复位控制线RCL接收的复位控制信号RST，复位晶体管ST1将第一感测节点SN1的电位复位到复位电压Vrst。然而，本发明构思的实施例不必限于此。在实施例中，复位控制信号RST是通过第j补偿扫描线SCLj接收的第j补偿扫描信号SCj。例如，复位晶体管ST1从第j补偿扫描线SCLj接收第j补偿扫描信号SCj作为复位控制信号RST。例如，至少在复位控制信号RST的激活时段期间，复位电压Vrst具有比第二驱动电压ELVSS的电压电平低的电压电平。复位电压Vrst是保持在低于第二驱动电压ELVSS的电压电平的电压电平的DC电压。例如，复位电压Vrst为大约-4.5V。
放大晶体管ST2包括接收感测驱动电压Vcom的第一电极、连接到第二感测节点SN2的第二电极、以及连接到第一感测节点SN1的第三电极。放大晶体管ST2由第一感测节点SN1的电位而导通，并且将感测驱动电压Vcom施加到第二感测节点SN2。例如，感测驱动电压Vcom是第一驱动电压ELVDD以及第一初始化电压VINT1和第二初始化电压VINT2中的一者。当感测驱动电压Vcom是第一驱动电压ELVDD时，放大晶体管ST2的第一电极电连接到第一驱动电压线VL1。当感测驱动电压Vcom为第一初始化电压VINT1时，放大晶体管ST2的第一电极电连接到第一初始化电压线VL3，并且当感测驱动电压Vcom为第二初始化电压VINT2时，放大晶体管ST2的第一电极电连接到第二初始化电压线VL4。
输出晶体管ST3包括连接到第二感测节点SN2的第一电极、连接到第d读出线RLd的第二电极、以及接收输出控制信号的第三电极。输出晶体管ST3响应于输出控制信号将第d检测信号FSd传输到第d读出线RLd。输出控制信号是通过第j写入扫描线SWLj接收的第j写入扫描信号SWj。例如，输出晶体管ST3从第j写入扫描线SWLj接收第j写入扫描信号SWj作为输出控制信号。
传感器FX的光检测单元LSU在如图4A和图4B中所示的发光元件ED_R、ED_G1、ED_G2和ED_B的发射时段期间暴露于光。光从发光元件ED_R、ED_G1、ED_G2和ED_B中的一个输出。
如果用户的手US_F(参见图1)触摸显示表面IS(参见图1)，则第一光检测元件OPD1和第二光检测元件OPD2生成与由指纹的脊或脊之间的谷反射的光对应的光电荷，并且所生成的光电荷累积在第一感测节点SN1中。
放大晶体管ST2是生成与输入到第三电极的第一感测节点SN1的电荷量成比例的源极-漏极电流的源极跟随器放大器。
低电平的第j写入扫描信号SWj通过第j写入扫描线SWLj供应到输出晶体管ST3。当输出晶体管ST3响应于低电平的第j写入扫描信号SWj而导通时，与流过放大晶体管ST2的电流对应的第d检测信号FSd被输出到第d读出线RLd。
当通过复位控制线RCL供应高电平的复位控制信号RST时，复位晶体管ST1导通。在实施例中，复位时段是复位控制线RCL的高电平激活时段。在实施例中，当复位晶体管ST1是P型金属氧化物半导体(PMOS)晶体管时，在复位时段期间，将低电平复位控制信号RST提供到复位控制线RCL。在复位时段期间，第一感测节点SN1被复位为与复位电压Vrst的电位对应。对于本发明构思的示例，复位电压Vrst具有比第二驱动电压ELVSS的电压电平低的电压电平。
当复位时段结束时，光检测单元LSU生成与所接收的光对应的光电荷，并且所生成的光电荷累积在第一感测节点SN1中。
图7是根据实施例的显示面板DP的截面图。图8A和图8B是根据本发明构思的实施例的显示面板DP的发光元件ED_R、ED_G1和ED_B和第一光检测元件OPD1的截面图。
参考图7，在实施例中，显示面板DP包括基体层BL、设置在基体层BL上的电路层DP_CL、设置在电路层DP_CL上的元件层DP_ED和设置在元件层DP_ED上的封装层TFE。
基体层BL包括合成树脂层。合成树脂层包括热固性树脂。例如，合成树脂层是聚酰亚胺树脂层，然而，合成树脂层的材料不必受限制。合成树脂层包括丙烯酸树脂、甲基丙烯酸树脂、聚异戊二烯、乙烯基树脂、环氧树脂、氨基甲酸乙酯树脂、纤维素树脂、硅氧烷树脂、聚酰胺树脂和苝树脂中的至少一种。此外，基体层BL可以包括玻璃基底、金属基底或有机/无机复合材料基底。
至少一个无机层形成在基体层BL的上表面上。无机层包括氧化铝、氧化钛、氧化硅、氮氧化硅、氧化锆和氧化铪中的至少一种。无机层包括多层。多层无机层包括将稍后描述的阻挡层BR1和BR2和/或缓冲层BFL。可以选择性地设置阻挡层BR1和BR2以及缓冲层BFL。
阻挡层BR1和BR2防止外部异物被引入。阻挡层BR1和BR2包括氧化硅层和氮化硅层。这些层中的每一者包括多个层，并且氧化硅层和氮化硅层交替地堆叠。
阻挡层BR1和BR2包括第一阻挡层BR1和第二阻挡层BR2。在实施例中，第一后金属层BML1设置在第一阻挡层BR1与第二阻挡层BR2之间。在本发明构思的实施例中，第一后金属层BML1被省略。
缓冲层BFL设置在阻挡层BR1和BR2上。缓冲层BFL改善基体层BL与半导体图案和/或导电图案之间的接合力。缓冲层BFL包括氧化硅层和氮化硅层。氧化硅层和氮化硅层交替地堆叠。
第一半导体图案设置在缓冲层BFL上。第一半导体图案包括硅半导体。例如，硅半导体包括非晶硅和多晶硅等中的至少一种。例如，第一半导体图案包括低温多晶硅。
图7仅示出了第一半导体图案的设置在缓冲层BFL上的一部分，并且第一半导体图案还可以设置在另一区域中。第一半导体图案以特定规则横跨像素(例如，图3中示出的像素PX)布置。第一半导体图案依据其是否被掺杂而具有不同的电性质。第一半导体图案包括具有高电导率的第一区域和具有低电导率的第二区域。第一区域掺杂有N型掺杂剂或P型掺杂剂。P型晶体管包括掺杂有P型掺杂剂的掺杂区域，并且N型晶体管包括掺杂有N型掺杂剂的掺杂区域。第二区域是非掺杂区域或掺杂有比第一区域的浓度低的浓度的区域。
第一区域的电导率大于第二区域的电导率，并且第一区域用作电极或信号线。第二区域对应于晶体管的有源区域或沟道。例如，半导体图案的一部分是晶体管的有源区域，半导体图案的另一部分是晶体管的源极或漏极，并且半导体图案的又一部分是连接电极或连接信号线。
第一晶体管T1的第一电极S1、沟道部分A1和第二电极D1由第一半导体图案形成。第一晶体管T1的第一电极S1和第二电极D1从沟道部分A1在相反方向上延伸。
图7示出了由第一半导体图案形成的连接信号线CSL的一部分。在平面图中，连接信号线CSL连接到第五晶体管T5(参见图6)的第二电极。
第一绝缘层10设置在缓冲层BFL上。第一绝缘层10与多个像素PX(参见图3)公共地重叠。第一绝缘层10可以是无机层和/或有机层，并且可以具有单层结构或多层结构。第一绝缘层10包括氧化铝、氧化钛、氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、氧化锆和氧化铪中的至少一种。在实施例中，第一绝缘层10是单层氧化硅层。除了第一绝缘层10之外，稍后将描述的电路层DP_CL的其他绝缘层也可以是无机层和/或有机层，并且可以具有单层结构或多层结构。无机层包括上述材料中的至少一种，但是不必限于此。
第一晶体管T1的第三电极G1设置在第一绝缘层10上。第三电极G1是金属图案的一部分。第一晶体管T1的第三电极G1与第一晶体管T1的沟道部分A1重叠。在掺杂第一半导体图案的工艺中，第一晶体管T1的第三电极G1用作掩模。第三电极G1包括钛(Ti)、银(Ag)、含Ag合金、钼(Mo)、含Mo合金、铝(Al)、含Al合金、氮化铝(AlN)、钨(W)、氮化钨(WN)、铜(Cu)、氧化铟锡(ITO)和氧化铟锌(IZO)等中的至少一种，但是本发明构思的实施例不必限于此。
第二绝缘层20设置在第一绝缘层10上，并且覆盖第一晶体管T1的第三电极G1。第二绝缘层20可以是无机层和/或有机层，并且可以具有单层结构或多层结构。第二绝缘层20包括氧化硅、氮化硅和氮氧化硅中的至少一种。在实施例中，第二绝缘层20具有包括氧化硅层和氮化硅层的多层结构。
上电极UE和第二后金属层BML2设置在第二绝缘层20上。上电极UE与第三电极G1重叠。上电极UE是金属图案的一部分。彼此重叠的第三电极G1的一部分和上电极UE形成电容器Cst(参见图6)。在本发明构思的实施例中，用绝缘图案代替第二绝缘层20。例如，上电极UE设置在绝缘图案上，并且上电极UE用作用于由第二绝缘层20形成绝缘图案的掩模。
第二后金属层BML2设置在诸如第三晶体管T3的氧化物薄膜晶体管的下部的下方。第二后金属层BML2接收恒定电压或信号。
第三绝缘层30设置在第二绝缘层20上，并且覆盖上电极UE和第二后金属层BML2。第三绝缘层30具有单层结构或多层结构。例如，第三绝缘层30具有包括氧化硅层和氮化硅层的多层结构。
第二半导体图案设置在第三绝缘层30上。第二半导体图案包括氧化物半导体。氧化物半导体包括根据金属氧化物是否被还原而划分的多个区域。其中金属氧化物被还原的区域(下文中被称为还原区域)具有比其中金属氧化物未被还原的区域(下文中被称为非还原区域)的电导率大的电导率。还原区域用作晶体管的源极/漏极或信号线。非还原区域对应于晶体管的有源区域或沟道。例如，第二半导体图案的一部分是晶体管的有源区域，第二半导体图案的另一部分是晶体管的源极/漏极区域，并且第二半导体图案的又一部分是信号传输区域。
第三晶体管T3的第一电极S3、沟道部分A3和第二电极D3由第二半导体图案形成。第一电极S3和第二电极D3包括从金属氧化物半导体还原的金属。在截面图中，第一电极S3和第二电极D3从沟道部分A3在相反方向上延伸。
第四绝缘层40设置在第三绝缘层30上。第四绝缘层40与多个像素PX公共地重叠，并且覆盖第二半导体图案。第四绝缘层40包括氧化铝、氧化钛、氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、氧化锆和氧化铪中的至少一种。
第三晶体管T3的第三电极G3设置在第四绝缘层40上。第三电极G3是金属图案的一部分。第三晶体管T3的第三电极G3与第三晶体管T3的沟道部分A3重叠。在掺杂第二半导体图案的工艺中，第三电极G3用作掩模。在本发明构思的实施例中，用绝缘图案代替第四绝缘层40。
第五绝缘层50设置在第四绝缘层40上，并且覆盖第三电极G3。第五绝缘层50是无机层。
第一连接电极CNE10设置在第五绝缘层50上。第一连接电极CNE10通过穿透第一绝缘层10、第二绝缘层20、第三绝缘层30、第四绝缘层40和第五绝缘层50的第一接触孔CH1连接到连接信号线CSL。
第六绝缘层60设置在第五绝缘层50上。第六绝缘层60是有机层。有机层包括通用聚合物(诸如苯并环丁烯(BCB)、六甲基二硅氧烷(HMDSO)、聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)或聚苯乙烯(PS))、包括酚基的聚合物衍生物、丙烯酸聚合物、酰亚胺类聚合物、芳基醚类聚合物、酰胺类聚合物、氟类聚合物、对二甲苯类聚合物、乙烯醇类聚合物和其共混物等中的至少一种，但是本发明构思的实施例不必限于此。
第二连接电极CNE20设置在第六绝缘层60上。第二连接电极CNE20通过穿透第六绝缘层60的第二接触孔CH2连接到第一连接电极CNE10。第七绝缘层70设置在第六绝缘层60上，并且覆盖第二连接电极CNE20。第七绝缘层70是有机层。
第三连接电极CNE30设置在第七绝缘层70上。第三连接电极CNE30通过穿透第七绝缘层70的第三接触孔CH3连接到第二连接电极CNE20。第八绝缘层80设置在第七绝缘层70上，并且覆盖第三连接电极CNE30。第八绝缘层80是有机层。
第一电极层设置在电路层DP_CL上。像素限定膜PDL形成在第一电极层上。第一电极层包括红色阳极R_AE、第一绿色阳极G1_AE(参见图8A)和蓝色阳极B_AE(参见图8A)以及第一阳极O_AE1。红色阳极R_AE、第一绿色阳极G1_AE和蓝色阳极B_AE以及第一阳极O_AE1设置在第八绝缘层80上。红色阳极R_AE通过穿透第八绝缘层80的第四接触孔CH4连接到第三连接电极CNE30。
像素限定膜PDL的第一开口PDL-OP1、第二开口PDL-OP2、第三开口PDL-OP3(参见图8A)和第四开口PDL-OP4(参见图8A)分别暴露红色阳极R_AE、第一阳极O_AE1、第一绿色阳极G1_AE和蓝色阳极B_AE的至少一部分。在本发明构思的实施例中，像素限定膜PDL还包括黑色材料。例如，像素限定膜PDL还包括黑色有机染料/颜料(诸如，炭黑或苯胺黑)。通过将蓝色有机材料和黑色有机材料混合而形成像素限定膜PDL。像素限定膜PDL还包括疏液性的有机材料。
如图8A中所示，在实施例中，显示面板DP包括第一发射区域PXA-R、第二发射区域PXA-G和第三发射区域PXA-B以及分别与第一发射区域PXA-R、第二发射区域PXA-G和第三发射区域PXA-B相邻的第一非发射区域NPXA-R、第二非发射区域NPXA-G和第三非发射区域NPXA-B。非发射区域NPXA-R、NPXA-G和NPXA-B包围对应的发射区域PXA-R、PXA-G和PXA-B。在实施例中，第一发射区域PXA-R与红色阳极R_AE的由第一开口PDL-OP1暴露的一部分区域对应。第二发射区域PXA-G与第一绿色阳极G1_AE的由第三开口PDL-OP3暴露的一部分区域对应。第三发射区域PXA-B与蓝色阳极B_AE的由第四开口PDL-OP4暴露的一部分区域对应。非像素区域NPA形成在第一非发射区域NPXA-R、第二非发射区域NPXA-G与第三非发射区域NPXA-B之间。
发光层设置在第一电极层上。发光层包括红色发光层R_EL、第一绿色发光层G1_EL和蓝色发光层B_EL。红色发光层R_EL、第一绿色发光层G1_EL和蓝色发光层B_EL分别设置在与第一开口PDL-OP1、第三开口PDL-OP3和第四开口PDL-OP4对应的区域中。红色发光层R_EL、第一绿色发光层G1_EL和蓝色发光层B_EL分别单独地形成在红色像素PXR、第一绿色像素PXG1(参见图4A)和蓝色像素PXB(参见图4A)中。红色发光层R_EL、第一绿色发光层G1_EL和蓝色发光层B_EL中的每一者包括有机材料和/或无机材料。红色发光层R_EL、第一绿色发光层G1_EL和蓝色发光层B_EL各自产生预定颜色的光。例如，红色发光层R_EL产生红色光，第一绿色发光层G1_EL产生绿色光，并且蓝色发光层B_EL产生蓝色光。
尽管作为实施例示出了图案化的红色发光层R_EL、第一绿色发光层G1_EL和蓝色发光层B_EL，但是在实施例中，一个发光层公共地设置在第一发射区域PXA-R、第二发射区域PXA-G和第三发射区域PXA-B中。例如，发光层产生白光或蓝色光。此外，发光层具有称为串联的多层结构。
红色发光层R_EL、第一绿色发光层G1_EL和蓝色发光层B_EL中的每一者包括有机材料作为发光材料。然而，在实施例中，红色发光层R_EL、第一绿色发光层G1_EL和蓝色发光层B_EL中的每一者包括量子点材料作为发光材料。量子点的核是II-VI族化合物、III-V族化合物、IV-VI族化合物、IV族元素、IV族化合物和其组合中的一种。
第二电极层设置在发光层上。第二电极层包括红色阴极R_CE、第一绿色阴极G1_CE和蓝色阴极B_CE。红色阴极R_CE、第一绿色阴极G1_CE和蓝色阴极B_CE彼此电连接。例如，红色阴极R_CE、第一绿色阴极G1_CE和蓝色阴极B_CE彼此一体地形成。例如，红色阴极R_CE、第一绿色阴极G1_CE和蓝色阴极B_CE公共地设置在第一发射区域PXA-R、第二发射区域PXA-G、第三发射区域PXA-B、第一非发射区域NPXA-R、第二非发射区域NPXA-G、第三非发射区域NPXA-B、以及非像素区域NPA中。
电路层DP_CL还包括传感器驱动电路O_SD(参见图6)。参考图7，并且为了便于描述，示出了传感器驱动电路O_SD的复位晶体管ST1。复位晶体管ST1的第一电极STS1、沟道部分STA1和第二电极STD1由第二半导体图案形成。第一电极STS1和第二电极STD1包括从金属氧化物半导体还原的金属。第四绝缘层40覆盖复位晶体管ST1的第一电极STS1、沟道部分STA1和第二电极STD1。复位晶体管ST1的第三电极STG1设置在第四绝缘层40上。在实施例中，第三电极STG1是金属图案的一部分。复位晶体管ST1的第三电极STG1与复位晶体管ST1的沟道部分STA1重叠。
例如，复位晶体管ST1与第三晶体管T3设置在同一层上。例如，复位晶体管ST1的第一电极STS1、沟道部分STA1和第二电极STD1通过与第三晶体管T3的第一电极S3、沟道部分A3和第二电极D3的工艺相同的工艺形成。复位晶体管ST1的第三电极STG1与第三晶体管T3的第三电极G3通过同一工艺同时形成。此外，传感器驱动电路O_SD的放大晶体管ST2(参见图6)的第一电极和第二电极和输出晶体管ST3(参见图6)的第一电极和第二电极通过与第一晶体管T1的第一电极S1和第二电极D1的工艺相同的工艺形成。复位晶体管ST1和第三晶体管T3通过同一工艺形成在同一层上。由于不需要额外的工艺来形成复位晶体管ST1，因此改善了工艺效率并且降低了成本。
元件层DP_ED还包括第一光检测元件OPD1和第二光检测元件OPD2(参见图6)。为了便于说明，图7、图8A和图8B仅示出了第一光检测元件OPD1。
第一光检测元件OPD1包括第一阳极O_AE1、第一光电转换层O_RL1和第一阴极O_CE1。第一阳极O_AE1与第一电极层设置在同一层上。例如，第一阳极O_AE1设置在电路层DP_CL上，并且与红色阳极R_AE、第一绿色阳极G1_AE和蓝色阳极B_AE通过同一工艺同时形成。例如，第一阳极O_AE1设置在第八绝缘层80上。
像素限定膜PDL的第二开口PDL-OP2暴露第一阳极O_AE1的至少一部分。第一光电转换层O_RL1设置在第一阳极O_AE1的通过第二开口PDL-OP2暴露的一部分上。第一光电转换层O_RL1包括有机光敏材料。第一阴极O_CE1设置在第一光电转换层O_RL1上。第一阴极O_CE1与红色阴极R_CE、第一绿色阴极G1_CE和蓝色阴极B_CE通过同一工艺同时形成。例如，第一阴极O_CE1与红色阴极R_CE、第一绿色阴极G1_CE和蓝色阴极B_CE一体形成。
第一阳极O_AE1和第一阴极O_CE1中的每一者接收电信号。第一阴极O_CE1接收与第一阳极O_AE1的信号不同的信号。因此，在第一阳极O_AE1与第一阴极O_CE1之间形成预定电场。第一光电转换层O_RL1产生与入射在传感器FX(参见图3)上的光对应的电信号。第一光电转换层O_RL1吸收入射的光的能量并产生电荷。例如，第一光电转换层O_RL1包括光敏半导体材料。
在第一光电转换层O_RL1中产生的电荷改变第一阳极O_AE1与第一阴极O_CE1之间的电场。在第一光电转换层O_RL1中产生的电荷量依据光是否入射在第一光检测元件OPD1上、入射在第一光检测元件OPD1上的光量、以及强度而变化。因此，在第一阳极O_AE1与第一阴极O_CE1之间形成的电场可以变化。根据本发明构思的实施例的第一光检测元件OPD1通过第一阳极O_AE1与第一阴极O_CE1之间的电场的变化来获取用户的指纹信息。
然而，实施例不必限于此，并且在实施例中，第一光检测元件OPD1包括包含第一光电转换层O_RL1作为有源层的光电晶体管。例如，第一光检测元件OPD1通过检测流过光电晶体管的电流量来获取指纹信息。根据本发明构思的实施例的第一光检测元件OPD1包括能够响应于光量的变化而生成电信号的各种光电转换元件，但是不必限于任何一个实施例。
封装层TFE设置在元件层DP_ED上。封装层TFE至少包括无机层或有机层。在本发明构思的实施例中，封装层TFE包括两个无机层和设置在两个无机层之间的有机层。在本发明构思的实施例中，封装层TFE包括交替堆叠的多个无机层和多个有机层。
无机封装层保护图8A中所示的红色发光元件ED_R、第一绿色发光元件ED_G1和蓝色发光元件ED_B以及第一光检测元件OPD1免受湿气/氧的影响，并且有机封装层保护红色发光元件ED_R、第一绿色发光元件ED_G1和蓝色发光元件ED_B以及第一光检测元件OPD1免受诸如灰尘颗粒的异物的影响。无机封装层包括氮化硅层、氮氧化硅层、氧化硅层、氧化钛层和氧化铝层中的至少一种，但是本发明构思的实施例不必限于此。有机封装层包括丙烯酰类有机层，但是不必限于此。
现在参考图8A和图8B，在实施例中，显示装置DD(参见图1)包括设置在显示面板DP上的输入检测层ISL和设置在输入检测层ISL上的防反射层CFL。
输入检测层ISL直接设置在封装层TFE上。输入检测层ISL包括第一导电层ICL1、绝缘层IL、第二导电层ICL2和保护层PL。第一导电层ICL1设置在封装层TFE上。图8A和图8B示出了其中第一导电层ICL1直接设置在封装层TFE上的结构，但是本发明构思的实施例不必限于此。在实施例中，输入检测层ISL还包括设置在第一导电层ICL1与封装层TFE之间的基体绝缘层。例如，封装层TFE被基体绝缘层覆盖，并且第一导电层ICL1设置在基体绝缘层上。例如，基体绝缘层包括无机绝缘材料。
绝缘层IL直接设置在封装层TFE上，并且覆盖第一导电层ICL1。第二导电层ICL2设置在绝缘层IL上。尽管示出了其中输入检测层ISL包括第一导电层ICL1和第二导电层ICL2的结构，但是本发明构思的实施例不必限于此。例如，在实施例中，输入检测层ISL仅包括第一导电层ICL1和第二导电层ICL2中的一个。
保护层PL设置在绝缘层IL上，并且覆盖第二导电层ICL2。保护层PL包括有机绝缘材料。保护层PL保护第一导电层ICL1和第二导电层ICL2免受湿气/氧的影响，并且保护第一导电层ICL1和第二导电层ICL2免受异物的影响。
防反射层CFL设置在输入检测层ISL上。防反射层CFL直接设置在保护层PL上。防反射层CFL包括第一滤色器CF_R、第二滤色器CF_G和第三滤色器CF_B。第一滤色器CF_R具有第一颜色，第二滤色器CF_G具有第二颜色，并且第三滤色器CF_B具有第三颜色。例如，第一颜色是红色，第二颜色是绿色，并且第三颜色是蓝色。
防反射层CFL还包括虚设滤色器DCF。例如，当其中设置有第一光电转换层O_RL1的区域形成感测区域SA并且感测区域SA的外围形成非感测区域NSA时，虚设滤色器DCF设置在感测区域SA中。虚设滤色器DCF与感测区域SA和非感测区域NSA重叠。例如，虚设滤色器DCF具有与第一滤色器CF_R、第二滤色器CF_G和第三滤色器CF_B中的一个的颜色相同的颜色。例如，虚设滤色器DCF与第二滤色器CF_G具有相同的绿色。
防反射层CFL还包括黑色矩阵BM。黑色矩阵BM设置在非像素区域NPA中。黑色矩阵BM在非像素区域NPA中与第一导电层ICL1和第二导电层ICL2重叠。例如，黑色矩阵BM与非像素区域NPA以及第一非发射区域NPXA-G、第二非发射区域NPXA-B和第三非发射区域NPXA-R重叠。黑色矩阵BM与第一发射区域PXA-R、第二发射区域PXA-G和第三发射区域PXA-B不重叠。
防反射层CFL还包括外涂层OCL。外涂层OCL包括有机绝缘材料。外涂层OCL具有足以消除第一滤色器CF_R、第二滤色器CF_G和第三滤色器CF_B之间的台阶差的厚度。外涂层OCL没有特别限制，只要外涂层OCL具有足够的厚度并且包括可以使防反射层CFL的上表面平坦化的材料即可，并且外涂层OCL包括例如丙烯酸酯类有机材料。
参考图8B，在实施例中，当显示装置DD(参见图1)操作时，红色发光元件ED_R、第一绿色发光元件ED_G1和蓝色发光元件ED_B中的每一者输出光。红色发光元件ED_R输出红色波长带中的红色光，第一绿色发光元件ED_G1输出绿色波长带中的绿色光，并且蓝色发光元件ED_B输出蓝色波长带中的蓝色光。
例如，第一光检测元件OPD1从诸如第一绿色发光元件ED_G1的特定发光元件接收光。例如，第一光检测元件OPD1从自第一绿色发光元件ED_G1输出的绿色光Lg1中接收由用户的指纹反射的绿色反射光Lg2。虚设滤色器DCF设置在第一光检测元件OPD1上。虚设滤色器DCF具有绿色。因此，绿色反射光Lg2穿过虚设滤色器DCF并且入射在第一光检测元件OPD1上。
同时，分别从红色发光元件ED_R和蓝色发光元件ED_B输出的红色光和蓝色光也被用户的手US_F反射。例如，从红色发光元件ED_R输出的红色光Lr1被用户的手US_F反射并且变成红色反射光Lr2。红色反射光Lr2被吸收而不通过虚设滤色器DCF。因此，红色反射光Lr2不通过虚设滤色器DCF，并且不能入射在第一光检测元件OPD1上。类似地，即使蓝色光被用户的手US_F反射，它也被虚设滤色器DCF吸收。因此，仅绿色反射光Lg2被提供到第一光检测元件OPD1。
图9是根据本发明构思的实施例的像素驱动电路G1_PD和B_PD和传感器驱动电路O_SD的层CL1的平面图。
参考图4A和图9，在实施例中，在图9中示出了与第一绿色像素驱动电路G1_PD(下文中被称为第一像素驱动电路)、传感器驱动电路O_SD和蓝色像素驱动电路B_PD(下文中被称为第二像素驱动电路)对应的区域。第一像素驱动电路G1_PD、传感器驱动电路O_SD和第二像素驱动电路B_PD在第二方向DR2上布置。第一像素驱动电路G1_PD和第二像素驱动电路B_PD具有基本对称的结构。
参考图7和图9，在实施例中，示出了带阴影线的第一层CL1。第一层CL1是设置在第一阻挡层BR1与第二阻挡层BR2之间的第一后金属层BML1。第一后金属层BML1设置在第一像素驱动电路G1_PD和第二像素驱动电路B_PD的至少一部分区域中。在实施例中，第一后金属层BML1与第一晶体管T1重叠。
第一后金属层BML1阻止由基体层BL的极化引起的电势对第一像素驱动电路G1_PD和第二像素驱动电路B_PD的影响。
第一后金属层BML1连接到电极或线，并且从电极或线接收恒定电压或信号。在实施例中，第一后金属层BML1与其他电极或线隔离。
第一后金属层BML1包括反射金属。例如，第一后金属层BML1包括银(Ag)、含Ag合金、钼(Mo)、含Mo合金、铝(Al)、含Al合金、氮化铝(AlN)、钨(W)、氮化钨(WN)、铜(Cu)、钛(Ti)和P+掺杂的非晶硅中的至少一种。
图10是根据本发明构思的实施例的像素驱动电路G1_PD和B_PD和传感器驱动电路O_SD的层CL2的平面图。图10中示出了带阴影线的第二层CL2。
参考图7和图10，在实施例中，第二层CL2是设置在缓冲层BFL与第一绝缘层10之间的第一半导体图案层。第二层CL2包括第一半导体部分CL2p1、第二半导体部分CL2p2和第三半导体部分CL2p3。第一半导体部分CL2p1、第二半导体部分CL2p2和第三半导体部分CL2p3各自包括硅半导体。例如，硅半导体是非晶硅和多晶硅等中的至少一种。例如，第一半导体部分CL2p1、第二半导体部分CL2p2和第三半导体部分CL2p3各自包括低温多晶硅(LTPS)。
图11是根据本发明构思的实施例的像素驱动电路G1_PD和B_PD和传感器驱动电路O_SD的层CL3的平面图。图11中示出了带阴影线的第三层CL3。
参考图6、图7和图11，在实施例中，第三层CL3是设置在第一绝缘层10与第二绝缘层20之间的第一导电层。第三层CL3包括金属、合金、导电金属氧化物和透明导电材料中的至少一种。例如，第三层CL3包括钛(Ti)、银(Ag)、含Ag合金、钼(Mo)、含Mo合金、铝(Al)、含Al合金、氮化铝(AlN)、钨(W)、氮化钨(WN)、铜(Cu)、氧化铟锡(ITO)和氧化铟锌(IZO)等中的至少一种，但是不必限于此。
第三层CL3包括第一线CL3p1、第一电极CL3p2、第二线CL3p3和第二电极CL3p4。
第一线CL3p1在第二方向DR2上延伸。第一线CL3p1与图6的第j发射控制线EMLj对应。第一线CL3p1与图10中所示的第一半导体部分CL2p1和第二半导体部分CL2p2一起形成第一发射控制晶体管ET1和第二发射控制晶体管ET2。例如，通过第一线CL3p1提供第j发射控制信号EMj。
第一电极CL3p2具有岛状形状。第一电极CL3p2与图10中所示的第一半导体部分CL2p1和第二半导体部分CL2p2一起形成第一晶体管T1。第一电极CL3p2与第一晶体管T1的第三电极G1对应。
第二线CL3p3在第二方向DR2上延伸，并且对应于第j写入扫描线SWLj。第二线CL3p3与图10中所示的第一半导体部分CL2p1和第二半导体部分CL2p2一起形成第二晶体管T2。例如，第j写入扫描信号SWj(参见图6)被提供到第二线CL3p3。第二线CL3p3与图10中所示的第三半导体部分CL2p3一起形成输出晶体管ST3。
第j写入扫描线SWLj与第j+1黑色扫描线(未示出)或第j-1黑色扫描线(未示出)对应。因此，第二线CL3p3与图10中所示的第一半导体部分CL2p1和第二半导体部分CL2p2一起形成第五晶体管T5。
第二电极CL3p4具有岛状形状。第二电极CL3p4与图10中所示的第三半导体部分CL2p3一起形成放大晶体管ST2。
图12是根据本发明构思的实施例的像素驱动电路G1_PD和B_PD和传感器驱动电路O_SD的层CL4的平面图。图12中示出了带阴影线的第四层CL4。
参考图6、图7和图12，在实施例中，第四层CL4是设置在第二绝缘层20与第三绝缘层30之间的第二导电层。
第四层CL4包括第三线CL4p1、第三电极CL4p2、第四线CL4p3、第五线CL4p4和第六线CL4p5。
第三线CL4p1在第二方向DR2上延伸，并且是与复位控制线RCL重叠的虚设线。第四线CL4p3是在第二方向DR2上延伸并且与第j补偿扫描线SCLj重叠的虚设线。第五线CL4p4是在第二方向DR2上延伸并且与第j初始化扫描线SILj重叠的虚设线。
第三线CL4p1、第四线CL4p3和第五线CL4p4对应于第二后金属层BML2。因此，第三线CL4p1、第四线CL4p3和第五线CL4p4电浮置，接收恒定电压或接收信号。例如，当接收信号时，第三线CL4p1接收复位控制信号RST，第四线CL4p3接收第j补偿扫描信号SCj，并且第五线CL4p4接收第j初始化扫描信号SIj。
第六线CL4p5在第二方向DR2上延伸并且对应于第一初始化电压线VL3。通过第六线CL4p5提供第一初始化电压VINT1。
第三电极CL4p2与第一电极CL3p2(参见图11)重叠。例如，第三电极CL4p2与第一电极CL3p2一起形成电容器Cst。第三电极CL4p2对应于上电极UE。第一驱动电压ELVDD被提供到第三电极CL4p2。此外，从其去除了第三电极CL4p2的一部分的开口CL4p2-OP形成在第三电极CL4p2中，并且第一电极CL3p2通过开口CL4p2-OP暴露。
图13是根据本发明构思的实施例的像素驱动电路G1_PD和B_PD和传感器驱动电路O_SD的层CL5的平面图。图13中示出了带阴影线的第五层CL5。
参考图6、图7和图13，在实施例中，第五层CL5是设置在第三绝缘层30与第四绝缘层40之间的第二半导体层。第五层CL5包括第四半导体部分CL5p1、第五半导体部分CL5p2和第六半导体部分CL5p3。第四半导体部分CL5p1、第五半导体部分CL5p2和第六半导体部分CL5p3包括氧化物半导体。第五层CL5与第二层CL2(参见图10)不重叠。
图14是根据本发明构思的实施例的像素驱动电路G1_PD和B_PD和传感器驱动电路O_SD的层CL6的平面图。图14中示出了带阴影线的第六层CL6。
参考图6、图7和图14，在实施例中，第六层CL6是设置在第四绝缘层40与第五绝缘层50之间的第三导电层。第六层CL6包括第七线CL6p1、第八线CL6p2和第九线CL6p3。
第七线CL6p1在第二方向DR2上延伸。第七线CL6p1对应于复位控制线RCL。第七线CL6p1与图13中所示的第六半导体部分CL5p3一起形成复位晶体管ST1。例如，通过第七线CL6p1提供复位控制信号RST。
第八线CL6p2在第二方向DR2上延伸。第八线CL6p2对应于第j补偿扫描线SCLj。第八线CL6p2与图13中所示的第四半导体部分CL5p1和第五半导体部分CL5p2一起形成第三晶体管T3。例如，通过第八线CL6p2提供第j补偿扫描信号SCj。
第九线CL6p3在第二方向DR2上延伸。第九线CL6p3对应于第j初始化扫描线SILj。第九线CL6p3与图13中所示的第四半导体部分CL5p1和第五半导体部分CL5p2一起形成第四晶体管T4。例如，通过第九线CL6p3提供第j初始化扫描信号SIj。
图15是根据本发明构思的实施例的像素驱动电路G1_PD和B_PD和传感器驱动电路O_SD的层CL7的平面图。图15中示出了带阴影线的第七层CL7。
参考图6、图7和图15，在实施例中，第七层CL7是设置在第五绝缘层50与第六绝缘层60之间的第四导电层。第七层CL7包括第十线CL7p1、电源图案CL7p2、第十一线CL7p3、连接电极CL7p4和连接图案CL7ps。
第十线CL7p1在第二方向DR2上延伸，并且对应于第三初始化电压线VL5。第十线CL7p1接收复位电压Vrst。电源图案CL7p2被提供有第一驱动电压ELVDD。第十一线CL7p3对应于第二初始化电压线VL4。第十一线CL7p3接收第二初始化电压VINT2。连接图案CL7ps电连接到设置在另一层上的图案或线。例如，连接图案CL7ps可以通过穿过绝缘层而电连接到设置在另一层上的另一图案或线，或者设置在另一层上的另一图案或线可以通过穿透绝缘层而连接到连接图案CL7ps。例如，连接电极CL7p4是第一连接电极CNE10。
图16A是根据本发明构思的实施例的像素驱动电路G1_PD和B_PD和传感器驱动电路O_SD的层CL8的平面图。图16A中示出了带阴影线的第八层CL8。
参考图5、图6、图7和图16A，在实施例中，第八层CL8是设置在第六绝缘层60与第七绝缘层70之间的第五导电层。第八层CL8包括第十二线CL8p1、第十三线CL8p2、第十四线CL8p3、连接电极CL8p4和连接图案CL8ps。
第十二线CL8p1在第一方向DR1上延伸，并且与接收第一驱动电压ELVDD的第一驱动电压线VL1对应。第十三线CL8p2在第一方向DR1上延伸，并且对应于图5中所示的第一数据线DL-G。第十四线CL8p3在第一方向DR1上延伸，并且对应于图5中所示的第二数据线DL-RB。与灰度值对应的模拟电压被提供到第十三线CL8p2和第十四线CL8p3。
连接图案CL8ps中的每一者电连接到设置在另一层上的图案或线。例如，连接图案CL8ps电连接到穿透绝缘层的另一图案或线。例如，连接电极CL8p4是第二连接电极CNE20。
图16B是根据本发明构思的实施例的像素驱动电路G1_PD和B_PD和传感器驱动电路O_SD的层CL9的平面图。图16B中示出了带阴影线的第九层CL9。
参考图5、图6、图7、图16A和图16B，在实施例中，第九层CL9是设置在第七绝缘层70与第八绝缘层80之间的第六导电层。第九层CL9包括第十五线CL9p1和连接电极CL9p2。
第十五线CL9p1在第一方向DR1上延伸，并且对应于图5中所示的读出线RL。例如，通过第十五线CL9p1提供检测信号。当在平面图中观察时，例如，当观察平行于第一方向DR1和第二方向DR2的平面时，设置在第十三线CL8p2与第十四线CL8p3之间的第十五线CL9p1与第十三线CL8p2和第十四线CL8p3设置在不同的层上。例如，第一数据线DL-G和第二数据线DL-RB设置在同一层上，并且设置在第一数据线DL-G与第二数据线DL-RB之间的读出线RL与第一数据线DL-G和第二数据线DL-RB设置在不同的层上。
第七绝缘层70设置在其上设置有第一数据线DL-G和第二数据线DL-RB的层与其上设置有读出线RL的层之间，并且第七绝缘层70是有机层。因此，读出线RL与相对相邻的第二数据线DL-RB设置在不同的层上。例如，读出线RL在厚度方向(例如，第三方向DR3，参见图1)上和水平方向(例如，第二方向DR2)上与第二数据线DL-RB间隔开。
根据本发明构思的实施例，减少或消除了其中读出线RL耦合到相邻数据线(诸如第二数据线DL-RB)的现象。因此，减少了由施加到第二数据线DL-RB的电压在提供到读出线RL的检测信号中产生的噪声。结果，提高了指纹感测灵敏度和指纹感测准确度。
为了将读出线RL布置在另一层上，由于另外提供了第八绝缘层80和第九层CL9，因此进一步添加连接电极CL9p2。连接电极CL9p2是第三连接电极CNE30。
图17A是根据本发明构思的另一实施例的像素驱动电路G1_PD和B_PD和传感器驱动电路O_SD的层CL8a的平面图。图17A中示出了带阴影线的第八层CL8a。
参考图5、图6、图7和图17A，在实施例中，第八层CL8a是设置在第六绝缘层60与第七绝缘层70之间的第五导电层。第八层CL8a包括第十二线CL8p1、第十三线CL8p2、第十四线CL8p3a、连接电极CL8p4和连接图案CL8ps。
第十三线CL8p2在第一方向DR1上延伸，并且对应于图5中所示的第一数据线DL-G。第十四线CL8p3a在第一方向DR1上延伸，并且对应于图5中所示的读出线RL。与灰度值对应的模拟电压被提供到第十三线CL8p2，并且检测信号被提供到第十四线CL8p3。
图17B是根据本发明构思的另一实施例的像素驱动电路G1_PD和B_PD和传感器驱动电路O_SD的层CL9a的平面图。图17B中示出了带阴影线的第九层CL9a。
参考图5、图6、图7、图17A和图17B，在实施例中，第九层CL9a是设置在第七绝缘层70与第八绝缘层80之间的第六导电层。第九层CL9a包括第十五线CL9p1a和连接电极CL9p2。
第十五线CL9p1a在第一方向上延伸，并且对应于图5中所示的第二数据线DL-RB。通过第十五线CL9p1a提供与灰度值对应的模拟电压。
当在平面图中观察时，设置在第十三线CL8p2与第十五线CL9p1a之间的第十四线CL8p3a与第十三线CL8p2和第十五线CL9p1a中的至少一者设置在不同的层上。例如，第一数据线DL-G和读出线RL设置在同一层上，并且第二数据线DL-RB与第一数据线DL-G和读出线RL设置在不同的层上。减少或消除了其中读出线RL耦合到相邻数据线(诸如第二数据线DL-RB)的现象。
图18是根据本发明构思的实施例的显示面板DP(参见图4A)的部分配置的平面图。
参考图18，在实施例中，示出了第一数据线DL-G、第二数据线DL-RB和读出线RL。第一数据线DL-G与读出线RL之间的第一距离PDT1大于读出线RL与第二数据线DL-RB之间的第二距离PDT2。
读出线RL与相对相邻的第二数据线DL-RB设置在不同的层上。例如，读出线RL在厚度方向(例如，第三方向DR3，参见图1)上和水平方向(例如，第二方向DR2)上与第二数据线DL-RB间隔开。因此，减少了其中读出线RL耦合到相邻数据线的现象。结果，减少了提供到读出线RL的检测信号中产生的噪声，并且提高了指纹感测灵敏度和指纹感测准确度。
图19是根据本发明构思的另一实施例的显示面板DP(参见图4A)的部分配置的平面图。
参考图19，在实施例中，示出了第一数据线DL-G、第二数据线DL-RB和读出线RLa。
将读出线RLa与第一数据线DL-G和第二数据线DL-RB设置在不同的层上提高了设计读出线RLa的位置的自由度。当在平面图中观察时，可以调整读出线RLa的位置，使得第一数据线DL-G与读出线RLa之间的第一距离PDT1a基本等于读出线RLa与第二数据线DL-RB之间的第二距离PDT2a。因此，减少了读出线RLa与相邻数据线(诸如第一数据线DL-G和第二数据线DL-RB)之间的耦合。
根据上述内容，当在平面图中观察时，设置在两条数据线之间的读出线与所述两条数据线中的至少一条数据线设置在不同的层上。例如，减少或消除了其中读出线与相邻数据线耦合的现象。因此，减少了由施加到数据线的电压在提供到读出线的检测信号中产生的噪声。结果，提高了指纹感测灵敏度和指纹感测准确度。
尽管已经描述了本发明构思的实施例，但是理解的是，本发明构思的实施例不应限于这些实施例，而是在如所附权利要求中限定的本发明构思的实施例的精神和范围内，本领域普通技术人员可以进行各种改变和修改。

Claims (10)

1.一种显示装置，其中，所述显示装置包括：
第一像素，包括第一像素驱动电路和第一发光元件；
第二像素，包括第二像素驱动电路和第二发光元件；
传感器，包括传感器驱动电路和光检测元件；
第一数据线，在第一方向上延伸并且电连接到所述第一像素；
第二数据线，在所述第一方向上延伸并且电连接到所述第二像素；以及
读出线，在所述第一方向上延伸并且电连接到所述传感器，
其中，所述读出线与所述第一数据线和所述第二数据线中的至少一者设置在不同的层上。
2.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述第一像素驱动电路、所述传感器驱动电路和所述第二像素驱动电路布置在与所述第一方向交叉的第二方向上。
3.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述第一数据线和所述第二数据线设置在同一层上，并且所述读出线与所述第一数据线和所述第二数据线设置在不同的层上。
4.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述第一数据线和所述读出线设置在同一层上，并且所述第二数据线与所述第一数据线和所述读出线设置在不同的层上。
5.根据权利要求1所述的显示装置，其中，当在平面图中观察时，所述读出线设置在所述第一数据线与所述第二数据线之间。
6.根据权利要求1所述的显示装置，其中，当在平面图中观察时，所述第一数据线与所述读出线之间的距离大于所述第二数据线与所述读出线之间的距离。
7.根据权利要求1所述的显示装置，其中，当在平面图中观察时，所述第一数据线与所述读出线之间的距离等于所述第二数据线与所述读出线之间的距离。
8.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述第二数据线与所述读出线设置在不同的层上，并且
其中，所述显示装置还包括设置在所述第二数据线与所述读出线之间的有机层。
9.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述第一像素是绿色像素，并且所述第二像素是蓝色像素或红色像素。
10.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述显示装置还包括在与所述第一方向交叉的第二方向上延伸的多条扫描线，
其中，所述多条扫描线包括连接到所述第一像素和所述第二像素的初始化扫描线、补偿扫描线、写入扫描线和黑色扫描线。
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