CN116114602B - 一种铁皮石斛开花的微景观培育方法 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种铁皮石斛开花的微景观培育方法，属于微景观培育领域，包括原球茎诱导、原球茎增殖分化、高温胁迫培养、促开花培养和移栽等步骤。用高温胁迫培养的方式，有效地增加铁皮石斛微景观的环境耐受性。高温胁迫前使用根保护原液对铁皮石斛根部进行浸泡处理，有效解决了高温胁迫处理后铁皮石斛花朵品质差，花后迅速凋谢花期短的问题，解决了铁皮石斛微景观生长缓慢不开花的种植技术问题。
Description
技术领域
本发明涉及铁皮石斛微景观培育领域，尤其涉及一种铁皮石斛开花的微景观培育方法。
背景技术
微景观是将苔藓、多肉等植物，加上各种配饰装进一个瓶子里，构成妙趣横生的场景。深受久居城市、办公人群的喜爱。适用于观赏价值高、低维护，植株矮小的品种。铁皮石斛为兰科石斛属药食同源，兼具观赏价值的传统名贵中药材，位列“八大仙草”之首。铁皮石斛盛开时候成团成簇，黄绿色的花瓣清新可爱，还有淡淡清香。在园林景观供观赏运用广泛，附加利用价值显著，因此，铁皮石斛可当做景观花卉种植在办公室或庭院中。
但铁皮石斛微景观培养开花困难，花期短，长势较差、花朵品质差甚至不开花，无法达到观赏价值。高温胁迫可以缩短铁皮石斛营养生长向生殖生长转变的年限，抑制铁皮石斛营养生长，促使铁皮石斛提前开花。高温胁迫和高比例细胞分裂素与低生长素合理配比使用，可以促使铁皮石斛在试管内提前开花，且提高了铁皮石斛对温度的耐受性，恢复最适温度后长势更健壮。但花朵品质差，营养消耗快开花后迅速凋谢花期短。因此，急需一种铁皮石斛开花的微景观培育方法来解决高温胁迫处理后铁皮石斛花朵品质差，花后迅速凋谢花期短的问题。
发明内容
有鉴于此，本发明的目的是提供一种铁皮石斛开花的微景观培育方法，以解决高温胁迫处理后铁皮石斛花朵品质差，花后迅速凋谢花期短的问题。
本发明通过以下技术手段解决上述技术问题：
本发明提供了一种铁皮石斛开花的微景观培育方法，具体步骤如下：
(1)原球茎诱导：将成熟健康的铁皮石斛蒴果消毒后剪破，将种子均匀洒于原球茎诱导培养基上，在温度为25℃-27℃，光照强度为1700lx-2000lx，光照时间为12h/d的条件下培养24-28天得到铁皮石斛原球茎；
(2)原球茎增殖分化：取直径为2mm-2.5mm的铁皮石斛原球茎转入原球茎增殖分化培养基。在温度为23℃-25℃，光照强度为1700lx-2000lx，光照时间为12h/d的条件下培养28-32天得到带根铁皮石斛小苗；
(3)高温胁迫培养：挑选株高1cm左右的健壮的带根铁皮石斛小苗，浸入根保护原液中浸泡5-10min后，接种到高温胁迫培养基上，高温胁迫培养15天得到高温胁迫培养后的铁皮石斛小苗；
(4)促开花培养：将高温胁迫培养后的铁皮石斛小苗按1cm2/株的密度转入恢复性促开花培养基中，培养14-16天得到恢复后的铁皮石斛小苗；
(5)移栽：微景观容器内铺上容积1/5的种植基质，用促开花营养液浇透后，将恢复后的铁皮石斛小苗移栽至微景观容器，根部固定在种植基质中，随后按照铁皮石斛养护方法养护。
进一步，所述步骤(1)中原球茎诱导培养基配方为：N6培养基+NAA0.1mg/L+6BA0.5mg/L+琼脂6.5g/L+蔗糖30g/L+活性炭0.3g/L。
进一步，所述步骤(2)中原球茎增殖分化培养基配方为：1/2MS培养基+NAA0.2mg/L+6BA 2mg/L+骨粉100g/L+琼脂7g/L+蔗糖30g/L+活性炭0.3g/L。
进一步，所述步骤(3)中高温胁迫培养基配方为：1/2MS培养基+NAA0.5mg/L+6BA2mg/L+ZT 1mg/L+土豆汁3mg/L+骨粉100g/L+琼脂7g/L+蔗糖30g/L+活性炭0.3g/L。
再进一步，所述步骤(3)中根保护原液包括以下质量份原料：3-丙烯酰胺基苯硼酸1-3份、N-异丙基丙烯酰胺1-3份、马来酰化葡聚糖8-10份、硫酸铵0.4-0.6份和四甲基乙二胺0.1-0.2份；
所述根保护原液的制备方法：3-丙烯酰胺基苯硼酸在60℃中充分溶解后，依次加入N-异丙基丙烯酰胺和马来酰化葡聚糖在80-120kHz的条件下超声混合均匀，随后置于温度为4℃冰水浴中，加入硫酸铵和四甲基乙二胺搅拌混合均匀后得到根保护原液。
再进一步，所述步骤(3)中高温胁迫培养温度控制如下：从26℃开始白天培养12h后，夜晚均恢复25℃培养12h，第二天白天温度上升1℃相同步骤下培养，直至15天后白天温度上升至40℃为止。
进一步，所述步骤(4)中恢复性促开花培养基配方为：1/2MS培养基+NAA0.5mg/L+6BA 2mg/L+香蕉汁100g/L+活性炭0.3g/L。
进一步，所述步骤(5)中促开花营养液包括以下质量份原料：羧甲基葡聚糖8-10份、三十烷醇2-3份、叶绿素0.2-0.4份、磷酸二氢钾0.8-1.2份、黄腐酸二胺铁0.2-0.4份、脱落酸0.1-0.2份和赤霉素0.1-0.2份。
进一步，所述步骤(5)中种植基质包括以下质量份原料：0.4-0.7cm松树皮2-4份、0.02-0.04cm风化赤沙石0.8-1.2份、草炭0.4-0.6份、骨粉0.05-0.15份、黄腐酸钾粉末0.2-0.4份和多菌灵可湿性粉末0.05-0.15份。
本发明将增殖分化得到的铁皮石斛小苗浸入根保护原液后，再接种至高温胁迫培养基中，进行高温胁迫培养。高温胁迫培养过程中随着温度的增加，培养基中的植物激素活性升高，迅速作用，使得铁皮石斛花期提前，但是温度过高使得铁皮石斛根部活性下降，得到的花朵质量下降，甚至根部受到损害使得花期缩短。因此，高温胁迫培养前将铁皮石斛根部浸入根保护原液，3-丙烯酰胺基苯硼酸、N-异丙基丙烯酰胺和马来酰化葡聚糖在根表面形成温敏型根保护薄膜，随着温度升高，薄膜中的硫酸铵和四甲基乙二胺缓慢释放，为根部及时提供养分，同时薄膜的保水性的随之增加，有效防止了根部的水分流失使得铁皮石斛花朵鲜艳明亮，且花期也得到了良好的延长。
在高温胁迫培养后，铁皮石斛顺利开出耐受性强，花朵质量良好的花朵，在常温下培养花期长的铁皮石斛花朵，花期有限，为了进一步延长花期，本发明还配合使用了促开花营养液，该营养液为铁皮石斛提供充分营养物质的同时，在磷酸二氢钾和黄腐酸二胺铁的作用下，根保护薄膜脱落溶解，使得根部可以更好的吸收营养物质进而进一步延长了花期。
有益效果：
1、本发明提供了一种铁皮石斛开花的微景观培育方法可以有效增加铁皮石斛花朵耐受性的同时，得到铁皮石斛花朵品质优良，花期长。
2、制备的根保护原液有效的解决了在高温胁迫培养过程中，根部因温度过高，使得水分流失，进而花朵品质差，易萎蔫的问题。
3、使用的种植基质配比科学，疏松透气，富含有机质，利于铁皮石斛生长。解决了铁皮石斛微景观生长缓慢不开花的种植技术问题。
说明书附图
图1：铁皮石斛微景观开花的生长状态图。
具体实施方式
以下将结合实施例和附图对本发明进行详细说明：
本发明使用的相关培养基均按以下方法进行配置：
原球茎诱导培养基配方为：N6培养基+NAA 0.1mg/L+6BA 0.5mg/L+琼脂6.5g/L+蔗糖30g/L+活性炭0.3g/L。
原球茎增殖分化培养基配方为：1/2MS培养基+NAA 0.2mg/L+6BA 2mg/L+骨粉100g/L+琼脂7g/L+蔗糖30g/L+活性炭0.3g/L。
高温胁迫培养基配方为：1/2MS培养基+NAA 0.5mg/L+6BA 2mg/L+ZT 1mg/L+土豆汁3mg/L+骨粉100g/L+琼脂7g/L+蔗糖30g/L+活性炭0.3g/L。
1/2MS培养基+NAA 0.5mg/L+6BA 2mg/L+香蕉汁100g/L+活性炭0.3g/L。
本发明使用的促开花营养液均按以下方法进行配置：
分别称取羧甲基葡聚糖9.0g、三十烷醇2.5g、叶绿素0.3g、磷酸二氢钾1.0g、黄腐酸二胺铁0.3g、脱落酸0.15g和赤霉素0.15g加入到1kg去离子水中搅拌混合均匀得到促开花营养液。
实施例1：根保护原液制备一
称取3-丙烯酰胺基苯硼酸2.0g加入1kg去离子水中加入到60℃充分溶解后，依次加入N-异丙基丙烯酰胺2.0g和马来酰化葡聚糖9.0g在100kHz的条件下超声混合均匀，随后置于温度为4℃冰水浴中，加入硫酸铵0.5g和四甲基乙二胺0.15g搅拌混合均匀后得到根保护原液。
实施例2：根保护原液制备二
称取3-丙烯酰胺基苯硼酸3.0g加入1kg去离子水中加入到60℃充分溶解后，依次加入N-异丙基丙烯酰胺3.0g和马来酰化葡聚糖10.0g在120kHz的条件下超声混合均匀，随后置于温度为4℃冰水浴中，加入硫酸铵0.6g和四甲基乙二胺0.20g搅拌混合均匀后得到根保护原液。
实施例3：根保护原液制备三
称取3-丙烯酰胺基苯硼酸1.0g加入1kg去离子水中加入到60℃充分溶解后，依次加入N-异丙基丙烯酰胺1.0g和马来酰化葡聚糖8.0g在80kHz的条件下超声混合均匀，随后置于温度为4℃冰水浴中，加入硫酸铵0.4g和四甲基乙二胺0.10g搅拌混合均匀后得到根保护原液。
对比例1：
本对比例与实施例1形成对比，其区别仅在于，制备根保护原液时不加3-丙烯酰胺基苯硼酸，其余步骤均相同，具体步骤如下：
1kg去离子水中加入依次加入N-异丙基丙烯酰胺2.0g和马来酰化葡聚糖9.0g在100kHz的条件下超声混合均匀，随后置于温度为4℃冰水浴中，加入硫酸铵0.5g和四甲基乙二胺0.15g搅拌混合均匀后得到根保护原液。
对比例2：
本对比例与实施例1形成对比，其区别仅在于，制备根保护原液时不加N-异丙基丙烯酰胺，其余步骤均相同，具体步骤如下：
称取3-丙烯酰胺基苯硼酸2.0g加入1kg去离子水中加入到60℃充分溶解后，加入马来酰化葡聚糖9.0g在100kHz的条件下超声混合均匀，随后置于温度为4℃冰水浴中，加入硫酸铵0.5g和四甲基乙二胺0.15g搅拌混合均匀后得到根保护原液。
对比例3：
本对比例与实施例1形成对比，其区别仅在于，制备根保护原液时不加硫酸铵和四甲基乙二胺，其余步骤均相同，具体步骤如下：
称取3-丙烯酰胺基苯硼酸2.0g加入1kg去离子水中加入到60℃充分溶解后，依次加入N-异丙基丙烯酰胺2.0g和马来酰化葡聚糖9.0g在100kHz的条件下超声混合均匀得到根保护原液。
实施例4：铁皮石斛开花的微景观培育一
(1)原球茎诱导：将成熟健康的铁皮石斛蒴果消毒后剪破，将种子均匀洒于原球茎诱导培养基上，在温度为26℃，光照强度为1800lx，光照时间为12h/d的条件下培养26天得到铁皮石斛原球茎；
(2)原球茎增殖分化：取直径为2mm-2.5mm的铁皮石斛原球茎转入原球茎增殖分化培养基。在温度为24℃，光照强度为1800lx，光照时间为12h/d的条件下培养30天得到带根铁皮石斛小苗；
(3)高温胁迫培养：挑选株高1cm左右的健壮的带根铁皮石斛小苗，浸入根保护原液中浸泡8min后，接种到高温胁迫培养基上，高温胁迫培养从26℃开始白天培养12h后，夜晚均恢复25℃培养12h，第二天白天温度上升1℃相同步骤下培养重复培养，直至15天后白天温度上升至40℃为止得到高温胁迫培养后的铁皮石斛小苗；
(4)促开花培养：将高温胁迫培养后的铁皮石斛小苗按1cm2/株的密度转入恢复性促开花培养基中，培养15天得到恢复后的铁皮石斛小苗；
(5)移栽：微景观容器内铺上容积1/5的种植基质，用促开花营养液浇透后，将恢复后的铁皮石斛小苗移栽至微景观容器，根部固定在种植基质中，随后按照铁皮石斛养护方法养护。
对比例4：
本对比例与实施例4形成对比，其区别仅在于，步骤(3)高温胁迫培养换为普通培养，其余步骤均相同，步骤(3)具体如下：
(3)普通培养：挑选株高1cm左右的健壮的带根铁皮石斛小苗，浸入根保护原液中浸泡8min后，接种到普通培养培养基上，在温度为24℃，光照强度为1800lx，光照时间为12h/d的条件下培养15天得到普通培养后的铁皮石斛小苗。
普通培养培养基配方为：1/2MS培养基+NAA 0.5mg/L+6BA 2mg/L+琼脂7g/L+蔗糖30g/L+活性炭0.3g/L。
对比例5：
本对比例与实施例4形成对比，其区别仅在于，步骤(3)中不将带根铁皮石斛小苗浸入根保护原液中，其余步骤均相同，步骤(3)具体如下：
(3)高温胁迫培养：挑选株高1cm左右的健壮的带根铁皮石斛小苗，接种到高温胁迫培养基上，高温胁迫培养从26℃开始白天培养12h后，夜晚均恢复25℃培养12h，第二天白天温度上升1℃相同步骤下培养重复培养，直至15天后白天温度上升至40℃为止得到高温胁迫培养后的铁皮石斛小苗；
对比例6：
本对比例与实施例4形成对比，其区别仅在于，步骤(5)中不使用促开花营养液浇透，其余步骤均相同，步骤(5)具体如下：
(5)移栽：微景观容器内铺上容积1/5的种植基质，用清水浇透后，将恢复后的铁皮石斛小苗移栽至微景观容器，根部固定在种植基质中，随后按照铁皮石斛养护方法养护。
实验一：
1、样品选择：
选取相同品种、成熟健康的铁皮石斛蒴果进行培育，分成8组，分别为实验组1、对照组1-6，空白对照组，每组10棵。
2、培育方法：
实验组1：选用实施例4的培育方法，其中根保护原液为实施例1制备的根保护原液，正常管护后，铁皮石斛微景观开花的生长状态如图1所示；
对照组1-3：均选用实施例4的培育方法，其中根保护原液分别选用对比例1-3制备的根保护原液；
对照组4-6：分别选用对比例4-6的培育方法，其中对照组5未使用根保护原液，对照组4、对照组6均选用实施例1制备的根保护原液。
空白对照：为普通的培育方法进行铁皮石斛微景观开花的培育，具体如下：
(1)原球茎诱导：将成熟健康的铁皮石斛蒴果消毒后剪破，将种子均匀洒于原球茎诱导培养基上，在温度为26℃，光照强度为1800lx，光照时间为12h/d的条件下培养26天得到铁皮石斛原球茎；
(2)原球茎增殖分化：取直径为2mm-2.5mm的铁皮石斛原球茎转入原球茎增殖分化培养基。在温度为24℃，光照强度为1800lx，光照时间为12h/d的条件下培养30天得到带根铁皮石斛小苗；
(3)高温胁迫培养：挑选株高1cm左右的健壮的带根铁皮石斛小苗，接种到高温胁迫培养基上，在温度为24℃，光照强度为1800lx，光照时间为12h/d的条件下培养15天得到普通培养后的铁皮石斛小苗。
(4)促开花培养：将高温胁迫培养后的铁皮石斛小苗按1cm2/株的密度转入恢复性促开花培养基中，培养15天得到恢复后的铁皮石斛小苗；
(5)移栽：微景观容器内铺上容积1/5的种植基质，用清水浇透后，将恢复后的铁皮石斛小苗移栽至微景观容器，根部固定在种植基质中，随后按照铁皮石斛养护方法养护。
3、实验记录：
分别记录各组的铁皮石斛花朵盛开状态、花期(从第一朵铁皮石斛花朵盛开至所有花朵凋谢为止的时间为花期)以及开花率，设置三个重复，结果见表1：
表1：
| 花朵盛开状态 | 开花率(％) | 花期(天) | |
| 空白对照 | 部分萎蔫 | 57.33 | 71 |
| 实验组1 | 新鲜无萎蔫 | 98.68 | 138 |
| 对照组1 | 部分萎蔫 | 91.33 | 104 |
| 对照组2 | 部分萎蔫 | 85.00 | 116 |
| 对照组3 | 部分萎蔫 | 86.33 | 109 |
| 对照组4 | 新鲜无萎蔫 | 68.68 | 84 |
| 对照组5 | 萎蔫 | 79.33 | 115 |
| 对照组6 | 新鲜部分萎蔫 | 89.00 | 127 |
数据分析：
对比表1中实验组1和空白对照的数据可知，本发明提供的铁皮石斛微景观开花的培育方法培育的铁皮石斛鲜花新鲜无萎蔫。较空白对照开花率提高了41.35％，花期延长了67天。实验组1移栽正常管护后，铁皮石斛微景观开花的生长状态如图1所示。
对比表1中实验组1和对照组1-3的数据可知，对照组1-3分别再制备根保护原液是不加3-丙烯酰胺基苯硼酸、N-异丙基丙烯酰胺以及硫酸铵和四甲基乙二胺，均会影响铁皮石斛花朵的盛开状态，使花朵的出现萎蔫现象，花朵的开花率降低，花期缩短。这主要是因为3-丙烯酰胺基苯硼酸和N-异丙基丙烯酰胺相互作用在铁皮石斛小苗根部形成温敏凝胶，使得根部水分蒸发减缓，进而延长了花期、减少了萎蔫现象。缺少硫酸铵和四甲基乙二胺则会减少高温条件下营养物质的补充，营养物质流失过快则出现萎蔫、开花率减小、花期缩短的现象。
对比表1中实验组1和对照组4-6的数据可知，对照组4-6分别将步骤(3)高温胁迫培养换为普通培养、步骤(3)中不将带根铁皮石斛小苗浸入根保护原液中和步骤(5)中不使用促开花营养液浇透均会，其中对照组5和6均出现花朵萎蔫现象，对照组5是因为高温胁迫导致根部缺水引起的，对照组6则是因为花朵移栽后营养物质不够导致的。对照组4-6开花率和花期均减小，这主要是因为不进行高温胁迫培养或者是高温胁迫培养时根保护不到位以及移栽后营养物质不充分导致的。
以上实施例仅用以说明本发明的技术方案而非限制，尽管参照较佳实施例对本发明进行了详细说明，本领域的普通技术人员应当理解，可以对本发明的技术方案进行修改或者等同替换，而不脱离本发明技术方案的宗旨和范围，其均应涵盖在本发明的权利要求范围当中。本发明未详细描述的技术、形状、构造部分均为公知技术。
Claims (4)
1.一种铁皮石斛开花的微景观培育方法，其特征在于，所述铁皮石斛开花的微景观培育步骤如下：
（1)原球茎诱导：将成熟健康的铁皮石斛蒴果消毒后剪破，将种子均匀洒于原球茎诱导培养基上，诱导培养24-28天得到铁皮石斛原球茎；
（2）原球茎增殖分化：取直径为2mm-2.5mm的铁皮石斛原球茎转入原球茎增殖分化培养基，增殖分化培养28-32天得到带根铁皮石斛小苗；
（3）高温胁迫培养：挑选株高1cm左右的健壮的带根铁皮石斛小苗，浸入根保护原液中浸泡5-10min后，接种到高温胁迫培养基上，高温胁迫培养15天得到高温胁迫培养后的铁皮石斛小苗；
（4）促开花培养：将高温胁迫培养后的铁皮石斛小苗按1cm2/株的密度转入恢复性促开花培养基中，在温度为25℃，光照强度为1700lx-2000 lx，光照时间为12h/d的条件下培养14-16天得到恢复后的铁皮石斛小苗；
（5）移栽：微景观容器内铺上容积1/5的种植基质，用促开花营养液浇透后，将恢复后的铁皮石斛小苗移栽至微景观容器，根部固定在种植基质中，随后按照铁皮石斛养护方法正常养护；
所述步骤（3）中高温胁迫培养基配方为：1/2MS培养基+NAA 0.5mg/L+6BA 2mg/L +ZT1mg/L+土豆汁3mg/L+骨粉100g/L+琼脂7g/L+蔗糖30g/L+活性炭0.3g/L；
所述步骤（3）中根保护原液包括以下质量份原料：3-丙烯酰胺基苯硼酸1-3份、 N-异丙基丙烯酰胺1-3份、马来酰化葡聚糖8-10份、硫酸铵0.4-0.6份和四甲基乙二胺0.1-0.2份；
所述步骤（5）中促开花营养液包括以下质量份原料：羧甲基葡聚糖8-10份、三十烷醇2-3份、叶绿素0.2-0.4份、磷酸二氢钾0.8-1.2份、黄腐酸二胺铁0.2-0.4份、脱落酸0.1-0.2份和赤霉素0.1-0.2份；
所述步骤（1）中原球茎诱导培养基配方为：N6培养基+NAA 0.1mg/L+6BA 0.5mg/L +琼脂6.5g/L+蔗糖30g/L+活性炭0.3g/L；
所述步骤（2）中原球茎增殖分化培养基配方为：1/2MS培养基+NAA 0.2mg/L+6BA 2mg/L+骨粉100g/L+琼脂7g/L+蔗糖30g/L+活性炭0.3g/L；
所述步骤（4）中恢复性促开花培养基配方为：1/2MS培养基+NAA 0.5mg/L+6BA 2mg/L +香蕉汁100g/L+活性炭0.3g/L。
2.根据权利要求1所述的一种铁皮石斛开花的微景观培育方法，其特征在于，所述根保护原液的制备方法：3-丙烯酰胺基苯硼酸在60℃中充分溶解后，依次加入N-异丙基丙烯酰胺和马来酰化葡聚糖超声混合均匀，随后置于温度为4℃冰水浴中，加入硫酸铵和四甲基乙二胺搅拌混合均匀后得到根保护原液。
3.根据权利要求2所述的一种铁皮石斛开花的微景观培育方法，其特征在于，所述步骤（3）中高温胁迫培养温度控制如下：从26℃开始白天培养12h后，夜晚均恢复25℃培养12h，第二天白天温度上升1℃相同步骤下培养重复培养，直至15天后白天温度上升至40℃为止。
4.根据权利要求1所述的一种铁皮石斛开花的微景观培育方法，其特征在于，所述步骤（5）中种植基质包括以下质量份原料：0.4-0.7cm松树皮2-4份、0.02-0.04cm风化赤沙石0.8-1.2份、草炭0.4-0.6份、骨粉0.05-0.15份、黄腐酸钾粉末0.2-0.4份和多菌灵可湿性粉末0.05-0.15份。
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