偏转线圈
本发明涉及到用于排成一排的三电子枪的彩色画面电子管的偏转线圈，特别是涉及到用于减少彩色画面电子管不会聚的偏转线圈。
参考图1到7，描述了由排成一排的三电子枪在彩色画面管屏幕上分别产生3束的每个电子束的先有技术的自会聚型的偏转线圈。
图1表示用于成一排3电子枪彩色画面电子管的偏转线圈1的结构。偏转线圈1具有漏斗形，并由一对形成大环形边缘1a和小环形边缘1b的分离器2，2组成。在分离器2，2的内部有一对以鞍形式的水平偏转线圈3，3(在图1中未示出)。分离器2，2的外部有一对以鞍形成的垂直偏转线圈4，4。分离器2由树脂制成，并把一对水平偏转线圈3，3与一对垂直偏转线圈4，4隔离。一对水平偏转线圈3，3被安置在彩色画面电子管的成一排3电子枪的上部和下部。一对垂直偏转线圈4，4被安置在左和右部。磁心5，5配置在垂直偏转线圈4，4的外部。在小环形边缘1b附近有第一和第二突缘6a和6b。许多部件装配到第一和第二突缘6a和6b。电路板7被箝紧在第一突缘6a上，从小环形边缘1b挂吊到大环形边缘1a。
如上述的偏转线圈被称为鞍-鞍型。
如图2(A)中所示，一对水平偏转线圈3，3具有鞍形并沿分离器2的内表面安置。水平偏转线圈3具有小边缘3b、大边缘3a和窗口3d。水平偏转线圈3的中间部分3c的底端在其生产过程中用压制形成，以形成叫做压平面3c1的扁平表面，并与另一个压平面3c1对着。如图2(B)中所示，一对垂直偏转线圈4，4在形状上与一对水平偏转3，3相似，并沿着分离器的外表面安置。垂直偏转线圈4具有与水平偏转线圈3相同的部分，比如具有小边缘4a、大边缘4a、窗口4d和中间部分4c。
参考图3(A)和3(B)说明，水平偏转线圈3和垂直线圈4的功能。图3(A)和3(B)表示偏转线圈1和彩色画面电子管8管颈部沿X-Y平面切开的截面图。图3(A)表示由一对水平偏转线圈3，3产生的磁场。图3(B)表示由一对垂直偏转线圈4，4产生的磁场。
在图3(A)中，在X轴以上表示的两个中间部分3c、3c是水平偏转线圈3中的一个，在X轴以下表示的两个中间部分3c、3c是另一个水平偏转线圈3。如图3(A)中表示的由一对水平偏转线圈3，3产生的磁场具有枕形失真。
另一方面，在Y轴右和左侧的每个中间部分4c，4c分别是垂直偏转线圈4，4。如图3(B)中所示，由一对垂直偏转线圈4，4产生的磁场具有桶形失真。
具有如上述的水平偏转线圈3和垂直偏转线圈4的偏转线圈1，通过用于调节水平偏转电路和/或垂直偏转电路的附加电路和把磁性材料附着到彩色画面电子管8用改变水平偏转线圈3和/或垂直偏转线圈4的磁场来调节彩色画面电子管8的会聚。
由于上述的这些功能，从三个电子枪分别发射的R，G，B的三束电子射击在彩色画面电子管8的屏幕上。
图4表示从大环边缘1a一侧看的偏转线圈1的前视图。为简化起见，在此仅示出分离器2和一对水平偏转线圈。在X轴上，在分离器2的内部提供有肋2a，2a，用于安置一对水平偏转线圈3，3，并在大于1mm的距离上把压平面3c1，3c1互相隔开。肋2a从大环边缘1a延伸到小环边缘1b，与分离器2一个模子。
图5表示装在彩色画面电子管8上的偏转线圈1的截面图。在此，为简化起见，仅示出水平偏转线圈3、垂直偏转线圈4和磁心5，而其它部分省略。
图6表示沿图5的线A-A’的先有技术的一对水平偏转线圈3，3和彩色画面电子管8的截面图。一对水平偏转线圈3，3是以肋2a，2a的预定距离互相隔开。
图6中表示由一对水平偏转线圈3，3产生的实际磁场。如图6中所示，一对水平偏转线圈3，3，由大于1mm的距离“L”互相隔开。在这种情况下以及当水平R/B行、R和B/G行的会聚可能达到最佳时，相应于图5的区域“a”的区域“a”中的磁场的枕形失真变得很小。另一方面，相应于图5区域“b”的区域“b”的磁场枕形失真就变得很强(大)。
由于上述的磁场的失真，在屏幕右和左端区域，红和兰电子束的射击位置在同步方向相互不一致，如图7中所示，这就叫做“B”型不会聚。
这种“B”型不会聚对高清晰度显示管的偏转线圈是严重的问题。
本发明的目的是提供能够降低“B”型不会聚的偏转线圈。
本发明的另一个目的是提供设计成水平偏转绕组的挠性线圈的偏转线圈。
本发明的其它的和另外的目的是提供能够降低“B”型不会聚的偏转线圈的分离器。
本发明的一个特定目的是通过提供具有沿分离器一个侧面提供的一对鞍形的水平偏转线圈和沿分离器另一个侧面提供的一对垂直偏转线圈，其中一对水平偏转线圈的后平面互相紧密地相对着的偏转线圈，以降低上述问题。
本发明的另一个特定目的是通过提供具有沿分离器一个侧面提供的一对鞍形的水平偏转线圈和沿分离器另一个侧面提供的一对垂直偏转线圈，其中分离器具有肋以保持一对水平偏转线圈各自的后平面之间的限定距离的偏转线圈，以降低上述问题。
本发明其它的和另外的特定目的是通过提供具有沿分离器一个侧面提供的一对鞍形的水平偏转线包和沿分离器另一个侧面提供的一对垂直偏转线包，其中分离器具有肋以保持横过一对水平偏转线圈各自的压平面之间的限定距离的偏转线圈，以降低上述问题。
图1表示先有技术的偏转线圈的透视图；
图2(A)表示先有技术的一对水平偏转线包；
图2(B)表示先有技术的一对垂直偏转线包；
图3(A)表示先有技术的一对水平偏转线包产生的磁场；
图3(B)表示先有技术的一对垂直偏转线包产生的磁场；
图4表示从大边缘的一侧来看的先有技术的偏转线圈的前视图；
图5表示先有技术的偏转线圈和彩色画面电子管的截面图；
图6表示沿图5线A-A’的先有技术的一对水平偏转线包和彩色画面电子管的截面图；
图7表示说明先有技术不会聚的彩色画面电子管的屏幕；
图8表示从大边缘的一侧来看的本发明第一实施例的偏转线圈的前视图；
图9(A)和9(B)表示本发明第二实施例的偏转线圈的前视和截面图；
图10表示本发明第二实施例的水平偏转线包的透视图；
图11表示沿图5A-A线的本发明的一对水平偏转线包和彩色画面电子管的截面图；
图12(A)和12(B)表示本发明第三实施例的偏转线圈的前视和截面图；
图13(A)和13(B)表示本发明第四实施例的偏转线圈的前视和截面图；
图14(A)和14(B)表示本发明第五实施例的偏转线圈的前视和截面图。
图15(A)表示用于说明一对水平偏转线包缠绕方式的透视图。
图15(B)表示用于说明一对水平偏转线包另一个缠绕方式的透视图。
参考附图将详细描述根据本发明的偏转线圈，其中用上述先有技术中的相同的参数和符号用相同或相等的元件表示，为简化起见，这些元件的详细说明将省略。
图8表示从大边缘一侧来看的本发明第一实施例的偏转线圈。
图9(A)和9(B)表示本发明第二实施例的偏转线圈的前视和截面图。
图10表示本发明第二实施例的水平偏转线包的透视图。
图11表示沿图5线A-A’的本发明一对水平偏转线包和彩色画面电子管的截面图。
图12(A)和12(B)表示本发明第二实施例的偏转线圈的前视和截面图。
图13(A)和13(B)表示本发明第四实施例的偏转线圈的前视和截面图。
图14(A)和14(B)表示本发明第五实施例的偏转线圈的前视和截面图。
图15(A)表示用于说明一对水平偏转线包缠绕方式的透视图。
图15(B)表示用于说明一对水平偏转线包另一个缠绕方式的透视图。
本发明的偏转线圈除了水平偏转线包和分离器之外的大部分结构与图1中所示先有技术的偏转线圈几乎相同。因此，将给予水平偏转线包和分离器的说明，而其它部分说明将省略。
[第一实施例]
将说明本发明第一实施例。
图8表示从大边缘一侧来看的本发明第一实施例的偏转线圈10的前视图。
在图8中表示一对分离器12，12(左和右)和一对水平偏转线包13，13(上和下)。
水平偏转线包13，13分别设置在一对分离器12，12的上和下边的内部。一对水平偏转线包13，13具有在各自一侧的大边缘13a，13a、小边缘13b，13b、中间部分13c、13c、后平面13c1，13c1和在中间部分13c、13c之间插入的窗口13d、13d。
如图8中所示第一实施例的偏转线圈10的分离器12，12没有在一定距离互相隔开压平面13c1，13c1的肋，13c1，13c1是电气绝缘但是在以空气隙间隔互相物理地和直接相对着。在后平面13c1、13c1之间的距离最好是小于1mm，更好是0.7mm，但是要最稳定牢固地接触。[第二实施例]
图9(A)和9(B)分别表示从偏转线圈10的前面的顶面来看，本发明第二实施例的偏转线圈10的前视和截面图。
在第二实施例中，如图9(A)和9(B)所示，肋12a，12a部分地设置在压平面13c1，13c1之间，使得上部和下部的水平偏转线包13，13，由于肋12a，12a的存在而互相保持隔开。肋12a、12a沿后平面13c1，13c1从小边缘13b(偏转线圈10的后部)朝向大边缘13a(前部)，但是在它们的一半位置终止，使得压平面13c1、13c1在如图9(B)中阴影线所示的大边缘13a附近直接地互相相对着。
图10表示本发明第二实施例的水平偏转线包的透视图。
第二实施例的水平偏转线包13具有压平面13c1的一部分绕组的凸出部分13c2，当装配时，该凸出部分13c2配置在大边缘13a的附近。当第二实施例的一对水平偏转线包13，13设置在图9(A)的一对分离器12，12上时，凸出部分13c2直接地互相对着。水平线包13的凸出部分13c2和其它的边缘是在叫做“阶梯形压制”的压制过程形成的。
彩色画面电子管8的电子束在大边缘13a的位置上的偏转大于在小边缘13b位置的偏转。如果第二实施例的压平面13c1与另一个压平面13c1直接接触。那么使在接触区域偏转幅度相对地增强。
图11表示沿图5的线A-A’的本发明的一对水平偏转线包和彩色画面电子管的截面图。
在图11中表示由一对水平偏转线包13，13产生的磁场。在靠近大边缘13a的区域，压平面13c1、13c1互相对着。因此，在区域“a”中的枕形磁场强于先有技术的枕形磁场(图6)，而小于区域“b”的枕形磁场。因此，第二实施例的水平偏转线包13改进了如图7中所示的“B”型不会聚。
[第三实施例]
图12(A)和12(B)表示从偏转线圈10的前面和顶面来看的本发明第三实施例的偏转线圈10的前视和截面图。
在第三实施例中，肋12a，12a仅设置在大和小边缘13a和13b之间的中间区域，如图12(B)中所示，因此压平面13c1，13c1在大和小边缘13a和13b的附近互相直接相对，如图12(B)中阴影线的区域。
[第四实施例]
图13(A)和13(B)分别表示从偏转线圈10的前面和顶部来看的本发明第四实施例的偏转线圈的前视和截面图。
在第四实施例中，提供2组肋。如图13(B)中所示，肋12a1，12a1从小边缘13b附近延伸并终止在短于大和小边缘13a和13b之间的中间点，另一组肋12a2，12a2从大边缘13a附近延伸并终止在用于压平面13c1，13c1直接对着的剩下中间区域的中间点，如图13(B)中阴影线所示。
[第五实施例]
图14(A)和14(B)分别表示从偏转线圈10的前面和顶部来看的本发明第五实施例的偏转线圈的前视和截面图。
在第五实施例中，肋12a，12a从大边缘13b的附近延伸到超过中点，但短于小边缘13b，使得压平面13c1，13c1在小边缘13b的附近相互直接相对着，如图14(b)中阴影线所示。
在第二到第五实施例中，在压平面13c1、13c1隔开的距离等于肋12a、12a的厚度，因此，通过改变厚度，就可使压平面13c1，13c1之间的隔开距离控制在从肋12a、12a的厚度到零，即没有肋存在的距离的范围之内，就是说，没有肋，它们互相直接接触。作为一个例子，在第四实施例中，在肋12a1的前端，肋12a1和12a2的厚度是为3mm，而在肋12a2的后端，肋12a1和12a2的厚度是2mm。
除了肋12a，12a的厚度之外，压平面13c1、13c1容许直接接触的区域能够在压平面13c1、13c1位置的关系中，通过改变宽度、长度和肋12a、12a的位置来控制，因此，由水平偏转线包13，13产生的磁场就能够按照随意设计的这些肋12a、12a的构形来控制。肋12a可与分离器12压制为一个整体或压制为一个单片。
由于压平面13c1，13c1至少部分地互相接触，所以第一至第五实施例的一对水平偏转线包13、13改进了图7中所示的不会聚。本发明的压平面13c1、13c1设置得比图4中的先有技术更互相靠近。这就意味着增加了用于依次容纳水平偏转线包13、13磁力线的有效空间，这样就更能设计线包成形的挠性，也就是在区域“a”中增加了线包磁力线的实际排列。否则，在先有技术情况下，区域“a”就会被大于1mm厚的肋2a、2a大大地占用。其结果，本发明的偏转线圈10不仅能降低“B”型不会聚，而且还能降低其它类型的大会聚和光栅的失真。
由于第二至第五实施例的偏转线圈10具有作为先位器的在分离器12上的肋12a，12a，而且把水平偏转线包13，13安装在分离器12上也很容易。
当压平面13c1、13c1实际互相接触时，通过增加电介质强度或把它们叫做“反绕”来互相反向缠绕，这样降低它们之间的电位差，以保证水平偏转线包13，13之间的电气绝缘，这是很重要的。
下面，参考图15(A)和15(B)将说明正常和反向缠绕。图15(A)分别表示以相同方向缠绕的水平偏转线包13、13。图15(B)表示互相反向缠绕的水平偏转线包13、13。
在图15(A)中，上部水平偏转线包13的开始端连接到下部水平偏转线包13的末端，而上部水平偏转线包13的末端连接到下部水平偏转线包13的开始端。当电流流到一对偏转线包13、13时，在压平面13c1、13c1之间产生电位。
在15(B)中，上部水平偏转线包13的开始端连接到下部水平偏转线包13的开始端，而上部水平偏转线包13的末端连接到下部水平偏转线包13的末端。由于这种连接安排，在压平面13c1，13c1之间就没有产生电位差。于是，在压平面13c1、13c1上面就不会产生绝缘被击穿。
本发明的优点是通过提供压平面的实际和直接地互相接触，来降低“B”型不会聚。
本发明的另一个优点是通过改进压平面的空间因数和偏转线圈的生产率就能降低其它类型的不会聚和光栅失真。