CN116417979A - 一种浪涌电流保护电路以及服务器 - Google Patents

Abstract

本申请公开了一种浪涌电流保护电路以及服务器，涉及服务器技术领域。所述浪涌电流保护电路包括：反插保护电路、热插拔保护电路、电源连接器以及用电负载；其中，所述电源连接器与所述反插保护电路连接，所述反插保护电路与所述热插拔保护电路连接，所述热插拔保护电路与所述用电负载连接；所述热插拔保护电路包括缓启动电路以及控制电路，所述控制电路用于根据采样输出电压控制所述缓启动电路的打开和关断，所述缓启动电路用于控制浪涌电流，所述电源连接器用于连接外部供电电源。本申请能够通过使用容易获取和替代的器件来解决热插拔过程中浪涌电流过大以及供电电源正负极反插时服务器主板器件易损坏的问题。

Description

一种浪涌电流保护电路以及服务器

技术领域

本申请涉及服务器技术领域，特别是涉及一种浪涌电流保护电路以及服务器。

背景技术

服务器供电电源在实际应用中不可避免存在热插拔现象，热插拔引起的浪涌电流是由于热插拔时直接将外供电源加到输入电容上引起的冲击电流。服务器供电电源线较长时，供电线上的寄生电感会较大，此时浪涌电流会在寄生电感上感生出较大电压，这就导致服务器主板输入端口承受较大输入电压过冲。对服务器主板来说，过大的浪涌电流和电压过冲都会损坏主板的电子元器件。因此，这就要求服务器主板设计者必须考虑在供电端口增加热插拔保护装置来抑制浪涌电流。

目前为了抑制输入电容充电引起的浪涌电流，使用的方案是在输入回路中增加缓启动电路，一种是由电阻元件并联可控开关组成的缓启动电路，上电初始时刻缓启动电阻串联在输入回路中，当后端电容电压达到设定值后，闭合可控开关来旁路缓启动电阻，该方案在交流源输入的场景中使用较多；另一种是由开关器件和集成控制芯片组成的缓启动电路，集成控制芯片通过控制内部给开关器件栅极充电电流的大小，来控制开关器件栅极电压的上升速度，达到控制开关器件导通电阻阻值的目的。

在服务器主板电源的热插拔保护中，现有技术方案一是在输入端增加热插拔保护芯片，参照图1。方案一的具体工作原理如下：当集成控制芯片LM5069检测到输入电压达到设定值后，LM5069控制GATE脚内部电流源给Q1的栅源极电容充电，Q1在栅源电压达到阈值电压以后开始导通，栅源电压较低时，Q1的导通电阻较大，较大的导通电阻可以抑制热插拔初始时刻电容COUT充电引起的较大浪涌电流，当COUT上电压接近输入电压时，Q1栅源电压控制Q1导通电阻变得很小，Q1完全导通，后级负载可正常工作拉载。方案一为防止热插拔时输入电容Cin引起的输入电压过冲，一般在电源输入端口串联TVS(TransientVoltageSuppression，瞬态电压抑制)二极管Z1吸收电压过冲，用来保护集成控制芯片LM5069不受损坏。现有技术方案一开关器件Q1两端存在反并联二极管，当供电电源正负极反接时，输入电压经D1和Q1反并联二极管形成短路，存在损坏D1、Q1甚至后端器件的风险，方案一存在无法实现输入电源反插保护、器件成本高以及无法实现直接替代的问题。

现有技术方案二通过增加缓启电阻实现热插拔保护目的，具体电路图参照图2。方案二具体工作原理如下：在充电模块与电池或者负载连接的瞬间，可控开关K1不吸合，安装好充电器模块后，电池通过缓启电阻R1向充电模块内部电解电容C1充电，通过增加电阻R1，在电容C1充电电路中增加阻尼，可以有效抑制浪涌电流；当C1电压达到一定值，电池电压和充电模块内部电容C1电压压差小于某值时，比较器U1输出翻转为高电平，驱动三极管Q1导通，控制可控开关闭合，电阻R1被旁路，充电器输出直接和电池相连接，之后启动充电模块正常工作，向电池充电或负载供电。二极管D1可以起到充电器正负极反插保护的目的。

现有技术方案二中充电器的输出负极是电压比较器U1的电平参考点，当充电器输出正负极和电池正负极反接时，比较器U1的正负输入端的电平均为负值，这就要求U1必须为正负供电的比较器，需要系统增加额外的正负辅助供电；同时，如果选取的可控开关为继电器，还需要增加额外的VCC(VoltCurrentCondenser，供电电压)供电。这不仅增加了设计复杂性，也增加电路的设计成本。如果可控开关闭合时，可控开关两端存在较小电压差也会产生由可控开关闭合导致的二次浪涌电流；同时，如果可控开关为P沟道MOSFET(MetalOxideSemiconductorField-EffectTransistor，金属氧化物半导体场效应管)，由于P沟道MOSFET存在自身的反并联二极管，充电器输出正负极反插时，电池会通过该反并联二极管给电解电容C1反向充电，由于电解电容不能承受负压特性，电解电容会损坏，因此，此处可控开关不能使用P沟道MOSFET。在此方案的控制电路中，电阻R7的设计会使比较器U1的输出电平来回翻转，控制电路设计存在缺陷。因此，针对方案二存在二次浪涌电流、控制电路部分比较器反馈电阻设计不合理以及辅助供电较多的问题。

因此，如何通过使用容易获取和替代的器件来解决热插拔过程中浪涌电流过大以及供电电源正负极反插时服务器主板器件易损坏的问题是目前亟待解决的问题。

发明内容

为了解决上述背景技术中提到的至少一个问题，本申请提供了一种浪涌电流保护电路以及服务器，能够通过使用容易获取和替代的器件来解决热插拔过程中浪涌电流过大以及供电电源正负极反插时服务器主板器件易损坏的问题。

本申请实施例提供的具体技术方案如下：

第一方面，提供一种浪涌电流保护电路，包括：

反插保护电路、热插拔保护电路、电源连接器以及用电负载；

其中，所述电源连接器与所述反插保护电路连接，所述反插保护电路与所述热插拔保护电路连接，所述热插拔保护电路与所述用电负载连接；

所述热插拔保护电路包括缓启动电路以及控制电路，所述控制电路用于根据采样输出电压控制所述缓启动电路的打开和关断，所述缓启动电路用于控制浪涌电流，所述电源连接器用于连接外部供电电源。

进一步的，所述缓启动电路包括缓启动电阻、第一电容以及第一金属氧化物半导体场效应管；

所述反插保护电路与所述缓启动电阻连接，所述缓启动电阻与所述第一电容连接，所述第一电容的负极连接至所述电源连接器的负极，所述第一电容的负极作为参考地，所述用电负载由所述第一电容拉载；

所述第一金属氧化物半导体场效应管的源极连接至所述反插保护电路，所述第一金属氧化物半导体场效应管的漏极连接至所述第一电容的正极，所述缓启动电阻用于控制浪涌电流。

进一步的，所述缓启动电路还包括第二电阻，所述第二电阻的一端连接至所述第一金属氧化物半导体场效应管的源极，所述第二电阻的另一端连接至所述第一金属氧化物半导体场效应管的栅极。

进一步的，所述控制电路包括第二金属氧化物半导体场效应管、电压比较器、第一分压电阻、第二分压电阻以及第二电容；

所述第一分压电阻的一端连接至所述第一电容的正极，所述第一分压电阻的另一端连接至所述第二分压电阻，所述第一分压电阻以及所述第二分压电阻组成分压电路采样所述第一电容的输出电压，所述第一分压电阻以及所述第二分压电阻的中间点连接至所述电压比较器的正输入端，所述电压比较器的负输入端连接至参考电压，所述参考电压作为服务器主板的待机供电电压；

所述第二电容并联在所述第二分压电阻的两端，所述第二金属氧化物半导体场效应管的源极连接至参考地，所述第二金属氧化物半导体场效应管的栅极连接至所述电压比较器的输出端，所述第二金属氧化物半导体场效应管的漏极连接至所述缓启动电路。

进一步的，所述缓启动电路还包括第三电阻，所述第三电阻的一端连接至所述第一金属氧化物半导体场效应管的栅极，所述第三电阻的另一端连接至所述第二金属氧化物半导体场效应管的漏极。

进一步的，所述控制电路还包括第四电阻，所述第四电阻的一端连接至所述电压比较器的正输入端，所述第四电阻的另一端连接至所述电压比较器的输出端。

进一步的，所述电压比较器的输出端还连接至服务器主板的后级电源的使能脚，所述使能脚用于传输所述后级电源的使能信号。

进一步的，所述反插保护电路包括反插保护二极管，所述反插保护二极管的正极连接至所述电源连接器的正极，所述反插保护二极管的负极连接至所述热插拔保护电路。

进一步的，所述反插保护电路包括第三金属氧化物半导体场效应管、第五电阻、第六电阻、第七电阻以及第三电容；

所述第三金属氧化物半导体场效应管的漏极连接至所述电源连接器的负极，所述第三金属氧化物半导体场效应管的源极连接至第一电容的负极，所述第三金属氧化物半导体场效应管的栅极连接至所述第七电阻的一端；

所述第五电阻的一端连接至所述电源连接器的正极，所述第五电阻的另一端连接至所述第六电阻的一端，所述第六电阻的另一端连接至所述第三金属氧化物半导体场效应管的源极，所述第五电阻以及所述第六电阻的中间点连接至所述第七电阻的另一端，所述第三电容并联在所述第六电阻的两端。

第二方面，提供一种服务器，包括所述的浪涌电流保护电路。

本申请实施例具有如下有益效果：

本申请实施例提供的一种浪涌电流保护电路以及服务器，能够通过缓启动电路有效抑制服务器供电电源热插拔时引起的输入浪涌电流和过冲电压，通过控制开关缓启动电路的开通和关断，可以抑制开关闭合引起的二次浪涌电流；通过控制电路结合服务器主板的待机供电电源，大大简化了辅助供电电源设计，从而更加适合服务器的应用场景，通过反插保护电路保证服务器主板不受损坏，起到反插保护的目的。能够通过缓启动电阻有效抑制服务器供电电源热插拔时引起的输入浪涌电流和过冲电压，通过可控开关结合驱动电阻抑制开关闭合引起的二次浪涌电流；能够通过反插保护二极管易于应用在对损耗要求不高的低成本的场景中，另外，能够通过第三金属氧化物半导体场效应管等组成的反插保护电路应用在对损耗较为敏感的场景中，降低功率损耗。本申请电路简单实用，能够通过使用容易获取和替代的器件来解决热插拔过程中浪涌电流过大以及供电电源正负极反插时服务器主板器件易损坏的问题，有效起到热插拔保护和反插保护的作用。

附图说明

为了更清楚地说明本申请实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1示出现有技术方案一的保护电路的电路结构示意图；

图2示出现有技术方案二的保护电路的电路结构示意图；

图3示出本申请实施例提供的浪涌电流保护电路的总电路图；

图4示出根据本申请一个实施例的浪涌电流保护电路的具体电路图；

图5示出根据本申请另一个实施例的浪涌电流保护电路的具体电路图。

附图标记：1、反插保护电路；11、反插保护二极管；121、第三金属氧化物半导体场效应管；122、第五电阻；123、第六电阻；124、第七电阻；125、第三电容；2、热插拔保护电路；21、缓启动电路；211、缓启动电阻；212、第一电容；213、第一金属氧化物半导体场效应管；214、第二电阻；215、第三电阻；22、控制电路；221、第二金属氧化物半导体场效应管；222、电压比较器；223、第一分压电阻；224、第二分压电阻；225、第二电容；226、第四电阻；3、电源连接器；4、用电负载。

具体实施方式

为使本申请的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。

应当理解，在本申请的描述中，除非上下文明确要求，否则整个说明书和权利要求书中的“包括”、“包含”等类似词语应当解释为包含的含义而不是排他或穷举的含义；也就是说，是“包括但不限于”的含义。

还应当理解，术语“第一”、“第二”等仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性。此外，在本申请的描述中，除非另有说明，“多个”的含义是两个或两个以上。

实施例一

本申请提供了一种浪涌电流保护电路，参照图3，包括：反插保护电路1、热插拔保护电路2、电源连接器3以及用电负载4。

其中，电源连接器3与反插保护电路1连接，反插保护电路1与热插拔保护电路2连接，热插拔保护电路2与用电负载4连接；

热插拔保护电路2包括缓启动电路21以及控制电路22，控制电路22用于根据采样输出电压控制缓启动电路21的打开和关断，缓启动电路21用于控制浪涌电流，电源连接器3用于连接外部供电电源。

具体的，本申请浪涌电流保护电路的功能模块图如图3所示，外部的供电电源连接到服务器主板的电源连接器3上给服务器主板供电，电源连接器3经反插保护电路1连接到热插拔保护电路2。其中，热插拔保护电路2由缓启动电路21和控制电路22组成，控制电路22部分采样输出电压来控制开关缓启动电路21的开通和关断，缓启动电路21起到抑制浪涌电流的作用。热插拔保护电路2后端连接到服务器主板的用电负载4，用电负载4可以是降压变换器，通过降压变换器将供电电源的电压转换成低电压给服务器主板上的控制芯片供电。本申请主要通过缓启动电路21有效抑制服务器供电电源热插拔时引起的输入浪涌电流和过冲电压，通过控制开关缓启动电路21的开通和关断，可以抑制开关闭合引起的二次浪涌电流；通过控制电路22结合服务器主板的待机供电电源，大大简化了辅助供电电源设计，从而更加适合服务器的应用场景。本申请电路简单实用，能够通过使用容易获取和替代的器件来解决热插拔过程中浪涌电流过大以及供电电源正负极反插时服务器主板器件易损坏的问题，有效起到热插拔保护和反插保护的作用。

在一些实施方式中，缓启动电路21包括缓启动电阻211、第一电容212以及第一金属氧化物半导体场效应管213。其中，反插保护电路1与缓启动电阻211连接，缓启动电阻211与第一电容212连接，第一电容212的负极连接至电源连接器3的负极，第一电容212的负极作为参考地，用电负载4由第一电容212拉载。第一金属氧化物半导体场效应管213的源极连接至反插保护电路1，第一金属氧化物半导体场效应管213的漏极连接至第一电容212的正极，缓启动电阻211用于控制浪涌电流。

具体的，参照图4或图5，图4和图5对应的实施例主要是反插保护电路1设计不同，热插拔保护电路2设计相同，下面首先介绍热插拔保护电路2。热插拔保护电路2由缓启动电路21和控制电路22组成，缓启动电路21又包括缓启动电阻211、第一电容212以及第一金属氧化物半导体场效应管213。其中，第一金属氧化物半导体场效应管213可以是P沟道MOSFET(MetalOxideSemiconductorField-EffectTransistor，金属氧化物半导体场效应管)。

在一些实施方式中，控制电路22包括第二金属氧化物半导体场效应管221、电压比较器222、第一分压电阻223、第二分压电阻224以及第二电容225。第一分压电阻223的一端连接至第一电容212的正极，第一分压电阻223的另一端连接至第二分压电阻224，第一分压电阻223以及第二分压电阻224组成分压电路采样第一电容212的输出电压，第一分压电阻223以及第二分压电阻224的中间点连接至电压比较器222的正输入端，电压比较器222的负输入端连接至参考电压，参考电压作为服务器主板的待机供电电压；第二电容225并联在第二分压电阻224的两端，第二金属氧化物半导体场效应管221的源极连接至参考地，第二金属氧化物半导体场效应管221的栅极连接至电压比较器222的输出端，第二金属氧化物半导体场效应管221的漏极连接至缓启动电路21。

具体的，第一分压电阻223以及第二分压电阻224组成分压电路来采样第一电容212两端的输出电压Vo，第一电容212可以选用电解电容，第二电容225可以选用滤波电容。电压比较器222的负输入端连接至参考电压Vstby，参考电压Vstby是服务器主板的待机供电电压。当第一电容212两端的电压Vo达到一定值后电压Vstby建立。第二金属氧化物半导体场效应管221可以是N沟道MOSFET。

具体的，当供电电源带电插接到服务器主板的电源连接器3时，电源连接器3的输出电压经过缓启动电阻211给第一电容212充电，缓启动电阻211起到有效控制浪涌电流的作用。其中，缓启动电阻211可以选取功率电阻也可以选取NTC(NegativeTemperatureCoefficient，负温度系数)热敏电阻。当第一电容212两端电压达到设定电压Vo1时，服务器主板的待机供电电压Vstby建立，之后当第一电容212两端电压达到设定电压Vo2时，电压比较器222的正输入电压Vo_sample等于负输入电压Vstby，电压比较器222输出由低电平翻转为高电平，此后第二金属氧化物半导体场效应管221导通，需要注意的是，Vo1<Vo2<Vo，目的是让电压Vstby先建立。当第二金属氧化物半导体场效应管221导通后控制开关第一金属氧化物半导体场效应管213的源极和栅极承受正电压，满足第一金属氧化物半导体场效应管213的导通条件。

在一些实施方式中，缓启动电路21还包括第二电阻214，第二电阻214的一端连接至第一金属氧化物半导体场效应管213的源极，第二电阻214的另一端连接至第一金属氧化物半导体场效应管213的栅极。

具体的，第二电阻214的一端连接至第一金属氧化物半导体场效应管213的源极，第二电阻214的另一端连接至第一金属氧化物半导体场效应管213的栅极。第二电阻214主要的作用在于在服务器主板下电时，为第一金属氧化物半导体场效应管213进行放电。

在一些实施方式中，缓启动电路21还包括第三电阻215，第三电阻215的一端连接至第一金属氧化物半导体场效应管213的栅极，第三电阻215的另一端连接至第二金属氧化物半导体场效应管221的漏极。

具体的，第三电阻215作为第一金属氧化物半导体场效应管213的驱动电阻，通过控制第一金属氧化物半导体场效应管213的栅源电压的上升速度，来控制第一金属氧化物半导体场效应管213导通电阻的变化，达到抑制第一金属氧化物半导体场效应管213闭合时产生的二次浪涌电流。

在一些实施方式中，控制电路22还包括第四电阻226，第四电阻226的一端连接至电压比较器222的正输入端，第四电阻226的另一端连接至电压比较器222的输出端。

具体的，为了减小输出电压Vo波动导致的电压比较器222误动作，增加滤波电容滤除电压Vo的波动，可以增加正反馈电阻，即上述第四电阻226，用于抬升采样电压Vo_sample。

在一些实施方式中，电压比较器222的输出端还连接至服务器主板的后级电源的使能脚，使能脚用于传输后级电源的使能信号。

具体的，参照图4或图5，图中的EN即使能脚，电压比较器222在输出高电平后，输出的高电平也可以作为后级电源的使能信号，通过连接至服务器主板的后级电源的使能脚，传输高电平使能信号，从而控制后级电源在第一金属氧化物半导体场效应管213导通后开始工作。

在一些实施方式中，反插保护电路1包括反插保护二极管11，反插保护二极管11的正极连接至电源连接器3的正极，反插保护二极管11的负极连接至热插拔保护电路2。

具体的，参照图4，当供电电源反插时，供电电源的正极连接到服务器主板电源连接器3的负极，反插保护二极管11将承受供电电源的反插电压，保证服务器主板不受损坏，起到反插保护的目的。同时，为了减小反插保护二极管11的损耗，应当选取低导通压降的二极管。

在一些实施方式中，反插保护电路1包括第三金属氧化物半导体场效应管121、第五电阻122、第六电阻123、第七电阻124以及第三电容125。第三金属氧化物半导体场效应管121的漏极连接至电源连接器3的负极，第三金属氧化物半导体场效应管121的源极连接至第一电容212的负极，第三金属氧化物半导体场效应管121的栅极连接至第七电阻124的一端；第五电阻122的一端连接至电源连接器3的正极，第五电阻122的另一端连接至第六电阻123的一端，第六电阻123的另一端连接至第三金属氧化物半导体场效应管121的源极，第五电阻122以及第六电阻123的中间点连接至第七电阻124的另一端，第三电容125并联在第六电阻123的两端。

具体的，由于在供电电流较大的服务器应用场景下，反插保护二极管11将会产生较大的功率损耗，为了减小该功率损耗，不同于上述使用反插保护二极管11的实施例，将反插保护二极管11替换为新的反插保护电路1来实施。参照图5，可以通过第三金属氧化物半导体场效应管121做反插保护，第三金属氧化物半导体场效应管121可以是N沟道MOSFET。当输入电压Vin建立后，经缓启动电阻211给第一电容212充电的电流流过第三金属氧化物半导体场效应管121的体二极管，当第三金属氧化物半导体场效应管121栅源电压大于此时设定的阈值电压后第三金属氧化物半导体场效应管121导通，第三金属氧化物半导体场效应管121导通后的导通电阻很小，就可以应用在输入电流较大场合下。当供电电源反插时，供电电源的正极连接到服务器主板电源连接器3的负极，第三金属氧化物半导体场效应管121截止，第三金属氧化物半导体场效应管121的体二极管承受供电电源的电压，保护服务器主板不受损坏，从而起到反插保护的目的，同时，降低了功率损耗。需要注意的是，前述设定电压Vo1、设定电压Vo2以及设定的阈值电压都可以预先设定一个标准值/经验值，也可以根据实际应用场景进行调整。

在本实施例中，能够通过缓启动电路有效抑制服务器供电电源热插拔时引起的输入浪涌电流和过冲电压，通过控制开关缓启动电路的开通和关断，可以抑制开关闭合引起的二次浪涌电流；通过控制电路结合服务器主板的待机供电电源，大大简化了辅助供电电源设计，从而更加适合服务器的应用场景，通过反插保护电路保证服务器主板不受损坏，起到反插保护的目的。能够通过缓启动电阻有效抑制服务器供电电源热插拔时引起的输入浪涌电流和过冲电压，通过可控开关结合驱动电阻抑制开关闭合引起的二次浪涌电流；能够通过反插保护二极管易于应用在对损耗要求不高的低成本的场景中，另外，能够通过第三金属氧化物半导体场效应管等组成的反插保护电路应用在对损耗较为敏感的场景中，降低功率损耗。本申请电路简单实用，能够通过使用容易获取和替代的器件来解决热插拔过程中浪涌电流过大以及供电电源正负极反插时服务器主板器件易损坏的问题，有效起到热插拔保护和反插保护的作用。

实施例二

对应上述实施例，本申请还提供了一种服务器，包括如前述实施例中的浪涌电流保护电路。

对于本申请实施例提供的服务器的介绍请参照前述的浪涌电流保护电路实施例中的相关限定，故此处不再赘述。

尽管已描述了本申请实施例中的优选实施例，但本领域内的技术人员一旦得知了基本创造性概念，则可对这些实施例作出另外的变更和修改。所以，所附权利要求意欲解释为包括优选实施例以及落入本申请实施例中范围的所有变更和修改。

显然，本领域的技术人员可以对本申请进行各种改动和变型而不脱离本申请的精神和范围。这样，倘若本申请的这些修改和变型属于本申请权利要求及其等同技术的范围之内，则本申请也意图包含这些改动和变型在内。

Claims (10)

1.一种浪涌电流保护电路，其特征在于，包括：

反插保护电路、热插拔保护电路、电源连接器以及用电负载；

其中，所述电源连接器与所述反插保护电路连接，所述反插保护电路与所述热插拔保护电路连接，所述热插拔保护电路与所述用电负载连接；

所述热插拔保护电路包括缓启动电路以及控制电路，所述控制电路用于根据采样输出电压控制所述缓启动电路的打开和关断，所述缓启动电路用于控制浪涌电流，所述电源连接器用于连接外部供电电源。

2.根据权利要求1所述的浪涌电流保护电路，其特征在于，所述缓启动电路包括缓启动电阻、第一电容以及第一金属氧化物半导体场效应管；

所述反插保护电路与所述缓启动电阻连接，所述缓启动电阻与所述第一电容连接，所述第一电容的负极连接至所述电源连接器的负极，所述第一电容的负极作为参考地，所述用电负载由所述第一电容拉载；

所述第一金属氧化物半导体场效应管的源极连接至所述反插保护电路，所述第一金属氧化物半导体场效应管的漏极连接至所述第一电容的正极，所述缓启动电阻用于控制浪涌电流。

3.根据权利要求2所述的浪涌电流保护电路，其特征在于，所述缓启动电路还包括第二电阻，所述第二电阻的一端连接至所述第一金属氧化物半导体场效应管的源极，所述第二电阻的另一端连接至所述第一金属氧化物半导体场效应管的栅极。

4.根据权利要求2所述的浪涌电流保护电路，其特征在于，所述控制电路包括第二金属氧化物半导体场效应管、电压比较器、第一分压电阻、第二分压电阻以及第二电容；

所述第一分压电阻的一端连接至所述第一电容的正极，所述第一分压电阻的另一端连接至所述第二分压电阻，所述第一分压电阻以及所述第二分压电阻组成分压电路采样所述第一电容的输出电压，所述第一分压电阻以及所述第二分压电阻的中间点连接至所述电压比较器的正输入端，所述电压比较器的负输入端连接至参考电压，所述参考电压作为服务器主板的待机供电电压；

所述第二电容并联在所述第二分压电阻的两端，所述第二金属氧化物半导体场效应管的源极连接至参考地，所述第二金属氧化物半导体场效应管的栅极连接至所述电压比较器的输出端，所述第二金属氧化物半导体场效应管的漏极连接至所述缓启动电路。

5.根据权利要求4所述的浪涌电流保护电路，其特征在于，所述缓启动电路还包括第三电阻，所述第三电阻的一端连接至所述第一金属氧化物半导体场效应管的栅极，所述第三电阻的另一端连接至所述第二金属氧化物半导体场效应管的漏极。

6.根据权利要求4所述的浪涌电流保护电路，其特征在于，所述控制电路还包括第四电阻，所述第四电阻的一端连接至所述电压比较器的正输入端，所述第四电阻的另一端连接至所述电压比较器的输出端。

7.根据权利要求4所述的浪涌电流保护电路，其特征在于，所述电压比较器的输出端还连接至服务器主板的后级电源的使能脚，所述使能脚用于传输所述后级电源的使能信号。

8.根据权利要求1所述的浪涌电流保护电路，其特征在于，所述反插保护电路包括反插保护二极管，所述反插保护二极管的正极连接至所述电源连接器的正极，所述反插保护二极管的负极连接至所述热插拔保护电路。

9.根据权利要求1所述的浪涌电流保护电路，其特征在于，所述反插保护电路包括第三金属氧化物半导体场效应管、第五电阻、第六电阻、第七电阻以及第三电容；

所述第三金属氧化物半导体场效应管的漏极连接至所述电源连接器的负极，所述第三金属氧化物半导体场效应管的源极连接至第一电容的负极，所述第三金属氧化物半导体场效应管的栅极连接至所述第七电阻的一端；

所述第五电阻的一端连接至所述电源连接器的正极，所述第五电阻的另一端连接至所述第六电阻的一端，所述第六电阻的另一端连接至所述第三金属氧化物半导体场效应管的源极，所述第五电阻以及所述第六电阻的中间点连接至所述第七电阻的另一端，所述第三电容并联在所述第六电阻的两端。

10.一种服务器，其特征在于，包括如权利要求1至9中任一项所述的浪涌电流保护电路。

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