CN116314370A - 一种异质结太阳电池及其制备方法 - Google Patents
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Abstract
本申请实施例提供一种异质结太阳电池及其制备方法，涉及新能源领域。金属种子层的制备方法包括以下步骤：取电池片，其中电池片的至少一表面设置有透明导电层，透明导电层中含有金属氧化物；金属氧化物为氧化铟、氧化锡、氧化锌、氧化锑、氧化镉中的任一种；使用电化学法在透明导电层的部分区域制备金属形核层；在金属形核层的表面电镀金属薄层，相同材质的金属薄层与金属形核层结合形成金属种子层；再以金属种子层为基础，形成金属栅线。本申请实施例的异质结太阳电池中，金属栅线和电池片之间的附着力强，有利于增大异质结太阳电池的使用寿命和转化效率，而且本申请实施例的制备方法也较为简单。
Description
技术领域
本申请涉及新能源领域，具体而言，涉及一种异质结太阳电池及其制备方法。
背景技术
异质结太阳电池是利用半导体材料的光电效应，将太阳能转换成电能的装置，其可以将用之不竭、干净无污染的太阳能转化为电能供人类使用，能部分代替化石能源。异质结太阳电池包括PERC(Passivated Emitter and Rear Cell，钝化发射极和背面电池)、以及异质结电池(Heterojunction with Intrinsic Thin film，HIT)。以HIT为例，其最早由日本三洋公司于1990年成功开发，又被称为HJT、HDT、或SHJ。HIT的主体部分是一种特殊的PN结，由非晶硅和晶体硅材料形成，属于N型电池中的一种，其光电转换效率高，拓展潜力大，工艺简单并且降本路线清晰，契合了光伏产业发展的规律，是最有潜力的下一代电池技术。
为了降低异质结电池的制备成本，一般都会采用铜代替低温银浆制备栅线电极。目前有两种制备铜栅线电极的方法，一种是需要先在透明导电薄膜上通过真空沉积的方法沉积一整面的金属种子层，然后再选择性电镀金属栅线，在金属栅线电镀完成后，再将多余的种子层腐蚀掉。另外一种是先制备图形掩模，然后在无掩膜区域真空沉积种子层和金属栅线等，最后去除掩模。但是这两种制备铜栅线的方法都较为复杂，而且两种方法都需要用到真空沉积的方式形成种子层，真空沉积对设备要求高，制作成本较为昂贵。
发明内容
本申请实施例的目的在于提供一种异质结太阳电池及其制备方法，能简化异质结太阳电池的制备难度，降低制作成本，同时也不影响金属栅线和电池片之间的附着力。
第一方面，本申请实施例提供了一种异质结太阳电池的制备方法，其包括以下步骤：取电池片，其中电池片的至少一表面设置有透明导电层(Transparent ConductiveOxide，TCO)，透明导电层中含有金属氧化物；金属氧化物为氧化铟、氧化锡、氧化锌、氧化锑、氧化镉中的任一种；使用电化学法在透明导电层的部分区域还原出金属氧化物中的金属颗粒从而形成金属形核层；在金属形核层的表面电镀金属薄层，金属薄层与金属形核层结合形成金属种子层，且金属薄层的材质和金属形核层的材质相同；在金属种子层的表面依次电镀金属阻挡层、金属传导层，金属种子层、金属阻挡层、金属传导层形成金属栅线。
在上述技术方案中，通过电化学法形成金属形核层，再在金属形核层的表面形成与金属形核层结合的金属薄层的方法被称为“两步法”，两步法能用来制备附着力好，方便形成金属栅线的金属种子层。
在两步法中，通过电化学法在透明导电层的表面还原出的金属颗粒和透明导电层之间的附着力较大，因此金属形核层也就不容易从透明导电层的表面脱落。
另外，申请人发现，在使用电化学法制备附着力好的金属形核层时，透明导电层中的金属氧化物的损耗较大，非常不利于提升异质结太阳电池的效率，同时也不利于金属栅线的后续生长。同时申请人还发现，在金属形核层的表面再电镀一层材料相同的金属薄层时，可以很好地改善甚至解决上述的问题，而且金属薄层和金属形核层的材质相同，两者之间的结合就会更为紧密。因此通过两步法制得的金属种子层，附着力可以得到很好的保证，这也更有利于提升异质结太阳电池的光电转化效率；而且相比于物理气相沉积、磁控溅射等真空制备方式金属种子层的方式，本申请实施例中制备金属种子层的方法更为简单，成本也更低。
另外，由于氧化锡、氧化铟、氧化锌、氧化锑、氧化镉之类的材料的导电性能好，透明度高，因此非常适用于作为异质结太阳电池的透明导电层。
在形成金属种子层之后，本申请会以金属种子层为基底，再电镀金属阻挡层、金属传导层之类的结构，与金属种子层一起形成异质结太阳电池的金属栅线。其中金属阻挡层能防止金属传导层中的物质向电池片扩散，以防止器件效率发生严重的下降；金属传导层能起到收集和传输电流的作用，将电池片中产生的电流收集并向外传输。
在一种可能的实现方式中，电化学法包括以下步骤：将透明导电层浸泡在电解液中。
在上述技术方案中，将透明导电层浸泡在电解液中，有利于加快反应速率。
在一种可能的实现方式中，电解液中的溶质包括柠檬酸盐、氨基磺酸盐、碳酸氢盐、醋酸盐中的至少一种；和/或，电解液的温度为18～30℃。
在上述技术方案中，电解液的温度控制在18～30℃范围内，既有利于电化学反应稳定进行，也有利于加快电化学反应的速率。
在一种可能的实现方式中，电化学法中，反应时间为10～300s；和/或，电化学法中，反应电压为1～6V。
在一种可能的实现方式中，金属薄层的厚度为0.1～10μm；和/或，金属颗粒的密度范围为2.0×107～8.0×109个/cm2；和/或，金属颗粒的尺寸为10～250nm。
在上述技术方案中，满足上述条件的金属薄层，有利于增加种子层的结合力和稳定性；满足上述条件的金属颗粒，有利于降低后续步骤的制备难度，更容易制备金属栅线。
在一种可能的实现方式中，透明导电层的厚度为75～80nm。
在上述技术方案中，满足上述条件的透明导电层既具有良好的透光性能，也具有良好的导电性，有利于提升异质结太阳电池的效率。
在一种可能的实现方式中，电镀金属薄层时，电镀液为有机磺酸盐体系；可选地，有机磺酸盐体系中含有氨基磺酸亚锡、氨基磺酸、二羟基二苯砜；和/或，电镀液温度为40～60℃；和/或，阴极电流密度为10～20A/dm2。
在一种可能的实现方式中，当金属氧化物为氧化铟时，金属氧化物中还掺杂有锡、氢、钨中的至少一种；或，当金属氧化物为氧化锡时，金属氧化物中还掺杂有氟离子、金属阳离子中的至少一种；可选地，金属阳离子包括锑、钽、铌、铋、钨、钒中的至少一种。
在上述技术方案中，为了提升透明导电层的导电性能，从而提升异质结太阳电池的光电转化效率，通常都会在金属氧化物中掺杂其它的元素或离子。
在一种可能的实现方式中，透明导电层中的金属氧化物的质量分数不小于85％。
在上述技术方案中，满足上述条件的透明导电层，其导电性能和透明度较好。
在一种可能的实现方式中，电池片还包括依次叠加设置的P型非晶硅层、本征非晶硅层、N型硅片、本征非晶硅层、N型非晶硅层，且透明导电层叠加设置在P型非晶硅层和/或N型非晶硅层的表面。
在上述技术方案中，N型硅片和本征非晶硅层之间能够形成PN结，可以将光能转化为电能，上述的电池片一般被用于制备异质结太阳电池。
在一种可能的实现方式中，金属阻挡层中主要含有钨、钴、镍、钽中的至少一种；和/或，金属传导层的材质为铜、银、铝、金中的至少一种。
在上述技术方案中，钨、钴、镍、钽之类的高熔点金属能够很好地阻止金属传导层中的物质向电池片中扩散；铜、银、铝、金之类的金属具有良好的导电性和低电阻率，用作金属传导层的材质时，能很好地减少电流的损耗。
在一种可能的实现方式中，异质结太阳电池的制备方法还包括以下步骤：在形成金属传导层之后，还在金属传导层的表面电镀金属焊接层；可选地，金属焊接层的材质为锡。
在上述技术方案中，金属焊接层一方面能对金属传导层起到保护作用，防止金属传导层被氧化；另一方面，金属焊接层还能提供焊接位点，方便将多个异质结太阳电池焊接在一起对外输送电流。
第二方面，本申请实施例提供了一种异质结太阳电池，其是由上述的制备方法制得的。
在上述技术方案中，使用上述的制备方法制得的异质结太阳电池，金属种子层和电池片之间的附着力强，金属种子层不容易从透明导电层的表面脱落，整个金属栅线也就不容易从电池片的表面脱落，这样就能延长异质结太阳电池的使用寿命，增加异质结太阳电池的效率；而且该制备方法较为简单。
附图说明
为了更清楚地说明本申请实施例的技术方案，下面将对本申请实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，应当理解，以下附图仅示出了本申请的某些实施例，因此不应被看作是对范围的限定，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他相关的附图。
图1为本申请实施例制备异质结太阳电池的工艺流程图；
图2为本申请实施例提供的异质结太阳电池的结构示意图；
图3为图2中A处的放大图；
图4为实施例1中的锡形核层的SEM图；
图5为实施例1中的金属种子层的SEM图。
图标：001-异质结太阳电池；100-金属栅线；110-金属种子层；120-金属阻挡层；130-金属传导层；140-金属焊接层；200-透明导电层；300-P型非晶硅层；400-本征非晶硅层；500-N型硅片；600-N型非晶硅层。
具体实施方式
申请人发现，目前在制备异质结太阳电池的铜栅线的过程中，都是使用物理气相沉积、磁控溅射等真空制备方式制备种子层，然后再制备铜栅线，但是这种制备方法操作较为复杂，成本较高；而且制得的种子层和电池片之间的附着力较弱，异质结太阳电池的使用寿命和光电转化效率都会受到影响。
为了解决现有技术存在的问题，申请人使用电化学法将电池片中透明导电层200中的金属离子还原成金属单质，还原出的金属单质形成金属形核层，金属形核层和透明导电层200之间的附着力较大，不容易从透明导电层200的表面脱落。
但是申请人又发现，由于在使用电化学法制备金属形核层时，透明导电层200中的金属氧化物的损耗较大，非常不利于提升异质结太阳电池001的效率，同时也不利于后续金属栅线100的生长；但是透明导电层200的厚度又不能太厚，否则会影响异质结太阳电池001的吸光率，降低异质结太阳电池001的光电转化效率。
基于此，申请人发现，在电化学法制备金属形核层后，再在金属形核层的表面电镀一层材质和金属形核层相同的金属薄层，这样即使利用电化学法在透明导电层200的表面形成了金属形核层，也基本不会影响异质结太阳电池001的效率，也不影响金属栅线100的生长。
为使本申请实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。实施例中未注明具体条件者，按照常规条件或制造商建议的条件进行。所用试剂或仪器未注明生产厂商者，均为可以通过市售购买获得的常规产品。
下面对本申请实施例的异质结太阳电池001及其制备方法，以及金属种子层110的制备方法进行具体说明。
制备异质结太阳电池001的工艺流程图如图1所示，其步骤具体如下：
S100、选取电池片：取至少一表面设置有透明导电层200的电池片，透明导电层200中含有氧化铟、氧化锡、氧化锌、氧化锑、氧化镉之类的金属氧化物。
由于氧化锡、氧化铟、氧化锌、氧化锑、氧化镉的导电性能好，透明度高，因此非常适用于作为异质结太阳电池的透明导电层；而且在实际的生产制备过程中，一般常见的都是使用氧化锡或氧化铟制备透明导电层200。作为示例性地，在本申请实施例中，电池片的上下两表面都设置有透明导电层200，整个电池片的结构从上到下包括依次堆叠设置的透明导电层200、P型非晶硅层300、本征非晶硅层400、N型硅片500、本征非晶硅层400、N型非晶硅层600、透明导电层200。这种结构的电池片制成的异质结太阳电池001就被称为异质结电池，其中本征非晶硅层400和N型硅片500之间形成能产生电流的PN结，在异质结电池中，透明导电层200的厚度需要在75～80nm的范围内，太厚会导致其本身的透光率不佳，影响电池的效率，太薄会导致电池的导电效率不佳，也会影响到电池的效率。
另外，在实际使用过程中，透明导电层200中的金属氧化物一般都会掺杂其它元素，以提升透明导电层200的导电性能；而且透明导电层200中的金属氧化物的质量分数一般不小于85％，这样整个透明导电层200的综合性能较佳，导电性能和透明度都比较好，而且这样也有利于后续快速将金属氧化物中的金属离子还原。
例如，当金属氧化物为氧化铟时，金属氧化物中还掺杂有锡、钨中的至少一种。具体地，当氧化铟掺杂锡时，就会形成ITO(Indium tin oxide，氧化铟锡)；当氧化铟掺杂钨时，就会形成IWO(Indium Tungsten oxide，氧化铟掺钨)，这些都是现有常用的导电材料，本申请在此不再赘述。
当金属氧化物为氧化锡时，金属氧化物中还掺杂有氟离子、金属阳离子中的至少一种；可选地，金属阳离子包括锑、钽、铌、铋、钨、钒中的至少一种。
虽然使用氧化铟制备的异质结太阳电池001的效率要略好于使用氧化锡制备的，但是氧化铟由于铟的价格要远大于锡，使用氧化铟作为主要原料制备透明导电层200不利于降低异质结太阳电池001的制备成本。因此作为示例性地，在本实施例中，都是以氧化锡为主要原料制备透明导电层200。
S200、制备金属形核层：使用电化学法在透明导电层200的部分区域还原出金属氧化物中的金属颗粒。
本步骤一般是将透明导电层200浸泡在电解液中，而且在浸泡之前通常会在透明导电层200上的部分区域涂覆一层掩膜，没有涂布掩膜的区域能发生反应并还原出金属颗粒，形成金属形核层；后续的金属栅线100就是在金属形核层所在的区域形成的。其中掩膜一般为光刻胶，可以通过光刻、等离子体蚀刻、激光刻蚀等方法涂覆。而且在形成金属栅线100之后，还会采用湿法腐蚀、光刻lift off、加热或激光的方式去除涂覆的掩膜；涂覆掩膜以及去除掩膜的技术在现有技术中较为常见，本申请在此不再赘述。
在本步骤中，电解液的温度为18～30℃，这样既有利于电化学反应稳定进行，也有利于加快电化学反应的速率。
另外，电化学法的反应时间为10～300s；和/或，反应电压为1～6V，这样形成的金属颗粒的密度范围一般在2.0×107～8.0×109个/cm2；和/或，金属颗粒的尺寸为10～250nm，这样有利于增加整个金属种子层110的结合力和稳定性，同时也有利于后续降低金属栅线100的制备难度。而且在电化学法还原金属氧化物的过程中，既可以使用直流电镀的方式，也可以使用脉冲式电镀等方式，作为示例性地，本实施例中均使用直流电镀的方式。
此外，在本步骤中，电解液中的溶质包括柠檬酸盐、氨基磺酸盐、碳酸氢盐、醋酸盐中的至少一种。
S300、制备金属种子层110：在金属形核层的表面电镀与金属形核层相同的金属材质，形成金属薄层，金属薄层与金属形核层结合形成金属种子层。
在金属形核层的表面再电镀一层材料相同的金属薄层时，能够对透明导电层200损失的金属氧化物进行补偿，有利于提升异质结太阳电池001的效率，同时也有利于后续金属栅线100的生长；而且相同材质的金属形核层和金属薄层之间的结合会更为紧密。
本申请实施例在电镀金属薄层时，电镀液温度为40～60℃，阴极电流密度为10～20A/dm2。而且作为示例性地，在本实施例中，电镀液为有机磺酸盐体系。
有机磺酸盐体系中一般含有40～80g/L的氨基磺酸亚锡、20～80g/L的氨基磺酸、3～7g/L的二羟基二苯砜；具体在本实施例中，氨基磺酸亚锡60g/L、氨基磺酸50g/L、二羟基二苯砜5g/L。
当然，在其它一些实施例中，电镀液也可以是碱性锡酸盐体系、硫酸盐体系等其它体系，本申请在此不再赘述。
采用上述方法得到的金属薄层，厚度一般在0.1～10μm的范围内。
需要说明的是，本申请是S200步骤和S300步骤结合才得到金属种子层110的，其中金属种子层110是金属形核层和金属薄层的结合，这种金属种子层110具有良好的附着力，这种方法被申请人称为“两步法”。采用两步法制得的金属种子层110和电池片之间具有良好的附着力，而且还能为后续的层结构的生长提供基础，方便金属栅线100的快速成形；而且两步法相比于现有的真空沉积、磁控溅射等方式，过程较为简单，对于设备的要求不高，成本较低。
S400、形成金属栅线100：在金属种子层110的表面依次电镀金属阻挡层120、金属传导层130、金属焊接层140，金属种子层110、金属阻挡层120、金属传导层130、金属焊接层140形成金属栅线100。
金属传导层130能起到收集和传输电流的作用，将电池片中产生的电流收集并向外传输；因此金属传导层130需要具有良好的导电率和较低的电阻率，材质通常为铜、银、铝、金中的至少一种；本实施例为了节约制备成本，金属传导层130的材质选用铜。
金属阻挡层120能防止金属传导层130中的物质向电池片扩散，以防止器件效率发生严重的滚降；因此金属阻挡层120的主要成分一般为高熔点的金属或合金材料，例如钨、钴、镍、钽中的至少一种。作为示例性地，本实施例中的金属阻挡层120的材质为镍。
金属焊接层140一方面能对金属传导层130起到保护作用，防止金属传导层130被氧化；另一方面还能提供焊接位点，方便将多个异质结太阳电池001焊接在一起对外输送电流。因此作为示例性地，在本实施例，金属焊接层140的材质选用锡。
采用上述制备方法制得的异质结太阳电池001的结构如图2所示，其从上到下包括依次层叠设置的透明导电层200、P型非晶硅层300、本征非晶硅层400、N型硅片500、本征非晶硅层400、N型非晶硅层600、透明导电层200，其中两个透明导电层200的表面都设置有金属栅线100，金属栅线100的结构如图3所示，其相对于电池片，由远及近包括依次叠加设置的金属焊接层140、金属传导层130、金属阻挡层120、金属种子层110，金属栅线100通过金属种子层110与透明导电层200之间形成欧姆接触。
在其它一些实施中，形成金属栅线100后还会在气体氛围下进行退火处理，以提升附着力，只是本申请在此省略了退火处理。
以下结合实施例对本申请的特征和性能作进一步的详细描述。
实施例1
本实施例提供了一种异质结太阳电池001，其是采用两步法制得的，具体的制备方法如下：
(1)选取电池片，其中电池片上下两面的最外层的层结构是材质为FTO(FTO中含有SnO2和F，两者的质量比为95：5)的透明导电层200，透明导电层200的厚度为80nm。
(2)将上下两面均涂覆有掩膜的电池片浸泡在电解液中，其中电解液中的溶质为氨基磺酸盐，电解液的温度为18℃，浸泡时间为300s，反应电压为6V。浸泡后透明导电层200的部分区域被还原，析出锡颗粒，形成锡形核层。使用SEM(Scanning ElectronMicroscope，扫描电子显微镜)测试锡形核层，其结果如图4所示，由图可知，析出的锡颗粒的密度范围为1×109个/cm2，尺寸在20～100nm之间。
(3)使用电镀的方式在锡形核层的表面沉积锡薄层，电镀液温度为40℃，阴极电流密度为20A/dm2，形成的锡薄层的厚度为1.5μm，锡薄层会和锡形核层结合，形成金属种子层110。使用SEM对金属种子层110的形貌进行测试，其结果如图5所示。由图5可知，在锡形核层的基础上电镀锡薄层形成的种子层，更有利于后续附着诸如金属阻挡层120之类的其它层结构。
(4)在金属种子层110的表面依次电镀形成金属阻挡层120、金属传导层130、金属焊接层140，金属种子层110、金属阻挡层120、金属传导层130、金属焊接层140结合形成金属栅线100。
实施例2
本实施例提供了一种异质结太阳电池001，其制备方法相比于实施例1，主要区别为：步骤(1)中，透明导电层200的材质为掺杂Sb的SnO2，且SnO2和Sb的质量比为95：5。
实施例3
本实施例提供了一种异质结太阳电池001，其制备方法相比于实施例1，主要区别为：步骤(1)中，透明导电层200的材质为掺杂Ta的SnO2，且SnO2和Ta的质量比为95：5。
实施例4
本实施例提供了一种异质结太阳电池001，其制备方法相比于实施例1，主要区别为：步骤(1)中，透明导电层200的材质为掺杂F和Sb的SnO2，且SnO2占透明导电层200质量的90％，F占透明导电层200质量的5％，Sb占透明导电层200质量的5％。
实施例5
本实施例提供了一种异质结太阳电池001，其制备方法相比于实施例1，主要区别为：N型硅片500的表面具有金字塔绒面。
对比例1
本对比例提供了一种异质结太阳电池，其制备方法相比于实施例1，主要区别为：
不含有步骤(3)，直接在锡形核层的表面依次电镀金属阻挡层、金属传导层、金属焊接层。
对比例2
本对比例提供了一种异质结太阳电池，其制备方法相比于实施例1，主要区别如下：
步骤(3)的电镀液中，使用硫酸铟替换氨基磺酸亚锡，在锡形核层的表面形成铟薄层；其中硫酸铟的浓度为50g/L。
对比例3
本对比例提供了一种异质结太阳电池，其制备方法相比于实施例1，主要具有如下区别：
采用磁控溅射的方式代替两步法制备金属种子层。
应用例
附着力测试
使用拉力测试分别对各个实施例和各个对比例的异质结太阳电池进行测试，以确定金属栅线和电池片之间的附着力，测试结果如下表所示：
表1各个实施例和对比例的附着力测试结果
| 组别 | 金属栅线100和电池片之间的附着力 |
| 实施例1 | 2N |
| 实施例2 | 1.9N |
| 实施例3 | 2.1N |
| 实施例4 | 1.9N |
| 对比例1 | 1.0N |
| 对比例2 | 0.4N |
| 对比例3 | 2.1N |
由表1可知，实施例中的金属栅线和电池片之间的附着力要远大于对比例1和对比例2中的金属栅线和电池片之间的附着力，与磁控溅射得到的异质结太阳电池相当；由此可知，采用本申请的方法制得的异质结太阳电池，金属栅线与电池片之间的结合较为紧密，能满足现有的生产需求。
电学性能测试
使用Halm测试机分别对各个实施例和各个对比例的异质结太阳电池进行电学性能测试，测试结果如下表所示：
表2各个实施例和对比例的电学性能测试结果
由表2可知，本申请实施例的异质结太阳电池相比于对比例1和2来说，光电转化效率Eta更高，电学性能更好。
综上可知，本申请使用电化学法和电镀的方式形成异质结太阳电池中的种子层时，能保证金属栅线和电池片之间具有良好的附着力，也能保证异质结太阳电池具有良好的转化效率，同时本申请的制备方法简单，成本也较低。
以上仅为本申请的实施例而已，并不用于限制本申请的保护范围，对于本领域的技术人员来说，本申请可以有各种更改和变化。凡在本申请的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本申请的保护范围之内。
Claims (13)
1.一种异质结太阳电池的制备方法，其特征在于，其包括以下步骤：
取电池片，其中所述电池片的至少一表面设置有透明导电层，所述透明导电层中含有金属氧化物；所述金属氧化物为氧化铟、氧化锡、氧化锌、氧化锑、氧化镉中的任一种；
使用电化学法在所述透明导电层的部分区域还原出所述金属氧化物中的金属颗粒从而形成金属形核层；
在所述金属形核层的表面电镀金属薄层，所述金属薄层与所述金属形核层结合形成金属种子层，且所述金属薄层的材质和所述金属形核层的材质相同；
在所述金属种子层的表面依次电镀金属阻挡层、金属传导层，所述金属种子层、所述金属阻挡层、所述金属传导层形成金属栅线。
2.根据权利要求1所述的异质结太阳电池的制备方法，其特征在于，所述电化学法包括以下步骤：
将所述透明导电层浸泡在电解液中。
3.根据权利要求2所述的异质结太阳电池的制备方法，其特征在于，所述电解液中的溶质包括柠檬酸盐、氨基磺酸盐、碳酸氢盐、醋酸盐中的至少一种；
和/或，所述电解液的温度为18～30℃。
4.根据权利要求2所述的异质结太阳电池的制备方法，其特征在于，所述电化学法中，反应时间为10～300s；
和/或，所述电化学法中，反应电压为1～6V。
5.根据权利要求1所述的异质结太阳电池的制备方法，其特征在于，所述金属薄层的厚度为0.1～10μm；
和/或，所述金属颗粒的密度范围为2.0×107～8.0×109个/cm2；
和/或，所述金属颗粒的尺寸为10～250nm。
6.根据权利要求1所述的异质结太阳电池的制备方法，其特征在于，所述透明导电层的厚度为75～80nm。
7.根据权利要求1所述的异质结太阳电池的制备方法，其特征在于，电镀所述金属薄层时，电镀液为有机磺酸盐体系；可选地，所述有机磺酸盐体系中含有氨基磺酸亚锡、氨基磺酸、二羟基二苯砜；
和/或，电镀液温度为40～60℃；
和/或，阴极电流密度为10～20A/dm2。
8.根据权利要求1所述的异质结太阳电池的制备方法，其特征在于，当所述金属氧化物为氧化铟时，所述金属氧化物中还掺杂有锡、钨中的至少一种；
或，当所述金属氧化物为氧化锡时，所述金属氧化物中还掺杂有氟离子、金属阳离子中的至少一种；可选地，所述金属阳离子包括锑、钽、铌、铋、钨、钒中的至少一种。
9.根据权利要求1或8所述的异质结太阳电池的制备方法，其特征在于，所述透明导电层中的金属氧化物的质量分数不小于85％。
10.根据权利要求1所述的异质结太阳电池的制备方法，其特征在于，所述电池片还包括依次叠加设置的P型非晶硅层、本征非晶硅层、N型硅片、本征非晶硅层、N型非晶硅层，且所述透明导电层叠加设置在所述P型非晶硅层和/或所述N型非晶硅层的表面。
11.根据权利要求1所述的异质结太阳电池的制备方法，其特征在于，所述金属阻挡层中主要含有钨、钴、镍、钽中的至少一种；
和/或，所述金属传导层的材质为铜、银、铝、金中的至少一种。
12.根据权利要求1所述的异质结太阳电池的制备方法，其特征在于，其还包括以下步骤：在形成所述金属传导层之后，还在所述金属传导层的表面电镀金属焊接层；可选地，所述金属焊接层的材质为锡。
13.一种异质结太阳电池，其特征在于，其使用权利要求1～12任一项所述的异质结太阳电池的制备方法制得。
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| CN202310167068.8A CN116314370A (zh) | 2023-02-24 | 2023-02-24 | 一种异质结太阳电池及其制备方法 |
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