CN116686407A - 发光器件及其制备方法、显示装置 - Google Patents
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Abstract
本申请提供了一种发光器件及其制备方法、显示装置，涉及显示技术领域，可以解决量子点残留问题。一种发光器件，包括：阵列排布的多个发光区、以及相邻发光区之间的非发光区；发光区包括依次层叠设置的无机电子传输层、有机电子传输层和量子点层；其中，无机电子传输层的最低分子未占据轨道的能量值与有机电子传输层的最低分子未占据轨道的能量值的差值的绝对值小于或者等于预设值。
Description
本申请涉及显示技术领域，尤其涉及一种发光器件及其制备方法、显示装置。
与有机发光二极管(Organic Light-Emitting Diode，OLED)显示器相比，量子点发光二极管(Quantum Dot Light Emitting Diodes，QLED)显示器具有发光峰窄，色彩饱和度高，色域宽等优点。随着量子点技术的深入发展，QLED显示器的研究日益成熟，量子效率不断提升。但是目前量子点的图案化工艺中，极易在显影过程后形成残留，从而造成全彩量子点显示中的混色问题，降低显示品质。
发明内容
本申请的实施例采用如下技术方案：
一方面，提供了一种发光器件，包括：阵列排布的多个发光区、以及相邻所述发光区之间的非发光区；
所述发光区包括依次层叠设置的无机电子传输层、有机电子传输层和量子点层；其中，所述无机电子传输层的最低分子未占据轨道的能量值与所述有机电子传输层的最低分子未占据轨道的能量值的差值的绝对值小于或者等于预设值。
可选的，所述预设值包括0.1eV-0.4eV。
可选的，所述有机电子传输层与所述无机电子传输层的厚度不同。
可选的，所述有机电子传输层的厚度小于所述无机电子传输层的厚度。
可选的，所述有机电子传输层的界面粗糙度大于或者等于所述无机电子传输层的界面粗糙度。
可选的，所述有机电子传输层的电子传输速率小于所述无机电子传输层的电子传输速率。
可选的，所述发光区包括第一发光区、第二发光区，所述第一发光区和所述第二发光区中的所述有机电子传输层的厚度不同。
可选的，所述发光区还包括第三发光区，所述第三发光区中的所述有机电子传输层的厚度与所述第一发光区和所述第二发光区的至少一个中的所述有机电子传输层的厚度不同。
可选的，所述有机电子传输层的材料包括HATCN、BPhen或者BCP。
可选的，所述发光器件还包括衬底，所述无机电子传输层设置在所述衬底上；
所述有机电子传输层沿垂直于所述衬底方向的厚度为0.5-60nm。
可选的，所述无机电子传输层的材料包括氧化锌、氧化锆、氧化铝、氧化镁锌或者氧化镁钠中的任意一种或多种。
可选的，所述发光区还包括阴极、以及依次层叠设置在所述量子点层上的空穴传输层、空穴注入层和阳极；
其中，所述阴极设置在所述无机电子传输层远离所述有机电子传输层的一侧。
另一方面，提供了一种显示装置，包括上述的发光器件。
再一方面，提供了一种上述发光器件的制备方法，包括：
在发光区形成依次层叠设置的无机电子传输层、有机电子传输层和量子点层；其中，所述无机电子传输层的最低分子未占据轨道的能量值与所述有机电子传输层的最低分子未占据轨道的能量值的差值的绝对值小于或者等于预设值。
可选的，所述在所述发光区形成依次层叠设置的无机电子传输层、有机电子传输层和量子点层包括：
至少在所述发光区形成所述无机电子传输层；
在所述无机电子传输层上形成覆盖所述发光区和所述非发光区的有机电子传输薄膜；
形成覆盖所述有机电子传输薄膜的光刻薄膜；其中，所述光刻薄膜和所述有机电子传输薄膜形成的整体包括阵列排布的多个第一待去除区、以及位于相邻所述第一待去除区之间的第二待去除区；所述第一待去除区对应所述发光区，所述第二待去除区对应所述非发光区；
去除位于所述第一待去除区的所述光刻薄膜和部分所述有机电子传输薄膜，其中，所述第一待去除区中残留的部分所述有机电子传输薄膜形成有机电子传输层；
形成覆盖所述有机电子传输层和位于所述第二待去除区的所述光刻薄膜的量子点薄膜；
去除位于所述第二待去除区的所述光刻薄膜和所述有机电子传输薄膜、以及覆盖所述第二待去除区的所述量子点薄膜，其中，覆盖位于所述第一待 去除区的所述有机电子传输层的所述量子点薄膜形成量子点层。
可选的，所述去除位于所述第一待去除区的所述光刻薄膜和部分所述有机电子传输薄膜包括：
对所述第一待去除区依次进行曝光、显影和刻蚀，以去除位于所述第一待去除区的所述光刻薄膜和部分所述有机电子传输薄膜。
可选的，所述去除位于所述第二待去除区的所述光刻薄膜和所述有机电子传输薄膜、以及覆盖所述第二待去除区的所述量子点薄膜包括：
采用所述有机电子传输薄膜的良溶剂剥离位于所述第二待去除区的所述光刻薄膜和所述有机电子传输薄膜、以及覆盖所述第二待去除区的所述量子点薄膜。
可选的，所述形成覆盖所述有机电子传输薄膜的光刻薄膜包括：
采用旋涂工艺形成覆盖所述有机电子传输薄膜的光刻薄膜。
可选的，所述光刻薄膜的材料包括光刻胶。
可选的，所述在所述发光区形成依次层叠设置的无机电子传输层、有机电子传输层和量子点层包括：
至少在所述发光区形成所述无机电子传输层；
在所述无机电子传输层上形成覆盖所述发光区和所述非发光区的有机电子传输薄膜；
形成覆盖所述有机电子传输薄膜的量子点薄膜；其中，所述量子点薄膜包括保留区和去除区，所述保留区对应所述发光区，所述去除区对应所述非发光区；
去除位于所述去除区的所述量子点薄膜；
去除位于所述去除区的残余所述量子点薄膜、以及对应所述去除区的所述有机电子传输薄膜；其中，所述有机电子传输薄膜对应所述保留区的部分形成所述有机电子传输层，所述保留区的所述量子点薄膜形成所述量子点层。
可选的，所述去除位于所述去除区的所述量子点薄膜包括：
采用掩膜版对所述保留区进行曝光，使得所述保留区的所述量子点薄膜发生交联反应；
采用所述量子点薄膜的良溶剂冲洗掉所述去除区的所述量子点薄膜。
可选的，所述去除位于所述去除区的残余所述量子点薄膜、以及对应所述去除区的所述有机电子传输薄膜包括：
采用所述有机电子传输薄膜的良溶剂剥离位于所述去除区的残余所述 量子点薄膜、以及对应所述去除区的所述有机电子传输薄膜。
可选的，所述在所述无机电子传输层上形成覆盖所述发光区和所述非发光区的有机电子传输薄膜包括：
采用蒸镀工艺或者旋涂工艺在所述无机电子传输层上形成覆盖所述发光区和所述非发光区的有机电子传输薄膜。
可选的，所述至少在所述发光区形成所述无机电子传输层包括：
采用旋涂或者溅射工艺形成位于所述发光区和所述非发光区的无机电子传输薄膜，其中，位于所述发光区的所述无机电子传输薄膜形成所述无机电子传输层。
可选的，所述至少在所述发光区形成所述无机电子传输层包括：
采用喷墨打印工艺形成位于所述发光区的所述无机电子传输层。
可选的，所述在所述发光区形成依次层叠设置的无机电子传输层、有机电子传输层和量子点层之前，所述方法还包括：
至少在所述发光区形成阴极；
所述至少在所述发光区形成所述无机电子传输层包括：
至少在所述发光区、且在所述阴极上形成所述无机电子传输层。
上述说明仅是本申请技术方案的概述，为了能够更清楚了解本申请的技术手段，而可依照说明书的内容予以实施，并且为了让本申请的上述和其它目的、特征和优点能够更明显易懂，以下特举本申请的具体实施方式。
为了更清楚地说明本申请实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作一简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本申请的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1示意性地示出了一种发光器件的结构示意图；
图2示意性地示出了另一种发光器件的结构示意图；
图3中，a图为量子点基板a的光致发光图，b图为冲洗1遍后的基板光致发光图，c图为冲洗4遍后的基板光致发光图；
图4中，a1图为量子点基板b的光致发光图，b1图为冲洗1遍后的基板光致发光图，c1图为冲洗4遍后的基板光致发光图；
图5示意性地示出了一种发光器件的制备流程结构示意图；
图6示意性地示出了另一种发光器件的制备流程结构示意图。
为使本申请实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。
在本申请的实施例中，采用“第一”、“第二”等字样对功能和作用基本相同的相同项或相似项进行区分，仅为了清楚描述本申请实施例的技术方案，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。另外，“多个”的含义是两个或两个以上，除非另有明确具体的限定。
在附图中，为了清楚，放大了层、膜、面板、区域等的厚度。在本文中参照作为理想化实施方式的示意图的横截面图描述示例性实施方式。这样，将预计到作为例如制造技术和/或公差的结果的与图的形状的偏差。因而，本文中描述的实施方式不应解释为限于如本文中所示的区域的具体形状，而是包括由例如制造所导致的形状方面的偏差。例如，图示或描述为平坦的区域可典型地具有粗糙的和/或非线性的特征。此外，所图示的尖锐的角可为圆形的。因而，图中所示的区域在本质上是示意性的，并且它们的形状不意图图示区域的精确形状，且不意图限制本权利要求的范围。
如本文中使用的，术语“和/或”包括相关列举项目的一个或多个的任意和全部组合。将进一步理解，术语“包含”或“包括”当用在本说明书中时，表明存在所陈述的特征、区域、整体、步骤、操作、元件、和/或组分，但是不排除存在或添加一个或多个其它特征、区域、整体、步骤、操作、元件、组分和/或其集合。
相关技术中，量子点层的图案化过程中，由于量子点与基板的相互作用等，非图案化区域会有量子点的残留，并且这种残留的量子点很难除掉，导致最终形成的器件出现混色现象，从而大幅降低了器件性能。目前的解决办法包括：方法一、通过较为剧烈的手段(比如超声等)除掉残留的量子点，但是，已经图案化的区域中的量子点也可能在超声的过程中脱落或者被破坏，从而影响正常发光。方法二、通过改变量子点的配体，减少残留，但是目前配体的选取难度大。方法三、间接图案化的方法，通过引入牺牲层，但是该方法中，牺牲层在下膜层上存在极少量的残留，而该残留是由于分子间的作 用力引起的，基本上很难去除。而该残留对器件性能会产生很大影响，同时面临效率低，膜层形貌差的问题。
基于上述，本申请的实施例提供了一种发光器件，参考图1所示，包括：阵列排布的多个发光区A、以及相邻发光区A之间的非发光区B。
发光区A包括依次层叠设置的无机电子传输层11、有机电子传输层12和量子点层13；其中，无机电子传输层的最低分子未占据轨道的能量值与有机电子传输层的最低分子未占据轨道的能量值的差值的绝对值小于或者等于预设值。
上述最低分子未占据轨道(Lowest Unoccupied Molecular Orbital，LUMO)是指在电子未占有的分子轨道中，能量最低的分子轨道。最低分子未占据轨道的能量值又称LUMO值。下文中，最低分子未占据轨道(“LUMO”)能级是作为来自真空的绝对值表示的。此外，当LUMO能级被称为‘深的’、‘高的’、或‘大的’时，所述LUMO能级具有大的相对于‘0eV’即真空能级的绝对值，而当LUMO能级被称为‘浅的’、‘低的’、或‘小的’时，所述LUMO能级具有小的距离‘0eV’即真空能级的绝对值。无机电子传输层的LUMO值与有机电子传输层的LUMO值的差值的绝对值越小(小于或者等于预设值)，则电子越容易从无机电子传输层通过，从而进入量子点层，此时有机电子传输层对于发光性能的影响基本可以忽略。这里对于预设值的具体值不做限定，只要满足有机电子传输层不影响发光性能即可。示例的，该预设值可以是0.4ev，此时，无机电子传输层的LUMO值与有机电子传输层的LUMO值的差值的绝对值可以是0.1ev、0.2ev、0.3ev、或者0.4ev等，这里不再一一列举。
上述无机电子传输层和有机电子传输层的具体材料不做限定，只要满足无机电子传输层的LUMO值与有机电子传输层的LUMO值的差值的绝对值小于或者等于预设值即可。无机电子传输层的LUMO值可以大于有机电子传输层的LUMO值，或者，无机电子传输层的LUMO值可以小于有机电子传输层的LUMO值，这里不做限定。这里对于无机电子传输层和有机电子传输层的具体LUMO值也不做限定，示例的，无机电子传输层的LUMO值可以是-5～-3.5eV，例如：-5eV、-4.2eV或者-3.5eV等等；有机电子传输层的LUMO值可以是-5.4～-3.1eV，例如：-5.4eV、-4.0eV或者-3.1eV等等。
上述量子点层中，量子点的具体结构不做限定。示例的，量子点可以包括核壳结构。量子点QD的核可以选自II-VI族的化合物、III-V族的化合物、 IV-VI族的化合物、IV族中的元素、IV族的化合物及其组合。II-VI族的化合物可以选自：二元化合物，所述二元化合物选自CdSe、CdTe、ZnS、ZnSe、ZnTe、ZnO、HgS、HgSe、HgTe、MgSe、MgS及其混合物；三元化合物，所述三元化合物选自AgInS、CuInS、CdSeS、CdSeTe、CdSTe、ZnSeS、ZnSeTe、ZnSTe、HgSeS、HgSeTe、HgSTe、CdZnS、CdZnSe、CdZnTe、CdHgS、CdHgSe、CdHgTe、HgZnS、HgZnSe、HgZnTe、MgZnSe、MgZnS及其混合物；以及四元化合物，所述四元化合物选自HgZnTeS、CdZnSeS、CdZnSeTe、CdZnSTe、CdHgSeS、CdHgSeTe、CdHgSTe、HgZnSeS、HgZnSeTe、HgZnSTe及其混合物。III-V族的化合物可以选自：二元化合物，所述二元化合物选自GaN、GaP、GaAs、GaSb、AlN、AlP、AlAs、AlSb、InN、InP、InAs、InSb及其混合物；三元化合物，所述三元化合物选自GaNP、GaNAs、GaNSb、GaPAs、GaPSb、AlNP、AlNAs、AlNSb、AlPAs、AlPSb、InGaP、InNP、InNAs、InNSb、InPAs、InPSb及其混合物；以及四元化合物，所述四元化合物选自GaAlNP、GaAlNAs、GaAlNSb、GaAlPAs、GaAlPSb、GaInNP、GaInNAs、GaInNSb、GaInPAs、GaInPSb、InAlNP、InAlNAs、InAlNSb、InAlPAs、InAlPSb及其混合物。IV-VI族的化合物可以选自：二元化合物，所述二元化合物选自SnS、SnSe、SnTe、PbS、PbSe、PbTe及其混合物；三元化合物，所述三元化合物选自SnSeS、SnSeTe、SnSTe、PbSeS、PbSeTe、PbSTe、SnPbS、SnPbSe、SnPbTe及其混合物；以及四元化合物，所述四元化合物选自SnPbSSe、SnPbSeTe、SnPbSTe及其混合物。IV族中的元素可以选自Si、Ge及其混合物。IV族的化合物可以是选自SiC、SiGe及其混合物的二元化合物。在一个或多于一个的实施方案中，二元化合物、三元化合物和/或四元化合物可以以均匀的浓度存在于颗粒中，或者可以以部分不同的浓度分布状态存在于同一颗粒中。
此外，其中一个量子点包围另一个量子点的核-壳结构可以是可能的。核和壳的界面可以具有浓度梯度，其中存在于壳中的元素的浓度朝向中心减小。在一些实施方案中，量子点QD可以具有核-壳结构，所述核-壳结构包括包含纳米晶体的核和包围核的壳。具有核-壳结构的量子点QD的壳可以起到用于防止或减小核的化学变形以保持半导体性质的保护层，和/或用于赋予量子点QD电泳性质的充电层的作用。壳可以具有单层或多层。核和壳的界面可以具有浓度梯度，其中存在于壳中的元素的浓度朝向中心减小。具有核-壳结构的量子点QD的壳的实例可以包括金属、非金属氧化物、半导体化合物 及其组合。例如，金属和非金属氧化物可以各自独立地包括二元化合物(例如SiO
2、Al
2O
3、TiO
2、ZnO、MnO、Mn
2O
3、Mn
3O
4、CuO、FeO、Fe
2O
3、Fe
3O
4、CoO、Co
3O
4和/或NiO)和/或三元化合物(例如MgAl
2O
4、CoFe
2O
4、NiFe
2O
4和/或CoMn
2O
4)，但本发明构思的实施方案不限于此。在一个或多于一个的实施方案中，半导体化合物可以包括CdS、CdSe、CdTe、ZnS、ZnSe、ZnTe、ZnSeS、ZnTeS、GaAs、GaP、GaSb、HgS、HgSe、HgTe、InAs、InP、InGaP、InSb、AlAs、AlP、AlSb等，但本发明构思的实施方案不限于此。
量子点QD可以具有约45nm或小于45nm，例如约40nm或小于40nm，以及在一些实施方案中，约30nm或小于30nm的发射波长光谱的半峰全宽(FWHM)。在此范围内，可以改善颜色、纯度和/或颜色再现性。此外，经由此类量子点发射的光在所有方向上发射，并且可以改善光视角。
量子点QD的形状可以是任何合适的形状，不受特别限制。例如，量子点QD可以具有球形、锥形、多臂和/或立方形的纳米颗粒、纳米管、纳米线、纳米纤维、纳米板颗粒形状等。
量子点QD可以根据颗粒的平均直径来控制被发射的光的颜色，并且因此，量子点QD可以具有各种发射颜色，例如蓝色、红色和/或绿色。随着量子点QD的颗粒的平均直径的减小，可以发射短波长区中的光。例如，发射绿色光的量子点的平均直径可以小于发射红色光的量子点的平均直径。此外，发射蓝色光的量子点的平均直径可以小于发射绿色光的量子点的平均直径。在本公开内容中，平均直径可以是指多个量子点颗粒的直径的算术平均值。例如，量子点颗粒的直径可以是量子点颗粒在横截面中的宽度的平均值。
上述发光器件可以仅包括单一发光颜色的量子点层，例如：红色量子点层、绿色量子点层或者蓝色量子点层，此时，该发光器件可用于单一颜色的显示。或者，该发光器件还可以同时包括如图1所示的红色量子点层R、绿色量子点层G和蓝色量子点层B，此时，该发光器件可用于彩色显示。
参考图1所示，上述发光区A还可以包括阴极10、以及依次层叠设置在量子点层13上的空穴传输层14、空穴注入层15和阳极16；其中，阴极10设置在无机电子传输层11远离有机电子传输层12的一侧。该发光器件属于倒置型，其制备顺序是依次形成阴极、无机电子传输层、有机电子传输层、量子点层、空穴传输层、空穴注入层和阳极。当然，该发光区还可以包括其它膜层，以提高发光效率，具体可以参考相关技术，这里不再赘述。
参考图1所示，上述非发光区B可以包括子像素限定结构17，相邻子 像素限定结构之间设置有开口，上述无机电子传输层、有机电子传输层和量子点层可以设置在该开口内。需要说明的是，图1中，仅示意性地绘示非发光区内的子像素限定结构，该子像素限定结构的横截面可以是正梯形、倒梯形或者如图1所示的矩形等等，这里不做限定。
另外，上述发光器件还可以包括显示面板，上述量子点层还可以形成彩膜层，从而与显示面板搭配实现光致发光；或者该量子点层还可以形成背光源，用于向显示面板提供背光。
经过发明人的不懈研究得到：无机电子传输层和量子点层之间设置有机电子传输层、且无机电子传输层和有机电子传输层能量值的差值的绝对值小于或者等于预设值时，通过有机电子传输层的良溶剂很容易将有机电子传输层、以及有机电子传输层上的量子点层去除干净。
下面提供两个具体例子进行验证。
第一个、在干净的玻璃基板的区域A(图3中a图白线虚框范围内)上蒸镀一层有机电子传输薄膜，厚度范围为2-60nm；然后，旋涂量子点薄膜，该量子点薄膜覆盖玻璃基板和有机电子传输薄膜，其厚度范围为10-60nm，从而形成量子点基板a，该量子点基板a的光致发光图如图3中a图所示。接着，使用有机电子传输薄膜的良溶剂对图3中a图所示的基板进行冲洗，一次1ml，冲洗5-10遍。其中，图3中b图为冲洗1遍后的基板光致发光图，图3中c图为冲洗4遍后的基板光致发光图。通过比较区域A和其他区域的量子点层，可以发现，区域A的量子点薄膜比其他区域的量子点薄膜更容易被清洗掉；即设置在有机电子传输薄膜上的量子点薄膜比设置在玻璃基板上的量子点薄膜更容易被清洗掉。
第二个、在干净的玻璃基板上旋涂一层无机电子传输薄膜，厚度范围为2-60nm；然后，在区域A(图4中a1图白线虚框范围内)内且在无机电子传输薄膜上蒸镀一层有机电子传输薄膜，厚度范围为10-60nm；接着，旋涂量子点薄膜，该量子点薄膜覆盖无机电子传输薄膜和有机电子传输薄膜，其厚度范围为10-60nm，从而形成量子点基板b，该量子点基板b的光致发光图如图4中a1图所示。然后，使用有机电子传输薄膜的良溶剂对图4中a1图所示的基板进行冲洗，一次1ml，冲洗5-10遍。其中，图4中b1图为冲洗1遍后的基板光致发光图，图4中c1图为冲洗4遍后的基板光致发光图。通过比较区域A和其他区域的量子点薄膜，可以发现，区域A的量子点薄膜比其他区域的量子点薄膜更容易被清洗掉；即设置在无机电子传输薄膜和 有机电子传输形成的叠薄膜结构上的量子点薄膜比设置在无机电子传输薄膜上的量子点薄膜更容易被清洗掉。
基于此，可以将有机电子传输薄膜作为牺牲层，从而将非图案化区域内的量子点层去除干净，进而解决量子点残留问题。同时，由于无机电子传输层和有机电子传输层能量值的差值的绝对值小于或者等于预设值，即使有机电子传输薄膜残留在无机电子传输层和量子点层之间形成有机电子传输层，也不会对发光性能产生影响。
本申请中，无机电子传输层和量子点层之间存在有机电子传输层，则在该量子点层的图案化过程中，可以将有机电子传输薄膜作为牺牲层，从而将非图案化区域内的量子点层去除干净，进而解决量子点残留问题。同时，无机电子传输层和有机电子传输层能量值的差值的绝对值小于或者等于预设值，有机电子传输层对于发光性能的影响基本可以忽略，从而在不降低发光性能的前提下，解决量子点残留问题，效率高，膜层形貌好。
可选的，为了更好地降低有机电子传输层对于发光性能的影响，上述预设值包括0.1eV-0.4eV。示例的，该预设值可以是0.2eV、0.3eV或者0.4eV。具体的，以预设值为0.2eV为例进行说明，无机电子传输层的最低分子未占据轨道的能量值与有机电子传输层的最低分子未占据轨道的能量值的差值的绝对值小于或者等于0.2eV，此时，无机电子传输层的最低分子未占据轨道的能量值与有机电子传输层的最低分子未占据轨道的能量值的差值可以是0.2eV、0.1eV、-0.1eV或者-0.2eV等。
可选的，有机电子传输层与无机电子传输层的厚度不同。有机电子传输层的厚度与制备工艺有关，同时，有机电子传输层的厚度越小，对于发光性能的影响越小。无机电子传输层的厚度与发光器件的具体结构、能级匹配等因素有关。
可选的，为了进一步减轻对于发光性能的影响，有机电子传输层的厚度小于无机电子传输层的厚度。
上述无机电子传输层和有机电子传输层的制备方法不做限定。示例的，两者可以采用均采用旋涂工艺制备，此时，两者的界面粗糙度相差不大。或者，无机电子传输层采用溅射工艺制备，有机电子传输层采用旋涂工艺制备，此时，有机电子传输层界面粗糙度大于或者等于无机电子传输层的界面粗糙度。
可选的，有机电子传输层的界面粗糙度大于或者等于无机电子传输层的 界面粗糙度，此时可以反推出，有机电子传输层采用旋涂工艺制备，无机电子传输层采用溅射工艺制备。
需要说明的是，界面粗糙度的测定可基于如通过透射或扫描电子显微镜法(例如，Cross-TEM或Cross-SEM成像)的横截面图像测定的粗糙度轮廓(剖面)的垂向偏差(例如，振幅参数)而获得。界面粗糙度也可通过原子力显微镜法(AFM)确认。界面粗糙度可作为粗糙度轮廓的算术平均或均方根(RMS)报告。粗糙度轮廓可通过使用商业图像分析计算机程序(例如，Image J)获得，但不限于此。
电子传输速率与材料紧密相关，可选的，有机电子传输层的电子传输速率小于无机电子传输层的电子传输速率。
可选的，上述发光区包括第一发光区、第二发光区，第一发光区和第二发光区中的有机电子传输层的厚度不同。示例的，第一发光区可以是红色发光区，包括红色量子点层；第二发光区可以是绿色发光区，包括绿色量子点层，这里不做限定。在发光器件的制备工艺中，第一发光区和第二发光区的量子点层的制作顺序不同，示例的，以先制作第一发光区、后制作第二发光区为例进行说明，在第一发光区的量子点层制备完成后，囿于工艺限制，第二发光区内会残留部分有机电子传输材料，这会增厚第二发光区中的有机电子传输层，从而使得第一发光区中的有机电子传输层的厚度小于第二发光区中的有机电子传输层的厚度。
可选的，发光区还包括第三发光区，第三发光区中的有机电子传输层的厚度与第一发光区和第二发光区的至少一个中的有机电子传输层的厚度不同。第三发光区中的有机电子传输层的厚度与第一发光区和第二发光区的至少一个中的有机电子传输层的厚度不同的原因可以参考前述第一发光区和第二发光区中的有机电子传输层的厚度不同的说明，这里不再赘述。上述第三发光区可以是蓝色发光区。该发光器件中，第一发光区、第二发光区和第三发光区中的量子点层可以实现光致发光，示例的，第一发光区可用于将入射光(例如：蓝光)转换为红光，第二发光区可用于将入射光(例如：蓝光)转换为绿光，第三发光区不改变入射光的波段。或者，第一发光区、第二发光区和第三发光区中的量子点层可以形成背光源，实现电致发光；示例的，第一发光区可以发红光，第二发光区可以发绿光，第三发光区可以发蓝光。
可选的，有机电子传输层的材料包括HATCN、BPhen或者BCP。HATCN 的化学结构式为
其分子式为C
18N
12，该材料还可以作为空穴注入材料，形成空穴注入层。BPhen，又称邻二氮杂菲，分子式为C
24H
16N
2其化学结构式为
BCP，分子式为C
26H
20N
2，其化学结构式为
可选的，有机电子传输层的材料还可包括PEDOT[聚(3,4-亚乙基二氧噻吩)]衍生物、PSS[聚(磺苯乙烯)]衍生物、聚-N-乙烯基咔唑(PVK)衍生物、聚亚苯基亚乙烯基衍生物、聚对亚苯基亚乙烯基(PPV)衍生物、聚甲基丙烯酸酯衍生物、聚(9,9-二辛基芴)衍生物、聚(螺-芴)衍生物、TPD(N,N'-二苯基-N,N'-二(3-甲基苯基)-(1,1'-联苯)-4,4'-二胺)、NPB(N,N'-二(萘-1-基)-N,N'-二苯基-联苯胺)、m-MTDATA(三(N-3-甲基苯基-N-苯基氨基)-三苯基胺)、TFB(聚(9,9-二辛基芴-共-N-(4-丁基苯基)二苯基胺))、PFB(聚(9,9-二辛基芴)-共-N,N-二苯基-N,N-二-(对-丁基苯基)-1,4-二氨基苯)、聚-TPD或其组合，但是不限于此。
可选的，发光器件还包括如图1所示的衬底20，无机电子传输层11设置在衬底20上；有机电子传输层12沿垂直于衬底20方向的厚度H的厚度为0.5-60nm。
上述衬底的材料不做限定，示例的，该衬底的材料可以是刚性材料，例如：玻璃；或者可以是柔性材料，例如：PET(Polyethylene Terephthalate，聚对苯二甲酸乙二醇酯)、PI(Polyimide，聚酰亚胺)等。
上述有机电子传输层沿垂直于衬底方向的厚度可以是0.5nm、5nm、10nm、20nm、30nm、40nm、50nm或者60nm等等，这里不再一一列举。考虑到在制作工艺中，有机电子传输层沿垂直于衬底方向的厚度越大，则需要的溶剂越多，而溶剂会对发光器件的其他膜层产生一定影响，为了降低溶剂效应的影响，可以选择较小厚度(例如：0.5-30nm)的有机电子传输层。
上述有机电子传输层的制作工艺不同，其形成的膜层厚度范围也不同。 若采用蒸镀法形成有机电子传输层，可以精确调控有机电子传输层的厚度，且成膜的均匀性一致、连续性好，最小厚度可以做到0.5nm。若采用旋涂法形成有机电子传输层，最小厚度可以做到10nm。采用旋涂法成膜时，需要旋涂较厚的膜材才能形成连续均匀的膜层。因此，可以通过有机电子传输层沿垂直于衬底方向的厚度、以及成膜的尺寸来反推出制作工艺。
可选的，为了降低实现难度，节约成本，无机电子传输层的材料包括氧化锌、氧化锆、氧化铝、氧化镁锌或者氧化镁钠中的任意一种或多种。下文以采用氧化锌制作的无机电子传输层为例进行说明。
在一个或者多个实施例中，参考图1所示，发光区还包括阴极10、以及依次层叠设置在量子点层13上的空穴传输层14、空穴注入层15和阳极16；其中，阴极10设置在无机电子传输层11远离有机电子传输层12的一侧。以倒置型发光型器件为例，其制备顺序是依次形成阴极、无机电子传输层、有机电子传输层、量子点层、空穴传输层、空穴注入层和阳极。当然，该发光区还可以包括其它膜层，以提高发光效率，具体可以参考相关技术，这里不再赘述。
本申请的实施例另提供了一种显示装置，包括上述的发光器件。
该显示装置可以是QLED显示装置，还可以是包括该QLED显示装置的电视、数码相机、手机、平板电脑等任何具有显示功能的产品或者部件；该显示装置具有分辨率高、显示性能好的优点。
本申请的实施例还提供了一种如图1所示的发光器件的制备方法，包括：
S01、在发光区A形成依次层叠设置的无机电子传输层11、有机电子传输层12和量子点层13；其中，无机电子传输层的最低分子未占据轨道的能量值与有机电子传输层的最低分子未占据轨道的能量值的差值的绝对值小于或者等于预设值。
这里对于无机电子传输层、有机电子传输层和量子点层的具体形成方法不做限定，示例的，可以采用旋涂法、蒸镀法、或者溅射法等工艺制作。
需要说明的是，上述发光器件中各膜层的相关说明，可以参考前述实施例，这里不再赘述。
通过执行步骤S01得到的发光器件中，无机电子传输层和量子点层之间存在有机电子传输层，则在该量子点层的图案化过程中，可以将有机电子传输薄膜作为牺牲层，从而将非图案化区域内的量子点层去除干净，进而解决 量子点残留问题。同时，无机电子传输层和有机电子传输层能量值的差值的绝对值小于或者等于预设值，有机电子传输层对于发光性能的影响基本可以忽略，从而在不降低发光性能的前提下，解决量子点残留问题，效率高，膜层形貌好。
下面提供一种步骤S01的具体实施方式。
S01、在发光区形成依次层叠设置的无机电子传输层、有机电子传输层和量子点层包括：
S11、参考图5中b图所示，至少在发光区形成无机电子传输层11。
需要说明的是，步骤S11中，无机电子传输层可以仅在发光区设置；或者，还可以在发光区和非发光区均设置，这里不做限定，具体可以根据实际结构确定。这里对于形成无机电子传输层的具体方法不做限定，示例的，可以采用旋涂法或者溅射法形成。无机电子传输层的厚度范围为5-60nm，其材料可以包括氧化锌。
另外，在执行S11之前，还可以参考图5中a图所示，先形成阴极10，无机电子传输层11可以形成在阴极10上。
S12、参考图5中c图所示，在无机电子传输层11上形成覆盖发光区和非发光区的有机电子传输薄膜120。
这里对于形成有机电子传输层的具体方法不做限定，示例的，可以采用旋涂法或者蒸镀法形成。为了得到厚度较小的有机电子传输薄膜，可以选择蒸镀法。
S13、参考图5中d图所示，形成覆盖有机电子传输薄膜120的光刻薄膜21；其中，光刻薄膜和有机电子传输薄膜形成的整体包括阵列排布的多个第一待去除区C1、以及位于相邻第一待去除区C1之间的第二待去除区C2；第一待去除区对应发光区，第二待去除区对应非发光区。
这里对于形成光刻薄膜的具体方法不做限定，示例的，可以采用旋涂法形成。这里对于光刻薄膜的材料不做限定，示例的，该光刻薄膜的材料包括光刻胶。
S14、参考图5中e图所示，去除位于第一待去除区的光刻薄膜21和部分有机电子传输薄膜120，其中，第一待去除区中残留的部分有机电子传输薄膜形成有机电子传输层12。
这里对于位于第一待去除区的光刻薄膜和部分有机电子传输薄膜的具体去除方法不做限定，示例的，可以依次采用曝光、显影、刻蚀的方法去除。
需要说明的是，由于目前工艺的限制，在完成步骤S14后，位于第一待去除区的有机电子传输薄膜不能完全被去除，实际中会有部分残留。若选取合适的有机电子传输薄膜的材料和去除工艺，则S14可以将位于第一待去除区的有机电子传输薄膜完全去除干净；那么，在该情况下，最终形成的发光器件中，发光区内的无机电子传输层和量子点层之间将不存在有机电子传输层。
S15、参考图5中f图所示，形成覆盖有机电子传输层和位于第二待去除区的光刻薄膜的量子点薄膜130。
这里对于形成量子点薄膜的具体方法不做限定，示例的，可以采用旋涂法形成。
S16、去除位于第二待去除区的光刻薄膜和有机电子传输薄膜、以及覆盖第二待去除区的量子点薄膜，得到如图5中g图所示的结构，其中，覆盖位于第一待去除区的有机电子传输层12的量子点薄膜形成量子点层13。
这里对于位于第二待去除区的光刻薄膜和部分有机电子传输薄膜的具体去除方法不做限定，示例的，可以采用有机电子传输薄膜的良溶剂进行清洗，从而去除干净。
上述步骤S11-S16采用的方法属于间接光刻法，将有机电子传输薄膜作为牺牲层，从而将非图案化区域内的量子点层去除干净，进而解决量子点残留问题。同时，无机电子传输层和有机电子传输层能量值的差值的绝对值小于或者等于预设值，残留在无机电子传输层和量子点层之间的有机电子传输层对于发光性能的影响基本可以忽略，从而在不降低发光性能的前提下，解决量子点残留问题，效率高，膜层形貌好。
另外，通过步骤S11-S16形成的发光器件中，发光区的无机电子传输层和量子点层之间可以存在少量有机电子传输层，或者，发光区的无机电子传输层和量子点层之间不存在有机电子传输层，这两种发光器件结构都在本申请的保护范围内。
图5是以发光器件包括红色量子点层、绿色量子点层或者蓝色量子点层为例进行绘示，a图-g图为形成红色量子点层的流程结构示意图，h图-l图为形成绿色量子点层的流程结构示意图，k图-p图为形成蓝色量子点层的流程结构示意图。步骤S11-S16以红色量子点层的流程结构示意图为例进行说明，绿色量子点层和蓝色量子点层的制备方法与红色量子点层类似，这里不再具体说明。另外，图5中并未体现非发光区的具体结构，具体可以结合上 述制备过程和相关技术获得。
在一个或者多个实施例中，为了便于实现，降低制作成本，S14、去除位于第一待去除区的光刻薄膜和部分有机电子传输薄膜包括：
S141、对第一待去除区依次进行曝光、显影和刻蚀，以去除位于第一待去除区的光刻薄膜和部分有机电子传输薄膜。
在一个或者多个实施例中，为了便于实现，降低制作成本，S16、去除位于第二待去除区的光刻薄膜和有机电子传输薄膜、以及覆盖第二待去除区的量子点薄膜包括：
S161、采用有机电子传输薄膜的良溶剂剥离位于第二待去除区的光刻薄膜和有机电子传输薄膜、以及覆盖第二待去除区的量子点薄膜。
上述有机电子传输薄膜的良溶剂是指：有机电子传输薄膜在该溶剂中溶解性很好，采用该溶剂能够清洗掉位于第二待去除区的光刻薄膜和有机电子传输薄膜、以及覆盖第二待去除区的量子点薄膜。
在一个或者多个实施例中，为了较大程度的利用现有制作工艺设备，降低制作成本，S13、形成覆盖有机电子传输薄膜的光刻薄膜包括：
S131、采用旋涂工艺形成覆盖有机电子传输薄膜的光刻薄膜。
可选的，步骤S13中，光刻薄膜的材料包括光刻胶。该光刻胶可以是正性光刻胶，或者负性光刻胶，这里不做限定。
下面提供另一种步骤S01的具体实施方式。
S01、在发光区形成依次层叠设置的无机电子传输层、有机电子传输层和量子点层包括：
S21、参考图6中b图所示，至少在发光区形成无机电子传输层11。
需要说明的是，步骤S21中，无机电子传输层可以仅在发光区设置；或者，还可以在非发光区设置，这里不做限定，具体可以根据实际结构确定。这里对于形成无机电子传输层的具体方法不做限定，示例的，可以采用旋涂法或者溅射法形成。无机电子传输层的厚度范围为5-60nm，其材料可以包括氧化锌。
另外，在执行S21之前，还可以参考图6中a图所示，先形成阴极10，无机电子传输层11可以形成在阴极10上。
S22、参考图6中c图所示，在无机电子传输层11上形成覆盖发光区和非发光区的有机电子传输薄膜120。
这里对于形成有机电子传输层的具体方法不做限定，示例的，可以采用 旋涂法或者蒸镀法形成。为了得到厚度较小的有机电子传输层，可以选择蒸镀法。
S23、参考图6中d图所示，形成覆盖有机电子传输薄膜120的量子点薄膜130；其中，量子点薄膜包括保留区D1和去除区D2，保留区对应发光区，去除区对应非发光区。
这里对于形成量子点薄膜的具体方法不做限定，示例的，可以采用旋涂法形成。
S24、去除位于去除区的量子点薄膜，得到如图6中e图所示的结构。
这里对于量子点薄膜的具体去除方法不做限定，示例的，可以先对位于保留区的量子点薄膜进行紫外光(UV)照射，然后，采用量子点薄膜的良溶剂进行冲洗，即可将未被紫外光照射的量子点薄膜(即位于去除区的量子点薄膜)去除。采用该方法，位于保留区的量子点薄膜不被良溶剂洗掉的原因在于：一方面，位于保留区的量子点薄膜在经过紫外照射后，自身会发生交联反应，形成网状的交联结构，量子点薄膜的良溶剂很难进入，因此不会被洗掉；另一方面，位于保留区的量子点薄膜在经过紫外照射后，在量子点薄膜和有机电子传输薄膜的界面上，量子点的配体会与有机电子传输薄膜的表面基团交联，从而使得位于保留区的量子点薄膜与下方的有机电子传输薄膜的紧密结合，也不容易被洗掉。
S25、去除位于去除区的残余量子点薄膜、以及对应去除区的有机电子传输薄膜，得到如图6中f图所示的结构；其中，有机电子传输薄膜对应保留区的部分形成有机电子传输层12，保留区的量子点薄膜形成量子点层13。
需要说明的是，在实际工艺中，在完成步骤S24后，不能完全去除位于去除区的量子点薄膜，因此，在步骤S25中，需要进一步对去除区的残余量子点薄膜进行去除，从而避免量子点残留问题。
这里对于去除位于去除区的残余量子点薄膜、以及对应去除区的有机电子传输薄膜的具体方法不做限定。示例的，可以采用有机电子传输薄膜的良溶剂进行清洗。
步骤S21-S25采用的方法属于直接光刻法，该方法的工艺步骤少，需要说明的是，通过步骤S21-S25形成的发光器件中，发光区的无机电子传输层和量子点层之间必然存在有机电子传输层。
图6是以形成红色量子点层为例进行绘示，绿色量子点层和蓝色量子点层的制备方法与红色量子点层类似，这里不再具体说明。
在一个或者多个实施例中，为了便于实现，S24、去除位于去除区的量子点薄膜包括：
S241、采用掩膜版对保留区进行曝光，使得保留区的量子点薄膜发生交联反应。
这里曝光的光线可以采用紫外线；保留区的量子点薄膜在经过紫外照射后，自身会发生交联反应，形成网状的交联结构；同时，在量子点薄膜和有机电子传输薄膜的界面上，量子点的配体会与有机电子传输薄膜的表面基团交联，从而使得位于保留区的量子点薄膜与下方的有机电子传输薄膜的紧密结合。
S242、采用量子点薄膜的良溶剂冲洗掉去除区的量子点薄膜。
位于保留区的量子点薄膜不会被冲洗掉，未被紫外照射的位于去除区的量子点薄膜被冲洗掉；但是由于目前工艺，位于去除区的量子点薄膜还不能完全被冲洗干净，需要进一步对去除区的残余量子点薄膜进行去除，从而避免量子点残留问题。
在一个或者多个实施例中，为了有效去除残余的量子点薄膜，同时降低实现难度，S25、去除位于去除区的残余量子点薄膜、以及对应去除区的有机电子传输薄膜包括：
采用有机电子传输薄膜的良溶剂剥离位于去除区的残余量子点薄膜、以及对应去除区的有机电子传输薄膜。
在前述实施例中，详细说明了设置在有机电子传输薄膜上的量子点薄膜容易被去除干净，这里不再赘述。
在一些实施方式中，为了便于实现，降低制作难度，上述步骤S12和步骤S22即在无机电子传输层上形成覆盖发光区和非发光区的有机电子传输薄膜包括：
采用蒸镀工艺或者旋涂工艺在无机电子传输层上形成覆盖发光区和非发光区的有机电子传输薄膜。
为了得到厚度较小的有机电子传输薄膜，可以选择蒸镀法。
在一些实施方式中，为了便于实现，降低制作难度，上述步骤S11和步骤S21即至少在发光区形成无机电子传输层包括：
采用旋涂或者溅射工艺形成位于发光区和非发光区的无机电子传输薄膜，其中，位于发光区的无机电子传输薄膜形成无机电子传输层。
在一些实施方式中，为了形成图案化的无机电子传输层，上述步骤S11 和步骤S21即至少在发光区形成无机电子传输层包括：
采用喷墨打印工艺形成位于发光区的无机电子传输层。
在一些实施方式中，在步骤S01、在发光区形成依次层叠设置的无机电子传输层、有机电子传输层和量子点层之前，该发光器件的制备方法还包括：
S02、至少在发光区形成阴极。
此时，上述步骤S11和步骤S21即至少在发光区形成无机电子传输层包括：
至少在发光区、且在阴极上形成无机电子传输层。
当然，该发光器件的制备方法还包括在量子点层上形成其他膜层(例如：空穴传输层、空穴注入层、阳极等)，可以参考相关技术获得，这里不再详细说明。
本申请的实施例还提供了一种如图2所示的发光器件，该发光器件可以通过如下步骤制备得到：
S31、至少在发光区形成无机电子传输层。
需要说明的是，步骤S31中，无机电子传输层可以仅在发光区设置；或者，还可以在发光区和非发光区均设置，这里不做限定，具体可以根据实际结构确定。这里对于形成无机电子传输层的具体方法不做限定，示例的，可以采用旋涂法或者溅射法形成。无机电子传输层的厚度范围为5-60nm，其材料可以包括氧化锌。
另外，在执行S31之前，还可以先形成阴极，无机电子传输层可以形成在阴极上。
S32、在无机电子传输层上形成覆盖发光区和非发光区的有机电子传输薄膜。
这里对于形成有机电子传输层的具体方法不做限定，示例的，可以采用旋涂法或者蒸镀法形成。为了得到厚度较小的有机电子传输薄膜，可以选择蒸镀法。
无机电子传输层的最低分子未占据轨道的能量值与有机电子传输层的最低分子未占据轨道的能量值的差值的绝对值小于或者等于预设值。
S33、形成覆盖有机电子传输薄膜的光刻薄膜；其中，光刻薄膜和有机电子传输薄膜形成的整体包括阵列排布的多个第一待去除区、以及位于相邻第一待去除区之间的第二待去除区；第一待去除区对应发光区，第二待去除区对应非发光区。
这里对于形成光刻薄膜的具体方法不做限定，示例的，可以采用旋涂法形成。这里对于光刻薄膜的材料不做限定，示例的，该光刻薄膜的材料包括光刻胶。
S34、去除位于第一待去除区的光刻薄膜和全部有机电子传输薄膜。
这里对于位于第一待去除区的光刻薄膜和部分有机电子传输薄膜的具体去除方法不做限定，示例的，可以依次采用曝光、显影、刻蚀的方法去除。
需要说明的是，可以选取合适的有机电子传输薄膜的材料和去除工艺，将位于第一待去除区的有机电子传输薄膜完全去除干净；那么，在该情况下，最终形成的发光器件中，发光区内的无机电子传输层和量子点层之间将不存在有机电子传输层。
S35、形成覆盖有机电子传输层和位于第二待去除区的光刻薄膜的量子点薄膜。
这里对于形成量子点薄膜的具体方法不做限定，示例的，可以采用旋涂法形成。
S36、去除位于第二待去除区的光刻薄膜和有机电子传输薄膜、以及覆盖第二待去除区的量子点薄膜，其中，覆盖位于第一待去除区的有机电子传输层的量子点薄膜形成量子点层。
这里对于位于第二待去除区的光刻薄膜和部分有机电子传输薄膜的具体去除方法不做限定，示例的，可以采用有机电子传输薄膜的良溶剂进行清洗，从而去除干净。
通过执行S31-S36，可以得到如图2所示的发光器件，该发光器件包括：阵列排布的多个发光区、以及相邻发光区之间的非发光区；发光区包括依次层叠设置的无机电子传输层和量子点层。该发光器件中相关膜层的结构说明可以参考前述实施例，这里不再赘述。
本文中所称的“一个实施例”、“实施例”或者“一个或者多个实施例”意味着，结合实施例描述的特定特征、结构或者特性包括在本申请的至少一个实施例中。此外，请注意，这里“在一个实施例中”的词语例子不一定全指同一个实施例。
在此处所提供的说明书中，说明了大量具体细节。然而，能够理解，本申请的实施例可以在没有这些具体细节的情况下被实践。在一些实例中，并未详细示出公知的方法、结构和技术，以便不模糊对本说明书的理解。
最后应说明的是：以上实施例仅用以说明本申请的技术方案，而非对其 限制；尽管参照前述实施例对本申请进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本申请各实施例技术方案的精神和范围。
Claims (26)
- 一种发光器件，其中，包括：阵列排布的多个发光区、以及相邻所述发光区之间的非发光区；所述发光区包括依次层叠设置的无机电子传输层、有机电子传输层和量子点层；其中，所述无机电子传输层的最低分子未占据轨道的能量值与所述有机电子传输层的最低分子未占据轨道的能量值的差值的绝对值小于或者等于预设值。
- 根据权利要求1所述的发光器件，其中，所述预设值包括0.1eV-0.4eV。
- 根据权利要求2所述的发光器件，其中，所述有机电子传输层与所述无机电子传输层的厚度不同。
- 根据权利要求3所述的发光器件，其中，所述有机电子传输层的厚度小于所述无机电子传输层的厚度。
- 根据权利要求3所述的发光器件，其中，所述有机电子传输层的界面粗糙度大于或者等于所述无机电子传输层的界面粗糙度。
- 根据权利要求3所述的发光器件，其中，所述有机电子传输层的电子传输速率小于所述无机电子传输层的电子传输速率。
- 根据权利要求1所述的发光器件，其中，所述发光区包括第一发光区、第二发光区，所述第一发光区和所述第二发光区中的所述有机电子传输层的厚度不同。
- 根据权利要求7所述的发光器件，其中，所述发光区还包括第三发光区，所述第三发光区中的所述有机电子传输层的厚度与所述第一发光区和所述第二发光区的至少一个中的所述有机电子传输层的厚度不同。
- 根据权利要求1所述的发光器件，其中，所述有机电子传输层的材料包括HATCN、BPhen或者BCP。
- 根据权利要求1所述的发光器件，其中，所述发光器件还包括衬底，所述无机电子传输层设置在所述衬底上；所述有机电子传输层沿垂直于所述衬底方向的厚度为0.5-60nm。
- 根据权利要求1所述的发光器件，其中，所述无机电子传输层的材料包括氧化锌、氧化锆、氧化铝、氧化镁锌或者氧化镁钠中的任意一种或多种。
- 根据权利要求1所述的发光器件，其中，所述发光区还包括阴极、 以及依次层叠设置在所述量子点层上的空穴传输层、空穴注入层和阳极；其中，所述阴极设置在所述无机电子传输层远离所述有机电子传输层的一侧。
- 一种显示装置，其中，包括权利要求1-12任一项所述的发光器件。
- 一种如权利要求1-12任一项所述的发光器件的制备方法，其中，包括：在发光区形成依次层叠设置的无机电子传输层、有机电子传输层和量子点层；其中，所述无机电子传输层的最低分子未占据轨道的能量值与所述有机电子传输层的最低分子未占据轨道的能量值的差值的绝对值小于或者等于预设值。
- 根据权利要求14所述的制备方法，其中，所述在所述发光区形成依次层叠设置的无机电子传输层、有机电子传输层和量子点层包括：至少在所述发光区形成所述无机电子传输层；在所述无机电子传输层上形成覆盖所述发光区和所述非发光区的有机电子传输薄膜；形成覆盖所述有机电子传输薄膜的光刻薄膜；其中，所述光刻薄膜和所述有机电子传输薄膜形成的整体包括阵列排布的多个第一待去除区、以及位于相邻所述第一待去除区之间的第二待去除区；所述第一待去除区对应所述发光区，所述第二待去除区对应所述非发光区；去除位于所述第一待去除区的所述光刻薄膜和部分所述有机电子传输薄膜，其中，所述第一待去除区中残留的部分所述有机电子传输薄膜形成有机电子传输层；形成覆盖所述有机电子传输层和位于所述第二待去除区的所述光刻薄膜的量子点薄膜；去除位于所述第二待去除区的所述光刻薄膜和所述有机电子传输薄膜、以及覆盖所述第二待去除区的所述量子点薄膜，其中，覆盖位于所述第一待去除区的所述有机电子传输层的所述量子点薄膜形成量子点层。
- 根据权利要求15所述的制备方法，其中，所述去除位于所述第一待去除区的所述光刻薄膜和部分所述有机电子传输薄膜包括：对所述第一待去除区依次进行曝光、显影和刻蚀，以去除位于所述第一待去除区的所述光刻薄膜和部分所述有机电子传输薄膜。
- 根据权利要求15所述的制备方法，其中，所述去除位于所述第二 待去除区的所述光刻薄膜和所述有机电子传输薄膜、以及覆盖所述第二待去除区的所述量子点薄膜包括：采用所述有机电子传输薄膜的良溶剂剥离位于所述第二待去除区的所述光刻薄膜和所述有机电子传输薄膜、以及覆盖所述第二待去除区的所述量子点薄膜。
- 根据权利要求15所述的制备方法，其中，所述形成覆盖所述有机电子传输薄膜的光刻薄膜包括：采用旋涂工艺形成覆盖所述有机电子传输薄膜的光刻薄膜。
- 根据权利要求18所述的制备方法，其中，所述光刻薄膜的材料包括光刻胶。
- 根据权利要求14所述的制备方法，其中，所述在所述发光区形成依次层叠设置的无机电子传输层、有机电子传输层和量子点层包括：至少在所述发光区形成所述无机电子传输层；在所述无机电子传输层上形成覆盖所述发光区和所述非发光区的有机电子传输薄膜；形成覆盖所述有机电子传输薄膜的量子点薄膜；其中，所述量子点薄膜包括保留区和去除区，所述保留区对应所述发光区，所述去除区对应所述非发光区；去除位于所述去除区的所述量子点薄膜；去除位于所述去除区的残余所述量子点薄膜、以及对应所述去除区的所述有机电子传输薄膜；其中，所述有机电子传输薄膜对应所述保留区的部分形成所述有机电子传输层，所述保留区的所述量子点薄膜形成所述量子点层。
- 根据权利要求20所述的制备方法，其中，所述去除位于所述去除区的所述量子点薄膜包括：采用掩膜版对所述保留区进行曝光，使得所述保留区的所述量子点薄膜发生交联反应；采用所述量子点薄膜的良溶剂冲洗掉所述去除区的所述量子点薄膜。
- 根据权利要求20所述的制备方法，其中，所述去除位于所述去除区的残余所述量子点薄膜、以及对应所述去除区的所述有机电子传输薄膜包括：采用所述有机电子传输薄膜的良溶剂剥离位于所述去除区的残余所 述量子点薄膜、以及对应所述去除区的所述有机电子传输薄膜。
- 根据权利要求15或者20所述的制备方法，其中，所述在所述无机电子传输层上形成覆盖所述发光区和所述非发光区的有机电子传输薄膜包括：采用蒸镀工艺或者旋涂工艺在所述无机电子传输层上形成覆盖所述发光区和所述非发光区的有机电子传输薄膜。
- 根据权利要求15或者20所述的制备方法，其中，所述至少在所述发光区形成所述无机电子传输层包括：采用旋涂或者溅射工艺形成位于所述发光区和所述非发光区的无机电子传输薄膜，其中，位于所述发光区的所述无机电子传输薄膜形成所述无机电子传输层。
- 根据权利要求15或者20所述的制备方法，其中，所述至少在所述发光区形成所述无机电子传输层包括：采用喷墨打印工艺形成位于所述发光区的所述无机电子传输层。
- 根据权利要求15或者20所述的制备方法，其中，所述在所述发光区形成依次层叠设置的无机电子传输层、有机电子传输层和量子点层之前，所述方法还包括：至少在所述发光区形成阴极；所述至少在所述发光区形成所述无机电子传输层包括：至少在所述发光区、且在所述阴极上形成所述无机电子传输层。
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