CN116730599A - 一种微晶玻璃叠片晶化方法 - Google Patents
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- 239000011521 glass Substances 0.000 title claims abstract description 170
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 title claims abstract description 115
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 claims abstract description 97
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims abstract description 83
- 239000002241 glass-ceramic Substances 0.000 claims abstract description 78
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 47
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 claims abstract description 46
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 39
- 238000003475 lamination Methods 0.000 claims abstract description 33
- 238000004506 ultrasonic cleaning Methods 0.000 claims description 46
- 238000005498 polishing Methods 0.000 claims description 23
- 238000000227 grinding Methods 0.000 claims description 20
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 17
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 claims description 17
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 claims description 14
- 238000007790 scraping Methods 0.000 claims description 7
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims description 4
- 239000000843 powder Substances 0.000 claims 3
- 239000006082 mold release agent Substances 0.000 claims 2
- 229910052582 BN Inorganic materials 0.000 abstract description 8
- PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N Boron nitride Chemical compound N#B PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 8
- 230000007547 defect Effects 0.000 abstract description 3
- 230000002950 deficient Effects 0.000 abstract description 2
- 238000005457 optimization Methods 0.000 abstract description 2
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 51
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 45
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 32
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 description 13
- 238000007493 shaping process Methods 0.000 description 13
- 238000009966 trimming Methods 0.000 description 13
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 11
- 238000012805 post-processing Methods 0.000 description 5
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 3
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 3
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 3
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000005340 laminated glass Substances 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 238000012797 qualification Methods 0.000 description 1
- 238000011160 research Methods 0.000 description 1
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03B—MANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
- C03B32/00—Thermal after-treatment of glass products not provided for in groups C03B19/00, C03B25/00 - C03B31/00 or C03B37/00, e.g. crystallisation, eliminating gas inclusions or other impurities; Hot-pressing vitrified, non-porous, shaped glass products
- C03B32/02—Thermal crystallisation, e.g. for crystallising glass bodies into glass-ceramic articles
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03B—MANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
- C03B40/00—Preventing adhesion between glass and glass or between glass and the means used to shape it, hold it or support it
- C03B40/02—Preventing adhesion between glass and glass or between glass and the means used to shape it, hold it or support it by lubrication; Use of materials as release or lubricating compositions
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03B—MANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
- C03B40/00—Preventing adhesion between glass and glass or between glass and the means used to shape it, hold it or support it
- C03B40/02—Preventing adhesion between glass and glass or between glass and the means used to shape it, hold it or support it by lubrication; Use of materials as release or lubricating compositions
- C03B40/027—Apparatus for applying lubricants to glass shaping moulds or tools
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P40/00—Technologies relating to the processing of minerals
- Y02P40/50—Glass production, e.g. reusing waste heat during processing or shaping
- Y02P40/57—Improving the yield, e-g- reduction of reject rates
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
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- Surface Treatment Of Glass (AREA)
Abstract
本发明提供一种微晶玻璃叠片晶化方法，采用二氧化硅粉剂作为脱模剂对玻璃片进行叠片晶化得到微晶玻璃，减少晶化后加工步骤提升晶化良品率，微晶玻璃晶化后表面优化工艺可以提升微晶玻璃的表面加工质量，修复加工不良品，提升加工良品率，解决使用氮化硼脱模剂晶化后微晶玻璃表面缺陷问题。
Description
技术领域
本发明属于微晶玻璃晶化技术领域，具体属于一种微晶玻璃叠片晶化方法。
背景技术
微晶玻璃晶化技术主要有两种：块状晶化和片状晶化。传统块状晶化采用玻璃样块进行晶化加工，可实现大批量出货，但受限于晶化均匀性及后加工，存在晶化后加工步骤繁琐且良品率低下的问题；片状晶化采用片状玻璃进行晶化加工，对比块状晶化，成本低加工快，且后加工相对减缩，但很难实现大批量出货。在叠片晶化应用研究方面采用氮化硼脱模剂进行叠片晶化，晶化脱模后玻璃表面形成脏污且难以去除，影响玻璃表面的加工质量，存在成品加工能力和良品率低下的现象。
发明内容
为了解决现有技术中存在的问题，本发明提供一种微晶玻璃叠片晶化方法，解决微晶玻璃块状晶化后加工良品率低和片状晶化玻璃表面缺陷等问题致使成品加工能力和良品率低下现象。
为实现上述目的，本发明提供如下技术方案：一种微晶玻璃叠片晶化方法，采用二氧化硅粉剂作为脱模剂对玻璃片进行叠片晶化得到微晶玻璃。
进一步的，所述二氧化硅粉剂的粒径为10μm～20μm，二氧化硅粉剂的覆盖厚度为1mm～2mm。
进一步的，所述二氧化硅粉剂采用刮板刮平的方式铺设在进行叠片的各个玻璃片之间。
进一步的，所述叠片晶化后，去除微晶玻璃之间的脱模剂，对微晶玻璃进行清洗、CNC加工、研磨、抛光、清洗得到成品微晶玻璃。
进一步的，叠片晶化时采用碳化硅板作为垫板，并在叠片顶部放置碳化硅垫板用于防止玻璃翘曲。
进一步的，所述叠片晶化高度设置范围为3mm～60mm，叠放层数为2层～30层。
进一步的，所述玻璃片厚度为微晶玻璃最终厚度+0.1mm～0.2mm，玻璃片尺寸为微晶玻璃最终尺寸的101％～102％。
进一步的，叠片晶化后采用震动的方式使得脱模剂与微晶玻璃分离，回收脱模剂。
进一步的，所述清洗采用超声清洗，温度为40℃～80℃，时间为5min～10min。
进一步的，所述研磨采用双盘研磨机，工艺参数为：施加50KG～160KG压力，加工120s～600s。
所述抛光采用盘式抛光机，工艺参数为：施加80KG～160KG压力，单面加工120s～600s。与现有技术相比，本发明至少具有以下有益效果：
本发明提供一种微晶玻璃叠片晶化方法，采用二氧化硅粉剂作为脱模剂替代液体氮化硼脱模剂进行叠片晶化，减少晶化后加工步骤提升晶化良品率，微晶玻璃晶化后表面优化工艺可以提升微晶玻璃的表面加工质量，修复加工不良品，提升加工良品率，解决使用氮化硼脱模剂晶化后微晶玻璃表面缺陷问题。
进一步的，二氧化硅脱模剂经过500～800℃的高温后成分结构未发生变化，且脱模简单，不需要额外增加玻璃的后加工程序，脱模后的脱模剂还可以研磨后再次使用，降低晶化加工成本，提升晶化良品率。
进一步的，二氧化硅粉剂利用其超高的熔点，其在低温稳定性良好，使得在经过500～800℃高温晶化后，脱模剂仍然可以重复利用，且便于回收可以减少晶化成本，后加工程序简单且易于加工，提升晶化制程的良品率。
附图说明
图1本发明晶化方法流程图。
具体实施方式
下面结合附图和具体实施方式对本发明作进一步的说明。
如图1所示，本发明提供一种微晶玻璃叠片晶化方法，包括以下步骤：
步骤1，先将微晶玻璃样块进行切片加工，可以根据最终厚度需要切成对应厚度的玻璃片；
步骤2，微晶玻璃多线切片后玻璃表面超声波清洗，去除玻璃表面脏污；
步骤3，将步骤2超声波清洗的玻璃片进行叠片晶化，包括叠片堆放、晶化加工、脱模；
具体的，脱模采用粒径10μm～20μm的二氧化硅粉剂作为脱模剂，防止玻璃片的粘连；
采用刮板刮平的方式在每一层玻璃片上铺设脱模剂层，覆盖厚度1～2mm，用此方法多次操作进行叠片晶化加工前的叠片堆放；
采用碳化硅板作为垫板，并在顶部放置碳化硅垫板压平叠片玻璃防止玻璃翘曲。
晶化脱模，晶化结束后进行脱模，经过晶化加工后玻璃之间的脱模剂已经干结，可以通过震动的方式使得脱模剂与玻璃分离，其中脱模剂可以回收再次利用，玻璃需要进行超声波清洗去除表面沾附的部分脱模剂。
步骤4，将步骤3叠片晶化后的微晶玻璃进行超声波清洗，去掉玻璃表面的脱模剂颗粒；
步骤5，将步骤4超声波清洗后微晶玻璃进行精雕机(CNC)修边倒角；
步骤6，将步骤5经过CNC的微晶玻璃样片进行研磨和抛光加工，提升晶化后玻璃的表面质量；
步骤7，将步骤6加工后的微晶玻璃，采用超声波清洗仪进行超声清洗检验玻璃表面加工质量，合格的包装进入下一步，不合格的进入步骤6反加工；
步骤8，将步骤7清洗后的微晶玻璃，采用PE膜进行包装存放。
优选的，在步骤1中，采用单线整形，修正玻璃样块尺寸，采用多线将玻璃样块切割成片，得到玻璃片。
优选的，在步骤1中，玻璃片尺寸为微晶玻璃最终尺寸的101％～102％，玻璃片厚度为微晶玻璃最终厚度+0.1～0.2mm，预留加工余度。
优选的，在步骤2中，采用超声波清洗仪进行超声清洗水温40℃～80℃，清洗5min～10min。
优选的，在步骤3中，叠片晶化高度设置范围为3mm～60mm，叠放层数为2～30层。
优选的，在步骤4中，叠片晶化玻璃脱模后采用超声波清洗仪进行超声清洗，水温40℃～80℃，清洗5min～10min。
优选的，在步骤6中，采用双盘研磨机研磨处理，工艺参数为：施加50KG～160KG压力，加工120s～600s。
优选的，在步骤6中，采用盘式抛光机进行抛光处理，工艺参数为：施加80KG～160KG压力，单面加工120s～600s。
优选的，在步骤7中，加工后的微晶玻璃，采用超声波清洗仪进行超声清洗，水温40℃～80℃，清洗5min～10min。
优选的，在步骤8中，清洗后的微晶玻璃，采用采用PE膜进行包装存放。
实施例1
叠片晶化0.5mm微晶玻璃，以二氧化硅作为脱模剂采用刮板覆盖法叠片放置，叠放20层，采用二次元测试玻璃长宽、采用千分尺测试玻璃厚度、采用塞规测试玻璃翘曲，具体过程如下：
1、将玻璃样块进行整形切片，切片厚度0.5mm；
2、将多线切割的玻璃样片进行超声波清洗，水温40℃，清洗10min。
3、采用刮板覆盖法叠片放置，脱模剂覆盖厚度1～2mm，叠放20层，单排放置共计20pcs，并用碳化硅垫板压平，进行叠片晶化加工；
4、对叠片晶化脱模后的微晶玻璃进行超声波清洗，去掉玻璃表面的脏污，水温40℃，清洗5min；
5、将超声波清洗后微晶玻璃进行精雕机(CNC)修边倒角；
6、将经过CNC加工的微晶玻璃样片进行研磨和抛光加工，加工后厚度0.4mm，表面平整度符合要求，良品率达到90％；
7、将研磨和抛光加工后的微晶玻璃，采用超声波清洗仪进行超声清洗；
8、将清洗后的微晶玻璃，采用PE膜进行包装存放。
晶化加工前后测试数据统计
| 晶化加工前 | 测试参数 | 晶化加工后 | 测试参数 |
| 厚度/mm | 0.5 | 厚度/mm | 0.4 |
| 长、宽/mm | 70.7*141.4 | 长、宽/mm | 70*140 |
| 翘曲/mm | 0 | 翘曲/mm | 0.01 |
| 良品数量/pcs | 20 | 良品数量/pcs | 18 |
实施例2
叠片晶化0.6mm微晶玻璃，以二氧化硅作为脱模剂采用刮板覆盖法叠片放置，叠放20层，采用二次元测试玻璃长宽、采用千分尺测试玻璃厚度、采用塞规测试玻璃翘曲，具体过程如下：
1、将玻璃样块进行整形切片，切片厚度0.6mm；
2、将多线切割的玻璃样片进行超声波清洗，水温50℃，清洗10min。
3、采用刮板覆盖法叠片放置，脱模剂覆盖厚度1～2mm，叠放20层，单排放置共计20pcs，并用碳化硅垫板压平，进行叠片晶化加工；
4、对叠片晶化脱模后的微晶玻璃进行超声波清洗，去掉玻璃表面的脏污，水温50℃，清洗10min；
5、将超声波清洗后微晶玻璃进行CNC修边倒角；
6、将经过CNC的微晶玻璃样片进行研磨和抛光加工加工后厚度0.5mm，表面平整度符合要求，良品率达到95％；
7、将研磨和抛光加工后的微晶玻璃，采用超声波清洗仪进行超声清洗；
8、将清洗后的微晶玻璃，采用PE膜进行包装存放。
晶化加工前后测试数据统计
| 晶化加工前 | 测试参数 | 晶化加工后 | 测试参数 |
| 厚度/mm | 0.6 | 厚度/mm | 0.5 |
| 长、宽/mm | 70.7*141.4 | 长、宽/mm | 70*140 |
| 翘曲/mm | 0 | 翘曲/mm | 0.01 |
| 良品数量/pcs | 20 | 良品数量/pcs | 19 |
实施例3
叠片晶化0.6mm微晶玻璃，以二氧化硅作为脱模剂采用刮板覆盖法叠片放置，叠放15层，共15pcs采用二次元测试玻璃长宽、采用千分尺测试玻璃厚度、采用塞规测试玻璃翘曲，具体过程如下：
1、将玻璃样块进行整形切片，切片厚度0.6mm；
2、将多线切割的玻璃样片进行超声波清洗，水温60℃，清洗9min。
3、采用刮板覆盖法叠片放置，脱模剂覆盖厚度1～2mm，叠放15层，单排放置共计15pcs，并用碳化硅垫板压平，进行叠片晶化加工；
4、对叠片晶化脱模后的微晶玻璃进行超声波清洗，去掉玻璃表面的脏污，水温60℃，清洗9min；
5、将超声波清洗后微晶玻璃进行CNC修边倒角；
6、将经过CNC的微晶玻璃样片进行研磨和抛光加工加工后厚度0.5mm，表面平整度符合要求，良品率达到93.3％；
7、将研磨和抛光加工后的微晶玻璃，采用超声波清洗仪进行超声清洗；
8、将清洗后的微晶玻璃，采用PE膜进行包装存放。
晶化加工前后测试数据统计
| 晶化加工前 | 测试参数 | 晶化加工后 | 测试参数 |
| 厚度/mm | 0.6 | 厚度/mm | 0.5 |
| 长、宽/mm | 70.7*141.4 | 长、宽/mm | 70*140 |
| 翘曲/mm | 0 | 翘曲/mm | 0.01 |
| 良品数量/pcs | 15 | 良品数量/pcs | 14 |
实施例4
叠片晶化0.6mm微晶玻璃，以二氧化硅作为脱模剂采用刮板覆盖法叠片放置，叠放10层，采用二次元测试玻璃长宽、采用千分尺测试玻璃厚度、采用塞规测试玻璃翘曲，具体过程如下：
1、将玻璃样块进行整形切片，切片厚度0.6mm；
2、将多线切割的玻璃样片进行超声波清洗，水温70℃，清洗8min。
3、采用刮板覆盖法叠片放置，脱模剂覆盖厚度1～2mm，叠放10层，并排放置共计20pcs，并用碳化硅垫板压平，进行叠片晶化加工；
4、对叠片晶化脱模后的微晶玻璃进行超声波清洗，去掉玻璃表面的脏污，水温70℃，清洗8min；
5、将超声波清洗后微晶玻璃进行CNC修边倒角；
6、将经过CNC的微晶玻璃样片进行研磨和抛光加工加工后厚度0.5mm，表面平整度符合要求，良品率达到90％；
7、将研磨和抛光加工后的微晶玻璃，采用超声波清洗仪进行超声清洗；
8、将清洗后的微晶玻璃，采用PE膜进行包装存放。
晶化加工前后测试数据统计
| 晶化加工前 | 测试参数 | 晶化加工后 | 测试参数 |
| 厚度/mm | 0.6 | 厚度/mm | 0.5 |
| 长、宽/mm | 70.7*141.4 | 长、宽/mm | 70*140 |
| 翘曲/mm | 0 | 翘曲/mm | 0.01 |
| 良品数量/pcs | 20 | 良品数量/pcs | 18 |
实施例5
叠片晶化0.7mm微晶玻璃，以二氧化硅作为脱模剂采用刮板覆盖法叠片放置，叠放20层，采用二次元测试玻璃长宽、采用千分尺测试玻璃厚度、采用塞规测试玻璃翘曲，具体过程如下：
1、将玻璃样块进行整形切片，切片厚度0.7mm；
2、将多线切割的玻璃样片进行超声波清洗，水温70℃，清洗7min。
3、采用刮板覆盖法叠片放置，脱模剂覆盖厚度1～2mm，叠放20层，并排放置共计40pcs，并用碳化硅垫板压平，进行叠片晶化加工；
4、对叠片晶化脱模后的微晶玻璃进行超声波清洗，去掉玻璃表面的脏污，水温70℃，清洗7min；
5、将超声波清洗后微晶玻璃进行CNC修边倒角；
6、将经过CNC的微晶玻璃样片进行研磨和抛光加工加工后厚度0.6mm，表面平整度符合要求，良品率达到95％；
7、将研磨和抛光加工后的微晶玻璃，采用超声波清洗仪进行超声清洗；
8、将清洗后的微晶玻璃，采用PE膜进行包装存放。
晶化加工前后测试数据统计
| 晶化加工前 | 测试参数 | 晶化加工后 | 测试参数 |
| 厚度/mm | 0.7 | 厚度/mm | 0.6 |
| 长、宽/mm | 70.7*141.4 | 长、宽/mm | 70*140 |
| 翘曲/mm | 0 | 翘曲/mm | 0 |
| 良品数量/pcs | 40 | 良品数量/pcs | 38 |
实施例6
叠片晶化0.7mm微晶玻璃，以二氧化硅作为脱模剂采用刮板覆盖法叠片放置，叠放30层，采用二次元测试玻璃长宽、采用千分尺测试玻璃厚度、采用塞规测试玻璃翘曲，具体过程如下：
1、将玻璃样块进行整形切片，切片厚度0.7mm；
2、将多线切割的玻璃样片进行超声波清洗，水温80℃，清洗6min。
3、采用刮板覆盖法叠片放置，脱模剂覆盖厚度1～2mm，叠放30层，单排放置共计30pcs，并用碳化硅垫板压平，进行叠片晶化加工；
4、对叠片晶化脱模后的微晶玻璃进行超声波清洗，去掉玻璃表面的脏污，水温80℃，清洗6min；
5、将超声波清洗后微晶玻璃进行CNC修边倒角；
6、将经过CNC的微晶玻璃样片进行研磨和抛光加工加工后厚度0.6mm，表面平整度符合要求，良品率达到90％；
7、将研磨和抛光加工后的微晶玻璃，采用超声波清洗仪进行超声清洗，水温80℃，清洗6min；
8、将清洗后的微晶玻璃，采用PE膜进行包装存放。
晶化加工前后测试数据统计
| 晶化加工前 | 测试参数 | 晶化加工后 | 测试参数 |
| 厚度/mm | 0.7 | 厚度/mm | 0.6 |
| 长、宽/mm | 70.7*141.4 | 长、宽/mm | 70*140 |
| 翘曲/mm | 0 | 翘曲/mm | 0.01 |
| 良品数量/pcs | 30 | 良品数量/pcs | 27 |
实施例7
叠片晶化0.8mm微晶玻璃，以二氧化硅作为脱模剂采用刮板覆盖法叠片放置，叠放30层，采用二次元测试玻璃长宽、采用千分尺测试玻璃厚度、采用塞规测试玻璃翘曲，具体过程如下：
1、将玻璃样块进行整形切片，切片厚度0.8mm；
2、将多线切割的玻璃样片进行超声波清洗，水温80℃，清洗5min。
3、采用刮板覆盖法叠片放置，脱模剂覆盖厚度1～2mm，叠放30层，单排放置共计30pcs，并用碳化硅垫板压平，进行叠片晶化加工；
4、对叠片晶化脱模后的微晶玻璃进行超声波清洗，去掉玻璃表面的脏污，水温80℃，清洗5min；
5、将超声波清洗后微晶玻璃进行CNC修边倒角；
6、将经过CNC的微晶玻璃样片进行研磨和抛光加工加工后厚度0.7mm，表面平整度符合要求，良品率达到93.3％；
7、将研磨和抛光加工后的微晶玻璃，采用超声波清洗仪进行超声清洗，水温80℃，清洗5min；
8、将清洗后的微晶玻璃，采用PE膜进行包装存放。
晶化加工前后测试数据统计
| 晶化加工前 | 测试参数 | 晶化加工后 | 测试参数 |
| 厚度/mm | 0.8 | 厚度/mm | 0.7 |
| 长、宽/mm | 70.7*141.4 | 长、宽/mm | 70*140 |
| 翘曲/mm | 0 | 翘曲/mm | 0.01 |
| 良品数量/pcs | 30 | 良品数量/pcs | 28 |
实施例8
叠片晶化0.8mm微晶玻璃，以二氧化硅作为脱模剂采用刮板覆盖法叠片放置，叠放2层，采用二次元测试玻璃长宽、采用千分尺测试玻璃厚度、采用塞规测试玻璃翘曲，具体过程如下：
1、将玻璃样块进行整形切片，切片厚度0.8mm；
2、将多线切割的玻璃样片进行超声波清洗，水温80℃，清洗6min。
3、采用刮板覆盖法叠片放置，脱模剂覆盖厚度1～2mm，叠放2层，三排放置共计6pcs，并用碳化硅垫板压平，进行叠片晶化加工；
4、对叠片晶化脱模后的微晶玻璃进行超声波清洗，去掉玻璃表面的脏污，水温80℃，清洗6min；
5、将超声波清洗后微晶玻璃进行CNC修边倒角；
6、将经过CNC的微晶玻璃样片进行研磨和抛光加工加工后厚度0.7mm，表面平整度符合要求，良品率达到100％；
7、将研磨和抛光加工后的微晶玻璃，采用超声波清洗仪进行超声清洗，水温80℃，清洗6min；
8、将清洗后的微晶玻璃，采用PE膜进行包装存放。
晶化加工前后测试数据统计
| 晶化加工前 | 测试参数 | 晶化加工后 | 测试参数 |
| 厚度/mm | 0.8 | 厚度/mm | 0.7 |
| 长、宽/mm | 70.7*141.4 | 长、宽/mm | 70*140 |
| 翘曲/mm | 0 | 翘曲/mm | 0 |
| 良品数量/pcs | 6 | 良品数量/pcs | 6 |
实施例9
叠片晶化1.0mm微晶玻璃，以二氧化硅作为脱模剂采用刮板覆盖法叠片放置，叠放20层，采用二次元测试玻璃长宽、采用千分尺测试玻璃厚度、采用塞规测试玻璃翘曲，具体过程如下：
1、将玻璃样块进行整形切片，切片厚度1.0mm；
2、将多线切割的玻璃样片进行超声波清洗，水温80℃，清洗6min。
3、采用刮板覆盖法叠片放置，脱模剂覆盖厚度1～2mm，叠放20层，三排放置共计60pcs，并用碳化硅垫板压平，进行叠片晶化加工；
4、对叠片晶化脱模后的微晶玻璃进行超声波清洗，去掉玻璃表面的脏污，水温80℃，清洗6min；
5、将超声波清洗后微晶玻璃进行CNC修边倒角；
6、将经过CNC的微晶玻璃样片进行研磨和抛光加工加工后厚度0.9mm，表面平整度符合要求，良品率达到96.7％；
7、将研磨和抛光加工后的微晶玻璃，采用超声波清洗仪进行超声清洗，水温80℃，清洗6min；
8、将清洗后的微晶玻璃，采用PE膜进行包装存放。
晶化加工前后测试数据统计
| 晶化加工前 | 测试参数 | 晶化加工后 | 测试参数 |
| 厚度/mm | 1 | 厚度/mm | 0.9 |
| 长、宽/mm | 70.7*141.4 | 长、宽/mm | 70*140 |
| 翘曲/mm | 0 | 翘曲/mm | 0 |
| 良品数量/pcs | 60 | 良品数量/pcs | 58 |
实施例10
叠片晶化1.0mm微晶玻璃，以二氧化硅作为脱模剂采用刮板覆盖法叠片放置，叠放10层，采用二次元测试玻璃长宽、采用千分尺测试玻璃厚度、采用塞规测试玻璃翘曲，具体过程如下：
1、将玻璃样块进行整形切片，切片厚度1.0mm；
2、将多线切割的玻璃样片进行超声波清洗，水温80℃，清洗6min。
3、采用刮板覆盖法叠片放置，脱模剂覆盖厚度1～2mm，叠放10层，双排放置共计20pcs，并用碳化硅垫板压平，进行叠片晶化加工；
4、对叠片晶化脱模后的微晶玻璃进行超声波清洗，去掉玻璃表面的脏污，水温80℃，清洗6min；
5、将超声波清洗后微晶玻璃进行CNC修边倒角；
6、将经过CNC的微晶玻璃样片进行研磨和抛光加工加工后厚度0.9mm，表面平整度符合要求，良品率达到85％；
7、将研磨和抛光加工后的微晶玻璃，采用超声波清洗仪进行超声清洗，水温80℃，清洗6min；
8、将清洗后的微晶玻璃，采用PE膜进行包装存放。
晶化加工前后测试数据统计
| 晶化加工前 | 测试参数 | 晶化加工后 | 测试参数 |
| 厚度/mm | 1 | 厚度/mm | 0.9 |
| 长、宽/mm | 70.7*141.4 | 长、宽/mm | 70*140 |
| 翘曲/mm | 0 | 翘曲/mm | 0 |
| 良品数量/pcs | 20 | 良品数量/pcs | 17 |
对比例1
块状晶化30*72*145mm微晶玻璃，晶化后进行切片、研磨、抛光、清洗等加工工序，采用二次元测试玻璃长宽、采用千分尺测试玻璃厚度、采用塞规测试玻璃翘曲，具体过程如下：
1、将玻璃样块进行整形切块，切尺寸为30*72*145mm；
2、将切块厚的玻璃块进行晶化加工；
3、将晶化后的玻璃样块进行多线切片，切片厚度0.8mm，总共可加工出30pcs，实际加工20pcs良品，并进行超声波清洗，水温80℃，清洗6min。
4、将超声波清洗后微晶玻璃进行CNC修边倒角；
5、将经过CNC的微晶玻璃样片进行研磨和抛光加工加工后厚度0.7mm，共加工出15pcs表面平整度符合要求；
6、晶化加工后所有工序加工的总良品率为50％；
7、将研磨和抛光加工后的微晶玻璃，采用超声波清洗仪进行超声清洗，水温80℃，清洗6min；
8、将清洗后的微晶玻璃，采用PE膜进行包装存放。
块状晶化加工良品数据统计
| 工序 | 数量 | 良品率/％ |
| 多线切割/可加工30pcs | 20 | 66.7 |
| CNC | 20 | 100 |
| 研磨 | 17 | 85 |
| 抛光 | 15 | 88 |
| 良品数量/pcs | 15 | 50 |
对比例2
片状晶化0.8mm微晶玻璃，采用氮化硼脱为脱模剂进行叠片晶化，单排叠放20层，采用二次元测试玻璃长宽、采用千分尺测试玻璃厚度、采用塞规测试玻璃翘曲，具体过程如下：
1、将玻璃样块进行整形切片，切片厚度0.8mm；
2、将多线切割的玻璃样片进行超声波清洗，水温40℃，清洗10min。
3、采用氮化硼脱为脱模剂进行叠片晶化，单排叠放20层，共20pcs，并用碳化硅垫板压平，进行叠片晶化加工；
4、对叠片晶化脱模后的微晶玻璃进行酸洗、超声波清洗，去掉玻璃表面的脏污，水温40℃，清洗5min，表面达到要求的良品玻璃5pcs，良品率20％；
5、将超声波清洗后良品微晶玻璃进行精雕机(CNC)修边倒角；
6、将经过CNC加工的微晶玻璃样片进行研磨和抛光加工，加工后厚度0.7mm，表面平整度符合要求的数量为5，良品率达到100％，综合良品率20％；
7、将研磨和抛光加工后的微晶玻璃，采用超声波清洗仪进行超声清洗；
8、将清洗后的微晶玻璃，采用PE膜进行包装存放。
晶化加工前后测试数据统计
| 晶化加工前 | 测试参数 | 晶化加工后 | 测试参数 |
| 厚度/mm | 0.8 | 厚度/mm | 0.7 |
| 长、宽/mm | 70.7*141.4 | 长、宽/mm | 70*140 |
| 翘曲/mm | 0 | 翘曲/mm | 0.02 |
| 良品数量/pcs | 20 | 良品数量/pcs | 5 |
由实施例1～10和对比例1～2对比发现：微晶玻璃采用片状晶化加工较块状晶化简单易操作，但是采用氮化硼脱模剂进行叠片晶化，玻璃表面的脏污难以祛除，很难达到玻璃表面质量标准，且通过研磨与抛光难以修复；采用二氧化硅粉剂作为脱模剂进行叠片晶化，其晶化加工合格率不小于80％，且易于加工、加工损耗较块状晶化和氮化硼叠片晶化小并且产品加工质量稳定。
Claims (10)
1.一种微晶玻璃叠片晶化方法，其特征在于，采用二氧化硅粉剂作为脱模剂对玻璃片进行叠片晶化得到微晶玻璃。
2.根据权利要求1所述的一种微晶玻璃叠片晶化方法，其特征在于，所述二氧化硅粉剂的粒径为10μm～20μm，二氧化硅粉剂的覆盖厚度为1mm～2mm。
3.根据权利要求1或2所述的一种微晶玻璃叠片晶化方法，其特征在于，所述二氧化硅粉剂采用刮板刮平的方式铺设在进行叠片的各个玻璃片之间。
4.根据权利要求1所述的一种微晶玻璃叠片晶化方法，其特征在于，所述叠片晶化后，去除微晶玻璃之间的脱模剂，对微晶玻璃进行清洗、CNC加工、研磨、抛光、清洗得到成品微晶玻璃。
5.根据权利要求1所述的一种微晶玻璃叠片晶化方法，其特征在于，叠片晶化时采用碳化硅板作为垫板，并在叠片顶部放置碳化硅垫板用于防止玻璃翘曲。
6.根据权利要求1所述的一种微晶玻璃叠片晶化方法，其特征在于，所述叠片晶化高度设置范围为3mm～60mm，叠放层数为2层～30层。
7.根据权利要求1所述的一种微晶玻璃叠片晶化方法，其特征在于，所述玻璃片厚度为微晶玻璃最终厚度+0.1mm～0.2mm，玻璃片尺寸为微晶玻璃最终尺寸的101％～102％。
8.根据权利要求1所述的一种微晶玻璃叠片晶化方法，其特征在于，叠片晶化后采用震动的方式使得脱模剂与微晶玻璃分离，回收脱模剂。
9.根据权利要求4所述的一种微晶玻璃叠片晶化方法，其特征在于，所述清洗采用超声清洗，温度为40℃～80℃，时间为5min～10min。
10.根据权利要求4所述的一种微晶玻璃叠片晶化方法，其特征在于，所述研磨采用双盘研磨机，工艺参数为：施加50KG～160KG压力，加工120s～600s；
所述抛光采用盘式抛光机，工艺参数为：施加80KG～160KG压力，单面加工120s～600s。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202310761178.7A CN116730599A (zh) | 2023-06-26 | 2023-06-26 | 一种微晶玻璃叠片晶化方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202310761178.7A CN116730599A (zh) | 2023-06-26 | 2023-06-26 | 一种微晶玻璃叠片晶化方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN116730599A true CN116730599A (zh) | 2023-09-12 |
Family
ID=87907927
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN202310761178.7A Pending CN116730599A (zh) | 2023-06-26 | 2023-06-26 | 一种微晶玻璃叠片晶化方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN116730599A (zh) |
-
2023
- 2023-06-26 CN CN202310761178.7A patent/CN116730599A/zh active Pending
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