CN116448264A - 温度传感器、温度测量方法及芯片 - Google Patents

Abstract

本发明公开了一种温度传感器、温度测量方法及芯片，温度传感器包括：由晶体管（三极管，Bipolar）产生的温度电压、模数转换器、第一数字电路、乘法器以及第二数字电路。根据本发明实施例的温度传感器、温度测量方法及芯片，通过模数转换器将第一晶体管和第二晶体管的差值电压放大整数倍并转换成第一数字信号以及将第三晶体管的正向电压转换成第二数字信号，通过第一数字电路基于差值电压的整数放大倍数以及目标放大倍数而获得校正数字因子；通过乘法器用于基于校正数字因子对第一数字信号进行校正而获得第三数字信号；通过第二数字电路基于第二数字信号和第三数字信号获得与温度呈线性关系的参考系数。

Description

温度传感器、温度测量方法及芯片

技术领域

本发明是关于高精度模拟信号链与传感器芯片的设计技术领域，特别是关于一种温度传感器、温度测量方法及芯片。

背景技术

传统的数字温度传感器芯片的结构如图1或图2所示。图1是先产生增量型ADC（IADC：Incremental ADC）的间接参考电压VREF，即：

VREF=α*ΔVBE+VBE

上式中ΔVBE和VBE分别具有正的和负的温度系数。理想的情况是通过调整ΔVBE的系数值（目标放大倍数α），使得间接参考电压VREF不随温度变化。但目标放大倍数α是通过模拟电路实现的，其准确度和精度都受到很大的限制，如非整数值的误差>5%。

图2和图1相比，不直接产生间接参考电压VREF而省去了模拟电压加法器。在图2中，根据比较器的前一次输出电平，选择积分器的输入是α*ΔVBE还是-VBE。无论图1还是图2，IADC输出的参考系数均为：

理想的目标放大倍数α是使间接参考电压VREF不随温度T变化，即

但由于通过模拟电路实现的目标放大倍数α的精度受器件失配等因素的影响，其精度有限而通常难以满足高精度（如业界领先的±0.1℃）温度传感的要求。即便ΔVBE和VBE与温度T都是理想的线性关系，目标放大倍数α的误差会导致IADC输出参考系数μ与温度T的函数关系中产生非线性。

图3显示当目标放大倍数α的误差为±5%或±10%时，在40℃单点校准后的温度传感误差。图4则显示了当目标放大倍数α的误差为±1%或±2%时的测温误差。可见，当目标放大倍数α的误差分别为±1%、±2%、±5%和±10%时，在-40℃~125℃的全温度范围内，其引起的最大的测温误差分布超过±0.1℃、±0.2℃、±0.5℃、和±1℃。

消除目标放大倍数α偏差引起的温度传感误差，则需要在数字电路或软件里对IADC输出参考系数μ与温度T的非线性曲线进行分段补偿、或者采用成本很高的多点温度校准。这些弥补传统数字温度传感器结构缺点的方法，不但显著增加了芯片或系统解决方案的复杂度和成本，也牺牲了温度传感器的测温精度。

公开于该背景技术部分的信息仅仅旨在增加对本发明的总体背景的理解，而不应当被视为承认或以任何形式暗示该信息构成已为本领域一般技术人员所公知的现有技术。

发明内容

本发明的目的在于提供一种温度传感器、温度测量方法及芯片，其能够消除目标放大倍数偏差引起的温度传感误差，且不增加芯片或系统解决方案的复杂度和成本。

为实现上述目的，本发明的实施例提供了一种温度传感器，包括：模数转换器、第一数字电路、乘法器以及第二数字电路。

所述模数转换器与用于感应待测温度的第一晶体管和第二晶体管相连，用于将第一晶体管的PN结之间的正向电压与第二晶体管的PN结之间的正向电压的差值电压放大整数倍并转换成对应的第一数字信号，所述模数转换器同时与用于感应待测温度的第一晶体管、第二晶体管或第三晶体管相连，用于将第一晶体管、第二晶体管或第三晶体管的PN结之间的正向电压转换成第二数字信号，第一晶体管的PN结之间的正向电压、第二晶体管的PN结之间的正向电压以及第三晶体管的PN结之间的正向电压为由晶体管（三极管，Bipolar）产生的温度电压。

所述第一数字电路用于基于所述差值电压的整数放大倍数以及目标放大倍数而获得校正数字因子。

所述乘法器用于基于校正数字因子对第一数字信号进行校正而获得第三数字信号。

所述第二数字电路用于基于第二数字信号和第三数字信号获得与温度呈线性关系的参考系数。

在本发明的一个或多个实施例中，所述温度传感器还包括第三数字电路，用于基于参考系数获得待测温度值。

在本发明的一个或多个实施例中，所述模数转换器包括采样单元、积分单元和比较单元，所述采样单元用于对第一晶体管的PN结之间的正向电压与第二晶体管的PN结之间的正向电压的差值电压进行采样而输出第一采样信号，所述采样单元用于对第一晶体管、第二晶体管或第三晶体管的PN结之间的正向电压进行采样而输出第二采样信号，所述积分单元用于基于参考电压对第一采样信号进行积分而输出第一积分信号以及对第二采样信号进行积分而输出第二积分信号，所述比较单元用于基于时钟信号分别与第一积分信号和第二积分信号的比较而输出第一数字信号和第二数字信号。

在本发明的一个或多个实施例中，所述采样单元包括n个电容，所述电容的第一端连接有一组第一开关，所述电容的第二端连接有一组第二开关，至少一个第一开关和至少一个第二开关分别与第一晶体管和第二晶体管的第一端相连，至少一个第一开关和至少一个第二开关分别与地电压以及第一晶体管、第二晶体管或第三晶体管的第一端相连。

在本发明的一个或多个实施例中，所述采样单元包括用于对第一晶体管的PN结之间的正向电压与第二晶体管的PN结之间的正向电压的差值电压进行采样的第一采样电路以及用于对第一晶体管、第二晶体管或第三晶体管的PN结之间的正向电压进行采样的第二采样电路。

在本发明的一个或多个实施例中，所述第一采样电路包括n个第一电容以及与第一电容的第一端相连的第一开关、与第一电容的第二端相连的第二开关，所述第一开关和第二开关分别与第一晶体管的第一端以及第二晶体管的第二端相连，和/或

所述第二采样电路包括n个第二电容以及与第二电容的第一端相连的第三开关、与第二电容的第二端相连的第四开关，所述第三开关和第四开关分别与地电压以及第一晶体管、第二晶体管或第三晶体管的第一端相连。

在本发明的一个或多个实施例中，所述校正数字因子γ=α/n，其中，α为目标放大倍数，n为所述差值电压的整数放大倍数。

在本发明的一个或多个实施例中，所述参考系数为，其中，d2为第二数字信号，d3为第三数字信号。

本发明还公开了一种温度测量方法，包括：

通过模数转换器将第一晶体管的PN结之间的正向电压与第二晶体管的PN结之间的正向电压的差值电压放大整数倍并转换成对应的第一数字信号，以及将第一晶体管、第二晶体管或第三晶体管的PN结之间的正向电压转换成第二数字信号；

通过第一数字电路基于所述差值电压的整数放大倍数以及目标放大倍数而获得校正数字因子；

通过乘法器基于校正数字因子对第一数字信号进行校正而获得第三数字信号；

通过第二数字电路基于第二数字信号和第三数字信号获得与温度呈线性关系的参考系数。

与现有技术相比，根据本发明实施例的温度传感器、温度测量方法及芯片，通过模数转换器将第一晶体管和第二晶体管的差值电压进行放大整数倍并转换成第一数字信号以及将第三晶体管的正向电压转换成第二数字信号，通过第一数字电路基于所述差值电压的整数放大倍数以及目标放大倍数而获得校正数字因子；通过乘法器用于基于校正数字因子对第一数字信号进行校正而获得第三数字信号；通过第二数字电路基于第二数字信号和第三数字信号获得与温度呈线性关系的参考系数。

本发明实施例的温度传感器避免了差值电压的整数放大倍数的偏差带来的非线性校正困难；本发明实施例的温度传感器避免了模数转换器的间接参考电压的温度漂移带来的非线性校正困难；本发明实施例的温度传感器避免了间接参考电压的随机偏差带来的增益校准困难。

本发明实施例的温度传感器简化了低噪声的参考电压产生电路的设计；本发明实施例的温度传感器通过模数转换器中的电容采样采用动态单元匹配（DEM：dynamicelement matching）技术，在芯片硬件中实现了以最接近准确的目标放大倍数的整数值为初始放大倍数；本发明实施例的温度传感器方便地实现了全数字、高精度、且具有一致性的目标放大倍数的修正。

本发明实施例的温度传感器方便了优化目标放大倍数以补偿第三晶体管的正向电压的非线性导致的测温误差；本发明实施例的温度传感器结合已知的且精确的芯片上差值电压和第三晶体管的正向电压的实现技术，如三极管电流增益β的补偿技术、三极管基极和发射极寄生电阻的消除技术等等，保证了单点温度校准下的高精度温度测量。

附图说明

图1是现有技术中的一种温度传感器的电路原理图。

图2是现有技术中的另一种温度传感器的电路原理图。

图3是现有技术中的目标放大倍数误差为±5%和±10%导致的温度非线性误差波形图。

图4是现有技术中的目标放大倍数误差为±1%和±2%导致的温度非线性误差波形图。

图5是根据本发明的温度传感器的电路原理图。

图6是根据本发明的第一晶体管和第二晶体管的示意图。

图7是根据本发明的第三晶体管的示意图。

图8是根据本发明的模数转换器的电路原理图。

图9是根据本发明的采样单元的第一电路原理图。

图10是根据本发明的采样单元的第二电路原理图。

图11是根据本发明的调整目标放大倍数对间接参考电压的影响的波形图。

图12是根据本发明的调整目标放大倍数对第三晶体管的正向电压的非线性测温误差的补偿效果的波形图。

实施方式

下面结合附图，对本发明的具体实施例进行详细描述，但应当理解本发明的保护范围并不受具体实施例的限制。

除非另有其它明确表示，否则在整个说明书和权利要求书中，术语“包括”或其变换如“包含”或“包括有”等等将被理解为包括所陈述的元件或组成部分，而并未排除其它元件或其它组成部分。

说明书中的“耦接”或“连接”或“相连”既包含直接连接，也包含间接连接。间接连接为通过中间媒介进行的连接，如通过电传导媒介进行的连接，其可具有寄生电感或寄生电容；间接连接还可包括在实现相同或相似功能目的的基础上通过其他有源器件或无源器件的连接，如通过开关、跟随电路等电路或部件的连接。另外，在本发明中，例如“第一”、“第二”之类的词语主要用于区分一个技术特征与另一个技术特征，而并不一定要求或暗示这些技术特征之间存在某种实际的关系、数量或者顺序。

实施例1

如图5所示，一种温度传感器，包括：模数转换器100、第一数字电路200、乘法器300、第二数字电路400、第三数字电路500。

如图5和图6所示，模数转换器100与用于感应待测温度的第一晶体管D1和第二晶体管D2相连，模数转换器100用于将第一晶体管D1的PN结之间的正向电压与第二晶体管D2的PN结之间的正向电压的差值电压ΔVBE放大整数倍并转换成对应的第一数字信号d1。

如图5、图6和图7所示，模数转换器100与用于感应待测温度的第三晶体管D3相连，模数转换器100用于将第三晶体管D3的PN结之间的正向电压VBE转换成第二数字信号d2。在其他实施例中，模数转换器100与第一晶体管D1或第二晶体管D2相连以将第一晶体管D1或第二晶体管D2的PN结之间的正向电压VBE转换成第二数字信号d2。

在本实施例中，第一晶体管D1、第二晶体管D2和第三晶体管D3为三极管，且该三极管的基极和集电极相连，PN结之间的正向电压即为三极管的集电极和发射极之间的电压差，该电压差也是三极管产生的温度电压。在其他实施例中，第一晶体管D1、第二晶体管D2和第三晶体管D3中的一个或多个为二极管，PN结之间的正向电压即为二极管的阳极与阴极之间的电压差，该电压差为二极管产生的温度电压。

在图6和图7中，为实现高精度的温度测量要求，需要消除随机的工艺参数变化对差值电压ΔVBE和第三晶体管D3的正向电压VBE的影响。这些已知的技术包括：1）三极管的集电极与基极电流的比值β的补偿；2）三极管的基极和发射极之间的寄生电阻上的压降抵消；3）产生差值电压ΔVBE的两个三极管的电流I1、I2的校准；4）产生差值电压ΔVBE的两个三极管的电流的动态单元匹配（DEM：Dynamic Element Matching）；5）第三晶体管D3的正向电压VBE产生电路中，通过调整其偏置电流I3校准正向电压VBE等等。

在本实施例中，模数转换器100采用的是16-bit的增量型ADC（IADC：IncrementalSigma-delta ADC）。在其他实施例中，模数转换器100可以采用其他数字位及结构的模数转换器（ADC：Analog-to-Digital Converter）。

如图8所示，模数转换器100包括采样单元110、积分单元120和比较单元130。

如图8和图6所示，采样单元110用于对第一晶体管D1的PN结之间的正向电压与第二晶体管D2的PN结之间的正向电压的差值电压ΔVBE进行采样而输出第一采样信号。如图8和图7所示，采样单元110用于对第三晶体管D3的PN结之间的正向电压VBE进行采样而输出第二采样信号。本实施例中，采样单元110可选择对差值电压ΔVBE或第三晶体管D3的PN结之间的正向电压VBE进行采样而输出对应的第一采样信号或第二采样信号。

如图9、图10、图6和图7所示，采样单元110包括n个并联的电容C1，n≥1，n为整数。每个电容C1的第一端连接有一组第一开关S1，每个电容C1的第二端连接有一组第二开关S2。在本实施例中，一组的数量为两个。在其他实施例中，一组的数量可以为三个以上。

其中，一个第一开关S1的第一端与电容C1的第一端相连，该第一开关S1的第二端与第一晶体管D1的第一端（阳极）相连。一个第二开关S2的第一端与电容C1的第二端相连，该第二开关S2第二端与第二晶体管D2的第一端（阳极）相连。在其他实施例中，第一开关S1和第二开关S2的位置可以调换。在本实施例中，当所有第一开关S1和第二开关S2均闭合时，通过n个电容C1对差值电压ΔVBE（差分输入电压）进行采样。

另一个第一开关S1的第一端与电容C1的第一端相连，该第一开关S1的第二端与第三晶体管D3的第一端（阳极）相连。另一个第二开关S2的第一端与电容C1的第二端相连，该第二开关S2的第二端与地电压相连。在其他实施例中，第一开关S1和第二开关S2的位置可以调换。在本实施例中，在对第三晶体管D3的PN结之间的正向电压VBE（单端输入电压）进行采样时，采用DEM技术，即第一开关S1轮换着闭合从而轮换着使用n个电容C1中的一个进行采样。

在本实施例中，由于电容C1设置有n个，即相当于采样单元110将差值电压ΔVBE放大了n倍，通过参考电压VREF0的16位IADC将放大n倍的差值电压n*ΔVBE和第三晶体管D3的正向电压VBE分别转换成第一数字信号d1和第二数字信号d2。

如图8所示，积分单元120用于基于参考电压VREF0对第一采样信号进行积分而输出第一积分信号以及对第二采样信号进行积分而输出第二积分信号，比较单元130用于基于时钟信号clk分别与第一积分信号和第二积分信号的比较而输出第一数字信号d1和第二数字信号d2。

虽然在图8中，需要额外的参考电压VREF0，但由于该参考电压VREF0对温漂和电压值精度都没有严格的要求，其实现的复杂度和成本可以大大降低。图8中的IADC的参考电压VREF0区别于通常意义上（如图1中）对温漂和电压值精度都有严格要求的IADC的参考电压VREF。

如图5所示，第一数字电路200用于基于差值电压ΔVBE的整数放大倍数n以及目标放大倍数而获得校正数字因子。

差值电压ΔVBE的整数放大倍数n作为目标放大倍数的初始整数值，可通过校正数字因子进行校准，即n*ΔVBE的转换结果（第一数字电压d1）在数字领域与校正数字因子γ相乘，得到精确的目标放大倍数，即α=n*γ，γ=α/n，其中，α为目标放大倍数，γ为校正数字因子，n为差值电压ΔVBE的整数放大倍数，该差值电压ΔVBE的整数放大倍数n也对应电容C1的数量，即精确且有一致性的差值电压ΔVBE的整数放大倍数n由采样单元110实现。理想的目标放大倍数为：。

如图5所示，乘法器300用于基于校正数字因子对第一数字信号d1进行校正而获得第三数字信号d3。

在本实施例中，第一数字信号d1为：

第三数字信号d3为：

如图5所示，第二数字电路400用于基于第二数字信号d2和第三数字信号d3获得与温度呈线性关系的参考系数。

其中，d2为第二数字信号，d3为第三数字信号，μ为参考系数。

由上式可见，IADC的参考电压VREF0在参考系数μ的计算中被抵消了。因此，参考电压VREF0的温漂和精度都不影响参考系数μ。而对参考电压VREF0的唯一要求是噪声足够小，不影响温度传感的精度即可。

如图5所示，第三数字电路500用于基于参考系数μ获得待测温度值，即通过第三数字电路500将参考系数μ转换为精确的待测温度值，也可以称为参考系数μ与待测温度T的线性转换，待测温度值为数字温度值。

需要指出的是，虽然本发明的温度传感器及芯片对参考电压VREF0的噪声要求比较高，但在温漂和精度都几乎没有要求的情况下，参考电压VREF0产生电路的复杂度和成本都大大降低了。例如，我们可以在IADC的参考电压采样电路里通过叠加采样差值电压ΔVBE和第三晶体管D3的正向电压VBE，来实现VREF0=n*ΔVBE+VBE。这样便不需要额外的电路来单独实现低噪声的参考电压VREF0。

最终，我们实现了精确的差值电压ΔVBE的目标放大倍数α=n*γ，由此得到不随温度变化的间接参考电压VREF，也就得到与温度T呈线性关系的参考系数μ为

相比可见，本发明消除了传统的温度传感器结构中由于目标放大倍数α不准确导致参考系数μ与温度的非线性关系。因此，本发明简化了温度值的计算并提高了测温的精度。

如果考虑到实际的第三晶体管D3的正向电压VBE中包含很小的非线性，利用本发明的差值电压ΔVBE的系数值（目标放大倍数α）的精确数字优化，同样可以方便地实现减小第三晶体管D3的正向电压VBE非线性导致的测温误差。

如图11所示，由于第三晶体管D3的正向电压VBE的二阶非线性导致计算参考系数μ的公式中的分母，即间接参考电压VREF随温度变化。如图11中最底下的曲线所示，间接参考电压VREF在-40℃~125℃的全温度范围内变化了2.2mV。

如图11所示，改变理想的目标放大倍数α，从0%、1%~6%，间接参考电压VREF随之产生变化。随着目标放大倍数α的增加，间接参考电压VREF也增加，并表现出正温度系数。

图12为改变理想的目标放大倍数α所对应的温度测量的非线性误差，由图12可见，当目标放大倍数α为理想值时，温度误差对应最上边的曲线，即在-40℃和120℃时，相应的温度误差分别为0.37℃和0.62℃。而当目标放大倍数α比理想值大5%时，相应的温度误差为-0.14℃和0.10℃。与使用模拟电路实现目标放大倍数α的传统温度传感器的结构相比，在本发明的方案里通过改变图5中的校正数字因子γ，可以高精度、低成本的实现目标放大倍数α的优化，最终提高测温的精度。

本发明还公开了一种温度测量方法，包括：

通过模数转换器100将第一晶体管D1的PN结之间的正向电压与第二晶体管D2的PN结之间的正向电压的差值电压ΔVBE放大整数倍并转换成对应的第一数字信号d1，以及将第一晶体管D1、第二晶体管D2或第三晶体管D3的PN结之间的正向电压VBE转换成第二数字信号d2；

通过第一数字电路200基于差值电压ΔVBE的整数放大倍数n以及目标放大倍数α而获得校正数字因子γ；

通过乘法器300基于校正数字因子γ对第一数字信号d1进行校正而获得第三数字信号d3；

通过第二数字电路400基于第二数字信号d2和第三数字信号d3获得与温度呈线性关系的参考系数。

在本实施例中，将模数转换器100的采样单元110的所有与第一晶体管D1和第二晶体管D2相连的第一开关S1和第二开关S2均闭合，通过采样单元110的n个电容C1对差值电压ΔVBE（差分输入电压）进行采样；

在本实施例中，采用DEM技术对第三晶体管D3的PN结之间的正向电压VBE（单端输入电压）进行采样，即将模数转换器100的采样单元110的所有与第三晶体管D3相连第一开关S1轮换着闭合从而轮换着使用n个电容C1中的一个对第三晶体管D3的PN结之间的正向电压VBE进行采样。

本发明还公开了一种芯片，包括上述温度传感器。

实施例2

本实施例和实施例1的区别在于，对第一晶体管的PN结之间的正向电压与第二晶体管的PN结之间的正向电压的差值电压ΔVBE采样的电路和对第三晶体管D3的PN结之间的正向电压VBE进行采样的电路分开设置。

具体的，采样单元110包括用于对第一晶体管D1的PN结之间的正向电压与第二晶体管D2的PN结之间的正向电压的差值电压ΔVBE进行采样的第一采样电路以及用于对第三晶体管D3的PN结之间的正向电压VBE进行采样的第二采样电路。在其他实施例中也可以对第一晶体管D1或第二晶体管D2的PN结之间的正向电压VBE进行采样。

进一步的，第一采样电路包括n个第一电容C1以及与第一电容C1的第一端相连的第一开关、与第一电容C1的第二端相连的第二开关，第一开关和第二开关分别与第一晶体管D1的第一端以及第二晶体管D2的第二端相连。

进一步的，第二采样电路包括n个第二电容C1以及与第二电容C1的第一端相连的第三开关、与第二电容C1的第二端相连的第四开关，第三开关和第四开关分别与地电压以及第一晶体管D1、第二晶体管D2或第三晶体管D3的第一端相连。

前述对本发明的具体示例性实施方案的描述是为了说明和例证的目的。这些描述并非想将本发明限定为所公开的精确形式，并且很显然，根据上述教导，可以进行很多改变和变化。对示例性实施例进行选择和描述的目的在于解释本发明的特定原理及其实际应用，从而使得本领域的技术人员能够实现并利用本发明的各种不同的示例性实施方案以及各种不同的选择和改变。本发明的范围意在由权利要求书及其等同形式所限定。

Claims (10)

1.一种温度传感器，其特征在于，包括：

模数转换器，与用于感应待测温度的第一晶体管和第二晶体管相连，用于将第一晶体管的PN结之间的正向电压与第二晶体管的PN结之间的正向电压的差值电压放大整数倍并转换成对应的第一数字信号，所述模数转换器同时与用于感应待测温度的第一晶体管、第二晶体管或第三晶体管相连，用于将第一晶体管、第二晶体管或第三晶体管的PN结之间的正向电压转换成第二数字信号；

第一数字电路，用于基于所述差值电压的整数放大倍数以及目标放大倍数而获得校正数字因子；

乘法器，用于基于校正数字因子对第一数字信号进行校正而获得第三数字信号；以及

第二数字电路，用于基于第二数字信号和第三数字信号获得与温度呈线性关系的参考系数。

2.如权利要求1所述的温度传感器，其特征在于，所述温度传感器还包括第三数字电路，用于基于参考系数获得待测温度值。

3.如权利要求1所述的温度传感器，其特征在于，所述模数转换器包括采样单元、积分单元和比较单元，所述采样单元用于对第一晶体管的PN结之间的正向电压与第二晶体管的PN结之间的正向电压的差值电压进行采样而输出第一采样信号，所述采样单元用于对第一晶体管、第二晶体管或第三晶体管的PN结之间的正向电压进行采样而输出第二采样信号，所述积分单元用于基于参考电压对第一采样信号进行积分而输出第一积分信号以及对第二采样信号进行积分而输出第二积分信号，所述比较单元用于基于时钟信号分别与第一积分信号和第二积分信号的比较而输出第一数字信号和第二数字信号。

4.如权利要求3所述的温度传感器，其特征在于，所述采样单元包括n个电容，所述电容的第一端连接有一组第一开关，所述电容的第二端连接有一组第二开关，至少一个第一开关和至少一个第二开关分别与第一晶体管和第二晶体管的第一端相连，至少一个第一开关和至少一个第二开关分别与地电压以及第一晶体管、第二晶体管或第三晶体管的第一端相连。

5.如权利要求3所述的温度传感器，其特征在于，所述采样单元包括用于对第一晶体管的PN结之间的正向电压与第二晶体管的PN结之间的正向电压的差值电压进行采样的第一采样电路以及用于对第一晶体管、第二晶体管或第三晶体管的PN结之间的正向电压进行采样的第二采样电路。

6.如权利要求5所述的温度传感器，其特征在于，所述第一采样电路包括n个第一电容以及与第一电容的第一端相连的第一开关、与第一电容的第二端相连的第二开关，所述第一开关和第二开关分别与第一晶体管的第一端以及第二晶体管的第二端相连，和/或，

所述第二采样电路包括n个第二电容以及与第二电容的第一端相连的第三开关、与第二电容的第二端相连的第四开关，所述第三开关和第四开关分别与地电压以及第一晶体管、第二晶体管或第三晶体管的第一端相连。

7.如权利要求1所述的温度传感器，其特征在于，所述校正数字因子γ=α/n，其中，α为目标放大倍数，n为所述差值电压的整数放大倍数。

8.如权利要求1所述的温度传感器，其特征在于，所述参考系数为，其中，d2为第二数字信号，d3为第三数字信号。

9.一种温度测量方法，其特征在于，包括：

通过模数转换器将第一晶体管的PN结之间的正向电压与第二晶体管的PN结之间的正向电压的差值电压放大整数倍并转换成对应的第一数字信号，以及将第一晶体管、第二晶体管或第三晶体管的PN结之间的正向电压转换成第二数字信号；

通过第一数字电路基于所述差值电压的整数放大倍数以及目标放大倍数而获得校正数字因子；

通过乘法器基于校正数字因子对第一数字信号进行校正而获得第三数字信号；

通过第二数字电路基于第二数字信号和第三数字信号获得与温度呈线性关系的参考系数。

10.一种芯片，其特征在于，包括如权利要求1~8任一项所述的温度传感器。