CN116190969B - 一种馈通滤波器及其电容芯片封装方法 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及滤波器技术领域，具体涉及一种馈通滤波器及其电容芯片封装方法；其中所述馈通滤波器，包括金属外壳、金属引线、电容器芯片、填充单元和连接焊料，电容器芯片设置于金属外壳内，金属引线贯穿电容器芯片，并位于金属外壳内，电容器芯片与金属外壳之间设置有连接焊料，金属引线与电容器芯片之间同样设置有连接焊料，填充单元设置于金属外壳内，并位于电容器芯片的两端，通过上述结构的设置，实现了通过在金属外壳内充填填充单元再装配陶瓷芯片进行焊接的方式，实现能够使电容器芯片底部填充饱满无缝隙孔洞，改善底部空腔空气电离导致的飞弧击穿，避免出现内外电极间绝缘距离缩短的现象。

Description

一种馈通滤波器及其电容芯片封装方法
技术领域
本发明涉及馈通滤波器制造和电容芯片封装技术领域，尤其涉及一种馈通滤波器及其电容芯片封装方法。
背景技术
馈通滤波器广泛应用于衰减器、振荡器等微波器件中，性能良好；适用于各种电子设备、仪器、仪表、电台等各个领域作滤波作用，抑制信号/数据线及直流电源线的高频干扰信号，具有接近理想电容的滤波效果。
现有技术，CN113036335A，公开了 “一种玻璃封装的陶瓷馈通滤波器及其制备方法”该方法，一端采用玻璃或金属化陶瓷进行封装，为了将助焊剂清洗干净，设计了垫片，因此在圆环形陶瓷电容器芯片与焊料装入外壳中进行焊接时，陶瓷芯片与外壳内腔底部的封装材料之间存在缝隙，因为存在缝隙，所以底部空腔空气电离会导致飞弧击穿，同时，焊料熔化后将会沿底部缝隙延展，会出现内外电极间绝缘距离缩短的现象，严重情况下将直接导致产品内外电极短路而失效。
发明内容
本发明的目的在于提供一种馈通滤波器，旨在解决现有技术中的在将圆环形陶瓷电容器芯片与焊料装入外壳中进行焊接时，陶瓷芯片与金属外壳内腔底部必然存在缝隙的技术问题。
为实现上述目的，提供一种馈通滤波器电容芯片封装方法，
S1.金属外壳与金属引线通过第二填充物将所述金属外壳与金属引线制备为整体；
S2.填入第一填充物，所述第一填充物通过离心处理填充饱满并流平，其中，所述第一填充物为绝缘材料；
S3.装入电容器芯片，将所述电容器芯片与所述第一填充物挤压，将所述第二填充物与所述电容器芯片底部之间缝隙完全填充饱满；
S4. 在所述电容器芯片与所述金属外壳内壁之间均匀装配焊料，其中，所述焊料为无助焊剂；
S5.采用真空炉在助焊气氛下进行高温焊接，所述焊接过程中抽真空使焊料填充饱满；通过S4-S5可以看出本申请，采用无助焊剂预成型焊片在助焊气氛下进行高温焊接并抽真空处理使焊点饱满，同时，消除助焊剂对产品电性能的影响。
S6.焊接完成后，填入第三填充物封装完成。
进一步的，所述第二填充物为玻璃或陶瓷封装。
进一步的，所述第三填充物为环氧树脂。
本发明通过上述封装方法，得到了一种馈通滤波器，包括金属外壳、金属引线、电容器芯片、填充单元和连接焊料，所述电容器芯片设置于所述金属外壳内，所述金属引线贯穿所述电容器芯片，并位于所述金属外壳内，所述电容器芯片与所述金属外壳之间设置有所述连接焊料，所述金属引线与所述电容器芯片之间同样设置有所述连接焊料，所述填充单元设置于所述金属外壳内，并位于所述电容器芯片的两端。
其中，所述电容器芯片与所述金属外壳之间具有外圆焊点，所述金属引线与所述电容器芯片之间具有中心焊点，所述外圆焊点和所述中心焊点分别设置有所述连接焊料。
其中，所述填充单元包括第一填充物和第二填充物，所述第一填充物设置于所述金属外壳内，且所述第一填充物位于所述电容器芯片的下方，所述第二填充物设置于所述第一填充物下方，用于密封所述金属外壳下方孔洞开口。
其中，所述填充单元还包括第三填充物，所述第三填充物设置于所述金属外壳内，且所述第三填充物位于所述电容器芯片的上方。
本发明的有益效果，金属外壳一端使用玻璃釉封装以满足气密性要求；在陶瓷芯片与底部玻璃釉之间填充绝缘材料，将陶瓷芯片与底部玻璃釉之间缝隙填充饱满，再装配陶瓷芯片进行焊接的方式，使陶瓷芯片与底部玻璃釉之间无缝隙孔洞，可以改善底部空腔空气电离导致的飞弧击穿，进一步，避免焊料熔化后沿底部缝隙延展，导致的外电极间绝缘距离缩短的现象。
本发明还采用无助焊剂预成型焊片在助焊气氛下进行高温焊接并抽真空处理，使焊点饱满并消除助焊剂对产品电性能的影响。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1是本发明实施例馈通滤波器的剖面结构示意图。
1-金属外壳、2-金属引线、3-电容器芯片、4-第二填充物、5-连接焊料、6-第一填充物、7-第三填充物、8-外圆焊点、9-中心焊点、10-金属外壳一端孔洞。
具体实施方式
下面详细描述本发明的实施例，所述实施例的示例在附图中示出，其中自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的元件或具有相同或类似功能的元件。下面通过参考附图描述的实施例是示例性的，旨在用于解释本发明，而不能理解为对本发明的限制。
实施例
一种馈通滤波器电容芯片封装方法，
S1.金属外壳与金属引线通过玻璃或陶瓷封装，将所述金属外壳与金属引线制备为整体满足一端的气密性要求；
S2.填入第一填充物，所述第一填充物通过离心处理填充饱满并流平，其中，所述第一填充物为绝缘材料；绝缘材料具有高温固化的特性；
S3.装入电容器芯片，将所述电容器芯片与所述第一填充物挤压，将所述第二填充物与所述电容器芯片底部之间缝隙完全填充饱满；装配所述电容器芯片，时将高温固化使芯片与外壳底部的封装层粘牢；
S4. 在所述电容器芯片与所述金属外壳内壁之间均匀装配焊料，所述焊料预成型为焊片，均匀的设置在电容器芯片与金属外壳内壁之间，和电容器芯片与金属引线纸件，其中，所述焊料为无助焊剂；
S5.采用真空炉在助焊气氛下进行高温焊接，所述焊接过程中抽真空使焊料填充饱满；在助焊气氛下进行高温焊接并抽真空处理，使焊点饱满并消除助焊剂对产品电性能的影响。
S6.焊接完成后，填入环氧树脂封装完成，得到馈通滤波器。
实施例
请参阅图1，本发明提供了一种馈通滤波器，包括金属外壳1、金属引线2、电容器芯片3、填充单元和连接焊料5，所述电容器芯片3设置于所述金属外壳1内，所述金属引线2贯穿所述电容器芯片3，并位于所述金属外壳1内，所述电容器芯片3与所述金属外壳1之间设置有所述连接焊料5，所述金属引线2与所述电容器芯片3之间同样设置有所述连接焊料5，所述填充单元设置于所述金属外壳1内，并位于所述电容器芯片3的上下两端。
在本实施方式中，所述金属外壳1和所述金属引线2使用可伐合金或其他金属作为基材，所述金属外壳1和所述金属引线2镀层镀金，并控制镀金层厚度，易于键合或焊接安装，所述填充单元由玻璃或陶瓷封装层、绝缘材料和环氧树脂组成，所述金属外壳1单侧使用高温玻璃粉或金属化陶瓷烧结密封成型，通过在所述金属外壳1底部灌注所述填充单元中的绝缘材料进行填充，将所述金属外壳1、所述金属引线2和绝缘材料烧结为整体，随后再填入所述填充单元中的玻璃或陶瓷封装层，并装入所述电容器芯片3，并高温固化使所述电容器芯片3与所述金属外壳1底部粘牢，底部缝隙被完全填充饱满，装配无助焊剂的预成型焊片，采用真空炉在助焊气氛下进行高温焊接，焊接过程中抽真空使所述连接焊料5填充饱满，再使用所述填充单元中的环氧树脂填充，使得封装得到最终产品，实现能够使所述电容器芯片3底部填充饱满无缝隙，改善底部空腔空气电离导致的飞弧击穿，避免出现内外电极间绝缘距离缩短的现象。
进一步地，所述电容器芯片3与所述金属外壳1之间具有外圆焊点8，所述金属引线2与所述电容器芯片3之间具有中心焊点9，所述外圆焊点8和所述中心焊点9分别设置有所述连接焊料5。
在本实施方式中，装配无助焊剂的预成型焊片，采用真空炉在助焊气氛下进行高温焊接，焊接过程中抽真空使所述连接焊料5分别在所述外圆焊点8和所述中心焊点9填充饱满，通过采用无助焊剂预成型焊片在助焊气氛下进行高温焊接并抽真空处理，使焊点饱满并消除助焊剂对产品电性能的影响。
进一步地，所述金属外壳1具有金属外壳一端孔洞10，所述金属外壳一端孔洞10位于所述金属外壳1的底端；所述填充单元包括第一填充物6和第二填充物4，所述第一填充物6设置于所述金属外壳1内，且所述第一填充物6位于所述电容器芯片3的下方，所述第二填充物4设置于所述金属外壳一端孔洞10内；所述填充单元还包括第三填充物7，所述第三填充物7设置于所述金属外壳1内，且所述第三填充物7位于所述电容器芯片3的上方。
在本实施方式中，所述第一填充物6为玻璃或陶瓷封装层，所述第二填充物4为绝缘材料，所述第三填充物7为环氧树脂，产品在焊接前，采用自动点胶机对外壳底部灌注耐高温的绝缘材料，随后再放入专用离心机中进行离心处理，使底部灌注的绝缘材料填充饱满并流平，装配无助焊剂的预成型焊片，采用真空炉在助焊气氛下进行高温焊接，焊接过程中抽真空使所述连接焊料5分别在所述外圆焊点8和所述中心焊点9填充饱满，在所述金属外壳一端孔洞10内填充玻璃或陶瓷封装层，使用环氧树脂在所述金属外壳1内填充，最后封装得到最终产品。
以上所揭露的仅为本发明一种较佳实施例而已，当然不能以此来限定本发明之权利范围，本领域普通技术人员可以理解实现上述实施例的全部或部分流程，并依本发明权利要求所作的等同变化，仍属于发明所涵盖的范围。

Claims (7)

1.一种馈通滤波器电容芯片封装方法，其特征在于，
S1.金属外壳与金属引线通过第二填充物将所述金属外壳与金属引线制备为整体；
S2.填入第一填充物，所述第一填充物通过离心处理填充饱满并流平，其中，所述第一填充物为绝缘材料；
S3.装入电容器芯片，将所述电容器芯片与所述第一填充物挤压，将所述第二填充物与所述电容器芯片底部之间缝隙完全填充饱满；
S4. 在所述电容器芯片与所述金属外壳内壁之间均匀装配焊料，其中，所述焊料为无助焊剂；
S5.采用真空炉在助焊气氛下进行焊接，所述焊接过程中抽真空使焊料填充饱满；
S6.焊接完成后，填入第三填充物封装完成。
2.根据权利要求1所述的一种馈通滤波器电容芯片封装方法，其特征在于，所述第二填充物为玻璃或陶瓷封装。
3.根据权利要求1或2所述的一种馈通滤波器电容芯片封装方法，其特征在于，所述第三填充物为环氧树脂。
4.一种馈通滤波器，其特征在于，
包括金属外壳、金属引线、电容器芯片、填充单元和连接焊料，所述电容器芯片设置于所述金属外壳内，所述金属引线贯穿所述电容器芯片，并位于所述金属外壳内，所述电容器芯片与所述金属外壳内壁之间设置有所述连接焊料，所述金属引线与所述电容器芯片之间同样设置有所述连接焊料，所述填充单元设置于所述金属外壳内，并位于所述电容器芯片的两端；所述填充单元包括第一填充物和第二填充物，所述第一填充物设置于所述金属外壳内，且所述第一填充物位于所述电容器芯片的下方，所述第二填充物设置于所述第一填充下方；所述填充单元还包括第三填充物，所述第三填充物设置于所述金属外壳内，且所述第三填充物位于所述电容器芯片的上方，其中，所述第一填充物为绝缘材料。
5.如权利要求4所述的馈通滤波器，其特征在于，
所述电容器芯片与所述金属外壳之间具有外圆焊点，所述金属引线与所述电容器芯片之间具有中心焊点，所述外圆焊点和所述中心焊点分别设置有所述连接焊料。
6.如权利要求4所述的馈通滤波器，其特征在于，所述第二填充物为玻璃或陶瓷封装。
7.如权利要求4所述的馈通滤波器，其特征在于，所述第三填充物为环氧树脂。
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Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN2899175Y (zh) * 2006-04-17 2007-05-09 成都新欣神风电子科技有限公司 射频同轴滤波连接器
RU2561620C1 (ru) * 2014-06-10 2015-08-27 Евгений Сергеевич Ляховский Трубчатый электронагреватель
CN111865247A (zh) * 2020-08-26 2020-10-30 江苏沃姆克电子科技有限公司 一种多级电容馈通式电源滤波器
CN113036335A (zh) * 2021-04-14 2021-06-25 福建欧中电子有限公司 一种玻璃封装的陶瓷馈通滤波器及其制备方法
CN214956831U (zh) * 2021-05-12 2021-11-30 成都宏科电子科技有限公司 一种无封装的馈通滤波器

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8195295B2 (en) * 2008-03-20 2012-06-05 Greatbatch Ltd. Shielded three-terminal flat-through EMI/energy dissipating filter
US6985347B2 (en) * 2002-02-28 2006-01-10 Greatbatch-Sierra, Inc. EMI filter capacitors designed for direct body fluid exposure
DE102006041940A1 (de) * 2006-09-07 2008-03-27 Biotronik Crm Patent Ag Elektrische Durchführung
US20130286536A1 (en) * 2012-04-26 2013-10-31 Medtronic, Inc. Implantable medical device with feedthrough, feedthrough and method

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN2899175Y (zh) * 2006-04-17 2007-05-09 成都新欣神风电子科技有限公司 射频同轴滤波连接器
RU2561620C1 (ru) * 2014-06-10 2015-08-27 Евгений Сергеевич Ляховский Трубчатый электронагреватель
CN111865247A (zh) * 2020-08-26 2020-10-30 江苏沃姆克电子科技有限公司 一种多级电容馈通式电源滤波器
CN113036335A (zh) * 2021-04-14 2021-06-25 福建欧中电子有限公司 一种玻璃封装的陶瓷馈通滤波器及其制备方法
CN214956831U (zh) * 2021-05-12 2021-11-30 成都宏科电子科技有限公司 一种无封装的馈通滤波器

Non-Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
Analysis of parasitic feed-through capacitance in MEMS gyroscope with push pull configuration;Faisal Iqbal等;《2017 IEEE 12th International Conference on Nano/Micro Engineered and Molecular Systems》;414-417 *
基于微多环谐振陀螺仪的馈通效应研究;田梦雅等;《半导体光电》;第41卷(第1期);54-58 *
抗RFI馈通式滤波器原理与设计;张峰平等;《 磁性材料及器件 》;第52卷(第4期);56-59 *
高隔离差分馈电双工滤波介质谐振器天线;田洪亮等;《2021年全国天线年会》;366-369 *

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