CN116193918A - 显示装置及其制造方法和包括该显示装置的拼接显示装置 - Google Patents

Abstract

公开了一种显示装置、制造该显示装置的方法和包括该显示装置的拼接显示装置，所述显示装置包括：第一基底，包括第一接触孔；扇出线，在第一金属层中；第二基底，在第一金属层上，并且包括第二接触孔；连接线，在第二金属层中，并且进入连接到扇出线的第二接触孔中；薄膜晶体管，在第二金属层上的有源层和第三金属层中；以及柔性膜，在第一基底的表面上，并且进入连接到扇出线的第一接触孔中。第一接触孔在第一基底的顶表面与第一接触孔的内表面之间的蚀刻角度小于第二接触孔在扇出线的顶表面与第二接触孔的内表面之间的蚀刻角度。

Description

显示装置及其制造方法和包括该显示装置的拼接显示装置

技术领域

公开涉及显示装置、制造该显示装置的方法以及包括该显示装置的拼接显示装置。

背景技术

随着信息化社会的进步，对用于以各种方式显示图像的显示装置提出了越来越多的需求。例如，在诸如智能电话、数码相机、膝上型计算机、导航装置及智能电视的各种电子装置中采用显示装置。显示装置可以是诸如液晶显示装置、场发射显示装置和有机发光显示装置的平板显示装置。在平板显示装置之中，在发光显示装置中，由于显示面板的像素中的每个可以包括自发光的发光元件，因此可以在没有向显示面板提供光的背光单元的情况下显示图像。

在以大尺寸制造显示装置的情况下，发光元件的缺陷率会由于像素的数量的增加而增加，从而降低显示装置的生产率或可靠性。为了解决这个问题，在拼接显示装置中，可以通过连接具有相对小尺寸的显示装置来实现大尺寸屏幕。由于彼此相邻的显示装置中的每个的非显示区域或边框区域，拼接显示装置可以包括在显示装置之间的被称为接缝的边界部分。在整个屏幕上显示单个图像的情况下，显示装置之间的边界部分在整个屏幕之上给出断开的感觉，从而降低了在图像中沉浸感。

将理解的是，本背景技术部分部分地意图为理解技术提供有用的背景。然而，本背景技术部分还可以包括不作为在这里公开的主题的相应有效提交日期之前被相关领域技术人员已知或意识到的一部分的想法、构思或认知。

发明内容

公开的方面提供了一种显示装置、制造该显示装置的方法和包括该显示装置的拼接显示装置，该显示装置在形成接触孔的工艺中防止对通过穿透基底的接触孔暴露的金属层的损坏。

公开的方面还提供了一种拼接显示装置，该拼接显示装置通过防止识别显示装置之间的边界部分或非显示区域来消除显示装置之间断开的感觉并改善图像中的沉浸感。

然而，公开的方面不限于在这里阐述的那些。通过参照下文给出的公开的详细描述，对于公开内容所属领域的普通技术人员而言，公开的上述和其它方面将变得更加明显。

根据实施例，显示装置可以包括：第一基底，包括第一接触孔；扇出线，在第一基底上设置在第一金属层中；第二基底，设置在第一金属层上，并且包括第二接触孔；连接线，在第二基底上设置在第二金属层中，连接线通过第二接触孔分别电连接到扇出线；薄膜晶体管，设置在有源层和第三金属层中，第三金属层设置在第二金属层上；以及至少一个柔性膜，设置在第一基底的底表面上，至少一个柔性膜通过第一接触孔电连接到扇出线。第一接触孔在第一基底的顶表面与第一接触孔的内表面之间的蚀刻角度可以小于第二接触孔在扇出线的顶表面与第二接触孔的内表面之间的蚀刻角度。

第一接触孔的蚀刻角度可以为约10度或更小，并且第二接触孔的蚀刻角度可以为约30度或更大。

显示装置还可以包括：栅极驱动器，设置在至少一个柔性膜之中的第一柔性膜上，第一柔性膜设置在第一基底的边缘上。第一柔性膜可以通过扇出线之中的第一扇出线将从栅极驱动器接收的栅极信号供应到连接线之中的第一连接线。

第一连接线可以电连接到薄膜晶体管的设置在第三金属层中的栅电极。

至少一个柔性膜还可以包括第二柔性膜。显示装置可以包括设置在第二柔性膜上的数据驱动器，第二柔性膜设置在与第一基底的其上设置有第一柔性膜的边缘相邻的另一边缘上。第二柔性膜可以通过扇出线之中的第二扇出线将从数据驱动器接收的数据电压或电力电压供应到连接线之中的第二连接线。

第二连接线可以电连接到薄膜晶体管的设置在有源层中的漏电极。

显示装置还可以包括：电压线，设置在第二金属层中；以及连接电极，在第三金属层上设置在第四金属层中。连接电极的一端可以电连接到电压线，并且连接电极的另一端可以电连接到薄膜晶体管。

根据实施例，拼接显示装置可以包括第一显示装置和第二显示装置，第一显示装置和第二显示装置彼此相邻，第一显示装置和第二显示装置均可以包括具有像素的显示区域和与显示区域相邻的非显示区域；以及结合部分，将第一显示装置结合到第二显示装置。第一显示装置和第二显示装置均可以包括：第一基底，包括第一接触孔；扇出线，在第一基底上设置在第一金属层中；第二基底，设置在第一金属层上，并且包括第二接触孔；连接线，在第二基底上设置在第二金属层中，连接线通过第二接触孔电连接到扇出线；薄膜晶体管，设置在有源层和第三金属层中，第三金属层设置在第二金属层上；以及柔性膜，设置在第一基底的底表面上，柔性膜通过第一接触孔电连接到扇出线。柔性膜的一端可以电连接到第一显示装置的扇出线，并且柔性膜的另一端可以电连接到第二显示装置的扇出线。

第一接触孔在第一基底的顶表面与第一接触孔的内表面之间的蚀刻角度可以小于第二接触孔在扇出线的顶表面与第二接触孔的内表面之间的蚀刻角度。

第一接触孔的蚀刻角度可以为约10度或更小，并且第二接触孔的蚀刻角度可以为约30度或更大。

柔性膜的至少一部分可以在厚度方向上与结合部分叠置。

第一显示装置可以包括设置在第一基底的底表面上的栅极驱动器或数据驱动器。第二显示装置可以通过柔性膜接收栅极驱动器的栅极信号或数据驱动器的数据电压。

根据实施例，一种制造显示装置的方法可以包括：提供第一基底；形成设置在第一基底上的扇出线；在扇出线上形成第二基底；在第二基底上堆叠显示层；通过第一蚀刻工艺对第一基底的表面进行蚀刻并形成第一基底的残留层；通过第二蚀刻工艺对第一基底的残留层进行蚀刻以形成第一基底的第一接触孔；以及将柔性膜插入到第一接触孔中以将柔性膜电连接到扇出线。第一接触孔在第一基底的顶表面与第一接触孔的内表面之间的蚀刻角度可以为约10度或更小。

第一蚀刻工艺可以是使用蚀刻气体的大气压等离子体工艺，所述蚀刻气体相对于总气体以约5％或更多的比例包含氟(F)自由基。

第一蚀刻工艺可以是使用包含三氟化氮(NF₃)、四氟化碳(CF₄)、氟甲烷(CH₃F)和二氟甲烷(CH₂F₂)中的至少一种的蚀刻气体的大气压等离子体工艺。

第二蚀刻工艺可以是使用不包含氟(F)自由基的蚀刻气体的大气压等离子体工艺。

第一蚀刻工艺可以是激光蚀刻工艺，并且第二蚀刻工艺可以是使用不包含氟(F)自由基的蚀刻气体的大气压等离子体工艺。

形成第一基底的残留层的步骤可以包括形成具有第一基底厚度的约30％或更小的厚度的残留层。

第二蚀刻工艺的蚀刻速率可以为第一蚀刻工艺的蚀刻速率的约1/6或更小。

形成第二基底的步骤可以包括形成穿透第二基底的第二接触孔。堆叠显示层的步骤可以包括将设置在第二基底上的连接线形成到第二接触孔中。第一接触孔的蚀刻角度可以小于第二接触孔在扇出线的顶表面与第二接触孔的内表面之间的蚀刻角度。

按照根据实施例的显示装置、制造该显示装置的方法和包括该显示装置的拼接显示装置，通过具有不同蚀刻速率的两道蚀刻工艺形成穿透基底的接触孔，使得防止对通过接触孔暴露的金属层的损坏，并且通过促进金属层与连接膜之间的接触来确保可靠性。

按照根据实施例的显示装置、制造该显示装置的方法和包括该显示装置的拼接显示装置，通过将设置在基底下面或下方的栅极驱动器或数据驱动器电连接到设置在基底上的扇出线，可以使显示装置的非显示区域的面积最小化。因此，在拼接显示装置中，通过使显示装置之间的间隙最小化，可以防止用户识别显示装置之间的边界部分或非显示区域。

然而，公开的效果不限于上述效果，并且各种其它效果包括在说明书中。

附图说明

通过参照附图详细描述公开的实施例，公开的上述和其它方面和特征将变得更加明显，在附图中：

图1是示出根据一个实施例的拼接显示装置的示意性平面图；

图2是沿着图1的线I-I'截取的示意性剖视图；

图3是沿着图1的线II-II'截取的示意性剖视图；

图4是示出根据一个实施例的显示装置的仰视图；

图5是沿着图1的线III-III'截取的示意性剖视图；

图6是图5的区域A1的放大视图；以及

图7至图14是示出根据一个实施例的制造显示装置的工艺的示意性剖视图。

具体实施方式

在以下的描述中，为了解释的目的，阐述了许多细节，以提供对公开的各种实施例或实施方式的透彻理解。如在这里使用的“实施例”和“实施方式”是可互换的词语，其是采用在这里公开的系统、设备、方法等中的一个或更多个的装置或方法的非限制性示例。然而，明显的是，可以在没有这些细节或具有一个或更多个等同布置的情况下实践各种实施例。在其它情况下，可以根据需要以框图形式示出结构和装置，以避免使各种实施例不必要地模糊。此外，各种实施例可以与在这里所阐述的不同，并且公开的实施方式不必限于在这里阐述的实施例。例如，在不脱离公开的情况下，实施例的形状、配置和特性可以在其它实施例中使用或实施。

除非另外说明，否则示出的实施例表示可以实践公开的一种或多种方式。因此，除非另外说明，否则在不脱离公开的情况下，各种实施例的特征、组件、模块、层、膜、面板、区域和/或方面等(在下文中单独地或统一地称为“元件”)可以另外组合、分离、互换和/或重新布置。

通常在附图中提供交叉影线和/或阴影的使用，以使相邻元件之间的边界清晰。如此，除非说明，否则交叉影线或阴影的存在或不存在都不传达或指示对元件的具体材料、材料性质、尺寸、比例、示出的元件之间的共性和/或任何其它特性、属性、性质等的任何偏好或要求。

此外，在附图中，虽然为了清楚和/或描述性的目的，可以夸大元件的形状、角度、厚度和相对尺寸，但是应当理解的是，包括各种示出的元件的形状、角度、厚度和相对尺寸的每个附图可以表示可以如何实施公开的至少一个具体示例。在可以不同地实施实施例的情况下，可以与所描述的顺序不同地执行具体的工艺顺序。例如，可以基本上同时执行或者以与描述的顺序相反的顺序执行两个连续描述的工艺。此外，贯穿说明书和附图，同样的附图标记可以表示同样的元件。

在元件或层被称为“在”另一元件或层“上”、“连接到”或“结合到”另一元件或层的情况下，该元件或层可以直接在所述另一元件或层上、直接连接到或直接结合到所述另一元件或层，或者可以存在中间元件或层。然而，在元件或层被称为“直接在”另一元件或层“上”、“直接连接到”或“直接结合到”另一元件或层的情况下，不存在中间元件或层。如在这里使用的，术语“连接”可以指在具有或不具有中间元件的情况下的物理连接、电连接和/或流体连接。

此外，X轴、Y轴和Z轴不必限于直角坐标系的三个轴，因此X轴、Y轴和Z轴可以以更广泛地意义来解释。例如，X轴、Y轴和Z轴可以彼此垂直，或者可以表示彼此不垂直的不同方向。

尽管术语“第一”、“第二”等可以在这里用于描述各种类型的元件，但是这些元件应当不必受这些术语的限制。这些术语用于将一个元件与另一元件区分开。因此，下面讨论的第一元件可以被命名为第二元件而不脱离公开的教导。

用于描述的目的，可以在这里使用诸如“在……之下”、“在……下方”、“在……下面”、“下”、“在……上方”、“上”、“在……之上”、“更/较高”、“侧”(例如，如在“侧壁”中)等的空间相对术语，从而描述如附图中所示的一个元件与另一元件的关系。空间相对术语除了包括在附图中描绘的方位之外，还意图包括设备在使用、操作和/或制造中的不同方位。例如，如果翻转附图中的装置，则被描述为“在”其它元件或特征“下方”或“之下”的元件随后将被定向为“在”其它元件或特征“上方”。因此，术语“在……下方”可以包括上方和下方两种方位。此外，设备可以被另外定向(例如，旋转90度或在其它方位处)，并且如此，应当相应地解释在这里使用的空间相对描述语。

术语“与……叠置”或“叠置的”意指第一对象可以在第二对象上方或下方或一侧，反之亦然。另外，术语“与……叠置”可以包括层叠、堆叠、面向或面对、在……之上延伸、覆盖或部分覆盖或者如本领域普通技术人员将领会和理解的任何其它合适的术语。

当元件被描述为“与”另一元件“不叠置”或其变型时，这可以包括元件彼此间隔开、彼此偏移或彼此分开或者如本领域普通技术人员将领会和理解的任何其它合适的术语。

术语“面向”和“面对”意指第一元件可以直接或间接地与第二元件相对。在第三元件置于第一元件与第二元件之间的情况下，第一元件和第二元件可以被理解为彼此间接相对，但是仍然彼此面对。

如在这里使用的，除非上下文另外清楚地指出，否则单数形式“一”、“一个(种/者)”和“所述(该)”意图也包括复数形式。

在说明书和权利要求书中，出于其意思和解释的目的，术语“和/或”意图包括术语“和”和“或”的任何组合。例如，“A和/或B”可以被理解为意指“A、B或者A和B”。术语“和”以及“或”可以以合取含义或析取含义使用，并且可以被理解为等同于“和/或”。

在说明书和权利要求书中，出于其意思和解释的目的，短语“……中的至少一个(种/者)”意图包括“选自……的组中的至少一个(种/者)”的意思。例如，“A和B中的至少一个(种/者)”可以被理解为意指“A、B或者A和B”。

此外，当术语“包含”、“包括”、“具有”和/或其变型用在本说明书中时，说明存在所陈述的特征、整体、步骤、操作、元件、组件和/或它们的组，但不排除存在或添加一个或更多个其它特征、整体、步骤、操作、元件、组件和/或它们的组。还注意的是，如在这里使用的，术语“基本上”、“大约(约)”和其它类似术语被用作近似术语而不用作程度术语，因此被用来解释将由本领域普通技术人员认识到的测量值、计算值和/或提供值的固有偏差。例如，“大约(约)”可以意指在一个或更多个标准偏差内，或者在所陈述的值的±30％、±20％、±10％、±5％内。

在这里可以参照作为理想化实施例和/或中间结构的示意性图示的剖视图和/或分解图来描述各种实施例。如此，可以存在例如由制造技术和/或公差引起的图示的形状的变化。因此，在这里公开的实施例不应被解释为局限于具体示出的区域的形状，而是将包括例如由制造引起的形状偏差。以这种方式，附图中示出的区域本质上可以是示意性的，并且这些区域的形状可以不反映装置的区域的实际形状。然而，将理解的是，上述陈述都不应被解释为意指附图未示出实际的公开的实施例，并且实际上各种形状、角度、厚度、相对尺寸等实际上意指表示公开的至少一个实施例，因此所示的几何关系可以被视为公开公开的示例实施例。注意的是，公开不必限于所示的布置，并且变型将被理解为落入公开的范围内。

作为本领域的惯例，根据功能块、单元、部件和/或模块描述并在附图中示出了一些实施例。本领域技术人员将理解的是，这些块、单元、部件和/或模块通过可以使用基于半导体的制造技术或其他制造技术而形成的电子(或光学)电路(诸如逻辑电路、分立组件、微处理器、硬布线电路、存储器元件、布线连接等)物理地实现。在由微处理器或其他类似硬件来实现所述块、单元、部件和/或模块的情况下，可以使用软件(例如，微代码)对它们进行编程和控制以执行在这里讨论的各种功能，并且可以可选地由固件和/或软件来对它们进行驱动。还可以预期的是，每个块、单元、部件和/或模块可以由专用硬件来实现，或者实现为执行一些功能的专用硬件和执行其他功能的处理器(例如，一个或更多个编程的微处理器和关联电路)的组合。此外，在不脱离公开的范围的情况下，一些实施例的每个块、单元、部件和/或模块可以物理地分成两个或更多个交互且分立的块、单元、部件和/或模块。此外，在不脱离公开的范围的情况下，一些实施例的块、单元、部件和/或模块可以被物理地组合成更复杂的块、单元、部件和/或模块。

除非在这里另外定义或暗示，否则在这里使用的所有术语(包括技术和科学术语)具有与公开所属领域的普通技术人员通常理解的意思相同的意思。还将理解的是，术语(诸如在通用词典中定义的术语)应当被解释为具有与它们在相关领域的背景下的意思一致的意思，并且将不以理想化或过于形式化的含义来解释，除非在这里中明确地如此定义。

在下文中，将参照附图描述详细实施例。

图1是示出根据一个实施例的拼接显示装置的示意性平面图。

参照图1，拼接显示装置TD可以包括显示装置10。显示装置10可以以网格形式布置或设置，但不限于此。显示装置10可以在第一方向(X轴方向)或第二方向(Y轴方向)上连接，并且拼接显示装置TD可以具有特定的形状。例如，显示装置10可以具有相同的尺寸，但不限于此。又例如，显示装置10可以具有不同的尺寸。

拼接显示装置TD可以包括第一显示装置10-1至第四显示装置10-4。显示装置10的数量和连接关系不限于图1的实施例。显示装置10的数量可以根据显示装置10和拼接显示装置TD中的每个的尺寸来确定。

显示装置10中的每个可以具有包括长边和短边的矩形形状。显示装置10可以布置或设置为使得其长边或短边彼此连接。一些或多个显示装置10可以设置在拼接显示装置TD的边缘处，以形成拼接显示装置TD的一个侧部或一侧。另一些或多个显示装置10可以设置在拼接显示装置TD的拐角处，以形成拼接显示装置TD的两个相邻侧部。另一些或多个显示装置10可以设置在拼接显示装置TD的内侧，并且可以被其它显示装置10围绕。

显示装置10中的每个可以包括显示区域DA和非显示区域NDA。显示区域DA可以包括用于显示图像的像素。像素中的每个可以包括包含有机发光层的有机发光二极管、微型LED、包含量子点发光层的量子点发光二极管或包含无机半导体的无机发光元件。在下文中，将描述像素中的每个可以包括无机发光元件的情况，但公开不限于此。非显示区域NDA可以设置在显示区域DA周围以围绕显示区域DA或与显示区域DA相邻，并且可以不显示图像。

显示装置10可以包括在显示区域DA中沿着行和列布置或设置的像素。像素中的每个可以包括由像素限定层或堤限定的发射区域LA，并且可以通过发射区域LA发射具有峰值波长的光。例如，显示装置10的显示区域DA可以包括第一发射区域至第三发射区域LA1、LA2和LA3。第一发射区域至第三发射区域LA1、LA2和LA3中的每个可以是其中从显示装置10的发光元件产生的光发射到显示装置10的外部的区域。

第一发射区域至第三发射区域LA1、LA2和LA3可以将具有峰值波长的光发射到显示装置10的外部。第一发射区域LA1可以发射第一颜色的光，第二发射区域LA2可以发射第二颜色的光，第三发射区域LA3可以发射第三颜色的光。例如，第一颜色光可以是具有在从约610nm至约650nm的范围内的峰值波长的红光，第二颜色光可以是具有在从约510nm至约550nm的范围内的峰值波长的绿光，第三颜色光可以是具有在从约440nm至约480nm的范围内的峰值波长的蓝光，但公开不限于此。

第一发射区域至第三发射区域LA1、LA2和LA3可以在显示区域DA中在第一方向(X轴方向)上顺序地布置或重复地设置。例如，第三发射区域LA3的尺寸可以大于第一发射区域LA1的尺寸，第一发射区域LA1的尺寸可以大于第二发射区域LA2的尺寸。然而，公开不限于此。又例如，第一发射区域LA1、第二发射区域LA2和第三发射区域LA3在尺寸方面可以基本上相同。

显示装置10的显示区域DA可以包括围绕发射区域LA的光阻挡区域BA。光阻挡区域BA可以防止从第一发射区域至第三发射区域LA1、LA2和LA3发射的彩色光彼此混合。

拼接显示装置TD可以整体上具有平面形状，但不限于此。拼接显示装置TD可以具有三维形状以向用户提供三维效果。例如，在拼接显示装置TD具有三维形状的情况下，显示装置10中的至少一些或多个显示装置10可以具有弯曲的形状。又例如，显示装置10均可以具有平面形状，并且可以以一定角度彼此连接，使得拼接显示装置TD可以具有三维形状。

拼接显示装置TD可以包括设置在显示区域DA之间的结合区域SM。可以通过连接相邻的显示装置10的非显示区域NDA来形成拼接显示装置TD。显示装置10可以通过设置在结合区域SM中的结合部分或粘合构件彼此连接。显示装置10的结合区域SM中的每个可以不包括垫(pad，也被称为“焊盘”)构件或附着到垫构件的柔性膜。因此，显示装置10的显示区域DA之间的距离可以足够小，使得显示装置10之间的结合区域SM不被用户识别。显示装置10的显示区域DA的外部光的反射率可以与显示装置10之间的结合区域SM的外部光的反射率基本上相同。因此，在拼接显示装置TD中，可以防止显示装置10之间的结合区域SM被用户识别，从而减少显示装置10之间的断开的感觉并改善图像中沉浸感。

图2是沿着图1的线I-I'截取的示意性剖视图。

参照图2，显示装置10的显示区域DA可以包括第一发射区域至第三发射区域LA1、LA2和LA3。第一发射区域至第三发射区域LA1、LA2和LA3中的每个可以是其中从显示装置10的发光元件ED产生的光发射到显示装置10的外部的区域。

显示装置10可以包括第一基底SUB1、第一阻挡绝缘层BIL1、第一金属层MTL1、第二阻挡绝缘层BIL2、第二基底SUB2、第三阻挡绝缘层BIL3、显示层DPL、封装层TFE、抗反射膜ARF、第一柔性膜FPCB1和栅极驱动器GIC。

第一基底SUB1可以支撑显示装置10。第一基底SUB1可以是基体基底或基体构件。第一基底SUB1可以是可以弯曲的、折叠的或卷曲的柔性基底。例如，第一基底SUB1可以包括诸如聚合物树脂(诸如聚酰亚胺(PI))的绝缘材料，但公开不限于此。作为另一示例，第一基底SUB1可以是包括玻璃材料的刚性基底。

第一基底SUB1可以包括第一接触孔CNT1。第一接触孔CNT1可以从第一基底SUB1的底表面蚀刻以穿透第一基底SUB1的顶表面。例如，第一接触孔CNT1的下宽度可以大于第一接触孔CNT1的上宽度。在显示装置10的制造工艺中，第一扇出线FOL1的插入到第二接触孔CNT2中的底表面可以通过第一接触孔CNT1暴露，并且第一扇出线FOL1可以通过插入到第一接触孔CNT1中的连接膜ACF电连接到第一柔性膜FPCB1的引线电极LDE。

第一阻挡绝缘层BIL1可以设置在第一基底SUB1上。第一阻挡绝缘层BIL1可以包括防止空气或湿气的渗透的无机层。例如，第一阻挡绝缘层BIL1可以包括氮化硅层、氮氧化硅层、氧化硅层、氧化钛层、氧化铝层和非晶硅层中的至少一种，但公开不限于此。

第一阻挡绝缘层BIL1可以包括第二接触孔CNT2。可以从第一阻挡绝缘层BIL1的顶表面蚀刻第二接触孔CNT2以穿透第一阻挡绝缘层BIL1的底表面。例如，第二接触孔CNT2的上宽度可以大于第二接触孔CNT2的下宽度。

第一金属层MTL1可以设置在第一阻挡绝缘层BIL1上。第一金属层MTL1可以包括第一扇出线FOL1。例如，第一金属层MTL1可以形成为包括钼(Mo)、铝(Al)、铬(Cr)、金(Au)、银(Ag)、钛(Ti)、镍(Ni)、钯(Pd)、铟(In)、钕(Nd)和铜(Cu)中的至少一种的单层或多层。

第一扇出线FOL1可以将第一柔性膜FPCB1电连接到第一连接线CWL1。第一扇出线FOL1可以通过连接膜ACF电连接到第一柔性膜FPCB1。第一扇出线FOL1可以通过第一连接线CWL1电连接到栅极线。栅极线可以连接到薄膜晶体管TFT的栅电极GE。因此，第一扇出线FOL1可以通过第一连接线CWL1将从第一柔性膜FPCB1的栅极驱动器GIC接收的栅极信号供应到像素的薄膜晶体管TFT。显示装置10可以包括设置在显示区域DA中的第一扇出线FOL1，使得非显示区域NDA的面积可以最小化。

第二阻挡绝缘层BIL2可以设置在第一阻挡绝缘层BIL1和第一金属层MTL1上。第二阻挡绝缘层BIL2可以包括防止空气或湿气的渗透的无机层。例如，第二阻挡绝缘层BIL2可以包括氮化硅层、氮氧化硅层、氧化硅层、氧化钛层、氧化铝层和非晶硅层中的至少一种，但公开不限于此。

第二基底SUB2可以设置在第二阻挡绝缘层BIL2上。第二基底SUB2可以是基体基底或基体构件。第二基底SUB2可以是可以弯曲的、折叠的或卷曲的柔性基底。例如，第二基底SUB2可以包括诸如聚合物树脂(诸如聚酰亚胺(PI))的绝缘材料，但公开不限于此。

第三阻挡绝缘层BIL3可以设置在第二基底SUB2上。第三阻挡绝缘层BIL3可以包括防止空气或湿气的渗透的无机层。例如，第三阻挡绝缘层BIL3可以包括氮化硅层、氮氧化硅层、氧化硅层、氧化钛层、氧化铝层和非晶硅层中的至少一种，但公开不限于此。

第三阻挡绝缘层BIL3、第二基底SUB2和第二阻挡绝缘层BIL2可以包括第三接触孔CNT3。可以从第三阻挡绝缘层BIL3的顶表面蚀刻第三接触孔CNT3以穿透第二阻挡绝缘层BIL2的底表面。例如，第三接触孔CNT3的上宽度可以大于第三接触孔CNT3的下宽度。在显示装置10的制造工艺中，第一扇出线FOL1的顶表面可以通过第三接触孔CNT3暴露，并且第一扇出线FOL1可以与插入到第三接触孔CNT3中的第一连接线CWL1接触。

显示层DPL可以设置在第三阻挡绝缘层BIL3上。显示层DPL可以包括薄膜晶体管层TFTL、发光元件层EML、波长转换层WLCL和滤色器层CFL。薄膜晶体管层TFTL可以包括第二金属层MTL2、缓冲层BF、有源层ACTL、栅极绝缘层GI、第三金属层MTL3、层间绝缘层ILD、第四金属层MTL4、第一钝化层PV1和第一平坦化层OC1。

第二金属层MTL2可以设置在第三阻挡绝缘层BIL3上。第二金属层MTL2可以包括第一连接线CWL1以及第一电压线VL1和第二电压线VL2。第一连接线CWL1以及第一电压线VL1和第二电压线VL2可以在同一层中由相同的材料或类似的材料形成，但公开不限于此。例如，第二金属层MTL2可以形成为包括钼(Mo)、铝(Al)、铬(Cr)、金(Au)、银(Ag)、钛(Ti)、镍(Ni)、钯(Pd)、铟(In)、钕(Nd)和铜(Cu)中的至少一种的单层或多层。

第一连接线CWL1可以插入到第三接触孔CNT3中以连接到第一扇出线FOL1。例如，第一连接线CWL1可以连接到栅极线，以将栅极信号供应到薄膜晶体管TFT的栅电极GE。因此，第一连接线CWL1可以通过第一扇出线FOL1将从栅极驱动器GIC接收的栅极信号供应到像素的薄膜晶体管TFT。

第一电压线VL1和第二电压线VL2可以在显示区域DA中在第二方向(Y轴方向)上延伸。第一电压线VL1和第二电压线VL2中的每个可以电连接到薄膜晶体管TFT或发光元件ED。例如，第一电压线VL1和第二电压线VL2中的每个可以是数据线、驱动电压线、低电位线或初始化电压线，但不限于此。

缓冲层BF可以设置在第二金属层MTL2和第三阻挡绝缘层BIL3上。缓冲层BF可以包括防止空气或湿气的渗透的无机材料。例如，缓冲层BF可以包括彼此交替层压的无机层。

有源层ACTL可以设置在缓冲层BF上。有源层ACTL可以包括薄膜晶体管TFT的半导体区域ACT、漏电极DE和源电极SE。半导体区域ACT可以在厚度方向(Z轴方向)上与栅电极GE叠置，并且可以通过栅极绝缘层GI与栅电极GE绝缘。可以通过使半导体区域ACT的材料导电来提供漏电极DE和源电极SE。薄膜晶体管TFT可以构成像素中的每个的像素电路。例如，薄膜晶体管TFT可以是像素电路的开关晶体管或驱动晶体管。

栅极绝缘层GI可以设置在有源层ACTL和缓冲层BF上。栅极绝缘层GI可以使栅电极GE与薄膜晶体管TFT的半导体区域ACT绝缘。栅极绝缘层GI可以包括第一连接电极CNE1和第二连接电极CNE2中的每个所穿过的接触孔。

第三金属层MTL3可以设置在栅极绝缘层GI上。第三金属层MTL3可以包括薄膜晶体管TFT的栅电极GE。栅电极GE可以与半导体区域ACT叠置，并且栅极绝缘层GI置于栅电极GE与半导体区域ACT之间。栅电极GE可以从栅极线接收栅极信号。例如，第三金属层MTL3可以形成为包括钼(Mo)、铝(Al)、铬(Cr)、金(Au)、银(Ag)、钛(Ti)、镍(Ni)、钯(Pd)、铟(In)、钕(Nd)和铜(Cu)中的至少一种的单层或多层。

层间绝缘层ILD可以设置在第三金属层MTL3上。层间绝缘层ILD可以使第三金属层MTL3和第四金属层MTL4绝缘。层间绝缘层ILD可以包括第一连接电极CNE1和第二连接电极CNE2中的每个所穿过的接触孔。

第四金属层MTL4可以设置在层间绝缘层ILD上。第四金属层MTL4可以包括第一连接电极CNE1和第二连接电极CNE2。第一连接电极CNE1和第二连接电极CNE2可以在同一层中由相同的材料或类似的材料形成，但公开不限于此。例如，第四金属层MTL4可以形成为包括钼(Mo)、铝(Al)、铬(Cr)、金(Au)、银(Ag)、钛(Ti)、镍(Ni)、钯(Pd)、铟(In)、钕(Nd)和铜(Cu)中的至少一种的单层或多层。

第一连接电极CNE1可以将第一电压线VL1连接到薄膜晶体管TFT的漏电极DE。第一连接电极CNE1的一个端部或一端可以与第二金属层MTL2的第一电压线VL1接触，并且第一连接电极CNE1的另一端部或另一端可以与有源层ACTL的漏电极DE接触。

第二连接电极CNE2可以将薄膜晶体管TFT的源电极SE连接到第一电极RME1。第二连接电极CNE2可以通过设置在层间绝缘层ILD和栅极绝缘层GI中的接触孔与源电极SE接触。

第一钝化层PV1可以设置在第四金属层MTL4和层间绝缘层ILD上。第一钝化层PV1可以保护薄膜晶体管TFT。第一钝化层PV1可以包括第一电极RME1所穿过的接触孔。

第一平坦化层OC1可以设置在第一钝化层PV1上以使薄膜晶体管层TFTL的上端平坦化。例如，第一平坦化层OC1可以包括第一电极RME1所穿过的接触孔。这里，第一平坦化层OC1的接触孔可以连接到第一钝化层PV1的接触孔。第一平坦化层OC1可以包含诸如聚酰亚胺(PI)的有机绝缘材料。

发光元件层EML可以设置在薄膜晶体管层TFTL上。发光元件层EML可以包括突出图案BP、第一电极RME1、第二电极RME2、第一绝缘层PAS1、子堤SB、发光元件ED、第二绝缘层PAS2、第一接触电极CTE1、第二接触电极CTE2和第三绝缘层PAS3。

突出图案BP可以设置在第一平坦化层OC1上。突出图案BP可以从第一平坦化层OC1的顶表面突出。突出图案BP可以设置在像素中的每个的开口区域或发射区域LA中。发光元件ED可以布置或设置在突出图案BP之间。突出图案BP可以具有倾斜的侧表面，并且从发光元件ED发射的光可以被布置或设置在突出图案BP上的第一电极RME1和第二电极RME2反射。例如，突出图案BP可以包括诸如聚酰亚胺(PI)的有机绝缘材料。

第一电极RME1可以设置在第一平坦化层OC1和突出图案BP上。第一电极RME1可以设置在位于或设置在发光元件ED的一个侧面或一侧的突出图案BP上。第一电极RME1可以设置在突出图案BP的倾斜表面上，并且反射从发光元件ED发射的光。第一电极RME1可以插入设置在第一平坦化层OC1和第一钝化层PV1中的接触孔中，并且连接到第二连接电极CNE2。第一电极RME1可以通过第一接触电极CTE1电连接到发光元件ED的一个端部或一端。例如，第一电极RME1可以从像素的薄膜晶体管TFT接收与发光元件ED的亮度成比例的电压。

第二电极RME2可以设置在第一平坦化层OC1和突出图案BP上。第二电极RME2可以设置在位于或设置在发光元件ED的另一侧面或另一侧的突出图案BP上。第二电极RME2可以设置在突出图案BP的倾斜表面上，并且反射从发光元件ED发射的光。第二电极RME2可以通过第二接触电极CTE2电连接到发光元件ED的另一端部。例如，第二电极RME2可以接收从低电位线供应到所有像素的低电位电压。

第一电极RME1和第二电极RME2可以包含具有高反射率的导电材料。例如，第一电极RME1和第二电极RME2可以包含铝(Al)、银(Ag)、铜(Cu)、镍(Ni)和镧(La)中的至少一种。又例如，第一电极RME1和第二电极RME2可以包括诸如氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)和氧化铟锡锌(ITZO)的材料。在另一示例中，第一电极RME1和第二电极RME2可以包含包括透明导电材料层和具有高反射率的金属层的层，或者可以包括包含透明导电材料或具有高反射率的金属的一个层或一层。在公开的精神和范围内，第一电极RME1和第二电极RME2可以具有ITO/Ag/ITO、ITO/Ag/IZO、ITO/Ag/ITZO/IZO等的堆叠结构。

第一绝缘层PAS1可以设置在第一平坦化层OC1以及第一电极RME1和第二电极RME2上。第一绝缘层PAS1可以使第一电极RME1和第二电极RME2彼此保护和绝缘。第一绝缘层PAS1可以防止在发光元件ED的对准工艺中由发光元件ED与第一电极RME1和第二电极RME2之间的直接接触引起的损坏。

子堤SB可以在第一绝缘层PAS1上设置在光阻挡区域BA中。子堤SB可以设置在像素的边界处，以区分像素中的每个的发光元件ED。子堤SB可以具有高度，并且可以包含诸如聚酰亚胺(PI)的有机绝缘材料。

发光元件ED可以布置或设置在第一绝缘层PAS1上。发光元件ED可以在第一电极RME1与第二电极RME2之间彼此平行地布置或设置。发光元件ED的长度可以大于第一电极RME1与第二电极RME2之间的长度。发光元件ED可以包括半导体层，并且可以相对于任何一个半导体层限定一个端部或一端以及与所述一个端部或一端相对的另一端部或另一端。发光元件ED的一个端部或一端可以设置在第一电极RME1上，并且发光元件ED的另一端部或另一端可以设置在第二电极RME2上。发光元件ED的一个端部或一端可以通过第一接触电极CTE1电连接到第一电极RME1，并且发光元件ED的另一端部可以通过第二接触电极CTE2电连接到第二电极RME2。

发光元件ED可以具有微米尺寸或纳米尺寸，并且可以是包括无机材料的无机发光二极管。无机发光二极管可以通过在第一电极RME1与第二电极RME2之间在特定或给定方向上形成的电场而在彼此面对的第一电极RME1与第二电极RME2之间对准。

例如，发光元件ED可以包括具有相同材料或类似材料的活性层，并且发射相同波段的光或相同颜色的光。从发光元件层EML的第一发射区域至第三发射区域LA1、LA2和LA3发射的光可以具有相同的颜色。例如，发光元件ED可以发射具有在约440nm至约480nm的范围内的峰值波长的第三颜色的光或蓝光，但公开不限于此。

第二绝缘层PAS2可以设置在发光元件ED上。例如，第二绝缘层PAS2可以部分地围绕发光元件ED，并且可以不覆盖发光元件ED的两端或不与发光元件ED的两端叠置。第二绝缘层PAS2可以保护发光元件ED，并且可以在显示装置10的制造工艺中固定发光元件ED。第二绝缘层PAS2可以填充发光元件ED与第一绝缘层PAS1之间的空间。

第一接触电极CTE1可以设置在第一绝缘层PAS1上，并且可以在插入设置在第一绝缘层PAS1中的接触孔中的同时连接到第一电极RME1。例如，第一绝缘层PAS1的接触孔可以设置在突出图案BP上，但公开不限于此。第一接触电极CTE1的一个端部或一端可以连接到突出图案BP上的第一电极RME1，并且第一接触电极CTE1的另一端部或另一端可以连接到发光元件ED的一个端部或一端。

第二接触电极CTE2可以设置在第一绝缘层PAS1上，并且可以在插入设置在第一绝缘层PAS1中的接触孔中的同时连接到第二电极RME2。例如，第一绝缘层PAS1的接触孔可以设置在突出图案BP上，但公开不限于此。第二接触电极CTE2的一个端部或一端可以连接到发光元件ED的另一端部，并且第二接触电极CTE2的另一端部或另一端可以连接到突出图案BP上的第二电极RME2。

第三绝缘层PAS3可以设置在第一接触电极CTE1和第二接触电极CTE2、子堤SB以及第一绝缘层PAS1和第二绝缘层PAS2上。第三绝缘层PAS3可以设置在发光元件层EML的上端处以保护发光元件层EML。

波长转换层WLCL可以设置在发光元件层EML上。在公开的精神和范围内，波长转换层WLCL可以包括第一光阻挡构件BK1、第一波长转换构件WLC1、第二波长转换构件WLC2、光透射构件LTU、第二钝化层PV2、第二平坦化层OC2等。

第一光阻挡构件BK1可以在第三绝缘层PAS3上设置在光阻挡区域BA中。第一光阻挡构件BK1可以在厚度方向(Z轴方向)上与子堤SB叠置。第一光阻挡构件BK1可以阻挡光的透射。第一光阻挡构件BK1可以防止第一发射区域至第三发射区域LA1、LA2和LA3之间的光渗透和颜色混合，这导致显示装置10的颜色再现性的改善。在平面图中，第一光阻挡构件BK1可以以围绕第一发射区域至第三发射区域LA1、LA2和LA3的网格的形式布置或设置。

第一波长转换构件WLC1可以在第三绝缘层PAS3上设置在第一发射区域LA1中。第一波长转换构件WLC1可以被第一光阻挡构件BK1围绕。第一波长转换构件WLC1可以包括第一基体树脂BS1、第一散射体SCT1和第一波长移位器WLS1。

第一基体树脂BS1可以包含具有相对高的透光率的材料。第一基体树脂BS1可以由透明有机材料形成。例如，第一基体树脂BS1可以包含诸如环氧树脂、丙烯酸树脂、卡多树脂和酰亚胺树脂的有机材料中的至少一种。

第一散射体SCT1可以具有与第一基体树脂BS1的折射率不同的折射率，并且与第一基体树脂BS1形成光学界面。例如，第一散射体SCT1可以包含散射至少一部分透射光的光散射材料或光散射颗粒。例如，第一散射体SCT1可以包含诸如氧化钛(TiO₂)、氧化锆(ZrO₂)、氧化铝(Al₂O₃)、氧化铟(In₂O₃)、氧化锌(ZnO)或氧化锡(SnO₂)的金属氧化物，或者可以包含诸如丙烯酸树脂和氨基甲酸乙酯树脂的有机颗粒。第一散射体SCT1可以在不考虑入射光的入射方向的情况下沿随机方向散射光，而入射光的峰值波长没有任何实质性变化。

第一波长移位器WLS1可以将入射光的峰值波长改变或移位到第一峰值波长。例如，第一波长移位器WLS1可以将从显示装置10提供的蓝光转换为具有在约610nm至约650nm的范围内的单峰值波长的红光并发射红光。第一波长移位器WLS1可以是量子点、量子棒或荧光物质。量子点可以是在电子从导带跃迁到价带的情况下发射特定颜色或给定颜色的光的颗粒材料。

从发光元件层EML发射的蓝光的一部分可以穿过第一波长转换构件WLC1，而不被第一波长移位器WLS1转换为红光。在从发光元件层EML发射的蓝光之中，入射在第一滤色器CF1上的未被第一波长转换构件WLC1转换的光可以被第一滤色器CF1阻挡。通过第一波长转换构件WLC1转换从发光元件层EML发射的蓝光所产生的红光可以穿过第一滤色器CF1以发射到外部。因此，红光可以通过第一发射区域LA1发射。

第二波长转换构件WLC2可以在第三绝缘层PAS3上设置在第二发射区域LA2中。第二波长转换构件WLC2可以被第一光阻挡构件BK1围绕。第二波长转换构件WLC2可以包括第二基体树脂BS2、第二散射体SCT2和第二波长移位器WLS2。

第二基体树脂BS2可以包含具有相对高的透光率的材料。第二基体树脂BS2可以由透明有机材料形成。例如，第二基体树脂BS2可以由与第一基体树脂BS1相同的材料或类似的材料制成，或者可以由与第一基体树脂BS1相关联的材料制成。

第二散射体SCT2可以具有与第二基体树脂BS2的折射率不同的折射率，并且与第二基体树脂BS2形成光学界面。例如，第二散射体SCT2可以包含散射至少一部分透射光的光散射材料或光散射颗粒。例如，第二散射体SCT2可以由与第一散射体SCT1相同的材料或类似的材料制成，或者可以由与第一散射体SCT1相关联的材料制成。

第二波长移位器WLS2可以将入射光的峰值波长改变或移位到与第一波长移位器WLS1的第一峰值波长不同的第二峰值波长。例如，第二波长移位器WLS2可以将从显示装置10提供的蓝光转换为具有在约510nm至约550nm的范围内的单个峰值波长的绿光并发射绿光。第二波长移位器WLS2可以是量子点、量子棒或荧光物质。第二波长移位器WLS2可以包含与第一波长移位器WLS1相关联的材料。第二波长移位器WLS2可以由量子点、量子棒或荧光物质形成，以具有与第一波长移位器WLS1的波长转换范围不同的波长转换范围。

光透射构件LTU可以在第三绝缘层PAS3上设置在第三发射区域LA3中。光透射构件LTU可以被第一光阻挡构件BK1围绕。光透射构件LTU可以在保持光的峰值波长的同时允许入射光穿过其中。光透射构件LTU可以包括第三基体树脂BS3和第三散射体SCT3。

第三基体树脂BS3可以包含具有相对高的透光率的材料。第三基体树脂BS3可以由透明有机材料形成。例如，第三基体树脂BS3可以由与第一基体树脂BS1或第二基体树脂BS2相同的材料或类似的材料制成，或者可以由与第一基体树脂BS1相关联的材料制成。

第三散射体SCT3可以具有与第三基体树脂BS3的折射率不同的折射率，并且与第三基体树脂BS3形成光学界面。例如，第三散射体SCT3可以包含散射至少一部分透射光的光散射材料或光散射颗粒。例如，第三散射体SCT3可以由与第一散射体SCT1或第二散射体SCT2相同的材料或类似的材料形成，或者可以由与第一散射体SCT1相关联的材料制成。

由于波长转换层WLCL直接设置在发光元件层EML的第三绝缘层PAS3上，因此显示装置10可以不需要用于第一波长转换构件WLC1和第二波长转换构件WLC2以及光透射构件LTU的单独的基底。因此，第一波长转换构件WLC1和第二波长转换构件WLC2以及光透射构件LTU可以容易地分别在第一发射区域至第三发射区域LA1、LA2和LA3中对准，并且显示装置10的厚度可以相对减小。

第二钝化层PV2可以覆盖第一波长转换构件WLC1和第二波长转换构件WLC2、光透射构件LTU以及第一光阻挡构件BK1或与第一波长转换构件WLC1和第二波长转换构件WLC2、光透射构件LTU以及第一光阻挡构件BK1叠置。例如，第二钝化层PV2可以密封第一波长转换构件WLC1和第二波长转换构件WLC2以及光透射构件LTU，以防止第一波长转换构件WLC1和第二波长转换构件WLC2以及光透射构件LTU被损坏或污染。例如，第二钝化层PV2可以包含无机材料。

第二平坦化层OC2可以设置在第二钝化层PV2上，以使第一波长转换构件WLC1和第二波长转换构件WLC2以及光透射构件LTU的上端平坦化。例如，第二平坦化层OC2可以包含诸如聚酰亚胺(PI)的有机绝缘材料。

滤色器层CFL可以设置在波长转换层WLCL上。滤色器层CFL可以包括第二光阻挡构件BK2、第一滤色器至第三滤色器CF1、CF2和CF3以及第三钝化层PV3。

第二光阻挡构件BK2可以在波长转换层WLCL的第二平坦化层OC2上设置在光阻挡区域BA中。第二光阻挡构件BK2可以在厚度方向(Z轴方向)上与第一光阻挡构件BK1或子堤SB叠置。第二光阻挡构件BK2可以阻挡光的透射。第二光阻挡构件BK2可以防止第一发射区域至第三发射区域LA1、LA2和LA3之间的光渗透和颜色混合，这导致显示装置10的颜色再现性的改善。在平面图中，第二光阻挡构件BK2可以以围绕第一发射区域至第三发射区域LA1、LA2和LA3的网格的形式布置或设置。

第一滤色器CF1可以在第二平坦化层OC2上设置在第一发射区域LA1中。第一滤色器CF1可以被第二光阻挡构件BK2围绕。第一滤色器CF1可以在厚度方向(Z轴方向)上与第一波长转换构件WLC1叠置。第一滤色器CF1可以选择性地允许第一颜色光(例如，红光)通过，并且阻挡或吸收第二颜色光(例如，绿光)和第三颜色光(例如，蓝光)。例如，第一滤色器CF1可以是红色滤色器，并且包含红色着色剂。

第二滤色器CF2可以在第二平坦化层OC2上设置在第二发射区域LA2中。第二滤色器CF2可以被第二光阻挡构件BK2围绕。第二滤色器CF2可以在厚度方向(Z轴方向)上与第二波长转换构件WLC2叠置。第二滤色器CF2可以选择性地允许第二颜色光(例如，绿光)通过，并且阻挡或吸收第一颜色光(例如，红光)和第三颜色光(例如，蓝光)。例如，第二滤色器CF2可以是绿色滤色器，并且包含绿色着色剂。

第三滤色器CF3可以在第二平坦化层OC2上设置在第三发射区域LA3中。第三滤色器CF3可以被第二光阻挡构件BK2围绕。第三滤色器CF3可以在厚度方向(Z轴方向)上与光透射构件LTU叠置。第三滤色器CF3可以选择性地允许第三颜色光(例如，蓝光)通过，并且阻挡或吸收第一颜色光(例如，红光)和第二颜色光(例如，绿光)。例如，第三滤色器CF3可以是蓝色滤色器，并且包含蓝色着色剂。

第一滤色器至第三滤色器CF1、CF2和CF3可以吸收来自显示装置10的外部的光的一部分，以减少外部光的反射光。因此，第一滤色器至第三滤色器CF1、CF2、CF3可以防止因外光的反射而引起的颜色失真。

由于第一滤色器至第三滤色器CF1、CF2和CF3直接设置在波长转换层WLCL的第二平坦化层OC2上，因此显示装置10可以不需要用于第一滤色器至第三滤色器CF1、CF2和CF3的单独的基底。因此，可以相对地减小显示装置10的厚度。

第三钝化层PV3可以覆盖第一滤色器至第三滤色器CF1、CF2和CF3或与第一滤色器至第三滤色器CF1、CF2和CF3叠置。第三钝化层PV3可以保护第一滤色器至第三滤色器CF1、CF2和CF3。

封装层TFE可以设置在滤色器层CFL的第三钝化层PV3上。封装层TFE可以覆盖显示层DPL的顶表面和侧表面或与显示层DPL的顶表面和侧表面叠置。例如，封装层TFE可以包括至少一个无机层以防止氧或湿气的渗透。封装层TFE可以包括至少一个有机层，以保护显示装置10免受诸如灰尘的外来物质的影响。

抗反射膜ARF可以设置在封装层TFE上。抗反射膜ARF可以防止外部光的反射，从而减少由于外部光的反射引起的可见度的降低。抗反射膜ARF可以保护显示装置10的顶表面。可以省略抗反射膜ARF。又例如，抗反射膜ARF可以用偏振膜代替。

第一柔性膜FPCB1可以设置在第一基底SUB1的下面或下方。第一柔性膜FPCB1可以设置在第一基底SUB1的一个边缘或边缘处。第一柔性膜FPCB1可以使用粘合构件ADM附着到第一基底SUB1的底表面。如果必要，可以省略粘合构件ADM。第一柔性膜FPCB1的一个边缘或边缘可以插入第一接触孔CNT1中。第一柔性膜FPCB1可以包括设置在一个侧部或一侧的顶表面上的引线电极LDE。引线电极LDE可以插入到第一接触孔CNT1中。第一柔性膜FPCB1可以支撑设置在另一侧部或另一侧的底表面上的栅极驱动器GIC。引线电极LDE可以通过设置在第一柔性膜FPCB1的底表面上的引线(未示出)电连接到栅极驱动器GIC。引线电极LDE可以通过连接膜ACF电连接到第一扇出线FOL1。第一柔性膜FPCB1的另一侧部可以连接到在第一基底SUB1下面或下方的源电路板(未示出)。第一柔性膜FPCB1可以将栅极驱动器GIC的栅极信号传输到显示装置10。

栅极驱动器GIC可以安装在第一柔性膜FPCB1上。栅极驱动器GIC可以是集成电路(IC)。栅极驱动器GIC可以基于栅极控制信号产生栅极信号，并且可以根据设置的顺序将栅极信号顺序地供应到栅极线GL。显示装置10可以包括设置在第一基底SUB1上的第一扇出线FOL1和设置在第一基底SUB1下面或下方的栅极驱动器GIC，使得非显示区域NDA的面积可以最小化。

图3是沿着图1的线II-II'截取的示意性剖视图，图4是示出根据一个实施例的显示装置的仰视图。在下文中，将简要地描述与上述构造相同的构造，或者将省略其描述。

参照图3和图4，显示装置10可以包括第一基底SUB1、第一阻挡绝缘层BIL1、第一金属层MTL1、第二阻挡绝缘层BIL2、第二基底SUB2、第三阻挡绝缘层BIL3、显示层DPL、封装层TFE、抗反射膜ARF、第二柔性膜FPCB2和数据驱动器DIC。

第一基底SUB1可以包括第一接触孔CNT1。第一接触孔CNT1可以从第一基底SUB1的底表面蚀刻以穿透第一基底SUB1的顶表面。例如，第一接触孔CNT1的下宽度可以大于第一接触孔CNT1的上宽度。在显示装置10的制造工艺中，第二扇出线FOL2的插入到第二接触孔CNT2中的底表面可以通过第一接触孔CNT1暴露，并且第二扇出线FOL2可以通过插入到第一接触孔CNT1中的连接膜ACF电连接到第二柔性膜FPCB2的引线电极LDE。

第一金属层MTL1可以设置在第一阻挡绝缘层BIL1上。第一金属层MTL1可以包括第二扇出线FOL2。例如，第一金属层MTL1可以形成为包括钼(Mo)、铝(Al)、铬(Cr)、金(Au)、银(Ag)、钛(Ti)、镍(Ni)、钯(Pd)、铟(In)、钕(Nd)和铜(Cu)中的至少一种的单层或多层。

第二扇出线FOL2可以将第二柔性膜FPCB2电连接到第二连接线CWL2。第二扇出线FOL2可以通过连接膜ACF电连接到第二柔性膜FPCB2。第二扇出线FOL2可以通过第二连接线CWL2电连接到数据线或电力线。数据线或电力线可以连接到薄膜晶体管TFT的漏电极DE。因此，第二扇出线FOL2可以通过第二连接线CWL2将从第二柔性膜FPCB2的数据驱动器DIC接收的数据电压或电力电压供应到像素的薄膜晶体管TFT。显示装置10可以包括设置在显示区域DA中的第二扇出线FOL2，使得非显示区域NDA的面积可以最小化。

显示层DPL可以设置在第三阻挡绝缘层BIL3上。显示层DPL可以包括薄膜晶体管层TFTL、发光元件层EML、波长转换层WLCL和滤色器层CFL。薄膜晶体管层TFTL可以包括第二金属层MTL2、缓冲层BF、有源层ACTL、栅极绝缘层GI、第三金属层MTL3、层间绝缘层ILD、第四金属层MTL4、第一钝化层PV1和第一平坦化层OC1。

第二金属层MTL2可以设置在第三阻挡绝缘层BIL3上。第二金属层MTL2可以包括第二连接线CWL2。例如，第二金属层MTL2可以形成为包括钼(Mo)、铝(Al)、铬(Cr)、金(Au)、银(Ag)、钛(Ti)、镍(Ni)、钯(Pd)、铟(In)、钕(Nd)和铜(Cu)中的至少一种的单层或多层。

第二连接线CWL2可以插入到第三接触孔CNT3中以连接到第二扇出线FOL2。例如，第二连接线CWL2可以连接到数据线或电力线，以将数据电压或电力电压供应到薄膜晶体管TFT。因此，第二连接线CWL2可以通过第二扇出线FOL2将从数据驱动器DIC接收的数据电压或电力电压供应到像素的薄膜晶体管TFT。

第二柔性膜FPCB2可以设置在第一基底SUB1下面或下方。第二柔性膜FPCB2可以设置在与第一基底SUB1的一个边缘或边缘相邻的另一边缘上。第二柔性膜FPCB2可以使用粘合构件ADM附着到第一基底SUB1的底表面。如果必要，可以省略粘合构件ADM。第二柔性膜FPCB2的一个边缘或边缘可以插入到第一接触孔CNT1中。第二柔性膜FPCB2可以包括设置在一个侧部或一侧的顶表面上的引线电极LDE。引线电极LDE可以插入到第一接触孔CNT1中。第二柔性膜FPCB2可以支撑设置在另一侧部或另一侧的底表面上的数据驱动器DIC。引线电极LDE可以通过设置在第二柔性膜FPCB2的底表面上的引线(未示出)电连接到数据驱动器DIC。引线电极LDE可以通过连接膜ACF电连接到第二扇出线FOL2。第二柔性膜FPCB2的另一侧部可以连接到第一基底SUB1下面或下方的源电路板(未示出)。第二柔性膜FPCB2可以将数据驱动器DIC的数据电压或电力电压传输到显示装置10。

数据驱动器DIC可以安装在第二柔性膜FPCB2上。数据驱动器DIC可以是集成电路(IC)。例如，数据驱动器DIC可以基于从时序控制器(未示出)接收的数据控制信号将数字视频数据转换为模拟数据电压，并且通过第二柔性膜FPCB2将模拟数据电压供应到显示区域DA的数据线。又例如，数据驱动器DIC可以通过第二柔性膜FPCB2将从电源单元(未示出)接收的电力电压供应到显示区域DA的电力线。显示装置10可以包括设置在第一基底SUB1上的第二扇出线FOL2和设置在第一基底SUB1下面或下方的数据驱动器DIC，使得非显示区域NDA的面积可以最小化。

图5是沿着图1的线III-III'截取的示意性剖视图。

参照图5，拼接显示装置TD可以包括显示装置10、结合部分20和盖部分30。拼接显示装置TD可以包括第一显示装置10-1至第四显示装置10-4。显示装置10的数量和连接关系不局限于图1的实施例。显示装置10的数量可以根据显示装置10和拼接显示装置TD中的每个的尺寸来确定。

显示装置10可以包括显示区域DA和非显示区域NDA。显示区域DA可以包括用于显示图像的像素。非显示区域NDA可以设置在显示区域DA周围以围绕显示区域DA或可以与显示区域DA相邻，并且可以不显示图像。

拼接显示装置TD可以包括设置在显示区域DA之间的结合区域SM。可以通过连接相邻的显示装置10的非显示区域NDA来形成拼接显示装置TD。显示装置10可以通过结合部分20或设置在结合区域SM中的粘合构件ADM彼此连接。显示装置10中的每个的结合区域SM可以不包括垫构件或连接到垫构件的扇出线。因此，显示装置10的显示区域DA之间的距离可以足够小，使得显示装置10之间的结合区域SM不被用户识别。显示装置10的显示区域DA的外部光的反射率可以与显示装置10之间的结合区域SM的外部光的反射率基本上相同。因此，在拼接显示装置TD中，可以防止显示装置10之间的结合区域SM被用户识别，从而减少显示装置10之间的断开感并且改善图像中的沉浸感。

拼接显示装置TD可以通过使用设置在显示装置10之间的结合部分20将相邻的显示装置10的侧表面彼此结合。结合部分20可以连接以网格形式布置或设置的第一显示装置10-1至第四显示装置10-4的侧表面，以实现拼接显示装置TD。结合部分20可以结合或连接彼此相邻的显示装置10的第一基底SUB1的侧表面、第一阻挡绝缘层BIL1和第二阻挡绝缘层BIL2的侧表面、第二基底SUB2的侧表面、第三阻挡绝缘层BIL3的侧表面、显示层DPL的侧表面、封装层TFE的侧表面和抗反射膜ARF的侧表面。

例如，结合部分20可以由具有相对薄的厚度的粘合剂或双面胶带制成，以使显示装置10之间的间隙最小化。又例如，结合部分20可以由具有相对薄的厚度的结合框架形成，以使显示装置10之间的间隙最小化。因此，在拼接显示装置TD中，可以防止用户识别显示装置10之间的结合区域SM。

盖部分30可以设置在显示装置10和结合部分20的顶表面上，以覆盖显示装置10和结合部分20或与显示装置10和结合部分20叠置。例如，盖部分30可以设置在显示装置10中的每个的抗反射膜ARF的顶表面上。盖部分30可以保护拼接显示装置TD的顶表面。

第一显示装置10-1可以包括第三连接线CWL3和第三扇出线FOL3。

第三连接线CWL3可以设置在第二金属层MTL2上。第三连接线CWL3可以与第一连接线CWL1和第二连接线CWL2在同一层中由相同的材料或类似的材料形成，但公开不限于此。第三连接线CWL3可以插入到第三接触孔CNT3中以连接到第三扇出线FOL3。例如，图2中示出的第一连接线CWL1可以连接到栅极线的一个端部或一端，第三连接线CWL3可以连接到栅极线的另一端部或另一端。第三连接线CWL3可以将栅极信号供应到第三扇出线FOL3，并且第三扇出线FOL3可以通过第三柔性膜FPCB3电连接到第二显示装置10-2的第四扇出线FOL4。

第三扇出线FOL3可以设置在第一金属层MTL1上。第三扇出线FOL3可以与第一扇出线FOL1和第二扇出线FOL2在同一层中由相同的材料或类似的材料形成，但公开不限于此。第三扇出线FOL3可以将第三连接线CWL3电连接到第三柔性膜FPCB3。第三扇出线FOL3可以通过连接膜ACF电连接到设置在第三柔性膜FPCB3的一个端部或一端处的第一引线电极LDE1。第三扇出线FOL3可以通过第三连接线CWL3从第一显示装置10-1的栅极线接收栅极信号，并且可以将栅极信号供应到第二显示装置10-2的第四扇出线FOL4。

拼接显示装置TD还可以包括电连接相邻的显示装置10的第三柔性膜FPCB3。

第三柔性膜FPCB3可以设置在第一基底SUB1下面或下方。第三柔性膜FPCB3的一个边缘或边缘可以插入到第一显示装置10-1的第一接触孔CNT1中，并且第三柔性膜FPCB3的另一个边缘或另一边缘可以插入到第二显示装置10-2的第一接触孔CNT1中。第三柔性膜FPCB3可以包括设置在一个侧部或一侧的顶表面上的第一引线电极LDE1和设置在另一个侧部或另一侧的顶表面上的第二引线电极LDE2。第一引线电极LDE1可以插入到第一显示装置10-1的第一接触孔CNT1中，并且可以通过连接膜ACF电连接到第三扇出线FOL3。第二引线电极LDE2可以插入到第二显示装置10-2的第一接触孔CNT1中，并且可以通过连接膜ACF电连接到第四扇出线FOL4。因此，第三柔性膜FPCB3可以将由栅极驱动器GIC供应到第一显示装置10-1的栅极信号传输到第二显示装置10-2。

第三柔性膜FPCB3可以在第一基底SUB1下面或下方设置在第一显示装置10-1的显示区域DA、结合区域SM和第二显示装置10-2的显示区域DA中。第三柔性膜FPCB3的至少一部分可以使用粘合构件ADM在结合区域SM中附着到第一基底SUB1的底表面。

第二显示装置10-2可以包括第四扇出线FOL4和第四连接线CWL4。第四扇出线FOL4可以设置在第一金属层MTL1上，第四连接线CWL4可以设置在第二金属层MTL2上。第四扇出线FOL4可以将第三柔性膜FPCB3电连接到第四连接线CWL4。第四扇出线FOL4可以通过连接膜ACF电连接到设置在第三柔性膜FPCB3的另一端部处的第二引线电极LDE2。第四扇出线FOL4可以通过第四连接线CWL4将从第三柔性膜FPCB3接收的栅极信号供应到第二显示装置10-2的栅极线。

拼接显示装置TD可以通过第三柔性膜FPCB3将从连接到第一显示装置10-1的栅极驱动器GIC接收的栅极信号供应到第二显示装置10-2。第二显示装置10-2可以不直接连接到栅极驱动器GIC，并且可以从相邻的第一显示装置10-1接收栅极信号。因此，在拼接显示装置TD可以包括显示装置10的情况下，一些或多个显示装置10可以不直接连接到栅极驱动器GIC，并且可以从直接连接到栅极驱动器GIC的一些或多个其它显示装置10接收栅极信号。

结合图1和图3参照图5，拼接显示装置TD可以通过第三柔性膜FPCB3将从连接到第一显示装置10-1的数据驱动器DIC接收的数据电压或电力电压供应到第三显示装置10-3。第三显示装置10-3可以不直接连接到数据驱动器DIC，并且可以从相邻的第一显示装置10-1接收数据电压或电力电压。因此，在拼接显示装置TD可以包括显示装置10的情况下，一些或多个显示装置10可以不直接连接到数据驱动器DIC，并且可以从直接连接到数据驱动器DIC的一些或多个其它显示装置10接收数据电压或电力电压。

在拼接显示装置TD中，栅极驱动器GIC和数据驱动器DIC连接到一些或多个显示装置10，并且电信号通过第三柔性膜FPCB3传输到一些或多个其它显示装置10，使得可以使结合区域SM的尺寸最小化。因此，结合区域SM的尺寸可以足够小，使得结合区域SM不被用户识别，并且拼接显示装置TD可以防止结合区域SM被用户识别，从而减少显示装置10之间的断开感，并且改善图像中的沉浸感。

图6是图5的区域A1的放大视图。

参照图6，第一基底SUB1可以包括第一接触孔CNT1。第一接触孔CNT1可以从第一基底SUB1的底表面蚀刻以穿透第一基底SUB1的顶表面。例如，第一接触孔CNT1的下宽度可以大于第一接触孔CNT1的上宽度。在显示装置10的制造工艺中，第三扇出线FOL3的插入到第二接触孔CNT2中的底表面可以通过第一接触孔CNT1暴露，并且第三扇出线FOL3可以通过插入到第一接触孔CNT1中的连接膜ACF电连接到第三柔性膜FPCB3的引线电极LDE。

第一接触孔CNT1可以通过具有不同蚀刻速率的至少两个蚀刻工艺形成。可以通过第一蚀刻工艺蚀刻第一基底SUB1的一部分。例如，第一蚀刻工艺可以是使用包含氟(F)自由基的蚀刻气体的大气压(AP)等离子体工艺，但不限于此。蚀刻气体可以包括三氟化氮(NF₃)、四氟化碳(CF₄)、氟甲烷(CH₃F)和二氟甲烷(CH₂F₂)中的至少一种，但公开不限于此。在第一蚀刻工艺中，蚀刻气体的氟(F)自由基的比例可以是总气体的约5％或更多。在包含氟(F)自由基的蚀刻气体的比例为总气体的约5％或更多的情况下，由于第一基底SUB1与第一金属层MTL1之间的蚀刻速率的差异，可以蚀刻第一基底SUB1的一部分而不损坏第一金属层MTL1。又例如，第一蚀刻工艺可以是激光蚀刻工艺。在第一蚀刻工艺中，可以通过调节激光的强度来蚀刻第一基底SUB1的一部分。因此，可以通过第一蚀刻工艺对第一基底SUB1的一个表面或表面进行蚀刻，并且可以保留保护第三扇出线FOL3的残留层。第一基底SUB1的残留层的厚度可以是第一基底SUB1的厚度的约30％或更小，但不限于此。第一基底SUB1的残留层的厚度可以在约1μm至约3μm的范围内，但不限于此。可以基于第二蚀刻工艺的蚀刻速率和损坏第一金属层MTL1的可能性来设定第一基底SUB1的残留层的厚度。

可以通过第二蚀刻工艺对第一基底SUB1的残留层进行蚀刻。例如，第二蚀刻工艺可以是使用不包含氟(F)自由基的蚀刻气体的大气压(AP)等离子体工艺，但不限于此。在第二蚀刻工艺中，使用不包含氟(F)自由基的蚀刻气体，使得第一金属层MTL1的被第一接触孔CNT1暴露的底表面不会被损坏。第二蚀刻工艺的蚀刻速率可以是第一蚀刻工艺的蚀刻速率的约1/6或更小，但公开不限于此。由于第二蚀刻工艺仅使用不包含氟(F)自由基的清洁干燥空气(CDA)，因此蚀刻气体的流动速率可以是约15slm或更高。在第二蚀刻工艺中，可以通过调节蚀刻气体的流动速率来控制蚀刻速率。在完成第二蚀刻工艺的情况下，可以形成第一接触孔CNT1，并且可以暴露第一金属层MTL1的未损坏的底表面。第三扇出线FOL3可以通过连接膜ACF电连接到第三柔性膜FPCB3。

作为第一接触孔CNT1在第一基底SUB1的顶表面‘a’与第一接触孔CNT1的内表面‘c’之间的蚀刻角度的第一角度θ1可以为约10度或更小。第一角度θ1的正切值(tanθ1＝b/a)可以小于或少于约10度的正切值(tan(0.17444rad))。通过两次蚀刻工艺形成的第一角度θ1可以小于或少于第二角度θ2和第三角度θ3，第二角度θ2是第二接触孔CNT2在第一基底SUB1的顶表面与第二接触孔CNT2的内表面之间的蚀刻角度，第三角度θ3是第三接触孔CNT3在第三扇出线FOL3与第三接触孔CNT3的内表面之间的蚀刻角度。通过具有相对高的蚀刻速率的第一蚀刻工艺和具有相对低的蚀刻速率的第二蚀刻工艺形成第一接触孔CNT1，使得可以在不损坏第三扇出线FOL3的情况下促进连接膜ACF和第三扇出线FOL3之间的接触，从而确保可靠性。

图7至图14是示出根据一个实施例的制造显示装置的工艺的示意性剖视图。

在图7中，第一载体基底CG1可以在显示装置10的制造工艺中支撑显示装置10。例如，第一载体基底CG1可以是载体玻璃，但不限于此。

可以在第一载体基底CG1上设置第一基底SUB1。第一基底SUB1可以是基体基底或基体构件。例如，第一基底SUB1可以包括诸如聚合物树脂(诸如聚酰亚胺(PI))的绝缘材料，但公开不限于此。

可以在第一基底SUB1上设置第一阻挡绝缘层BIL1。第一阻挡绝缘层BIL1可以包括防止空气或湿气的渗透的无机层。例如，可以通过光工艺、湿法蚀刻工艺和剥离工艺在第一基底SUB1上使第一阻挡绝缘层BIL1图案化，但公开不限于此。第一阻挡绝缘层BIL1可以包括第二接触孔CNT2。可以从第一阻挡绝缘层BIL1的顶表面蚀刻第二接触孔CNT2以穿透第一阻挡绝缘层BIL1的底表面。

在图8中，可以在第一阻挡绝缘层BIL1上设置第一扇出线FOL1，并且第一扇出线FOL1可以插入到第二接触孔CNT2中。例如，可以通过光工艺、湿法蚀刻工艺和剥离工艺在第一阻挡绝缘层BIL1上使第一扇出线FOL1图案化，但公开不限于此。

可以在第一阻挡绝缘层BIL1和第一扇出线FOL1上设置第二阻挡绝缘层BIL2。第二基底SUB2和第三阻挡绝缘层BIL3可以在第二阻挡绝缘层BIL2上彼此顺序地堆叠。可以从第三阻挡绝缘层BIL3的顶表面蚀刻第三接触孔CNT3以穿透第二阻挡绝缘层BIL2的底表面。例如，可以通过干法蚀刻工艺或湿法蚀刻工艺穿透第二阻挡绝缘层BIL2和第三阻挡绝缘层BIL3以及第二基底SUB2，但公开不限于此。第一扇出线FOL1的顶表面可以通过第三接触孔CNT3暴露。

在图9中，可以在第三阻挡绝缘层BIL3上堆叠显示层DPL。薄膜晶体管层TFTL、发光元件层EML、波长转换层WLCL和滤色器层CFL可以在第三阻挡绝缘层BIL3上彼此顺序地堆叠。封装层TFE可以覆盖显示层DPL的顶表面和侧表面或与显示层DPL的顶表面和侧表面叠置。抗反射膜ARF可以形成在封装层TFE上。

在图10中，可以使正在制造的显示装置10竖直反转以形成第一柔性膜FPCB1。可以从第一基底SUB1去除第一载体基底CG1。例如，可以使用设置在第一载体基底CG1与第一基底SUB1之间的牺牲层(未示出)从第一基底SUB1的底表面去除第一载体基底CG1，但公开不限于此。

可以在抗反射膜ARF的一个表面或表面上设置第二载体基底CG2。第二载体基底CG2可以支撑竖直反转的显示装置10。例如，第二载体基底CG2可以是载体玻璃，但不限于此。

可以通过第一蚀刻工艺(第一蚀刻)蚀刻第一基底SUB1的一部分。例如，第一蚀刻工艺(第一蚀刻)可以是使用包含氟(F)自由基的蚀刻气体的大气压(AP)等离子体工艺，但不限于此。蚀刻气体可以包括三氟化氮(NF₃)、四氟化碳(CF₄)、氟甲烷(CH₃F)和二氟甲烷(CH₂F₂)中的至少一种，但公开不限于此。在第一蚀刻工艺(第一蚀刻)中，蚀刻气体的氟(F)自由基的比例可以是总气体的约5％或更多。在包含氟(F)自由基的蚀刻气体的比例为总气体的约5％或更多的情况下，由于第一基底SUB1与第一金属层MTL1之间的蚀刻速率的差异，可以蚀刻第一基底SUB1的一部分而不损坏第一金属层MTL1。又例如，第一蚀刻工艺(第一蚀刻)可以是激光蚀刻工艺。在第一蚀刻工艺(第一蚀刻)中，可以通过调节激光的强度来蚀刻第一基底SUB1的一部分。因此，可以通过第一蚀刻工艺(第一蚀刻)蚀刻第一基底SUB1的一个表面或表面，并且可以保留保护第三扇出线FOL3的残留层。

在图11中，第一基底SUB1的残留层的厚度T2可以是第一基底SUB1的厚度T1+T2的约30％或更小，但不限于此。第一基底SUB1的残留层的厚度T2可以是蚀刻厚度T1的3/7或更小。可以基于第二蚀刻工艺(第二蚀刻)的蚀刻速率和损坏第一金属层MTL1的可能性来设定第一基底SUB1的残留层的厚度T2。第一基底SUB1的残留层的厚度T2可以在约1μm至约3μm的范围内，但不限于此。

可以通过第二蚀刻工艺(第二蚀刻)对第一基底SUB1的残留层进行蚀刻。例如，第二蚀刻工艺(第二蚀刻)可以是使用不包含氟(F)自由基的蚀刻气体的大气压(AP)等离子体工艺，但不限于此。在第二蚀刻工艺(第二蚀刻)中，使用不包含氟(F)自由基的蚀刻气体，使得第一金属层MTL1的被第一接触孔CNT1暴露的底表面不会被损坏。第二蚀刻工艺(第二蚀刻)的蚀刻速率可以是第一蚀刻工艺(第一蚀刻)的蚀刻速率的约1/6或更小，但不限于此。由于第二蚀刻工艺仅使用不包含氟(F)自由基的清洁干燥空气(CDA)，因此蚀刻气体的流动速率可以为约15slm或更高。在第二蚀刻工艺中，可以通过调节蚀刻气体的流动速率来控制蚀刻速率。

在图12中，第一蚀刻工艺(第一蚀刻)可以是使用包含氟(F)自由基的蚀刻气体的大气压(AP)等离子体工艺。在第一蚀刻工艺(第一蚀刻)中，蚀刻气体的氟(F)自由基的比例可以是总气体的约5％或更多。第一蚀刻工艺(第一蚀刻)可以使用第一基底SUB1和第一扇出线FOL1的蚀刻选择性。例如，可以将第一基底SUB1的蚀刻速率设定为高于第一扇出线FOL1的蚀刻速率。蚀刻选择性可以由蚀刻工艺中使用的至少一种工艺条件(例如，蚀刻气体、温度、压力或等离子体功率)来确定。

例如，在第一蚀刻工艺(第一蚀刻)使用其中三氟化氮(NF₃)的比例为总气体(NF₃+CDA)的约5％的蚀刻气体的情况下，聚酰亚胺(PI)的蚀刻速率可以是151，并且钛(Ti)的蚀刻速率可以是18.5。第一基底SUB1可以包含聚酰亚胺(PI)，并且第一扇出线FOL1可以包含钛(Ti)。因此，在第一蚀刻工艺(第一蚀刻)中，可以通过第一基底SUB1的残留层来防止对第一扇出线FOL1的底表面的损坏。

又例如，在第一蚀刻工艺(第一蚀刻)使用其中三氟化氮(NF₃)的比例为总气体(NF₃+CDA)的约8％的蚀刻气体的情况下，聚酰亚胺(PI)的蚀刻速率可以是222，钛(Ti)的蚀刻速率可以是20。因此，在第一蚀刻工艺(第一蚀刻)中，可以通过第一基底SUB1的残留层来防止对第一扇出线FOL1的底表面的损坏。

第二蚀刻工艺(第二蚀刻)可以使用第一基底SUB1和第一扇出线FOL1的蚀刻选择性。例如，可以将第一基底SUB1的蚀刻速率设定为高于第一扇出线FOL1的蚀刻速率。

第二蚀刻工艺(第二蚀刻)可以是使用不包含氟(F)自由基的蚀刻气体的大气压(AP)等离子体工艺。可以仅使用清洁干燥空气(CDA)来执行第二蚀刻工艺(第二蚀刻)。在第二蚀刻工艺(第二蚀刻)使用其中三氟化氮(NF₃)的比例为总气体(NF₃+CDA)的约0％的蚀刻气体的情况下，聚酰亚胺(PI)的蚀刻速率可以为22，并且钛(Ti)的蚀刻速率可以为零。因此，在第二蚀刻工艺(第二蚀刻)中，可以在不损坏第一扇出线FOL1的情况下对第一基底SUB1的残留层进行蚀刻。

第一角度θ1可以为约10度或更小，第一角度θ1是第一接触孔CNT1在第一基底SUB1的顶表面‘a’与第一接触孔CNT1的内表面‘c’之间的蚀刻角度。第一角度θ1的正切值(tanθ1＝b/a)可以小于或少于约10度的正切值(tan(0.17444rad))。通过两次蚀刻工艺形成的第一角度θ1可以小于或少于第二角度θ2和第三角度θ3，第二角度θ2是第二接触孔CNT2在第一基底SUB1的顶表面与第二接触孔CNT2的内表面之间的蚀刻角度，第三角度θ3是第三接触孔CNT3在第三扇出线FOL3与第三接触孔CNT3的内表面之间的蚀刻角度。第二角度θ2和第三角度θ3可以为约30度或更大，但不限于此。因此，通过具有相对高的蚀刻速率的第一蚀刻工艺(第一蚀刻)和具有相对低的蚀刻速率的第二蚀刻工艺(第二蚀刻)形成第一接触孔CNT1，使得可以在不损坏第一扇出线FOL1的情况下促进连接膜ACF与第一扇出线FOL1之间的接触，从而确保可靠性。

在图13和图14中，第一柔性膜FPCB1可以设置在第一基底SUB1的一个表面或表面上。第一柔性膜FPCB1和连接膜ACF可以通过对准工艺在由第一接触孔CNT1暴露的第一扇出线FOL1上对准。第一柔性膜FPCB1的引线电极LDE可以通过连接膜ACF电连接到第一扇出线FOL1。

在这里已经公开了实施例，虽然采用了术语，但是仅以一般的和描述性的意义而非出于限制的目的来使用和解释所述术语。在一些情况下，如本领域普通技术人员将清楚的，除非另外明确说明，否则结合实施例描述的特征、特性和/或元件可以单独使用或与结合其它实施例描述的特征、特性和/或元件组合使用。因此，本领域普通技术人员将理解的是，在不脱离公开的精神和范围以及如权利要求中阐述的情况下，可以在形式上和细节上进行各种改变。

Claims (20)

1.一种显示装置，所述显示装置包括：

第一基底，包括第一接触孔；

扇出线，在所述第一基底上设置在第一金属层中；

第二基底，设置在所述第一金属层上，并且包括第二接触孔；

连接线，在所述第二基底上设置在第二金属层中，所述连接线通过所述第二接触孔分别电连接到所述扇出线；

薄膜晶体管，设置在有源层和第三金属层中，所述第三金属层设置在所述第二金属层上；以及

至少一个柔性膜，设置在所述第一基底的底表面上，所述至少一个柔性膜通过所述第一接触孔电连接到所述扇出线，

其中，所述第一接触孔在所述第一基底的顶表面与所述第一接触孔的内表面之间的蚀刻角度小于所述第二接触孔在所述扇出线的顶表面与所述第二接触孔的内表面之间的蚀刻角度。

2.根据权利要求1所述的显示装置，其中，

所述第一接触孔的所述蚀刻角度为10度或更小，并且

所述第二接触孔的所述蚀刻角度为30度或更大。

3.根据权利要求1所述的显示装置，所述显示装置还包括：

栅极驱动器，设置在所述至少一个柔性膜之中的第一柔性膜上，所述第一柔性膜设置在所述第一基底的边缘上，

其中，所述第一柔性膜通过所述扇出线之中的第一扇出线将从所述栅极驱动器接收的栅极信号供应到所述连接线之中的第一连接线。

4.根据权利要求3所述的显示装置，其中，所述第一连接线电连接到所述薄膜晶体管的设置在所述第三金属层中的栅电极。

5.根据权利要求3所述的显示装置，其中，

所述至少一个柔性膜还包括第二柔性膜，

所述显示装置包括设置在所述第二柔性膜上的数据驱动器，所述第二柔性膜设置在与所述第一基底的其上设置有所述第一柔性膜的所述边缘相邻的另一边缘上，并且

所述第二柔性膜通过所述扇出线之中的第二扇出线将从所述数据驱动器接收的数据电压或电力电压供应到所述连接线之中的第二连接线。

6.根据权利要求5所述的显示装置，其中，所述第二连接线电连接到所述薄膜晶体管的设置在所述有源层中的漏电极。

7.根据权利要求1所述的显示装置，所述显示装置还包括：

电压线，设置在所述第二金属层中；以及

连接电极，在所述第三金属层上设置在第四金属层中，其中，

所述连接电极的一端电连接到所述电压线，并且

所述连接电极的另一端电连接到所述薄膜晶体管。

8.一种拼接显示装置，所述拼接显示装置包括：

第一显示装置和第二显示装置，所述第一显示装置和所述第二显示装置彼此相邻，所述第一显示装置和所述第二显示装置均包括具有像素的显示区域和与所述显示区域相邻的非显示区域；以及

结合部分，将所述第一显示装置结合到所述第二显示装置，

其中，所述第一显示装置和所述第二显示装置均包括：

第一基底，包括第一接触孔；

扇出线，在所述第一基底上设置在第一金属层中；

第二基底，设置在所述第一金属层上，并且包括第二接触孔；

连接线，在所述第二基底上设置在第二金属层中，所述连接线通过所述第二接触孔电连接到所述扇出线；

薄膜晶体管，设置在有源层和第三金属层中，所述第三金属层设置在所述第二金属层上；以及

柔性膜，设置在所述第一基底的底表面上，所述柔性膜通过所述第一接触孔电连接到所述扇出线，其中，

所述柔性膜的一端电连接到所述第一显示装置的所述扇出线，并且

所述柔性膜的另一端电连接到所述第二显示装置的所述扇出线。

9.根据权利要求8所述的拼接显示装置，其中，所述第一接触孔在所述第一基底的顶表面与所述第一接触孔的内表面之间的蚀刻角度小于所述第二接触孔在所述扇出线的顶表面与所述第二接触孔的内表面之间的蚀刻角度。

10.根据权利要求9所述的拼接显示装置，其中，

所述第一接触孔的所述蚀刻角度为10度或更小，并且

所述第二接触孔的所述蚀刻角度为30度或更大。

11.根据权利要求8所述的拼接显示装置，其中，所述柔性膜的至少一部分在厚度方向上与所述结合部分叠置。

12.根据权利要求8所述的拼接显示装置，其中，

所述第一显示装置包括设置在所述第一基底的底表面上的栅极驱动器或数据驱动器，并且

所述第二显示装置通过所述柔性膜接收所述栅极驱动器的栅极信号或所述数据驱动器的数据电压。

13.一种制造显示装置的方法，所述方法包括：

提供第一基底；

形成设置在所述第一基底上的扇出线；

在所述扇出线上形成第二基底；

在所述第二基底上堆叠显示层；

通过第一蚀刻工艺对所述第一基底的表面进行蚀刻并形成所述第一基底的残留层；

通过第二蚀刻工艺对所述第一基底的所述残留层进行蚀刻，以形成所述第一基底的第一接触孔；以及

将柔性膜插入到所述第一接触孔中以将所述柔性膜电连接到所述扇出线，

其中，所述第一接触孔在所述第一基底的顶表面与所述第一接触孔的内表面之间的蚀刻角度为10度或更小。

14.根据权利要求13所述的方法，其中，所述第一蚀刻工艺是使用蚀刻气体的大气压等离子体工艺，所述蚀刻气体以相对于总气体5％或更多的比例包含氟自由基。

15.根据权利要求14所述的方法，其中，所述第一蚀刻工艺是使用包含三氟化氮、四氟化碳、氟甲烷和二氟甲烷中的至少一种的蚀刻气体的大气压等离子体工艺。

16.根据权利要求14所述的方法，其中，所述第二蚀刻工艺是使用不包含所述氟自由基的蚀刻气体的大气压等离子体工艺。

17.根据权利要求13所述的方法，其中，

所述第一蚀刻工艺是激光蚀刻工艺，并且

所述第二蚀刻工艺是使用不包含氟自由基的蚀刻气体的大气压等离子体工艺。

18.根据权利要求13所述的方法，其中，形成所述第一基底的所述残留层的步骤包括形成具有所述第一基底的厚度的30％或更小的厚度的残留层。

19.根据权利要求13所述的方法，其中，所述第二蚀刻工艺的蚀刻速率为所述第一蚀刻工艺的蚀刻速率的1/6或更小。

20.根据权利要求13所述的方法，其中，

形成所述第二基底的步骤包括形成穿透所述第二基底的第二接触孔，

堆叠所述显示层的步骤包括将设置在所述第二基底上的连接线形成到所述第二接触孔中，并且

所述第一接触孔的所述蚀刻角度小于所述第二接触孔在所述扇出线的顶表面与所述第二接触孔的内表面之间的蚀刻角度。

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