CN116084023A - 加热炉管阻挡板结构、扩散炉及粉末清除方法 - Google Patents

加热炉管阻挡板结构、扩散炉及粉末清除方法 Download PDF

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Abstract

本发明公开了一种加热炉管阻挡板结构、扩散炉及粉末清除方法，所述方法包括：步骤1，在半导体制造设备中设置带孔的加热炉管阻挡板结构；步骤2，在所述带孔的加热炉管阻挡板结构中，通过气体系统向孔喷洒气体；步骤3，控制所述喷洒气体的温度等；本发明能够抑制加热炉内部残留气体在加热炉管阻挡板表面生成为粉末，同时还能保护O形密封圈，延长O形密封圈的使用寿命。

Description

加热炉管阻挡板结构、扩散炉及粉末清除方法
技术领域
本发明涉及半导体制造领域，更为具体的，涉及一种加热炉管阻挡板结构、扩散炉及粉末清除方法。
背景技术
加热炉管阻挡板是为了防止从加热炉管下部溢出的热损失，被用来挡在加热炉管下部的部件。加热炉管阻挡板的外围设有O形密封圈，利用O形密封圈与加热炉管的下部进行密封，为了阻止该O形密封圈的劣化会进行冷却处理，但是在降低加热炉管阻挡板的温度的同时，加热炉管内部的残留气体会蒸镀在低温加热炉管阻挡板的表面，同时生成粉末，而该粉末正是杂质粒子来源。
发明内容
本发明的目的在于克服现有技术的不足，提供一种加热炉管阻挡板结构、扩散炉及粉末清除方法，能够抑制加热炉内部残留气体在加热炉管阻挡板表面生成为粉末，同时还能保护O形密封圈，延长O形密封圈的使用寿命等。
本发明的目的是通过以下方案实现的：
一种加热炉管阻挡板结构，设置在半导体制造设备中，在所述加热炉管阻挡板结构上设置有多个孔，通过所述多个孔能够向加热炉管阻挡板喷洒气体。
进一步地，所述孔的形状包括方形、三角形、圆形和椭圆中的任一种。
进一步地，所述孔的直径在0.1～1mm之间。
进一步地，所述半导体制造设备包括扩散炉。
一种扩散炉，设置有所述的加热炉管阻挡板结构，以及包括气体系统，气体系统向所述阻挡板结构上的孔喷洒气体。
进一步地，包括温度控制装置，所述气体系统喷洒的气体温度通过所述温度控制装置控制在20～180℃之间。
一种粉末清除方法，包括步骤：
在半导体制造设备中设置带孔的加热炉管阻挡板结构；
在所述带孔的加热炉管阻挡板结构中，通过气体系统向孔喷洒气体；
控制所述喷洒气体的温度。
进一步地，在通过气体系统向孔喷洒气体的步骤中，所述喷洒气体采用非活性气体。
进一步地，在控制所述喷洒气体的温度的步骤中，控制喷洒气体的温度在20～180℃之间。
进一步地，在半导体制造设备中设置带孔的加热炉管阻挡板结构的步骤中，所述半导体制造设备为扩散炉。
进一步地，所述非活性气体采用氮气。
进一步地，控制喷洒氮气的温度在20～180℃之间。
本发明的有益效果是：
本发明不仅可以阻挡加热炉管的热损失，同时还可以利用孔来喷洒气体，实现防止在温度降低过程中加热炉管阻挡板结构上出现粉末；具体的，本发明使加热炉管阻挡板的表面流动热烫的气体，抑制加热炉内部残留气体在加热炉管阻挡板表面生成为粉末，同时还能保护O形密封圈，延长O形密封圈的使用寿命。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本发明实施例中加热炉管阻挡板结构在扩散炉中的安装位置示意图；
图2为在扩散炉中进行相关工艺过程后在加热炉管阻挡板结构上会产生粉末的示意图；
图3为采用本发明实施例中加热炉管阻挡板结构进行相关工艺过程后的效果图，可见在加热炉管阻挡板结构上没有粉末；
图4为在本发明实施例中的加热炉管阻挡板结构的孔中喷洒气体的示意图；
关键术语缩略语解释
Tube加热炉管
Tube Shutter加热炉管阻挡板
具体实施方式
本说明书中所有实施例公开的所有特征，或隐含公开的所有方法或过程中的步骤，除了互相排斥的特征和/或步骤以外，均可以以任何方式组合和/或扩展、替换。
实施例1
如图4所示，一种加热炉管阻挡板结构，设置在半导体制造设备中，在加热炉管阻挡板结构上设置有多个孔，通过多个孔能够向加热炉管阻挡板喷洒气体。本实施例的加热炉管阻挡板结构，不仅可以阻挡加热炉管的热损失，同时还可以利用孔来喷洒气体，实现防止在温度降低过程中加热炉管阻挡板结构上出现粉末的问题。
在实施例1的基础上的其他实施例中，加热炉管阻挡板结构上的孔的形状包括方形、三角形、圆形和椭圆中的任一种，还可以是其他形状。
在实施例1的基础上的其他实施例中，加热炉管阻挡板结构上的孔的直径在0.1～1mm之间。
在实施例1的基础上的其他实施例中，半导体制造设备包括扩散炉。
实施例2
一种扩散炉，设置有的加热炉管阻挡板结构，以及包括气体系统，气体系统向阻挡板结构上的孔喷洒气体。
在实施例2的基础上的其他实施例中，包括温度控制装置，气体系统喷洒的气体温度通过温度控制装置控制在20～180℃之间。
实施例3
一种粉末清除方法，包括：
步骤1，在半导体制造设备中设置带孔的加热炉管阻挡板结构；
步骤2，在带孔的加热炉管阻挡板结构中，通过气体系统向孔喷洒气体；
步骤3，控制喷洒气体的温度。
在实施例3的基础上的其他实施例中，在通过气体系统向孔喷洒气体的步骤中，喷洒气体采用非活性气体。
在实施例3的基础上的其他实施例中，在控制喷洒气体的温度的步骤中，控制喷洒气体的温度在20～180℃之间。
在实施例3的基础上的其他实施例中，在半导体制造设备中设置带孔的加热炉管阻挡板结构的步骤中，半导体制造设备为扩散炉。
在实施例3的基础上的其他实施例中，非活性气体采用氮气。
在实施例3的基础上的其他实施例中，控制喷洒氮气的温度在20～180℃之间。
图1为将本发明实施例中加热炉管阻挡板结构设置在扩散炉中的安装位置示意图。图2为在扩散炉中进行相关工艺过程后在加热炉管阻挡板结构上会产生粉末的示意图，图3为采用本发明实施例中加热炉管阻挡板结构进行相关工艺过程后的效果图，可见在加热炉管阻挡板结构上没有粉末。
除以上实例以外，本领域技术人员根据上述公开内容获得启示或利用相关领域的知识或技术进行改动获得其他实施例，各个实施例的特征可以互换或替换，本领域人员所进行的改动和变化不脱离本发明的精神和范围，则都应在本发明所附权利要求的保护范围内。

Claims (12)

1.一种加热炉管阻挡板结构，设置在半导体制造设备中，其特征在于，在所述加热炉管阻挡板结构上设置有多个孔，通过所述多个孔能够向加热炉管阻挡板喷洒气体。
2.根据权利要求1所述的一种加热炉管阻挡板结构，其特征在于，所述孔的形状包括方形、三角形、圆形和椭圆中的任一种。
3.根据权利要求1或2任一所述的一种加热炉管阻挡板结构，其特征在于，所述孔的直径在0.1～1mm之间。
4.根据权利要求3所述的一种加热炉管阻挡板结构，其特征在于，所述半导体制造设备包括扩散炉。
5.一种扩散炉，其特征在于，设置有权利要求1中所述的加热炉管阻挡板结构，以及包括气体系统，气体系统向所述阻挡板结构上的孔喷洒气体。
6.根据权利要求5所述的一种扩散炉，其特征在于，包括温度控制装置，所述气体系统喷洒的气体温度通过所述温度控制装置控制在20～180℃之间。
7.一种粉末清除方法，其特征在于，包括步骤：
在半导体制造设备中设置带孔的加热炉管阻挡板结构；
在所述带孔的加热炉管阻挡板结构中，通过气体系统向孔喷洒气体；
控制所述喷洒气体的温度。
8.根据权利要求7所述的一种粉末清除方法，其特征在于，在通过气体系统向孔喷洒气体的步骤中，所述喷洒气体采用非活性气体。
9.根据权利要求7所述的一种粉末清除方法，其特征在于，在控制所述喷洒气体的温度的步骤中，控制喷洒气体的温度在20～180℃之间。
10.根据权利要求7所述的一种粉末清除方法，其特征在于，在半导体制造设备中设置带孔的加热炉管阻挡板结构的步骤中，所述半导体制造设备为扩散炉。
11.根据权利要求8所述的一种粉末清除方法，其特征在于，所述非活性气体采用氮气。
12.根据权利要求11所述的一种粉末清除方法，其特征在于，控制喷洒氮气的温度在20～180℃之间。
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Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
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CN205774928U (zh) * 2016-06-01 2016-12-07 温州隆润科技有限公司 一种硅片高温扩散设备
CN207165529U (zh) * 2017-07-24 2018-03-30 上海强华实业股份有限公司 一种均匀扩散的光伏硅片石英扩散炉

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