CN116187380A - 防伪元件和防伪产品 - Google Patents

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CN116187380A CN202111417179.7A CN202111417179A CN116187380A CN 116187380 A CN116187380 A CN 116187380A CN 202111417179 A CN202111417179 A CN 202111417179A CN 116187380 A CN116187380 A CN 116187380A
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周研
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Abstract

本发明提供了一种防伪元件和防伪产品。防伪元件至少包括:基材;可编码的第一磁性区域,第一磁性区域设置在基材上;可编码的第二磁性区域,第二磁性区域设置在基材上,在相同充磁条件下,第一磁性区域的第一侧面的磁通量和第二磁性区域的第一侧面的磁通量相同,第一磁性区域的第一侧面和第二磁性区域的第一侧面沿第二轴的长度不同,且第一磁性区域的一个第二侧面与第二磁性区域的一个第二侧面位于同一平面上;其中,第一磁性区域和第二磁性区域中与第一轴垂直的侧面为第一侧面,第一磁性区域和第二磁性区域中与第二轴垂直的侧面为第二侧面,第一轴与第二轴垂直。本发明解决了现有技术中防伪元件存在防伪性低的问题。

Description

防伪元件和防伪产品
技术领域
本发明涉及磁性防伪领域,具体而言,涉及一种防伪元件和防伪产品。
背景技术
在有价文件中施加可以编码的磁性防伪元件,是一种越来越多被采用的防伪手段。具有编码功能的磁性防伪元件用于检查有价文件等信息载体的真实性,实现有价文件的快速机器识读。
在磁性编码防伪技术领域,磁性编码的机器识读方式包括纵向识读和横向识读两种,分别应用于不同的金融机具使用场景。传统的磁性编码防伪元件是在基材表面印刷间断的相同厚度的磁性区域,磁性区域和磁性区域之间的间隔构成一定的编码序列,专利WO9008367A1、CN107089066B等介绍了这种编码技术,另外采用不同厚度的磁性区域或者使用不同材料属性的磁性区域进行编码也是常用的编码方式,专利EP0310707A2、EP0428779A1等介绍了这种编码技术。现有的防伪元件在机器横向和纵向识读过程中检测波形特征单一,防伪性不高,容易被仿制。
也就是说,现有技术中防伪元件存在防伪性低的问题。
发明内容
本发明的主要目的在于提供一种防伪元件和防伪产品,以解决现有技术中防伪元件存在防伪性低的问题。
为了实现上述目的,根据本发明的一个方面,提供了一种防伪元件,至少包括:基材;可编码的第一磁性区域,第一磁性区域设置在基材上;可编码的第二磁性区域,第二磁性区域设置在基材上,在相同充磁条件下,第一磁性区域的第一侧面的磁通量和第二磁性区域的第一侧面的磁通量相同,第一磁性区域的第一侧面和第二磁性区域的第一侧面沿第二轴的长度不同,且第一磁性区域的一个第二侧面与第二磁性区域的一个第二侧面位于同一平面上;其中,第一磁性区域和第二磁性区域中与第一轴垂直的侧面为第一侧面,第一磁性区域和第二磁性区域中与第二轴垂直的侧面为第二侧面,第一轴与第二轴垂直。
进一步地,第一磁性区域和第二磁性区域一体成型为连续磁性区域。
进一步地,第一磁性区域和第二磁性区域沿第一轴的延伸方向排列设置。
进一步地,第一磁性区域与第二磁性区域相邻排列。
进一步地,第一磁性区域的矫顽力强度和第二磁性区域的矫顽力强度不同。
进一步地,第一磁性区域的第一侧面的面积和第二磁性区域的第一侧面的面积相同。
进一步地,第一磁性区域的厚度小于第二磁性区域的厚度,沿第二轴的延伸方向,第一磁性区域的宽度大于第二磁性区域的宽度。
进一步地,第二磁性区域的厚度和第一磁性区域的厚度的比值与第一磁性区域的宽度和第二磁性区域的宽度的比值相同。
进一步地,磁性传感器沿第一轴对防伪元件检测到的信号特征为至少一个正半波和至少一个负半波的组合波形,且正半波和负半波的数量相同。
进一步地,磁性传感器沿第二轴对防伪元件检测到的信号特征为至少两个负半波和至少一个正半波的组合波形或者为至少两个正半波和至少一个负半波的组合波形,且正半波和负半波的数量不同。
进一步地,第二磁性区域包括多个第二子区域,第二子区域均与第一磁性区域连接,多个第二子区域沿第二轴的延伸方向间隔设置。
进一步地,基材包括纸张、薄膜中的至少一种。
根据本发明的另一方面,提供了一种防伪产品,包括上述的防伪元件。
进一步地,所述防伪产品包括钞票、银行票据、门票、证件、文件、信用卡、产品包装。
应用本发明的技术方案,防伪元件至少包括基材、可编码的第一磁性区域和可编码的第二磁性区域,第一磁性区域设置在基材上;第二磁性区域设置在基材上,在相同充磁条件下,第一磁性区域的第一侧面的磁通量和第二磁性区域的第一侧面的磁通量相同,第一磁性区域的第一侧面和第二磁性区域的第一侧面沿第二轴的长度不同,且第一磁性区域的一个第二侧面与第二磁性区域的一个第二侧面位于同一平面上;其中,第一磁性区域和第二磁性区域中与第一轴垂直的侧面为第一侧面,第一磁性区域和第二磁性区域中与第二轴垂直的侧面为第二侧面,第一轴与第二轴垂直。
通过将第一磁性区域的第一侧面的磁通量和第二磁性区域的第一侧面的磁通量设置成相同的,磁性传感器沿第一轴对防伪元件检测时在磁性传感器在扫描防伪元件时,防伪元件内部不会出现磁通量的改变。而将第一磁性区域的第一侧面和第二磁性区域的第一侧面沿第二轴的长度不同,且第一磁性区域的一个第二侧面与第二磁性区域的一个第二侧面位于同一平面上,就使得磁性传感器沿第二轴对防伪元件检测时,防伪元件内部会出现磁通量的改变,就使得磁性传感器沿第一轴对防伪元件检测到的信号特征与磁性传感器沿第二轴对防伪元件检测到的信号特征不同,增加了防伪元件的防伪效果,使得防伪元件不易被仿制。
附图说明
构成本申请的一部分的说明书附图用来提供对本发明的进一步理解,本发明的示意性实施例及其说明用于解释本发明,并不构成对本发明的不当限定。在附图中:
图1示出了现有技术中一种常规防伪元件在磁性传感器检测检测下第一轴和第二轴的信号特征;
图2示出了现有技术中另一种常规防伪元件在磁性传感器检测检测下第一轴和第二轴的信号特征;
图3示出了根据本发明的实施例一的防伪元件的整体结构示意图;
图4示出了图3中防伪元件的一个角度的视图;
图5示出了图3中防伪元件的另一个角度的视图;
图6示出了图3中防伪元件在磁性传感器检测检测下第一轴和第二轴的信号特征;
图7示出了本发明的实施例二的防伪元件的结构示意图。
其中,上述附图包括以下附图标记:
10、第一磁性区域;20、第二磁性区域;21、子区域。
具体实施方式
需要说明的是,在不冲突的情况下,本申请中的实施例及实施例中的特征可以相互组合。下面将参考附图并结合实施例来详细说明本发明。
需要指出的是,除非另有指明,本申请使用的所有技术和科学术语具有与本申请所属技术领域的普通技术人员通常理解的相同含义。
在本发明中,在未作相反说明的情况下,使用的方位词如“上、下、顶、底”通常是针对附图所示的方向而言的,或者是针对部件本身在竖直、垂直或重力方向上而言的;同样地,为便于理解和描述,“内、外”是指相对于各部件本身的轮廓的内、外,但上述方位词并不用于限制本发明。
如图1和图2,现有中的磁性编码技术中的磁性编码防伪元件在纵向和横向识读的检测波形相同,通常为一个正半波和一个负半波组合波形。采用这些磁性编码元件进行编码,当机器在纵向识读模式下,编码信息为成对的正半波和负半波组合波形;当机器在横向识读模式下,编码信息的正半波和负半波也是成对的出现。这些磁性编码元件的结构简单、检测波形单一,通过分析横向识读模式下的检测波形,很容易推断出纵向识读模式下的检测波形,不具备高的防伪性,容易被仿造。众所周知,作为机器识读的磁性编码元件不但要能够进行机读信息的编码识别,同时也要具备更高的隐蔽性和防伪性。
为了解决现有技术中防伪元件存在防伪性低的问题,本发明提供了一种防伪元件和防伪产品。
如图3至图7所示,防伪元件至少包括基材、可编码的第一磁性区域10和可编码的第二磁性区域20,第一磁性区域10设置在基材上;第二磁性区域20设置在基材上,在相同充磁条件下,第一磁性区域10的第一侧面的磁通量和第二磁性区域20的第一侧面的磁通量相同,第一磁性区域10的第一侧面和第二磁性区域20的第一侧面沿第二轴的长度不同,且第一磁性区域10的一个第二侧面与第二磁性区域20的一个第二侧面位于同一平面上;其中,第一磁性区域10和第二磁性区域20中与第一轴垂直的侧面为第一侧面,第一磁性区域10和第二磁性区域20中与第二轴垂直的侧面为第二侧面,第一轴与第二轴垂直。
通过将第一磁性区域10的第一侧面的磁通量和第二磁性区域20的第一侧面的磁通量设置成相同的,磁性传感器沿第一轴对防伪元件检测时,磁性传感器在扫描防伪元件时,防伪元件内部不会出现磁通量的改变。而将第一磁性区域10的第一侧面和第二磁性区域20的第一侧面沿第二轴的长度不同,且第一磁性区域10的一个第二侧面与第二磁性区域20的一个第二侧面位于同一平面上,就使得磁性传感器沿第二轴对防伪元件检测时,防伪元件内部会出现磁通量的改变,就使得磁性传感器沿第一轴对防伪元件检测到的信号特征与磁性传感器沿第二轴对防伪元件检测到的信号特征不同,增加了防伪元件的防伪效果,使得防伪元件不易被仿制。
需要说明的是,磁性传感器沿第一轴对防伪元件检测到的信号特征与现有技术中防伪元件检测到的信号特征相同,而磁性传感器沿第二轴对防伪元件检测到的信号特征与现有技术中防伪元件检测到的信号特征不同,这样设置使得防伪元件具有更强的隐蔽性,使得防伪元件的防伪性能不易被察觉,进一步增加了防伪元件的防伪性。这样做的优点在于,在金融机具(如点钞机)的沿第一轴检测的过程中,磁性元件的检测波形与常规的磁性编码元件的检测波形一样,具有较高的隐蔽性。在金融机具的沿第二轴检测的过程中,可以产生两个以上的正半波或负半波组合波形,是常规磁性编码元件所不能实现的,具有高的防伪性。而且,在一些高端金融机具(如磁图像检测机具)的检测过程中,所述磁性编码元件可以实现图案化编码,满足不同等级的金融机具需求。
此外,由于第一磁性区域10的宽度与第二磁性区域20的的宽度不同,两者为相对独立区域,不存在相互叠加的影响。采用印刷的方式进行生产,可以减少油墨的流平性对侧面面积的影响,提升磁性区域的磁通量大小控制的准确性,使得防伪元件的检测波形特征更加容易识别,且生产过程稳定,成品率高。
具体的,第一磁性区域10和第二磁性区域20一体成型为连续磁性区域。在制作防伪元件时,第一磁性区域10和第二磁性区域20是一起制作成型的,以便于防伪元件的制作。同时便于对第一磁性区域10和第二磁性区域20的控制。
如图3和图4所示,第一磁性区域10和第二磁性区域20沿第一轴的延伸方向排列设置。这样设置使得第一磁性区域10和第二磁性区域20可以在第一轴的延伸方向连续设置,进而在使得磁性传感器沿第一轴对防伪元件检测时,在第一磁性区域10与第二磁性区域20之间过渡时没有磁场的变化,保证了磁性传感器在沿第一轴对本申请中的防伪元件检测与对常规防伪元件检测时检测到的信号特征相同。
如图3和图4所示,第一磁性区域10与第二磁性区域20相邻排列。这样设置使得第一磁性区域10与第二磁性区域20相邻排列,进而使得第一磁性区域10与第二磁性区域20有一部分区域是连接的,形成连续的磁信号,在第一磁性区域10与第二磁性区域20之间过渡时不会产生磁通量的变化。
具体的,第一磁性区域10的第一侧面的面积和第二磁性区域20的第一侧面的面积相同,第一磁性区域10的第二侧面的面积和第二磁性区域20的第二侧面的面积不同。通过对第一侧面和第二侧面的面积的控制来对第一侧面和第二侧面处的磁通量进行控制,以保证第一磁性区域10的第一侧面的磁通量与第二磁性区域20的第一侧面的磁通量相同,而第一磁性区域10的第二侧面的磁通量与第二磁性区域20的第二侧面的磁通量不同。
如图3所示,第一磁性区域10的厚度小于第二磁性区域20的厚度,沿第二轴的延伸方向,第一磁性区域10的宽度大于第二磁性区域20的宽度。这样设置便于控制第一磁性区域10的第一侧面的面积与第二磁性区域20的第一侧面的面积相同,而在第一磁性区域10的第二侧面的面积与第二磁性区域20的第二侧面的面积不同,以使得以使磁性传感器沿第一轴对防伪元件检测到的信号特征与磁性传感器沿第二轴对防伪元件检测到的信号特征不同。
具体的,第二磁性区域20的厚度和第一磁性区域10的厚度的比值与第一磁性区域10的宽度和第二磁性区域20的宽度的比值相同。这样就使得磁性传感器沿第一轴对防伪元件检测到的信号特征与磁性传感器沿第二轴对防伪元件检测到的信号特征不同,且能够根据预测到两个方向的信号特征。
具体的,磁性传感器沿第一轴对防伪元件检测到的信号特征为至少一个正半波和至少一个负半波的组合波形,且正半波和负半波的数量相同。磁性传感器沿第一轴对常规防伪元件检测到的信号特征也是至少一个正半波和至少一个负半波的组合波形,且正半波和负半波的数量相同的形式。而本申请之所以这样做就是为了让本申请中的防伪元件与常规防伪元件在沿第一轴检测时的信号特征相同,以便于本申请中的防伪元件的第二侧面的防伪特性不易被察觉。
具体的,磁性传感器沿第二轴对防伪元件检测到的信号特征为至少两个负半波和至少一个正半波的组合波形或者为至少两个正半波和至少一个负半波的组合波形,且正半波和负半波的数量不同。这样设置就使得磁性传感器沿第二轴对本申请中的防伪元件检测到的信号特征与对常规的防伪元件检测到的信号特征不同,使得本申请中的防伪元件不易被仿制,增加了本申请中的防伪元件的防伪性能。
具体的,基材包括纸张、薄膜中的至少一种。这样便于在基材上形成第一磁性区域10和第二磁性区域20,而纸张和薄膜比较常见,成本低。
具体的,防伪产品包括上述的防伪元件。具有上述防伪元件的防伪产品具有很好的防伪特性,不易被仿制。
具体的,防伪产品包括钞票、银行票据、门票、证件、文件、信用卡、产品包装。
在本例子中,第二磁性区域20的厚度和第一磁性区域10的厚度的比值为2,第一磁性区域10的宽度和第二磁性区域20的宽度的比值2。假设外界无磁性区域的磁通量为0,第一磁性区域10的第一侧面的磁通量是2V,第一磁性区域10的第二侧面的磁通量是1V,第二磁性区域20的第一侧面的磁通量是2V,第二磁性区域20的第二侧面的磁通量是2V。而第一磁性区域10的长度和第二磁性区域20的长度的比值为1。
如图6所示,在磁性传感器沿第一轴移动检测时,从外界无磁性区域到第一磁性区域10的第一侧面处磁通量从0变化到2V,形成一个峰值为2V的正半波,而在磁性传感器继续移动的过程中,磁通量是不变的,也就没有波形,在移动到第二磁性区域20处,磁性量也没有发生变化,此处磁通量仍然不变,直至从第二磁性区域20到外界无磁性区域处,磁通量从2V到0,形成一个峰值为-2V的负半波。
如图6所示,在磁性传感器沿第二轴移动检测时,从外界无磁性区域到第一磁性区域10和第二磁性区域20的第二侧面充,磁通量从0变化到3V,形成一个峰值为3V的正半波,磁性传感器继续移动的过程中直至将第二磁性区域20扫描完,仅扫描第一磁性区域10处,磁通量从3V到1V,形成一个峰值为-2V的负半波,磁性传感器继续移动,直至将第一磁性区域10扫描完,磁通量从1V到0,形成一个峰值为-V的负半波。
本发明提供了一种具有更高隐蔽性和防伪性的磁性编码防伪元件和防伪产品,在纵向和横向识读模式下能够产生不同的机读信息特征,而且制作成本低廉、可靠。
可选的,一种用于制造防伪元件的方法,其中防伪元件的磁性区域通过将磁性油墨涂覆于凹印版辊上,然后印刷到基材表面形成。
防伪元件通过凹版印刷的方式制作形成。制作防伪元件所使用的印刷版辊通过激光雕刻的方法制作。
实施例二
如图7所示,第二磁性区域20包括多个第二子区域21,第二子区域21均与第一磁性区域10连接,多个第二子区域21沿第二轴的延伸方向间隔设置。这样设置使得磁性传感器沿第一轴对防伪元件检测到的信号特征与磁性传感器沿第二轴对防伪元件检测到的信号特征不同。
以图7为例进行说明。
具体的,在磁性传感器沿第一轴移动检测时,从外界无磁性区域到第一磁性区域10的第一侧面处磁通量从0变化到2V,形成一个峰值为2V的正半波,而在磁性传感器继续移动的过程中,磁通量是不变的,也就没有波形,在移动到第二磁性区域20处,磁性量也没有发生变化,此处磁通量仍然不变,直至从第二磁性区域20到外界无磁性区域处,磁通量从2V到0,形成一个峰值为-2V的负半波。
具体的,在磁性传感器沿第二轴移动检测时,从外界无磁性区域到第一磁性区域10和第一个第二子区域21的第二侧面处,磁通量从0变化到3V,形成一个峰值为3V的正半波,磁性传感器继续移动的过程中直至将第一个第二子区域21扫描完,仅扫描第一磁性区域10处,磁通量从3V到1V,形成一个峰值为-2V的负半波,在磁性传感器继续移动的到第二个第二子区域21处,磁通量从1V变化到3V,形成一个峰值为2V的正半波,磁性传感器继续扫描直至将第二个第二子区域21扫描完,磁通量从3V到1V,形成一个峰值为-2V的负半波,磁性传感器继续移动,直至将第一磁性区域10扫描完,磁通量从1V到0,形成一个峰值为-V的负半波。
实施例三
与实施例一的区别是,第一磁性区域10与第二磁性区域20的矫顽力强度不同。
第一磁性区域10的矫顽力强度和第二磁性区域20的矫顽力强度不同。
具体的第一磁性区域10由低矫顽力磁性材料组成,优选的大小约300Oe左右,第二磁性区域20由高矫顽力磁性材料组成,优选的大小约3000Oe左右,第一磁性区域10和第二磁性区域20具有不同的矫顽力大小。第一磁性区域10和第二磁性区域20通过两次印刷的方法生产。按照实施例一相同的方法,磁性传感器沿第一轴和第二轴移动检测,检测波形的特征与实施例一相同。由于在本实施例中第一磁性区域10和第二磁性区域20的矫顽力不同,可以进一步通过不同的矫顽力增加防伪元件隐蔽性,因为可以通过对防伪元件进行不同矫顽力的消磁磁化,防伪元件能够在实施例一的波形特征基础上增加矫顽力的机器识别特征,可以使本实施例中的防伪元件的防伪性得到进一步提升。
显然,上述所描述的实施例仅仅是本发明一部分的实施例,而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例,本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都应当属于本发明保护的范围。
需要注意的是,这里所使用的术语仅是为了描述具体实施方式,而非意图限制根据本申请的示例性实施方式。如在这里所使用的,除非上下文另外明确指出,否则单数形式也意图包括复数形式,此外,还应当理解的是,当在本说明书中使用术语“包含”和/或“包括”时,其指明存在特征、步骤、工作、器件、组件和/或它们的组合。
需要说明的是,本申请的说明书和权利要求书及上述附图中的术语“第一”、“第二”等是用于区别类似的对象,而不必用于描述特定的顺序或先后次序。应该理解这样使用的数据在适当情况下可以互换,以便这里描述的本申请的实施方式能够以除了在这里图示或描述的那些以外的顺序实施。
以上所述仅为本发明的优选实施例而已,并不用于限制本发明,对于本领域的技术人员来说,本发明可以有各种更改和变化。凡在本发明的精神和原则之内,所作的任何修改、等同替换、改进等,均应包含在本发明的保护范围之内。

Claims (14)

1.一种防伪元件,其特征在于,至少包括:
基材;
可编码的第一磁性区域(10),所述第一磁性区域(10)设置在所述基材上;
可编码的第二磁性区域(20),所述第二磁性区域(20)设置在所述基材上,在相同充磁条件下,所述第一磁性区域(10)的第一侧面的磁通量和所述第二磁性区域(20)的第一侧面的磁通量相同,所述第一磁性区域(10)的第一侧面和所述第二磁性区域(20)的第一侧面沿第二轴的长度不同,且所述第一磁性区域(10)的一个第二侧面与所述第二磁性区域(20)的一个第二侧面位于同一平面上;
其中,所述第一磁性区域(10)和所述第二磁性区域(20)中与第一轴垂直的侧面为第一侧面,所述第一磁性区域(10)和所述第二磁性区域(20)中与所述第二轴垂直的侧面为第二侧面,所述第一轴与所述第二轴垂直。
2.根据权利要求1所述的防伪元件,其特征在于,所述第一磁性区域(10)和所述第二磁性区域(20)一体成型为连续磁性区域。
3.根据权利要求1所述的防伪元件,其特征在于,所述第一磁性区域(10)和所述第二磁性区域(20)沿所述第一轴的延伸方向排列设置。
4.根据权利要求3所述的防伪元件,其特征在于,所述第一磁性区域(10)与所述第二磁性区域(20)相邻排列。
5.根据权利要求4所述的防伪元件,其特征在于,所述第一磁性区域(10)的矫顽力强度和所述第二磁性区域(20)的矫顽力强度不同。
6.根据权利要求1所述的防伪元件,其特征在于,所述第一磁性区域(10)的第一侧面的面积和所述第二磁性区域(20)的第一侧面的面积相同。
7.根据权利要求1所述的防伪元件,其特征在于,所述第一磁性区域(10)的厚度小于所述第二磁性区域(20)的厚度,沿所述第二轴的延伸方向,所述第一磁性区域(10)的宽度大于所述第二磁性区域(20)的宽度。
8.根据权利要求6所述的防伪元件,其特征在于,所述第二磁性区域(20)的厚度和所述第一磁性区域(10)的厚度的比值与所述第一磁性区域(10)的宽度和所述第二磁性区域(20)的宽度的比值相同。
9.根据权利要求1至8中任一项所述的防伪元件,其特征在于,磁性传感器沿所述第一轴对所述防伪元件检测到的信号特征为至少一个正半波和至少一个负半波的组合波形,且所述正半波和所述负半波的数量相同。
10.根据权利要求1至8中任一项所述的防伪元件,其特征在于,磁性传感器沿所述第二轴对所述防伪元件检测到的信号特征为至少两个负半波和至少一个正半波的组合波形或者为至少两个正半波和至少一个负半波的组合波形,且所述正半波和所述负半波的数量不同。
11.根据权利要求1至8中任一项所述的防伪元件,其特征在于,所述第二磁性区域(20)包括多个第二子区域(21),所述第二子区域(21)均与所述第一磁性区域(10)连接,多个所述第二子区域(21)沿所述第二轴的延伸方向间隔设置。
12.根据权利要求1至8中任一项所述的防伪元件,其特征在于,所述基材包括纸张、薄膜中的至少一种。
13.一种防伪产品,其特征在于,包括权利要求1至12中任一项所述的防伪元件。
14.根据权利要求13所述的防伪产品,其特征在于,所述防伪产品包括钞票、银行票据、门票、证件、文件、信用卡、产品包装。
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